JPS5848416A - 量産型薄膜生成装置 - Google Patents
量産型薄膜生成装置Info
- Publication number
- JPS5848416A JPS5848416A JP56145713A JP14571381A JPS5848416A JP S5848416 A JPS5848416 A JP S5848416A JP 56145713 A JP56145713 A JP 56145713A JP 14571381 A JP14571381 A JP 14571381A JP S5848416 A JPS5848416 A JP S5848416A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- substrates
- electrode
- thin film
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
、本発明は、例えばアモルファスシリコン太陽電池の製
法に用いられるよう、な一つの反応室内で多数の基板上
に同時に薄膜をプラズマＣＶＤ法で生成する量産型薄膜
生成装置に関する。
法に用いられるよう、な一つの反応室内で多数の基板上
に同時に薄膜をプラズマＣＶＤ法で生成する量産型薄膜
生成装置に関する。
第１図は周知のアモルファスシリコン膜生成装置を示し
、反応槽１内に水平に配置した電極（サセプタ）２の上
に置かわ、電極２の中のヒータによって加熱される基板
３に平板電極３を対向させ、排気口５より真空排気しボ
ンベ６からのＳｉＨ４ガスにボンベ７からのＨ，ガス、
ボンベ８からのＡｒガス、さらにはＰ形膜形成のために
はボンベ９かうＢ、Ｈ６ガス、Ｎ形膜形成のためにはボ
ンベ１０かもＰＨ，ガスを混１合した反応ガスを導入管
１１より反応槽１内に導入し、両電極２，４間に高周波
電源１２または直流電源１３によってグロー放電を発生
させる。こねによりＳｉＨ，が分解して基板上に７モル
フ７スシリコン膜が生成する。しかしこのような装置を
拡大して多数の基板を一つの反応室内で同時に処理する
場合には、反応室が大１きな面積を要するよ５た反応室
の内壁に堆積した副生成物の膜が剥離し、基板面に付着
して生成膜の欠陥になる虞があるが、大面積に広がった
基板をこのような落下物がら遮蔽することは困難である
。
、反応槽１内に水平に配置した電極（サセプタ）２の上
に置かわ、電極２の中のヒータによって加熱される基板
３に平板電極３を対向させ、排気口５より真空排気しボ
ンベ６からのＳｉＨ４ガスにボンベ７からのＨ，ガス、
ボンベ８からのＡｒガス、さらにはＰ形膜形成のために
はボンベ９かうＢ、Ｈ６ガス、Ｎ形膜形成のためにはボ
ンベ１０かもＰＨ，ガスを混１合した反応ガスを導入管
１１より反応槽１内に導入し、両電極２，４間に高周波
電源１２または直流電源１３によってグロー放電を発生
させる。こねによりＳｉＨ，が分解して基板上に７モル
フ７スシリコン膜が生成する。しかしこのような装置を
拡大して多数の基板を一つの反応室内で同時に処理する
場合には、反応室が大１きな面積を要するよ５た反応室
の内壁に堆積した副生成物の膜が剥離し、基板面に付着
して生成膜の欠陥になる虞があるが、大面積に広がった
基板をこのような落下物がら遮蔽することは困難である
。
付着のおそｔ１０ない量産型−膜生成′装置を提供する
ことを目的とする。
ことを目的とする。
この目的は、反応室内に収！された第一電極とそわに平
行に対向する第二電極との間に電圧を印加してグルー放
電を発生させ一１反応ガスを分解してその成分を薄、膜
として第一１極に支持された基板上に生成する装置にお
いて１．多数の第一電極と第二電極と−が等゛間゛隔で
交互に牛］ぞれ鉛直に配置さ４、二つの第二電極にはさ
まｔｌに第一電極の両面に七れぞわ基板が支持されるこ
とによって達成される。
行に対向する第二電極との間に電圧を印加してグルー放
電を発生させ一１反応ガスを分解してその成分を薄、膜
として第一１極に支持された基板上に生成する装置にお
いて１．多数の第一電極と第二電極と−が等゛間゛隔で
交互に牛］ぞれ鉛直に配置さ４、二つの第二電極にはさ
まｔｌに第一電極の両面に七れぞわ基板が支持されるこ
とによって達成される。
、 以下、図面を引用して本発明の実箆例について説明
する。第２図は本発明の一実施例の反応室のセブタ）２
１と対向電極ｎは交互に平行に反応室の□底面お上に鉛
直に立てられている゛。反応室の底面おは絶縁部ムと導
電部四とから成り、導電部２６に電極２１および四が固
定されている。電極２１はまた磁歪を内蔵し、−磁性材
料、例えばＪＩｓｓ、Ｕ８．４３０のようなフェライト
系ステンン不鋼からなる基板訪を両面に吸着、支持する
。この両電極２１，２２間に電圧を印加して、プラズマ
ｃｖＤ法に、より加熱・された基板拠上に薄膜を生成す
る。、この・場合基板５２６は鉛直であるため、反応室
の内壁から剥離し、鉛直に落下する副生成＠ 、７１％
基、板面に付着することがない。また鉛直電極２１の両
面に基板％が取付けられるので、小さい面積の反′―”
愈で多数のｉ板上゛に薄膜を生成でき、床＊＊、効皐゛
の点からも真空構造の点からも有利〒あ・る。 − 第３図は基板の別の鉛直支持方式を示し、電極２Ｆの両
面の基部に１１ｒＬ２６の端部がガイド板２７に狭゛着
さ′１て′いる。−゛ 第４図は第２．第３におけ゛る対拘電極セ２゛を−いて
、電極は１べてヒータを内蔵イ′るサセ゛プ゛り２１゛
と ゛し−１一つおきのサセプタ２１を電源の一方の゛
極−“に接続して一放゛電を発生させる。各サセプタ２
１’は両゛−に基板妬が−゛取り付けられるので′第２
．゛第３図の場合′に比して約２倍の基板を処′理“す
るこ′とがで゛きる。
する。第２図は本発明の一実施例の反応室のセブタ）２
１と対向電極ｎは交互に平行に反応室の□底面お上に鉛
直に立てられている゛。反応室の底面おは絶縁部ムと導
電部四とから成り、導電部２６に電極２１および四が固
定されている。電極２１はまた磁歪を内蔵し、−磁性材
料、例えばＪＩｓｓ、Ｕ８．４３０のようなフェライト
系ステンン不鋼からなる基板訪を両面に吸着、支持する
。この両電極２１，２２間に電圧を印加して、プラズマ
ｃｖＤ法に、より加熱・された基板拠上に薄膜を生成す
る。、この・場合基板５２６は鉛直であるため、反応室
の内壁から剥離し、鉛直に落下する副生成＠ 、７１％
基、板面に付着することがない。また鉛直電極２１の両
面に基板％が取付けられるので、小さい面積の反′―”
愈で多数のｉ板上゛に薄膜を生成でき、床＊＊、効皐゛
の点からも真空構造の点からも有利〒あ・る。 − 第３図は基板の別の鉛直支持方式を示し、電極２Ｆの両
面の基部に１１ｒＬ２６の端部がガイド板２７に狭゛着
さ′１て′いる。−゛ 第４図は第２．第３におけ゛る対拘電極セ２゛を−いて
、電極は１べてヒータを内蔵イ′るサセ゛プ゛り２１゛
と ゛し−１一つおきのサセプタ２１を電源の一方の゛
極−“に接続して一放゛電を発生させる。各サセプタ２
１’は両゛−に基板妬が−゛取り付けられるので′第２
．゛第３図の場合′に比して約２倍の基板を処′理“す
るこ′とがで゛きる。
また低温の電極部が存在しないの“で゛副°生成物の゛
付着箇所“′力ｉ減少し、反応室内のふ元１゛気は副生
成物′が混入することが少なく、清鹸に保′たれるので
生成膜質が良好になる。 ′”パ” 上述の例では一′、電極２１．２２は反応室の底面幻゛
の上゛に立３てられソ゛いるが、反応室−の側壁に固定
されてもよい。
付着箇所“′力ｉ減少し、反応室内のふ元１゛気は副生
成物′が混入することが少なく、清鹸に保′たれるので
生成膜質が良好になる。 ′”パ” 上述の例では一′、電極２１．２２は反応室の底面幻゛
の上゛に立３てられソ゛いるが、反応室−の側壁に固定
されてもよい。
以１述べたように、本発明はグロビｉ電′のためにその
間に電圧゛が印加さ゛れ′る二種類の電極゛を平行に対
向させ′て′交゛互゛に、かつ鉛直−に？てて一つ６反
応室内に多数ｉ＊−ｉるもの＋、これにより”°占′有
−積に対比して多数の基板を電極上に支持する′ことが
でき、また反応車内１１［Ｋ付着した副生成物が剥離し
た際基板表面に落下して′付着するごどがな〜“−ので
、欠陥のない良質の膜を生成でき、特に７゛モノ「）′
アスシリコゾ太陽電池の量産に対し゛て極めて有効に利
用できる、。
間に電圧゛が印加さ゛れ′る二種類の電極゛を平行に対
向させ′て′交゛互゛に、かつ鉛直−に？てて一つ６反
応室内に多数ｉ＊−ｉるもの＋、これにより”°占′有
−積に対比して多数の基板を電極上に支持する′ことが
でき、また反応車内１１［Ｋ付着した副生成物が剥離し
た際基板表面に落下して′付着するごどがな〜“−ので
、欠陥のない良質の膜を生成でき、特に７゛モノ「）′
アスシリコゾ太陽電池の量産に対し゛て極めて有効に利
用できる、。
第１図はアモルファスシリ゛コ°ン膜゛生成装置の従来
例の断面図、第２図は本′発明の一実施例の薄膜生成装
置の一部分を切断゛して示した斜視図、パ第゛３図はそ
の電極部の別の実施例の断面図、第４図はさ、ら゛に異
なる実施例゛の断面図−である。 ・ ・２１・・・
電極（サセプタ）、２２・・・対向電極、’ ２ａ儒反
応宣底面、２６′・・・基板。−１ ゛′、：−
例の断面図、第２図は本′発明の一実施例の薄膜生成装
置の一部分を切断゛して示した斜視図、パ第゛３図はそ
の電極部の別の実施例の断面図、第４図はさ、ら゛に異
なる実施例゛の断面図−である。 ・ ・２１・・・
電極（サセプタ）、２２・・・対向電極、’ ２ａ儒反
応宣底面、２６′・・・基板。−１ ゛′、：−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）反応室内に収容された第一電極とそれに平行に対向
する第二電極との間に電圧を印加してグロー放電を発生
させ、反応ガスを分解してその成分を薄膜として第一電
極に支持された基板上に生成するものにおいて、多数の
第一電極と第二電極とが等間隔で交互にそれぞれ鉛直に
配置さね、二つの第二域・極にはさまねた第一電極の両
面にそれぞれ基板が支持されたことを特徴とする量産型
薄膜生成装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の装置において、第一電
極が磁石を内蔵し、基板が強磁性材料よりなることを特
徴とする量産型薄膜生成装置〇′３）特許請求の範囲第
１項記載の装置において、基板の端部がそれぞわ反応室
の一つの壁面に固定された第一電極の基部とガイド板の
間に挟着されたことを１Ｆ！Ｉ徴とする量産型薄膜生成
装置。 ４）特許請求の範囲第１項ないし第３項のいすわかに記
載の装置におい、℃、第二、電極にも第一電極における
と同様に基板が支持さねたことを特徴とゴる量産型薄膜
生成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145713A JPS5848416A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 量産型薄膜生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145713A JPS5848416A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 量産型薄膜生成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848416A true JPS5848416A (ja) | 1983-03-22 |
| JPH0338730B2 JPH0338730B2 (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=15391397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56145713A Granted JPS5848416A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 量産型薄膜生成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848416A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2524199A1 (fr) * | 1982-03-29 | 1983-09-30 | Energy Conversion Devices Inc | Appareil de depot par decharge luminescente comprenant une cathode disposee de maniere non horizontale |
| JPS618914A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-16 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | グロ−放電型成膜装置 |
| JPS6115321A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-23 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 成膜方法 |
| NL1022489C2 (nl) * | 2003-01-24 | 2004-07-28 | Stichting Energie | Koppelinrichting voor dunnefilm fotovoltaïsche cellen. |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53112066A (en) * | 1977-03-11 | 1978-09-30 | Fujitsu Ltd | Plasma treatment apparatus |
| JPS53134663U (ja) * | 1977-03-30 | 1978-10-25 |
-
1981
- 1981-09-16 JP JP56145713A patent/JPS5848416A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53112066A (en) * | 1977-03-11 | 1978-09-30 | Fujitsu Ltd | Plasma treatment apparatus |
| JPS53134663U (ja) * | 1977-03-30 | 1978-10-25 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2524199A1 (fr) * | 1982-03-29 | 1983-09-30 | Energy Conversion Devices Inc | Appareil de depot par decharge luminescente comprenant une cathode disposee de maniere non horizontale |
| JPS618914A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-16 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | グロ−放電型成膜装置 |
| JPS6115321A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-23 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 成膜方法 |
| NL1022489C2 (nl) * | 2003-01-24 | 2004-07-28 | Stichting Energie | Koppelinrichting voor dunnefilm fotovoltaïsche cellen. |
| WO2004066400A1 (en) * | 2003-01-24 | 2004-08-05 | Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland | Coupling device for thin-film photovoltaic cells |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0338730B2 (ja) | 1991-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4452828A (en) | Production of amorphous silicon film | |
| JPS6342115A (ja) | 被膜作製方法 | |
| JPS59121828A (ja) | グロー放電堆積装置 | |
| JPS5848416A (ja) | 量産型薄膜生成装置 | |
| TW533597B (en) | CVD system and substrate cleaning method | |
| JPH0576172B2 (ja) | ||
| WO2007060876A1 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JPS6240717A (ja) | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 | |
| JP2002180257A (ja) | プラズマ処理装置と薄膜形成方法および表面処理方法 | |
| CN209397263U (zh) | 等离子体增强化学气相沉积用多通道电极装置 | |
| JP2701242B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置用電極構造 | |
| JPH0590939U (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2003160875A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPH0429217B2 (ja) | ||
| JP2776859B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP3282326B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2920637B2 (ja) | グロー放電分解装置 | |
| JPH09213636A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS59215476A (ja) | 量産型グロ−放電分解装置 | |
| JPH03214723A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0891987A (ja) | プラズマ化学蒸着装置 | |
| JPH02246111A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3073675B2 (ja) | 半導体薄膜製造装置用トレイ | |
| JPS62194683A (ja) | 非晶質シリコン系太陽電池製造方法 | |
| JPS59227709A (ja) | アモルフアス・シリコンの成膜装置 |