JP4289246B2 - 薄膜形成装置 - Google Patents
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この図8に示すプラズマCVD装置100は、平行平板型プラズマCVD装置であり、反応容器101内に対向して平行に配置された平板状の高周波電圧印加電極102および接地電極103を有している。高周波電圧印加電極102には、その端部に接続された給電線104およびインピーダンス整合器105を介して高周波電源106が接続されている。また、接地電極103には、図示しないヒータが内蔵されている。
図9(A)に示すように、上記図8の縦型のプラズマCVD装置100は、高周波電源106に電気的に接続された高周波電圧印加電極102と接地電極103を備えた電極構成を有している。このような電極構成の場合、図9(B)に示すように、その分布定数回路300には、高周波電源106が接続された回路内に複数の抵抗(R)、インダクタンス(L)、キャパシタンス(C)が存在する。この分布定数回路300を受端が開放端の有限長分布定数回路と考えると、開放端側で反射が起こるので、電極内には定在波が立つ。
λ1 = v/f = 1.0×108/13.56×106 = 7.37 [m] (13.56MHz) …(2a)
λ1 = v/f = 1.0×108/27×106 = 3.7 [m] (27MHz) …(2b)
図10は従来の縦型プラズマCVD装置の電極電位分布である。
図11は縦型プラズマCVD装置の別の構成例である。ただし、図11では、図8に示した要素と同一の要素については同一の符号を付している。
まず、第1の実施の形態について説明する。
図1は第1の実施の形態のプラズマCVD装置の構成例である。
次に、第2の実施の形態について説明する。
この第2の実施の形態のプラズマCVD装置20は、接地電極13に平行な平板状の第1,第2,第3の電極板21a,21b,21cを備えた高周波電圧印加電極21において、第2の電極板21bがその上部側と下部側で非対称な形状で構成されている点で、上記第1の実施の形態のプラズマCVD装置10と相違する。その他の構成は、第1の実施の形態のプラズマCVD装置10と同じである。
図3は第3の実施の形態のプラズマCVD装置の構成例である。ただし、図3では、図1に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
図4は第4の実施の形態のプラズマCVD装置の構成例である。ただし、図4では、図1に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
このような電極構造とすると、第1,第2の電極板12a,12b間の静電容量が、上部側に対して下部側が2倍となり、第1の電極板12aの上端部から給電を行った場合でも、その上部側と下部側での高周波電力のバランスが保たれるようになる。さらに、第1,第2,第3の電極板12a,12b,12cが中央部で電気的に接続されているので、第3の電極板12cへの電力供給がバランス良く行われるようになる。したがって、第3の電極板12c表面に高周波電力が略均等に供給されるようになり、大面積の基板1上に膜厚の均一性の良い薄膜を形成することができるようになる。
図5は第5の実施の形態のプラズマCVD装置の構成例である。ただし、図5では、図1に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
図6は第6の実施の形態のプラズマCVD装置の構成例である。ただし、図6では、図1に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
図7は膜厚測定結果の一例である。図7において、横軸は給電端から開放端の間の位置を表し、縦軸は膜厚を表している。なお、図7には、比較のため、従来の縦型の平行平板型プラズマCVD装置(図8参照)で薄膜形成を行ったときの膜厚分布も併せて図示している。
10,20,30,40,50,60 プラズマCVD装置
11 反応容器
11a 壁部
12,21,31,51,61 高周波電圧印加電極
12a,21a,31a,61c 第1の電極板
12b,21b,31b,61a 第2の電極板
12c,21c,61b 第3の電極板
13,13a,13b 接地電極
14 給電線
15 インピーダンス整合器
16 高周波電源
17,22,32,52,62 接続部
18 放電領域
41 誘電体
Claims (7)
- 電極間に印加される電圧によって発生する放電を利用して薄膜の形成を行う薄膜形成装置において、
接地された平板状の接地電極と、
電気的に接続された複数の電極板を有し前記複数の電極板のうち前記接地電極に対向する電極板の面が前記接地電極の面と平行に配置され前記接地電極に対向する電極板と異なる電極板に給電が行われ、前記給電が行われる電極板と前記給電が行われる電極板に対向する電極板との間の静電容量が異なる部分を有する電圧印加電極と、
前記電圧印加電極と前記接地電極との間に電圧が印加されて内部に放電領域が形成される反応容器と、
を有することを特徴とする薄膜形成装置。 - 前記複数の電極板は、各電極板の中央部で電気的に接続されていることを特徴とする請求項1記載の薄膜形成装置。
- 前記静電容量が異なる部分は、前記給電が行われる電極板と前記給電が行われる電極板に対向する電極板との面積が異なることによって形成されていることを特徴とする請求項1記載の薄膜形成装置。
- 前記静電容量が異なる部分は、前記給電が行われる電極板を前記給電が行われる電極板に対向する電極板に対し傾斜して配置することによって形成されていることを特徴とする請求項1記載の薄膜形成装置。
- 前記静電容量が異なる部分は、前記給電が行われる電極板と前記給電が行われる電極板に対向する電極板との間に誘電体を配置することによって形成されていることを特徴とする請求項1記載の薄膜形成装置。
- 前記複数の電極板のうち給電が行われる電極板が前記反応容器の壁部であることを特徴とする請求項1記載の薄膜形成装置。
- 前記接地電極は、前記電圧印加電極を挟んだ両側にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項1記載の薄膜形成装置。
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