JPS59211219A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS59211219A JPS59211219A JP58086844A JP8684483A JPS59211219A JP S59211219 A JPS59211219 A JP S59211219A JP 58086844 A JP58086844 A JP 58086844A JP 8684483 A JP8684483 A JP 8684483A JP S59211219 A JPS59211219 A JP S59211219A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- projecting electrodes
- plasma
- amorphous film
- sample stage
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はプラズマＣＶＤ装置、特に平行平板型プラズ
マＣＶＤ装置の改良に関するものである。
マＣＶＤ装置の改良に関するものである。
一般にシランガスのグロー放電分解によってアモルファ
スシリコン薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置は、大量
大面積処理を目的とするために大型化の必要がある。そ
してグロー放電を行なうための構造としてはＬ結合型、
Ｃ結合型などの種々の方法があり、大型化の目的を最重
要視すると、Ｃ結合平行平板型が最も得やすい型式のも
のである。
スシリコン薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置は、大量
大面積処理を目的とするために大型化の必要がある。そ
してグロー放電を行なうための構造としてはＬ結合型、
Ｃ結合型などの種々の方法があり、大型化の目的を最重
要視すると、Ｃ結合平行平板型が最も得やすい型式のも
のである。
こ＼で従来例による平行平板型プラズマＣＶＤ装置は、
第１図に示されているように、所定面積の平板電極（１
）とこれに対向する同面積の平板試料台（２）との間に
、電源（３）によって高周波電力を印加させ、ガス圧力
０．１〜１０ Ｔｏｒｒでグロー放電を発生させ、この
グロー放電によって分解されたシランガスは、アモルフ
ァスシリコン膜となって電極（１）および試料台（２）
に堆積される。すｋわち、この構造の場合には、試料台
が一方の電極としての働きをも兼ねているために、試料
台表面がプラズマに直接々触せざるを得ないもので、プ
ラズマ中のイオン、電子あるいはラジカルによシ直接衝
撃されて、成長されるアモルファス膜の膜質が劣化する
ものであった。またこれに対して、Ｌ結合型。
第１図に示されているように、所定面積の平板電極（１
）とこれに対向する同面積の平板試料台（２）との間に
、電源（３）によって高周波電力を印加させ、ガス圧力
０．１〜１０ Ｔｏｒｒでグロー放電を発生させ、この
グロー放電によって分解されたシランガスは、アモルフ
ァスシリコン膜となって電極（１）および試料台（２）
に堆積される。すｋわち、この構造の場合には、試料台
が一方の電極としての働きをも兼ねているために、試料
台表面がプラズマに直接々触せざるを得ないもので、プ
ラズマ中のイオン、電子あるいはラジカルによシ直接衝
撃されて、成長されるアモルファス膜の膜質が劣化する
ものであった。またこれに対して、Ｌ結合型。
あるいはＣ結合の円筒型のような型式の場合は、放電用
電極と試料台とを別々に設けるので、プラズマ放電の行
なわれている部分、っまシミ界のが＼つている部分と、
試料台とは距離を離して位置させることができ、これに
よってプラズマ損傷を低減させ、良質のアモルファス膜
を得られるが、この場合には大容量の大型装置を構成し
得ないものであった。なお前記第１図において、（４）
は電極（１）と試料台（２）間にか＼る電気力線を示し
ている。
電極と試料台とを別々に設けるので、プラズマ放電の行
なわれている部分、っまシミ界のが＼つている部分と、
試料台とは距離を離して位置させることができ、これに
よってプラズマ損傷を低減させ、良質のアモルファス膜
を得られるが、この場合には大容量の大型装置を構成し
得ないものであった。なお前記第１図において、（４）
は電極（１）と試料台（２）間にか＼る電気力線を示し
ている。
この発明は従来のこのような欠点に鑑み、平行平板型プ
ラズマＣＶＤ装置にあって、試料台表面に突出電極を設
けることによシ、この突出電極に電界を集中させて、プ
ラズマ損傷の少ない良質のアモルファス膜を得られるよ
うにしたものである。
ラズマＣＶＤ装置にあって、試料台表面に突出電極を設
けることによシ、この突出電極に電界を集中させて、プ
ラズマ損傷の少ない良質のアモルファス膜を得られるよ
うにしたものである。
以下、この発明の一実施例につき、第２図および第３図
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
第２図および第３図実施例において前記第１図従来例と
同一符号は同一または相当部分を示しておシ、この実施
例では前記試料台（２）の平板電極（１）と対向する表
面上に適当な間隔で複数本の突出電極（５Ｊを設けたも
のであシ、被処理対象となる試料（６）はこの突出電極
（５）間にあって、試料台（２）上に載置してアモルフ
ァス膜を成長させる。すなわち。
同一符号は同一または相当部分を示しておシ、この実施
例では前記試料台（２）の平板電極（１）と対向する表
面上に適当な間隔で複数本の突出電極（５Ｊを設けたも
のであシ、被処理対象となる試料（６）はこの突出電極
（５）間にあって、試料台（２）上に載置してアモルフ
ァス膜を成長させる。すなわち。
この場合、試料（６）は突出電極（５）の配置如何にょ
シ、その大きさならびに個数が制限されることになる。
シ、その大きさならびに個数が制限されることになる。
従ってこの実施例構成の場合には、前記第１図の従来構
造とは異なって、Ｙ板電極（１）と各突出電極（５）と
の間で放電し、試料台（２）の表面には殆んど電界がか
＼らず、各突出電極（５１はこ＼でいわゆる避雷針のよ
うな働きをすることになる。従ってこのために試料（６
）の表面は直接プラズマにさらされることがなくなシ、
プラズマ中でシランガス分解によって得られる成長種は
、放電にょシ試料（６）の表面に達して恰かも雪の降シ
積るようにして静かに膜成長され、プラズマ中に存在す
るイオンとが電子は試料表面に損傷を与えず、欠陥の少
なり良質のアモルファス膜が得られるのである。
造とは異なって、Ｙ板電極（１）と各突出電極（５）と
の間で放電し、試料台（２）の表面には殆んど電界がか
＼らず、各突出電極（５１はこ＼でいわゆる避雷針のよ
うな働きをすることになる。従ってこのために試料（６
）の表面は直接プラズマにさらされることがなくなシ、
プラズマ中でシランガス分解によって得られる成長種は
、放電にょシ試料（６）の表面に達して恰かも雪の降シ
積るようにして静かに膜成長され、プラズマ中に存在す
るイオンとが電子は試料表面に損傷を与えず、欠陥の少
なり良質のアモルファス膜が得られるのである。
以上詳述したようにこの発明によれば、試料台の平板電
極に対向する表面上に複数本の突出電極を設けたもので
あるから、大面積大量処理の可能な平行平板型であって
も、損傷の少ない良質のアモルファス膜を効果的に成長
し得られるものである０
極に対向する表面上に複数本の突出電極を設けたもので
あるから、大面積大量処理の可能な平行平板型であって
も、損傷の少ない良質のアモルファス膜を効果的に成長
し得られるものである０
第１図は従来例による平行平板型プラズマＣＶＤ装置を
示す概要構成図、第２図はこの発明の一実施例による平
行平板型プラズマＣＶＤ装置を示す概要構成図、第３図
は同上試料台を示す斜視図である。 （１）・・・・平板電極、（２）・・・・試料台、（３
）・・・・高周波電源、（４）・・拳・電気力線、（５
）・・・・突出電極、（６）・・・・試料。 代理人大岩増雄
示す概要構成図、第２図はこの発明の一実施例による平
行平板型プラズマＣＶＤ装置を示す概要構成図、第３図
は同上試料台を示す斜視図である。 （１）・・・・平板電極、（２）・・・・試料台、（３
）・・・・高周波電源、（４）・・拳・電気力線、（５
）・・・・突出電極、（６）・・・・試料。 代理人大岩増雄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被処理試料を載置する試料台と、この試料台面１′ に対向する平板電極とを備えた大行平板型のプラズマＣ
ＶＤ装置において、前記試料台の平板電極に対向する表
面上に、適当な間隔で複数本の突出電極を設けたことを
特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58086844A JPS59211219A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58086844A JPS59211219A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59211219A true JPS59211219A (ja) | 1984-11-30 |
Family
ID=13898115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58086844A Pending JPS59211219A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59211219A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5126164A (en) * | 1988-06-06 | 1992-06-30 | Research Development Corporation Of Japan | Method of forming a thin polymeric film by plasma reaction under atmospheric pressure |
| JP2010244805A (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1983
- 1983-05-16 JP JP58086844A patent/JPS59211219A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5126164A (en) * | 1988-06-06 | 1992-06-30 | Research Development Corporation Of Japan | Method of forming a thin polymeric film by plasma reaction under atmospheric pressure |
| JP2010244805A (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
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