JPS639117A - 半導体薄膜形成装置 - Google Patents
半導体薄膜形成装置Info
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- JPS639117A JPS639117A JP61153135A JP15313586A JPS639117A JP S639117 A JPS639117 A JP S639117A JP 61153135 A JP61153135 A JP 61153135A JP 15313586 A JP15313586 A JP 15313586A JP S639117 A JPS639117 A JP S639117A
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- Japan
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- semiconductor thin
- shield
- electrode
- frequency electrode
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- Pending
Links
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
米業上の利用分野
本発明はアモルファスンリコン等の半導体薄膜を、グロ
ー放電プラズマ分解法によって形成するのに用いられる
半導体薄膜形成装置に関するものである。
ー放電プラズマ分解法によって形成するのに用いられる
半導体薄膜形成装置に関するものである。
従来の技術
従来、この種の半導体薄膜形成装置は、第２図に示すよ
うな構成であった。すなわち反応室１０内に設けられた
高周波電極１２はマツチング回路１６を通して高周波電
源１γに接続されており、これとアース電極１１との間
のグロー放電によりプラズマを発生させ、前記反応室１
０に導入された反応ガスを前記プラズマで分解して基板
１３上に堆積するようになっている。高周波電極１２の
周辺には２ｍｍぐらいの間隙を保持してシールド１４が
設けられており、対向するアース重臣以外との放電を防
止するようになっている。１５は絶縁物であり、高周波
電極１２と反応室１０との間を電気的に分離している。
うな構成であった。すなわち反応室１０内に設けられた
高周波電極１２はマツチング回路１６を通して高周波電
源１γに接続されており、これとアース電極１１との間
のグロー放電によりプラズマを発生させ、前記反応室１
０に導入された反応ガスを前記プラズマで分解して基板
１３上に堆積するようになっている。高周波電極１２の
周辺には２ｍｍぐらいの間隙を保持してシールド１４が
設けられており、対向するアース重臣以外との放電を防
止するようになっている。１５は絶縁物であり、高周波
電極１２と反応室１０との間を電気的に分離している。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成では、高周波型１とシ−ルドとの
間にかなり大きな浮遊容量が存在し、したがって投入し
た高周波電力が、その間隙を通して消費され、対向する
アース電極との間においては、実効的な高周波電力が低
減されるだめ、大きな高周波電力を投入しないと成膜速
度が上がらないという問題点があった。また、高周波電
力を大きくしていくと、間隙の上部における強い異常放
電のため、多量のフレーク状の反応ガス分解物が生成堆
積するといった問題点も生じる。
間にかなり大きな浮遊容量が存在し、したがって投入し
た高周波電力が、その間隙を通して消費され、対向する
アース電極との間においては、実効的な高周波電力が低
減されるだめ、大きな高周波電力を投入しないと成膜速
度が上がらないという問題点があった。また、高周波電
力を大きくしていくと、間隙の上部における強い異常放
電のため、多量のフレーク状の反応ガス分解物が生成堆
積するといった問題点も生じる。
本発明は、このような問題点を解決するもので、投入さ
れる高周波電力が小さくても、大きな成膜速度が得られ
、フレーク状の分解物の生成を極力押えるために金属フ
ローティング部材を具備した半導体薄膜形成装置を提供
するものである。
れる高周波電力が小さくても、大きな成膜速度が得られ
、フレーク状の分解物の生成を極力押えるために金属フ
ローティング部材を具備した半導体薄膜形成装置を提供
するものである。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決する本発明は、前記高周波電極とシー
ルドとの間隙内に、少なくとも１枚の電気的に中立状態
にある金属フローティング部材を、前記高周波電極及び
シールドに対して、それぞれ間隙を保持、好ましくは１
耽〜０．５■の間隙を保持して配置したものである。
ルドとの間隙内に、少なくとも１枚の電気的に中立状態
にある金属フローティング部材を、前記高周波電極及び
シールドに対して、それぞれ間隙を保持、好ましくは１
耽〜０．５■の間隙を保持して配置したものである。
作 用
この構成により、高周波電極とシールドとの間隙をｄと
し、その間の浮遊容量をＣとすれば、高周波電極とシー
ルドとの間に、それぞれに対する間隙がｄとなるように
金属フローティング部材を挿入した場合には、前記高周
波電極とシールドとの間の浮遊容量は９となる。また、
金属フローテインク部材をその間隙がｄとなるように２
枚挿入した場合には、前記浮遊容量は百となる。このよ
うに、前記高周波電極とシールドとの間に、複数枚の金
属フローティング部材を挿入することにより、浮遊容量
は２’３’４−・・・・・・と減少し、それに応じてイ
ンピーダンスも大きくなる。
し、その間の浮遊容量をＣとすれば、高周波電極とシー
ルドとの間に、それぞれに対する間隙がｄとなるように
金属フローティング部材を挿入した場合には、前記高周
波電極とシールドとの間の浮遊容量は９となる。また、
金属フローテインク部材をその間隙がｄとなるように２
枚挿入した場合には、前記浮遊容量は百となる。このよ
うに、前記高周波電極とシールドとの間に、複数枚の金
属フローティング部材を挿入することにより、浮遊容量
は２’３’４−・・・・・・と減少し、それに応じてイ
ンピーダンスも大きくなる。
この結果、高周波電極に投入された高周波電力は、シー
ルド間での損失を小さくすることができ、有効にアース
電極との間のグロー放電に必要なエネルギーとして用い
られる。さらにそれぞれの間隙を１＋ＩＩＩＩ〜０．６
簡にすることにより、間隙上部での強い放電がパッシェ
ンの法則に従い生じにくくなるものである。
ルド間での損失を小さくすることができ、有効にアース
電極との間のグロー放電に必要なエネルギーとして用い
られる。さらにそれぞれの間隙を１＋ＩＩＩＩ〜０．６
簡にすることにより、間隙上部での強い放電がパッシェ
ンの法則に従い生じにくくなるものである。
実施例
以下、本発明の実施例を添付図面にもとづいて説明する
。
。
第１図において、１は反応室であり、その中には、アー
ス電極２と、昼周波電極３が設けられている。高周波電
極３はマツチング回路４を介して高周波電源６に接続さ
れており、高周波電力が投入されると対向するアース電
啄３との間でグｏ −放電が生じる。導入された反応ガ
スであるＳ ｉＨ４ガスは前記グロー放電により生じた
プラズマ中で分解され、前記アース電極２の下側に固定
された基板６の上にアモルファスシリコン半導体薄膜が
形成される。ここで、高周波電極３の周辺には、一定の
間隙を保持してシールド７を設け、さらＫその間には、
ステンレス鋼で作られたフローティング部材８ａ、８ｂ
を２枚挿入した。２枚の７０−ティング部材８ａ、８ｂ
は、その２枚の間隔及び高周波電極３とシールド７との
間隔すべてが２瓢となるようにし、フッ素樹脂からなる
絶縁物９により電気的に中立状態にするとともに固定を
図った。このような構造において、高周波電極とシール
ドとの間の浮遊容量を測定した結果、従来、フローティ
ング部材なしで、高周波電極３とシールド７との間隔を
２１ＩＩＩ＋に保った構造のものに比べて約３分の１に
小さくなり、その結果、投入電力が有効に両電極間に加
わることになり、アモルファスシリコンの成膜速度は同
一投入電力のもとて約２倍に向上させることができた。
ス電極２と、昼周波電極３が設けられている。高周波電
極３はマツチング回路４を介して高周波電源６に接続さ
れており、高周波電力が投入されると対向するアース電
啄３との間でグｏ −放電が生じる。導入された反応ガ
スであるＳ ｉＨ４ガスは前記グロー放電により生じた
プラズマ中で分解され、前記アース電極２の下側に固定
された基板６の上にアモルファスシリコン半導体薄膜が
形成される。ここで、高周波電極３の周辺には、一定の
間隙を保持してシールド７を設け、さらＫその間には、
ステンレス鋼で作られたフローティング部材８ａ、８ｂ
を２枚挿入した。２枚の７０−ティング部材８ａ、８ｂ
は、その２枚の間隔及び高周波電極３とシールド７との
間隔すべてが２瓢となるようにし、フッ素樹脂からなる
絶縁物９により電気的に中立状態にするとともに固定を
図った。このような構造において、高周波電極とシール
ドとの間の浮遊容量を測定した結果、従来、フローティ
ング部材なしで、高周波電極３とシールド７との間隔を
２１ＩＩＩ＋に保った構造のものに比べて約３分の１に
小さくなり、その結果、投入電力が有効に両電極間に加
わることになり、アモルファスシリコンの成膜速度は同
一投入電力のもとて約２倍に向上させることができた。
しかしながら、高周波電極３と内側のフローティング部
材８ａとの間隙に２けるフレーク状の分解生成物の堆積
を抑えることはできなかった。そこで前記２＋ｌｌｌ１
１の間隙を１聾〜０．５１に狭くした構造とした。その
結果、浮遊容量は約２倍と大きくなシ、従来に比べては
約３分の２程度となった。この構造で堆積実験を行なっ
た結果、成膜速度は若干低下したものの、従来に比べて
約１．５倍となりフレーク状の分解生成物の堆積は、皆
無となった。
材８ａとの間隙に２けるフレーク状の分解生成物の堆積
を抑えることはできなかった。そこで前記２＋ｌｌｌ１
１の間隙を１聾〜０．５１に狭くした構造とした。その
結果、浮遊容量は約２倍と大きくなシ、従来に比べては
約３分の２程度となった。この構造で堆積実験を行なっ
た結果、成膜速度は若干低下したものの、従来に比べて
約１．５倍となりフレーク状の分解生成物の堆積は、皆
無となった。
すなわち１本実施例においては高周波電極３とシールド
７との間隙内に２枚の金属フローティング部材８ａ、８
ｂを し、それぞれの間隔を１ｆｆｌ１１〜０．５ｍ＋
ａとすることによって、間隙部に生じるフレーク状の分
解生成物の堆積を解消させるとともに、成膜速度を約１
．５倍に向上させることができた。
７との間隙内に２枚の金属フローティング部材８ａ、８
ｂを し、それぞれの間隔を１ｆｆｌ１１〜０．５ｍ＋
ａとすることによって、間隙部に生じるフレーク状の分
解生成物の堆積を解消させるとともに、成膜速度を約１
．５倍に向上させることができた。
発明の効果
以上のように本発明によれば、投入した高周波電力を有
効にグロー放電に要するエネルギーとして用いることに
より、半導体薄膜の成膜速度を向上させるとともに、フ
レーク状の分解生成物の発成を抑えることができる。
効にグロー放電に要するエネルギーとして用いることに
より、半導体薄膜の成膜速度を向上させるとともに、フ
レーク状の分解生成物の発成を抑えることができる。
第１図は本発明の実施例の半導体薄膜形成装置の断面略
図、第２図は従来の半導体薄膜形成装置を示す断面略図
である。 ２・・・・・・アース電極、３・・・・・・高周波電極
、６・・・・・・基板、７・・・・・・シールド、ｓａ
、ｓｂ・・印・金属７０−ティング部材、９・・・・
・・絶縁物。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名菓
１ 図
図、第２図は従来の半導体薄膜形成装置を示す断面略図
である。 ２・・・・・・アース電極、３・・・・・・高周波電極
、６・・・・・・基板、７・・・・・・シールド、ｓａ
、ｓｂ・・印・金属７０−ティング部材、９・・・・
・・絶縁物。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名菓
１ 図
Claims (2)
- （１）反応室内に設けられた高周波電極とアース電極と
の間のグロー放電によりプラズマを発生させ、前記反応
室内に導入された反応ガスを前記プラズマにより分解し
て基板上に半導体薄膜を形成する半導体薄膜形成装置で
あって、前記高周波電極の周辺には電極と一定の間隙を
保持してシールドを設けるとともに、前記間隙内に少な
くとも１枚の電気的に中立状態にある金属フローティン
グ部材を、前記高周波電極及びシールドに対して間隙を
保持して配置したことを特徴とする半導体薄膜形成装置
。 - （２）前記高周波電極、金属フローティング部材および
シールドの間隙を１〜０．５ｍｍした特許請求の範囲第
１項記載の半導体薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61153135A JPS639117A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 半導体薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61153135A JPS639117A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 半導体薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS639117A true JPS639117A (ja) | 1988-01-14 |
Family
ID=15555765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61153135A Pending JPS639117A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 半導体薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS639117A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02234437A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-17 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| EP0818803A2 (en) * | 1996-07-10 | 1998-01-14 | Applied Materials, Inc. | Electrically floating shield in a plasma reactor |
| JP4557400B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2010-10-06 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法 |
| US20100255196A1 (en) * | 2007-05-09 | 2010-10-07 | Leybold Optics Gmbh | Treatment system for flat substrates |
| US10236387B2 (en) | 2015-09-18 | 2019-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP61153135A patent/JPS639117A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02234437A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-17 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| EP0818803A2 (en) * | 1996-07-10 | 1998-01-14 | Applied Materials, Inc. | Electrically floating shield in a plasma reactor |
| EP0818803A3 (en) * | 1996-07-10 | 1999-03-31 | Applied Materials, Inc. | Electrically floating shield in a plasma reactor |
| KR100517474B1 (ko) * | 1996-07-10 | 2005-12-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마리액터에서의전기적플로팅실드 |
| JP4557400B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2010-10-06 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法 |
| US20100255196A1 (en) * | 2007-05-09 | 2010-10-07 | Leybold Optics Gmbh | Treatment system for flat substrates |
| US10236387B2 (en) | 2015-09-18 | 2019-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
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