JPS6115321A - 成膜方法 - Google Patents
成膜方法Info
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- JPS6115321A JPS6115321A JP59137547A JP13754784A JPS6115321A JP S6115321 A JPS6115321 A JP S6115321A JP 59137547 A JP59137547 A JP 59137547A JP 13754784 A JP13754784 A JP 13754784A JP S6115321 A JPS6115321 A JP S6115321A
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- film
- capacitor
- electrode
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はグロー放電を用いた半導体膜の成膜方法に関す
る。
る。
［従来の技術］
従来、１つのＲＦ電極を用い、その両側で放電を生ぜせ
しめ、両面で半導体膜を形成する方法として、第１０図
に示すような方法が考案されている。これは、ＲＦ電極
（１）の両側のグランド電極（３ａ）、（３ｂ）上に基
板（４ａ）、（４ｂ）を置き、ＲＦ電極（１）の両側で
放電を生ぜせしめ、基板（４ａ）、（４ｂ）上に成膜す
る方法であり、必要によりヒーター（５ａ）、（ｓｂ）
テ基板（４ａ）、（４ｂ）を加熱しながら半導体膜を形
成してもよい。このばあい、２面の成膜面に対してＲＦ
電極が１個、対応するＲ［電源およびマツチング回路も
それぞれ１個ですむというメリットがある。しかし、左
右の半導体層形成速度が異なるばあいに、その速度を調
節することができないという欠点がある。
しめ、両面で半導体膜を形成する方法として、第１０図
に示すような方法が考案されている。これは、ＲＦ電極
（１）の両側のグランド電極（３ａ）、（３ｂ）上に基
板（４ａ）、（４ｂ）を置き、ＲＦ電極（１）の両側で
放電を生ぜせしめ、基板（４ａ）、（４ｂ）上に成膜す
る方法であり、必要によりヒーター（５ａ）、（ｓｂ）
テ基板（４ａ）、（４ｂ）を加熱しながら半導体膜を形
成してもよい。このばあい、２面の成膜面に対してＲＦ
電極が１個、対応するＲ［電源およびマツチング回路も
それぞれ１個ですむというメリットがある。しかし、左
右の半導体層形成速度が異なるばあいに、その速度を調
節することができないという欠点がある。
左右の半導体膜形成速度、すなわち放電の強さを調節し
ようとするばあいには、第１１図に示すように中央に基
板（４ａ）、（４ｂ）を置き、外側にＲＦ電極（１ａ）
、（１ｂ）をそれぞれ基板に対向するように計２個置く
方法がある。このばあい、２個のＲＦ電極にはそれぞれ
独立したＲＦ電源とマツチング回路を接続し、それぞれ
の出力を調節することにより、放電の強さを調節する−
ことができる。それゆえ、成膜速度のコントロールはで
きるというメリットはあるものの、２個のＲＦ電源によ
る相互干渉を防ぐ手段を講じなければならず、その上Ｒ
Ｆ主電源マツチング回路が各２個必要であるためコスト
高となり、かつ、使用できる装置に制約が生じるなどの
欠点がある。
ようとするばあいには、第１１図に示すように中央に基
板（４ａ）、（４ｂ）を置き、外側にＲＦ電極（１ａ）
、（１ｂ）をそれぞれ基板に対向するように計２個置く
方法がある。このばあい、２個のＲＦ電極にはそれぞれ
独立したＲＦ電源とマツチング回路を接続し、それぞれ
の出力を調節することにより、放電の強さを調節する−
ことができる。それゆえ、成膜速度のコントロールはで
きるというメリットはあるものの、２個のＲＦ電源によ
る相互干渉を防ぐ手段を講じなければならず、その上Ｒ
Ｆ主電源マツチング回路が各２個必要であるためコスト
高となり、かつ、使用できる装置に制約が生じるなどの
欠点がある。
［発明が解決しようとする問題点コ
本発明は上記のごとき実情、すなわち、第１０図に示す
ような１個のＲＦ電極、ＲＦ電源、マツチング回路の組
で、ＲＦ電極の両側でグロー放電分解し、２面の基板上
に半導体膜を成膜するばあいに生ずる、左右の半導体膜
の成膜速度が異なるという問題を解決するとともに、第
１１図に示すように、ＲＦ電源、マツチング回路が各２
軒必要で装置がコスト高となり、使用できる装置に制約
が生じ、かつ２個のＲＦ電源による相互干渉を防ぐ必要
があるという問題を解決するためになされたものである
。
ような１個のＲＦ電極、ＲＦ電源、マツチング回路の組
で、ＲＦ電極の両側でグロー放電分解し、２面の基板上
に半導体膜を成膜するばあいに生ずる、左右の半導体膜
の成膜速度が異なるという問題を解決するとともに、第
１１図に示すように、ＲＦ電源、マツチング回路が各２
軒必要で装置がコスト高となり、使用できる装置に制約
が生じ、かつ２個のＲＦ電源による相互干渉を防ぐ必要
があるという問題を解決するためになされたものである
。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、ＲＦ電極の両側に設置した基板上にグロー放
雷分解法により半導体膜を成膜する際に、電気的に絶縁
され、互いに平行に配置されたＲＦ電極のそれぞれに、
１つのＲＦ電源から接続された１つのマツチング回路か
ら分岐して、前記ＲＦ電極の少なくとも一方に電気素子
を有する回路を介し、それぞれのＲＦ電極にＲＦパワー
を導入して、ＲＦ電極の両面のプラズマをコントロール
しながら成膜することを特徴とする成膜方法に関する。
雷分解法により半導体膜を成膜する際に、電気的に絶縁
され、互いに平行に配置されたＲＦ電極のそれぞれに、
１つのＲＦ電源から接続された１つのマツチング回路か
ら分岐して、前記ＲＦ電極の少なくとも一方に電気素子
を有する回路を介し、それぞれのＲＦ電極にＲＦパワー
を導入して、ＲＦ電極の両面のプラズマをコントロール
しながら成膜することを特徴とする成膜方法に関する。
［実施例］
本発明の方法を、その一実施態様を示す第１図に基づき
説明する。
説明する。
Ｒ［電極（１ａ）、（１ｂ）は平行に配置した２枚の金
属板を絶縁材（２）を介してはさんだもので、それぞれ
の金属板にそれぞれ直列に電気素子、たとえば固定コン
デンサー（６ｂ）および可変コンデンサー（６ａ）が反
応機の外で接続されている。一方、ＲＦ電極から供給さ
れた高周波（ＲＦ）はマツチング回路を経て２分割され
、コンデンサーに供給される。
属板を絶縁材（２）を介してはさんだもので、それぞれ
の金属板にそれぞれ直列に電気素子、たとえば固定コン
デンサー（６ｂ）および可変コンデンサー（６ａ）が反
応機の外で接続されている。一方、ＲＦ電極から供給さ
れた高周波（ＲＦ）はマツチング回路を経て２分割され
、コンデンサーに供給される。
ＲＦ電極（１ａ）、（１ｂ）の両側にはＲ「電極面と平
行に対向電極となるグランド電極（３ａ）、（３ｂ）が
配置されており、その上に基板（４ａ）、（４ｂ）が載
置される。第１図に示すように、必要に応じてヒーター
（５ａ）、（５ｂ）を配置し、基板（４ａ）、（４ｂ）
を加熱するようにしてもよい。
行に対向電極となるグランド電極（３ａ）、（３ｂ）が
配置されており、その上に基板（４ａ）、（４ｂ）が載
置される。第１図に示すように、必要に応じてヒーター
（５ａ）、（５ｂ）を配置し、基板（４ａ）、（４ｂ）
を加熱するようにしてもよい。
ＲＦ電極（１ａ）、（１ｂ）の分離方法は、ガスを電極
内部から導入するばあいには、第１図に示すように、周
囲で絶縁材（２）をはさむ構造が好ましいが、このよう
な方法に限定されるものではなく、電気的に絶縁されて
いればいかなる方法でもよい。
内部から導入するばあいには、第１図に示すように、周
囲で絶縁材（２）をはさむ構造が好ましいが、このよう
な方法に限定されるものではなく、電気的に絶縁されて
いればいかなる方法でもよい。
このようにＲＦ電極を電気的に２分割し、それぞれにコ
ンデンサーを直列に接続することにより、Ｒ「電極（１
ａ）、（１ｂ）の両側で成膜することができ、かつ左右
の成膜速度が異なるばあいでも、コンデンサーの容量を
変ることにより、成膜速度を任意に調節することができ
る。
ンデンサーを直列に接続することにより、Ｒ「電極（１
ａ）、（１ｂ）の両側で成膜することができ、かつ左右
の成膜速度が異なるばあいでも、コンデンサーの容量を
変ることにより、成膜速度を任意に調節することができ
る。
成膜速度の調節は一度成膜してできた膜の厚さを測定し
、左右が同一となるように調節する方法、目で放電の強
さを見て概略向−強さとなるよう調節する方法、ＯＥＳ
（プラズマ分光分析）などのプラズマ強度を検知す
る手段により放電の強さを検知し、その値によって人間
が手動で調節する方法や、前記手動のかわりに適した調
節計とサーボモータ丁の組合わせにより自動調節する方
法などがあげられるが、これらのうちでは調節計とサー
ボモーターとの組合わせにより自動調節する方法がとく
に望ましい。
、左右が同一となるように調節する方法、目で放電の強
さを見て概略向−強さとなるよう調節する方法、ＯＥＳ
（プラズマ分光分析）などのプラズマ強度を検知す
る手段により放電の強さを検知し、その値によって人間
が手動で調節する方法や、前記手動のかわりに適した調
節計とサーボモータ丁の組合わせにより自動調節する方
法などがあげられるが、これらのうちでは調節計とサー
ボモーターとの組合わせにより自動調節する方法がとく
に望ましい。
前記コンデンサーのかわりに、第２図に示すようにコイ
ルを用いてもよい。またコンデンサーやコイルを第３図
や第４図に示すように並列に接続してもよく、第５図に
示すようにコイルとコンデンサーを適当に組合せて接続
してもよい。もちろんＲ「電極の一方にのみ電気素子を
接続してもよい。要するに１つのＲＦ電源、マツチング
回路から２つに分岐して供給されるＲＦパワーが適切に
その強弱を調整できる回路になっていれば本発明の成膜
方法に使用できる。この際、コイル、コンデンサーは可
変であることが望ましいのはいうまでもない。
ルを用いてもよい。またコンデンサーやコイルを第３図
や第４図に示すように並列に接続してもよく、第５図に
示すようにコイルとコンデンサーを適当に組合せて接続
してもよい。もちろんＲ「電極の一方にのみ電気素子を
接続してもよい。要するに１つのＲＦ電源、マツチング
回路から２つに分岐して供給されるＲＦパワーが適切に
その強弱を調整できる回路になっていれば本発明の成膜
方法に使用できる。この際、コイル、コンデンサーは可
変であることが望ましいのはいうまでもない。
本明細書にいうコイルとは、電線をスパイラル状に巻い
たいわゆるコイルのほかに、適当なインダクタンスを有
する導体、たとえばＲＦの導入に使用されている銅板な
どを所定の形状に成形したものなどをも含む概念である
。
たいわゆるコイルのほかに、適当なインダクタンスを有
する導体、たとえばＲＦの導入に使用されている銅板な
どを所定の形状に成形したものなどをも含む概念である
。
第６図に示すように、マツチング回路を２つに分岐した
のちＲＦ両電極での間に電気素子を入れないばあいでも
、ＲＦ両電極２枚に分割して用いると、上述のようにＲ
Ｆ導入銅板の長さや形状を変化させるだけで放電をある
程度変化させることができる。
のちＲＦ両電極での間に電気素子を入れないばあいでも
、ＲＦ両電極２枚に分割して用いると、上述のようにＲ
Ｆ導入銅板の長さや形状を変化させるだけで放電をある
程度変化させることができる。
これらコイルまたはコンデンサーのインダクタンスある
いは容量を変化させて、左右の放電の強さを−変えたば
あい、系全体の等価回路は定数も変化するため、マツチ
ング回路の操作部（可変コンデンサーであることが多い
）を操作してＲＦ両電極周波数にマツチングを合わせな
おす必要がある。なお本明細書では、第７図に示すごと
き従来から使用されているマツチング回路をそのように
呼称しているが：本発明に用＆’％る電気素子などを含
めてマツチング回路と称することもできる。
いは容量を変化させて、左右の放電の強さを−変えたば
あい、系全体の等価回路は定数も変化するため、マツチ
ング回路の操作部（可変コンデンサーであることが多い
）を操作してＲＦ両電極周波数にマツチングを合わせな
おす必要がある。なお本明細書では、第７図に示すごと
き従来から使用されているマツチング回路をそのように
呼称しているが：本発明に用＆’％る電気素子などを含
めてマツチング回路と称することもできる。
絶縁材（２）で分離したＲＦ電極間の距離は任意である
が、通常は１〜２００．である。ＲＦ両電極基板との間
隔は、５〜５０．程度であることが放電の安定性や均一
性の点から好ましく、１０〜３０Ｍ程度であることがさ
らに好ましい。
が、通常は１〜２００．である。ＲＦ両電極基板との間
隔は、５〜５０．程度であることが放電の安定性や均一
性の点から好ましく、１０〜３０Ｍ程度であることがさ
らに好ましい。
ＲＦ両電極面積は１ｍ以内が好ましいが、それ以上の面
積が必要なばあいには、１Ｔｄ以内に分割してＲＦ両電
極複数枚ならべて、第８図に示すような構造にして使用
すればよい。必要により長手方向に電極を直流的に接続
してもよい。電極対を多数直線状に配置すると、成膜面
積を大きくすることができ、理論的には無限大に大きく
することができる。なお平行平板法では、１つの電極面
積は１７１を程度が限度である。
積が必要なばあいには、１Ｔｄ以内に分割してＲＦ両電
極複数枚ならべて、第８図に示すような構造にして使用
すればよい。必要により長手方向に電極を直流的に接続
してもよい。電極対を多数直線状に配置すると、成膜面
積を大きくすることができ、理論的には無限大に大きく
することができる。なお平行平板法では、１つの電極面
積は１７１を程度が限度である。
ＲＦ両電極両側に−はＲＦ両電極平行して基板を移動さ
せるように、基板移動手段（図示されていない）を設け
てもよい。該基板移動手段は、基板をＲＦ電極部に運搬
し、成膜後移動させるだけの動きであってもよい。しか
し、成膜中に基板とＲ「電極との距離をほぼ一定に保持
したまま、基板を一方向へ移動させたり、繰返して振幅
移動させてもよい。このように成膜中に基板を移動させ
ると、形成される膜の厚さ分布を極めて小さくすること
ができる。このような基板移動手段の具体例としては、
多室インライン型の装置があげられる。
せるように、基板移動手段（図示されていない）を設け
てもよい。該基板移動手段は、基板をＲＦ電極部に運搬
し、成膜後移動させるだけの動きであってもよい。しか
し、成膜中に基板とＲ「電極との距離をほぼ一定に保持
したまま、基板を一方向へ移動させたり、繰返して振幅
移動させてもよい。このように成膜中に基板を移動させ
ると、形成される膜の厚さ分布を極めて小さくすること
ができる。このような基板移動手段の具体例としては、
多室インライン型の装置があげられる。
ＲＦ両電極よびその両側に輸送された基板は、互いにほ
ぼ平行であれば水平になっていてもよく、垂直になって
もよく、その他の角度をもってかだむいて存在していて
もよいが、これらが垂直に近い状態で配置されているば
あいには、成膜面一ヒにごみが落下したりすることもな
いので、良好な膜が形成される。
ぼ平行であれば水平になっていてもよく、垂直になって
もよく、その他の角度をもってかだむいて存在していて
もよいが、これらが垂直に近い状態で配置されているば
あいには、成膜面一ヒにごみが落下したりすることもな
いので、良好な膜が形成される。
基板として長尺連続基板を用い、連続成膜するばあいに
は、基板を一方へ移動させる方法が適しているが２通常
は短ＲのＭ板厚用いられる−基板を加熱しうるように、
必要により設けられているヒーターにより基板を加熱し
てもよい。
は、基板を一方へ移動させる方法が適しているが２通常
は短ＲのＭ板厚用いられる−基板を加熱しうるように、
必要により設けられているヒーターにより基板を加熱し
てもよい。
基板温度は形成される膜の種類、使用目的などによって
も異なるが、通常５０〜４００℃程度が好ましい。
も異なるが、通常５０〜４００℃程度が好ましい。
第９図に示すように゛、ＲＦ電極対を、゛直線状に配置
したものを、たとえば１〜１００対、゛好ましくは１〜
１０対平行に設置すると、同時に多数の基板上に半導体
層を形成することができ、成膜面積を大′きくすること
ができる。
したものを、たとえば１〜１００対、゛好ましくは１〜
１０対平行に設置すると、同時に多数の基板上に半導体
層を形成することができ、成膜面積を大′きくすること
ができる。
本発明の方法が採用される非晶質半導体膜なとの成膜装
置にはとくに制限はなく、通常使用されているタイプの
成膜装置であればすべて使用しうる。たとえば多室構造
の装置であってもよく、このばあいには多室構造を構成
する室のうち少なくとも一室（たとえばｐ層、ｉ層、ｎ
層を形成する部屋のうちの一室）で本発明の方法が用い
られていてもよい。前記のような多室構造の装置を用い
るばあいには、各室を基板が通過するため、隔壁にはス
リットやゲートバルブが設けられているが、ゲートバル
ブがなくてスリットが設けられており、通常の差動排気
手段を有する差動排気室が設けられていて、基板を連続
移動させることができるものであることが、生産性をあ
げるという点から好ましい。
置にはとくに制限はなく、通常使用されているタイプの
成膜装置であればすべて使用しうる。たとえば多室構造
の装置であってもよく、このばあいには多室構造を構成
する室のうち少なくとも一室（たとえばｐ層、ｉ層、ｎ
層を形成する部屋のうちの一室）で本発明の方法が用い
られていてもよい。前記のような多室構造の装置を用い
るばあいには、各室を基板が通過するため、隔壁にはス
リットやゲートバルブが設けられているが、ゲートバル
ブがなくてスリットが設けられており、通常の差動排気
手段を有する差動排気室が設けられていて、基板を連続
移動させることができるものであることが、生産性をあ
げるという点から好ましい。
前記のごとく、第１図に示されているような本発明に用
いる装置が、非晶質半導体膜などを製造するグロー放電
分解成膜装置として設けられ、周波数１〜１００ＨＨ２
程度、成膜単位面積当りのＲ［パワーが０．００３〜０
．２１４／ｃｍ 、微結晶化させるときには０．１〜５
Ｗ／ｄ程度の条件で、反応性ガス、たとえばケイ素化合
物、炭素化合物、チッ素化合物、ドーピングガス、不活
性ガスからなる原料ガスの０．０１〜５Ｔｏｒｒ程度の
存在下でグロー放電を行ない、基板上に０．００５〜１
００ρ程度の厚さに半導体層が成膜される。
いる装置が、非晶質半導体膜などを製造するグロー放電
分解成膜装置として設けられ、周波数１〜１００ＨＨ２
程度、成膜単位面積当りのＲ［パワーが０．００３〜０
．２１４／ｃｍ 、微結晶化させるときには０．１〜５
Ｗ／ｄ程度の条件で、反応性ガス、たとえばケイ素化合
物、炭素化合物、チッ素化合物、ドーピングガス、不活
性ガスからなる原料ガスの０．０１〜５Ｔｏｒｒ程度の
存在下でグロー放電を行ない、基板上に０．００５〜１
００ρ程度の厚さに半導体層が成膜される。
本発明の方法を用いて成膜すると、小型の装置で大面積
の成膜が容易であり、かつ均一な膜厚がえられる。さら
に均一な品質の膜かえられ、その上奇生放電が少ないの
で粉が出にくく、ピンホールの少ない膜かえられ、グロ
ー放電が極めて表定でＲＦの利用効率も高いというよう
な特徴を有している。その上シリコンを含むｐｉｎ 。
の成膜が容易であり、かつ均一な膜厚がえられる。さら
に均一な品質の膜かえられ、その上奇生放電が少ないの
で粉が出にくく、ピンホールの少ない膜かえられ、グロ
ー放電が極めて表定でＲＦの利用効率も高いというよう
な特徴を有している。その上シリコンを含むｐｉｎ 。
ｐｎ１ヘテロまたはホモ接合太陽電池、センサ、ＴＦＴ
（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、Ｃ
ＣＤ（ｃｈａｒｇｅｃｏｕｐｌｅｄ ｄｅｖｉｃｅ）な
どのデバイス、とくに非晶質シリコンを含む太陽電池の
ばあいにはプラズマ安定性が効率の再現性に大きく影響
するので、本発明の方法を用いると、１０％以上の高変
換効率が大面積で再現性よくえられる。また電子写真用
感光材料、ＬＩＳのパシベーション膜、プリント基板用
絶縁膜などの用途にも好適に用いられる。
（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、Ｃ
ＣＤ（ｃｈａｒｇｅｃｏｕｐｌｅｄ ｄｅｖｉｃｅ）な
どのデバイス、とくに非晶質シリコンを含む太陽電池の
ばあいにはプラズマ安定性が効率の再現性に大きく影響
するので、本発明の方法を用いると、１０％以上の高変
換効率が大面積で再現性よくえられる。また電子写真用
感光材料、ＬＩＳのパシベーション膜、プリント基板用
絶縁膜などの用途にも好適に用いられる。
づぎに本発明を実施例にもとづき説明づる。
実施例１
第１図と同様のグロー放電型成膜装置を用いた成膜方法
の実施例について説明する。
の実施例について説明する。
コンデンサーを接続し、４ｍの絶縁材をはさんだＲＦ電
極（５６０Ｘ ５６０ ｕｓ ）に、１３．５６ＨＨ２
のＲＦ発振機とマツチング回路を通して２分割したＲＦ
をコンデンサーを経て導入した。使用したコンデンサー
は固定の２５０ｐＦとＨａｘ ５００ｐＦの可変コンデ
ンサーであった。基板とじて４０ Ｃｍ角のＩＴＯ／５
ｎ０２ガラス基板を用いて、基板温度２００℃でＳｉＨ
４／ ＣＨａ ＝ ５０／ ５０、Ｂ２ Ｈら／ （
Ｓ！Ｈ４＋Ｃｔ１４ ） ＝ ０．０５％（モル％、以
下同様）からなるｐ層を１００人、５ｉＨａからなるｉ
層を６０００Ａ 。
極（５６０Ｘ ５６０ ｕｓ ）に、１３．５６ＨＨ２
のＲＦ発振機とマツチング回路を通して２分割したＲＦ
をコンデンサーを経て導入した。使用したコンデンサー
は固定の２５０ｐＦとＨａｘ ５００ｐＦの可変コンデ
ンサーであった。基板とじて４０ Ｃｍ角のＩＴＯ／５
ｎ０２ガラス基板を用いて、基板温度２００℃でＳｉＨ
４／ ＣＨａ ＝ ５０／ ５０、Ｂ２ Ｈら／ （
Ｓ！Ｈ４＋Ｃｔ１４ ） ＝ ０．０５％（モル％、以
下同様）からなるｐ層を１００人、５ｉＨａからなるｉ
層を６０００Ａ 。
ＰＨ３／ ＳｉＨ４＝ ０．２％からなるｎ層を５００
人成膜した。］コンデンサは２５０ｐＦと３５０ｐＦで
用いた。ツイテＡＩを約１０００人蒸着し、ＡＨ−１，
１００ｍＷ／ｃｔｉのソーラーシミュレーターを用いて
太陽電池の変換効率の分布を求めたところ、最小１０４
％、最大１１．７％、平均１１％と極めて均一で高効率
がえられることが分った。また成膜速度１０人／ｓｅｃ
で成膜しても効率はほとんど変化しなかった。また半導
体層の厚さは左右はとんど同じであった。
人成膜した。］コンデンサは２５０ｐＦと３５０ｐＦで
用いた。ツイテＡＩを約１０００人蒸着し、ＡＨ−１，
１００ｍＷ／ｃｔｉのソーラーシミュレーターを用いて
太陽電池の変換効率の分布を求めたところ、最小１０４
％、最大１１．７％、平均１１％と極めて均一で高効率
がえられることが分った。また成膜速度１０人／ｓｅｃ
で成膜しても効率はほとんど変化しなかった。また半導
体層の厚さは左右はとんど同じであった。
実施例２
実施例１の右側のコンデンサーを２５σｐＦに固定し、
左側のコンデンサーを１０〜５００ｐＦに変えたほかは
実施例１と同様にして１層の成膜速度を求めた。その結
果を第１表に示す。
左側のコンデンサーを１０〜５００ｐＦに変えたほかは
実施例１と同様にして１層の成膜速度を求めた。その結
果を第１表に示す。
［以下余白］
［発明の効果コ
以上のように、分離した電極にコンデンサーまたはコイ
ルなどの電気素子を接続し、それらを操作することによ
り、左右の半導体膜の成膜速度を大幅に変えることがで
きるので、左右の半導体膜の成膜速度が異なるばあいに
は、コンデンサーまたはコイルなどの電気素子を調整す
ることで成膜速度を簡単に同一にすることができる。
ルなどの電気素子を接続し、それらを操作することによ
り、左右の半導体膜の成膜速度を大幅に変えることがで
きるので、左右の半導体膜の成膜速度が異なるばあいに
は、コンデンサーまたはコイルなどの電気素子を調整す
ることで成膜速度を簡単に同一にすることができる。
第１図は本発明の成膜方法に用いる装置の一実施態様に
関する説明図、第２〜６図はそれぞれ本発明に用いる異
なった実施□態様の電極、電気素子、マツチング回路の
接続に関する説明図、第７図は本発明に用いるマツチン
グ回路の一実施態様に関する説明図、第８〜９図はそれ
ぞれ本発明に用いる異なった実施態様の電極対配置に関
する説明図、第１０〜１１図はいずれも従来から行なわ
れている成膜方法に用いる装置に関する説明図である。 （図面の主要符号） （１）、（１ａ）、（１ｂ） ： ＲＦ電極（２）：絶
縁材 （３）、（３ａ）、（３ｔｌ） ニゲランド電極（６ａ
） ：可変コンデンサ− （６ｂ） ：固定コンデンサー （７ａ）：可変コイル （７ｂ） ：固定コイル 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社 はか１名第１岡 ３２図 第３図 第４図 第５図 ２６図 オフ図 ニ オ８ｇ ２９図
関する説明図、第２〜６図はそれぞれ本発明に用いる異
なった実施□態様の電極、電気素子、マツチング回路の
接続に関する説明図、第７図は本発明に用いるマツチン
グ回路の一実施態様に関する説明図、第８〜９図はそれ
ぞれ本発明に用いる異なった実施態様の電極対配置に関
する説明図、第１０〜１１図はいずれも従来から行なわ
れている成膜方法に用いる装置に関する説明図である。 （図面の主要符号） （１）、（１ａ）、（１ｂ） ： ＲＦ電極（２）：絶
縁材 （３）、（３ａ）、（３ｔｌ） ニゲランド電極（６ａ
） ：可変コンデンサ− （６ｂ） ：固定コンデンサー （７ａ）：可変コイル （７ｂ） ：固定コイル 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社 はか１名第１岡 ３２図 第３図 第４図 第５図 ２６図 オフ図 ニ オ８ｇ ２９図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＲＦ電極の両側に設置した基板上にグロー放電分解
法により半導体膜を成膜する際に、電気的に絶縁され、
互いに平行に配置されたＲＦ電極のそれぞれに、１つの
ＲＦ電源から接続された１つのマッチング回路から分岐
して、前記ＲＦ電極の少なくとも一方に電気素子を有す
る回路を介し、それぞれのＲＦ電極にＲＦパワーを導入
して、ＲＦ電極の両面のプラズマをコントロールしなが
ら成膜することを特徴とする成膜方法。 ２ 前記電気素子を有する回路を介した接続が、コンデ
ンサーの容量を直列または並列に接続した接続である特
許請求の範囲第１項記載の成膜方法。 ３ 前記コンデンサーが固定コンデンサーまたは可変コ
ンデンサーである特許請求の範囲第２項記載の成膜方法
。 ４ 前記電気素子を有する回路を介した接続が、コイル
のインダクタンスを直列または並列に接続した接続であ
る特許請求の範囲第１項記載の成膜方法。 ５ 前記コイルが固定コイルまたは可変コイルである特
許請求の範囲第４項記載の成膜方法。 ６ 前記コントロールが、ＲＦ電極両側の半導体膜の膜
厚分布を均一に調整するためのコントロールである特許
請求の範囲第１項記載の成膜方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59137547A JPH0719751B2 (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 成膜方法 |
| US06/746,693 US4664890A (en) | 1984-06-22 | 1985-06-20 | Glow-discharge decomposition apparatus |
| CA484632A CA1269950C (en) | 1984-06-22 | 1985-06-20 | DEVICE FOR DECOMPOSITION BY GLOWING DISCHARGE |
| AU43940/85A AU591063B2 (en) | 1984-06-22 | 1985-06-21 | Glow discharge decomposition apparatus |
| DE8585107698T DE3586637T2 (de) | 1984-06-22 | 1985-06-21 | Vorrichtung zum zersetzen mittels einer glimmentladung. |
| KR1019850004437A KR900001234B1 (ko) | 1984-06-22 | 1985-06-21 | 글로우 방전 분해에 의해 기재 상에 필름을 퇴적시키기 위한 장치 및 그 방법 |
| IN456/CAL/85A IN163964B (ja) | 1984-06-22 | 1985-06-21 | |
| EP85107698A EP0165618B1 (en) | 1984-06-22 | 1985-06-21 | Glow-discharge decomposition apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59137547A JPH0719751B2 (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6115321A true JPS6115321A (ja) | 1986-01-23 |
| JPH0719751B2 JPH0719751B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=15201243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59137547A Expired - Lifetime JPH0719751B2 (ja) | 1984-06-22 | 1984-07-02 | 成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719751B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6329927U (ja) * | 1986-08-09 | 1988-02-27 | ||
| JPH02108335U (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | ||
| JP2005158982A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Kaneka Corp | Ｃｖｄ装置 |
| US20110094446A1 (en) * | 2008-06-06 | 2011-04-28 | Ulvac, Inc. | Thin-film solar cell manufacturing apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5848416A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-22 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 量産型薄膜生成装置 |
| JPS58163436A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ反応用装置 |
| JPS5914633A (ja) * | 1982-07-16 | 1984-01-25 | Anelva Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1984
- 1984-07-02 JP JP59137547A patent/JPH0719751B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5848416A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-22 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 量産型薄膜生成装置 |
| JPS58163436A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ反応用装置 |
| JPS5914633A (ja) * | 1982-07-16 | 1984-01-25 | Anelva Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6329927U (ja) * | 1986-08-09 | 1988-02-27 | ||
| JPH02108335U (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | ||
| JP2005158982A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Kaneka Corp | Ｃｖｄ装置 |
| JP4679051B2 (ja) * | 2003-11-26 | 2011-04-27 | 株式会社カネカ | Ｃｖｄ装置 |
| US20110094446A1 (en) * | 2008-06-06 | 2011-04-28 | Ulvac, Inc. | Thin-film solar cell manufacturing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0719751B2 (ja) | 1995-03-06 |
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