JPS6257213A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6257213A JPS6257213A JP19741485A JP19741485A JPS6257213A JP S6257213 A JPS6257213 A JP S6257213A JP 19741485 A JP19741485 A JP 19741485A JP 19741485 A JP19741485 A JP 19741485A JP S6257213 A JPS6257213 A JP S6257213A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- vacuum chamber
- cleaning
- electrodes
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、グロー放電を用いてａ −３ｌ＋Ｈ，ａ −
３ＩＣ＋Ｈ，ａ −５ＩＧｅ＋Ｈなどの非晶質半導体薄
膜あるいは５ｉＮｘ（ｘ＝ Ｏ〜４／３）、５ＩＯｘ（
ｘ ＝ Ｏ〜２ ）などの絶縁性薄膜を形成するための
プラズマＣＶＤ装置に関する。
３ＩＣ＋Ｈ，ａ −５ＩＧｅ＋Ｈなどの非晶質半導体薄
膜あるいは５ｉＮｘ（ｘ＝ Ｏ〜４／３）、５ＩＯｘ（
ｘ ＝ Ｏ〜２ ）などの絶縁性薄膜を形成するための
プラズマＣＶＤ装置に関する。
プラズマＣＶＤ装置としては、真空室内に平板を平行に
対向させた電極を設置して真空に排気後、原料ガス、例
えばａ −５ｉ膜形成の場合にはＳｉＨ４もしくはＨ，
ガスとの混合ガスを導入して圧力を約０．１〜１０Ｔｏ
ｒｒとし、電極間に直流もしくは高周波電界を印加する
ことによってグロー放電を生起させ、電極の一方に設置
した基板上に所望の薄膜（この場合ａ−Ｓｉ＋Ｈ膜）を
形成するものが知られている。 そしてさらに、一つの反応室内に設置する基板の枚数を
増大させて、量産性を倍増させるために第２図に示すよ
うな装置が実用化されている。第２図において、排気口
８を有する真空室１内には鉛 □直に設置された電極６
とヒータを兼ねた接地電極４が交互に複数列配置されて
いる。薄膜形成用の基板３は、搬送装置により外部、あ
るいは他の膜形成室、真空加熱室、冷却室などが隣接す
る場合には隣接真空室からの移送が可能な基板支持体２
に装着されている０通常基板は、この基板支持体の両側
に設置される。そして真空に排気後、パルプ７を介して
原料ガスを導入し、高周波電源５によって全ての電極６
と接地電極４の間にグロー放電プラズマを生起させ、複
数の基板３に同時に膜形成が実行される。この場合、形
成は基板上ばかりでなく、高周波電極４．６および真空
室１の壁面にも同時に進行する。特に低温状態にある部
分へは、膜として形成されず、例えばａ −５ｌｉｌ形
成の場合にはポリマー化した粉体となって付着すること
が多く、この粉体は、排気装置内に侵入して障害を招く
ばかりでなく、基板支持体２の搬送等の際、真空室ｌ内
を浮遊して基板３面に付着し、膜中にピンホールを発生
させる原因となっていた。 しかも電極上への膜および粉体の形成が進行すると、プ
ラズマ状態を乱すために基板上に形成される膜の形成速
度および膜質の低下をもたらす原因となる。従って、電
極および真空室壁面を定期的にクリーニングする必要が
ある。このクリーニング方法としてはＣＦ４ ＋Ｑ、系
ガスを用いてプラズマエツチングにより除去する方法で
あるが、特に量産装置などではエツチングに長時間を必
要としたり、また炭素による新たな汚染を生ずることも
あるため、真空室内を大気に戻し、上部の蓋を開けて掃
除機等によりクリーニングする方法も取られている。し
かしながら量産装置では電極の１辺が５０ｃｍ以上とな
ることが普通であり、装置の高さも２ｍ近く要するため
作業性が極めて悪く、クリーニングに長時間を要するた
めに装置の稼動率を著しく低下させるという欠点があっ
た。しかも多列に電極および接地電極を兼ねたヒータが
設置されている上に、このヒータはシーズヒータもしく
は鋳込みヒータで作られていてかなりの重量があり、更
に電力導入線が接続されているために取り外すことがで
きず、このため内側にある電極やヒータのクリーニング
ができないという欠点があった。
対向させた電極を設置して真空に排気後、原料ガス、例
えばａ −５ｉ膜形成の場合にはＳｉＨ４もしくはＨ，
ガスとの混合ガスを導入して圧力を約０．１〜１０Ｔｏ
ｒｒとし、電極間に直流もしくは高周波電界を印加する
ことによってグロー放電を生起させ、電極の一方に設置
した基板上に所望の薄膜（この場合ａ−Ｓｉ＋Ｈ膜）を
形成するものが知られている。 そしてさらに、一つの反応室内に設置する基板の枚数を
増大させて、量産性を倍増させるために第２図に示すよ
うな装置が実用化されている。第２図において、排気口
８を有する真空室１内には鉛 □直に設置された電極６
とヒータを兼ねた接地電極４が交互に複数列配置されて
いる。薄膜形成用の基板３は、搬送装置により外部、あ
るいは他の膜形成室、真空加熱室、冷却室などが隣接す
る場合には隣接真空室からの移送が可能な基板支持体２
に装着されている０通常基板は、この基板支持体の両側
に設置される。そして真空に排気後、パルプ７を介して
原料ガスを導入し、高周波電源５によって全ての電極６
と接地電極４の間にグロー放電プラズマを生起させ、複
数の基板３に同時に膜形成が実行される。この場合、形
成は基板上ばかりでなく、高周波電極４．６および真空
室１の壁面にも同時に進行する。特に低温状態にある部
分へは、膜として形成されず、例えばａ −５ｌｉｌ形
成の場合にはポリマー化した粉体となって付着すること
が多く、この粉体は、排気装置内に侵入して障害を招く
ばかりでなく、基板支持体２の搬送等の際、真空室ｌ内
を浮遊して基板３面に付着し、膜中にピンホールを発生
させる原因となっていた。 しかも電極上への膜および粉体の形成が進行すると、プ
ラズマ状態を乱すために基板上に形成される膜の形成速
度および膜質の低下をもたらす原因となる。従って、電
極および真空室壁面を定期的にクリーニングする必要が
ある。このクリーニング方法としてはＣＦ４ ＋Ｑ、系
ガスを用いてプラズマエツチングにより除去する方法で
あるが、特に量産装置などではエツチングに長時間を必
要としたり、また炭素による新たな汚染を生ずることも
あるため、真空室内を大気に戻し、上部の蓋を開けて掃
除機等によりクリーニングする方法も取られている。し
かしながら量産装置では電極の１辺が５０ｃｍ以上とな
ることが普通であり、装置の高さも２ｍ近く要するため
作業性が極めて悪く、クリーニングに長時間を要するた
めに装置の稼動率を著しく低下させるという欠点があっ
た。しかも多列に電極および接地電極を兼ねたヒータが
設置されている上に、このヒータはシーズヒータもしく
は鋳込みヒータで作られていてかなりの重量があり、更
に電力導入線が接続されているために取り外すことがで
きず、このため内側にある電極やヒータのクリーニング
ができないという欠点があった。
本発明は上記の問題点を解決し、より簡便でしかも短時
間内に真空室内のどの部分も掃除機等によるクリーニン
グが可能なプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的と
する。
間内に真空室内のどの部分も掃除機等によるクリーニン
グが可能なプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的と
する。
本発明は、高周波電圧が印加される一方の電極および基
板加熱体を兼ねる他方の電極とが真空室内に交互に平行
に対向配置されたプラズマＣＶＤ装置の、一方の電極の
少な（とも一部が開放可能な真空室壁部分に固定され、
他方の電極が一方の電極に対向しない位置との間に変位
可能であることにより、電極を移動することにより真空
室内の各部のクリーニングが容易にでき、上記の目的を
達成する。
板加熱体を兼ねる他方の電極とが真空室内に交互に平行
に対向配置されたプラズマＣＶＤ装置の、一方の電極の
少な（とも一部が開放可能な真空室壁部分に固定され、
他方の電極が一方の電極に対向しない位置との間に変位
可能であることにより、電極を移動することにより真空
室内の各部のクリーニングが容易にでき、上記の目的を
達成する。
【発明の実施例］
第１図は本発明の一実施例を示し、第２図と共通部分に
は同一の符号が付されている。真空室１の右半分は運転
時の状態を示し、中央の高周波電極６は第１図の場合と
同様に固定されているが、壁ぎわの電極６１は、真空室
の壁の一部を形成する片開き式の扉１１に支持されてい
る。ヒータを兼ねた接地電極４は脚１２の上に固定され
、電極６．６１の中間に位置する。基板支持体２はこの
接地電極４に近接して移送可能である。真空室１の左半
分はクリーニング時の状態を示し、基板支持体２は基板
３と共に室外に取り出されている。扉１１は電極６１と
共に開放され、ヒータ４は脚１２の一方を外して図示の
ように横倒しされている。これにより真空室１の上部の
蓋を開けずに中央の電極６のクリーニングができ、また
真空室の隅部のクリーニングも容易になる。 第３図は本発明の別の実施例を示すもので、第１、第２
図と共通の部分には同一の符号が付され、ｉａｌは第１
．第２図と同様の真空室１の横断面図であるが、（ｂｌ
は（ａ）のＡ方向より見た縦断面図である。 第１図と異なる点は、ヒータを兼ねる接地電極４は横倒
しせずに摺動用ローラ１３により矢印のように板面の方
向に左右に移動可能なことである。これにより扉１１を
開放し、接地電極４の位置をずらして中央電極６のクリ
ーニングを容易に行うことができる。接地電極４の移動
は、電極６の幅だけでよく、片側にこのスペースを設置
するか、もしくは両側に電極幅の半分だけ移動できるよ
うにしてもよい、接地電極４の移動は、例えばチェーン
ベルトあるいはラック・ピニオンにより、モータ等の駆
動装置を真空室ｌの外部に設置することによってさらに
容易に移動が行える。 第４図は異なる実施例で、第３図の実施例の変形例であ
り、第３図と異なる点は電極６がすべて真空室の上部の
１１４に支持されている点である。 クリーニング時には上部の蓋１４を昇降機構により持ち
挙げ、側面の扉１１を開き、さらに接地電極４をローラ
１３により移動すれば、真空室１内部各部を容易にクリ
ーニングできる。さらにこの実施例の特長は、反応生成
物が溜まりやすい下部に電極への高周波電力導入ボート
がないため、作業性が向上する点と、第１．第３図の実
施例では電極６゜６１を併せて３個以上にできないのに
対し、電極数に制限がなく、多数列の電極構成を可能に
なる点である。また上部の１１１４に支持された電極６
はすべて装置外でクリーニングを行うことができ、作業
時間の短縮が図られ、あるいは交換も容易である。 第５図は第４図に示した実施例において接地電極４を横
倒し式にした例で、真空室下部のみを示している。この
実施例では、真空室１の底部１６に階段状に段差をつけ
て接地電極４が増した場合にも各接地電極を横倒しでき
、真空室内部までクリーニングが可能になる。 【発明の効果】 本発明は、プラズマ生起のために真空室内に複数対配置
された電極を真空室の開放される壁部分に固定するかあ
るいは横倒し、横方向移動可能にすることにより、真空
室内クリーニング時の作業性を良好にし、真空室の中央
部に位置する電極あるいは真空室隅部のクリーニングも
可能にしたもので、非晶質半導体薄膜や絶縁性薄膜形成
のためのプラズマＣＶＤ装置のクリーニング時間の短縮
に極めて有効である。
は同一の符号が付されている。真空室１の右半分は運転
時の状態を示し、中央の高周波電極６は第１図の場合と
同様に固定されているが、壁ぎわの電極６１は、真空室
の壁の一部を形成する片開き式の扉１１に支持されてい
る。ヒータを兼ねた接地電極４は脚１２の上に固定され
、電極６．６１の中間に位置する。基板支持体２はこの
接地電極４に近接して移送可能である。真空室１の左半
分はクリーニング時の状態を示し、基板支持体２は基板
３と共に室外に取り出されている。扉１１は電極６１と
共に開放され、ヒータ４は脚１２の一方を外して図示の
ように横倒しされている。これにより真空室１の上部の
蓋を開けずに中央の電極６のクリーニングができ、また
真空室の隅部のクリーニングも容易になる。 第３図は本発明の別の実施例を示すもので、第１、第２
図と共通の部分には同一の符号が付され、ｉａｌは第１
．第２図と同様の真空室１の横断面図であるが、（ｂｌ
は（ａ）のＡ方向より見た縦断面図である。 第１図と異なる点は、ヒータを兼ねる接地電極４は横倒
しせずに摺動用ローラ１３により矢印のように板面の方
向に左右に移動可能なことである。これにより扉１１を
開放し、接地電極４の位置をずらして中央電極６のクリ
ーニングを容易に行うことができる。接地電極４の移動
は、電極６の幅だけでよく、片側にこのスペースを設置
するか、もしくは両側に電極幅の半分だけ移動できるよ
うにしてもよい、接地電極４の移動は、例えばチェーン
ベルトあるいはラック・ピニオンにより、モータ等の駆
動装置を真空室ｌの外部に設置することによってさらに
容易に移動が行える。 第４図は異なる実施例で、第３図の実施例の変形例であ
り、第３図と異なる点は電極６がすべて真空室の上部の
１１４に支持されている点である。 クリーニング時には上部の蓋１４を昇降機構により持ち
挙げ、側面の扉１１を開き、さらに接地電極４をローラ
１３により移動すれば、真空室１内部各部を容易にクリ
ーニングできる。さらにこの実施例の特長は、反応生成
物が溜まりやすい下部に電極への高周波電力導入ボート
がないため、作業性が向上する点と、第１．第３図の実
施例では電極６゜６１を併せて３個以上にできないのに
対し、電極数に制限がなく、多数列の電極構成を可能に
なる点である。また上部の１１１４に支持された電極６
はすべて装置外でクリーニングを行うことができ、作業
時間の短縮が図られ、あるいは交換も容易である。 第５図は第４図に示した実施例において接地電極４を横
倒し式にした例で、真空室下部のみを示している。この
実施例では、真空室１の底部１６に階段状に段差をつけ
て接地電極４が増した場合にも各接地電極を横倒しでき
、真空室内部までクリーニングが可能になる。 【発明の効果】 本発明は、プラズマ生起のために真空室内に複数対配置
された電極を真空室の開放される壁部分に固定するかあ
るいは横倒し、横方向移動可能にすることにより、真空
室内クリーニング時の作業性を良好にし、真空室の中央
部に位置する電極あるいは真空室隅部のクリーニングも
可能にしたもので、非晶質半導体薄膜や絶縁性薄膜形成
のためのプラズマＣＶＤ装置のクリーニング時間の短縮
に極めて有効である。
第１図は本発明の一実施例の横断面図、第２図は従来の
プラズマＣＶＤ装置の横断面図、第３図は本発明の別の
実施例を示し、（ａｌは横断面図、山）は縦断面図、第
４図はさらに別の実施例の一部断面図、第５図はさらに
異なる実施例の要部断面図である。 ｌ：真空室、２：基板支持体、３：基板、４Ｉ接地電極
、６．６１！高周波電極、１１：ｍ、１４１真空室蓋。 第３図 第５図
プラズマＣＶＤ装置の横断面図、第３図は本発明の別の
実施例を示し、（ａｌは横断面図、山）は縦断面図、第
４図はさらに別の実施例の一部断面図、第５図はさらに
異なる実施例の要部断面図である。 ｌ：真空室、２：基板支持体、３：基板、４Ｉ接地電極
、６．６１！高周波電極、１１：ｍ、１４１真空室蓋。 第３図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）高周波電圧が印加される一方の電極および基板加熱
体を兼ねる他方の電極とが真空室内に交互に平行に対向
配置されるものにおいて、一方の電極の少なくとも一部
が開放可能な真空室壁部分に固定され、他方の電極が一
方の電極に対向しない位置との間に変位可能であること
を特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 ２）特許請求の範囲第１項記載の装置において、他方の
電極が横倒し可能なことを特徴とするプラズマＣＶＤ装
置。 ３）特許請求の範囲第１項記載の装置において、他方の
電極がその面方向に移動可能なことを特徴とするプラズ
マＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19741485A JPS6257213A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19741485A JPS6257213A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6257213A true JPS6257213A (ja) | 1987-03-12 |
| JPH0544826B2 JPH0544826B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=16374116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19741485A Granted JPS6257213A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6257213A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02108335U (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | ||
| US5288329A (en) * | 1989-11-24 | 1994-02-22 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Chemical vapor deposition apparatus of in-line type |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0122190Y1 (ko) * | 1996-06-19 | 1998-08-01 | 신웅식 | 탄산음료류 용기 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5843508A (ja) * | 1981-09-09 | 1983-03-14 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 量産型成膜装置 |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP19741485A patent/JPS6257213A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5843508A (ja) * | 1981-09-09 | 1983-03-14 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 量産型成膜装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02108335U (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | ||
| US5288329A (en) * | 1989-11-24 | 1994-02-22 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Chemical vapor deposition apparatus of in-line type |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544826B2 (ja) | 1993-07-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |