JP2551028Y2 - 光起電力装置の製造装置 - Google Patents
光起電力装置の製造装置Info
- Publication number
- JP2551028Y2 JP2551028Y2 JP1992005117U JP511792U JP2551028Y2 JP 2551028 Y2 JP2551028 Y2 JP 2551028Y2 JP 1992005117 U JP1992005117 U JP 1992005117U JP 511792 U JP511792 U JP 511792U JP 2551028 Y2 JP2551028 Y2 JP 2551028Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- photovoltaic device
- substrate
- vacuum chamber
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、光起電力装置の製造装
置に係り、特に基板上の成膜状態の安定性を高められる
ようにした光起電力装置の製造装置に関する。
置に係り、特に基板上の成膜状態の安定性を高められる
ようにした光起電力装置の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光起電力装置の製造装置として
は、真空チャンバ内にアノード側の基板とカソード側の
電極（ＲＦ電極）とを対向させて配置し、上記真空チャ
ンバ内に例えばＳｉＨ4 等の反応ガスを導入する一方、
真空チャンバ内の排気を行う排気系を設けて真空チャン
バ内の圧力を適当な一定の圧力に保つようにしている。
また、上記電極に高周波（ＲＦ）電圧を印加するＲＦ電
源を設けて、所定圧の反応ガスが充満している真空チャ
ンバ内の電極にＲＦ電圧を印加できるようにしている。
は、真空チャンバ内にアノード側の基板とカソード側の
電極（ＲＦ電極）とを対向させて配置し、上記真空チャ
ンバ内に例えばＳｉＨ4 等の反応ガスを導入する一方、
真空チャンバ内の排気を行う排気系を設けて真空チャン
バ内の圧力を適当な一定の圧力に保つようにしている。
また、上記電極に高周波（ＲＦ）電圧を印加するＲＦ電
源を設けて、所定圧の反応ガスが充満している真空チャ
ンバ内の電極にＲＦ電圧を印加できるようにしている。
【０００３】この従来の光起電力装置の製造装置におい
ては、所定圧の反応ガスが充満している真空チャンバ内
の電極にＲＦ電圧を印加することにより電極と基板との
間でグロー放電を発生させ、反応ガスを分解させる。そ
して、分解された反応ガスのラジカルがアノード側の基
板の表面に付着し、更に堆積して、アモルファスまたは
微結晶のＳｉ膜に成長する。
ては、所定圧の反応ガスが充満している真空チャンバ内
の電極にＲＦ電圧を印加することにより電極と基板との
間でグロー放電を発生させ、反応ガスを分解させる。そ
して、分解された反応ガスのラジカルがアノード側の基
板の表面に付着し、更に堆積して、アモルファスまたは
微結晶のＳｉ膜に成長する。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】この従来の光起電力装
置の製造装置では、基板への成膜と同時に分解した反応
ガスのラジカルが電極の表面に付着してシリコン（Ｓ
ｉ）チップを形成し、更に、このＳｉチップが堆積して
電極の表面を被覆すると、電極と基板との間のグロー放
電の状態が変動し、基板上の成膜状態がＳｉチップの発
生前に比べるとＳｉチップ発生後に変動して不安定にな
るという問題がある。
置の製造装置では、基板への成膜と同時に分解した反応
ガスのラジカルが電極の表面に付着してシリコン（Ｓ
ｉ）チップを形成し、更に、このＳｉチップが堆積して
電極の表面を被覆すると、電極と基板との間のグロー放
電の状態が変動し、基板上の成膜状態がＳｉチップの発
生前に比べるとＳｉチップ発生後に変動して不安定にな
るという問題がある。
【０００５】本考案は上記の事情を鑑みてなされたもの
であり、その目的は基板上の成膜状態の安定性を高めら
れるようにした光起電力装置の製造装置を提供すること
にある。
であり、その目的は基板上の成膜状態の安定性を高めら
れるようにした光起電力装置の製造装置を提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本考案に係る光起電力装
置の製造方法は、真空チャンバ内でアノード側の基板と
カソード側の電極とを対向させ、カソード側の電極に高
周波電力を印加する光起電力装置の製造装置において、
上記カソード側の電極に高周波電圧の印加と同時に振動
する超音波発振器を設け、カソード側の電極が超音波振
動することを特徴とする光起電力装置の製造装置。
置の製造方法は、真空チャンバ内でアノード側の基板と
カソード側の電極とを対向させ、カソード側の電極に高
周波電力を印加する光起電力装置の製造装置において、
上記カソード側の電極に高周波電圧の印加と同時に振動
する超音波発振器を設け、カソード側の電極が超音波振
動することを特徴とする光起電力装置の製造装置。
【０００７】
【作用】本考案においては、カソード側の電極への高周
波電圧の印加と同時にカソード側の電極に超音波発振器
で振動を印加して、カソード側の電極を振動させるの
で、カソード側の電極へのＳｉチップの付着、堆積が防
止でき、電極・基板間でのグロー放電の放電状態が安定
する。
波電圧の印加と同時にカソード側の電極に超音波発振器
で振動を印加して、カソード側の電極を振動させるの
で、カソード側の電極へのＳｉチップの付着、堆積が防
止でき、電極・基板間でのグロー放電の放電状態が安定
する。
【０００８】
【実施例】以下、本考案の一実施例に係る光起電力装置
の製造装置を図１に基づいて具体的に説明する。
の製造装置を図１に基づいて具体的に説明する。
【０００９】図１の模式図に示すように、この光起電力
装置の製造装置は、真空チャンバ１内に図示しない反応
ガス供給装置から反応ガス２をＲＦ電極３内を通して導
入する一方、排気路４を介して図示しない排気系によっ
て排気することにより真空チャンバ１内を一定の圧力に
保つようにしてある。
装置の製造装置は、真空チャンバ１内に図示しない反応
ガス供給装置から反応ガス２をＲＦ電極３内を通して導
入する一方、排気路４を介して図示しない排気系によっ
て排気することにより真空チャンバ１内を一定の圧力に
保つようにしてある。
【００１０】上記真空チャンバ１内にはカソードとして
のＲＦ電極３に対向させたアノードとしての基板５が配
置される。ＲＦ電極３には、真空チャンバ１外に設けら
れたＲＦ電源６が接続され、このＲＦ電源６よりＲＦ電
圧が供給される。
のＲＦ電極３に対向させたアノードとしての基板５が配
置される。ＲＦ電極３には、真空チャンバ１外に設けら
れたＲＦ電源６が接続され、このＲＦ電源６よりＲＦ電
圧が供給される。
【００１１】また、この光起電力装置の製造装置には、
公知の超音波発振器７が設けられ、ＲＦ電圧の印加と同
時にこの超音波発振器７でＲＦ電極３を超音波振動させ
るようにしている。
公知の超音波発振器７が設けられ、ＲＦ電圧の印加と同
時にこの超音波発振器７でＲＦ電極３を超音波振動させ
るようにしている。
【００１２】この光起電力装置の製造装置においては、
所定圧の反応ガス２を真空チャンバ１内に充満させた状
態で、ＲＦ電極３にＲＦ電源６からＲＦ電圧を印加する
と、ＲＦ電極３と基板５との間でグロー放電８が発生し
て反応ガスが分解される。これにより発生したラジカル
は基板５に付着し、更に堆積して、基板５の表面上にア
モルファスまたは微結晶のＳｉ膜が形成される。
所定圧の反応ガス２を真空チャンバ１内に充満させた状
態で、ＲＦ電極３にＲＦ電源６からＲＦ電圧を印加する
と、ＲＦ電極３と基板５との間でグロー放電８が発生し
て反応ガスが分解される。これにより発生したラジカル
は基板５に付着し、更に堆積して、基板５の表面上にア
モルファスまたは微結晶のＳｉ膜が形成される。
【００１３】これと同時に反応ガスの分解により生成さ
れるラジカルはＲＦ電極３にも付着して堆積しようとす
るが、ＲＦ電極３を超音波振動させることにより、ＲＦ
電極３にラジカルが付着し難くなり、また、ＲＦ電極３
に付着するラジカルが堆積して形成されるアモルファス
または微結晶のＳｉチップ９が振動でＲＦ電極３から剥
離される。
れるラジカルはＲＦ電極３にも付着して堆積しようとす
るが、ＲＦ電極３を超音波振動させることにより、ＲＦ
電極３にラジカルが付着し難くなり、また、ＲＦ電極３
に付着するラジカルが堆積して形成されるアモルファス
または微結晶のＳｉチップ９が振動でＲＦ電極３から剥
離される。
【００１４】これにより、ＲＦ電極３の表面へのＳｉチ
ップ９の堆積が防止され、ＲＦ電極３の表面を常に露出
させることができるので、グロー放電８の放電状態が安
定し、基板５上でのＳｉ膜の形成状態、すなわち、成膜
状態が安定する。
ップ９の堆積が防止され、ＲＦ電極３の表面を常に露出
させることができるので、グロー放電８の放電状態が安
定し、基板５上でのＳｉ膜の形成状態、すなわち、成膜
状態が安定する。
【００１５】
【考案の効果】以上説明したように、本考案は、電極を
振動させる超音波発振器を設け、電極へのＲＦ電圧の印
加と同時に超音波発振器で電極を超音波振動させること
により、電極表面へのＳｉチップの堆積を防止している
ので、電極・基板間のグロー放電の放電状態を安定させ
ることができ、その結果、基板上でのＳｉ膜の成膜状態
を安定させることができる。
振動させる超音波発振器を設け、電極へのＲＦ電圧の印
加と同時に超音波発振器で電極を超音波振動させること
により、電極表面へのＳｉチップの堆積を防止している
ので、電極・基板間のグロー放電の放電状態を安定させ
ることができ、その結果、基板上でのＳｉ膜の成膜状態
を安定させることができる。
【図１】本考案の一実施例の構成を示す模式図である。
１ 真空チャンバ ３ 電極 ５ 基板 ７ 超音波発振器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 西脇 秀則 守口市京阪本通２丁目18番地 三洋電機 株式会社内 (72)考案者 大西 三千年 守口市京阪本通２丁目18番地 三洋電機 株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−27011（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 真空チャンバ内でアノード側の基板とカ
ソード側の電極とを対向させ、カソード側の電極に高周
波電力を印加する光起電力装置の製造装置において、上
記カソード側の電極に高周波電圧の印加と同時に振動す
る超音波発振器を設け、カソード側の電極が超音波振動
することを特徴とする光起電力装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992005117U JP2551028Y2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 光起電力装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992005117U JP2551028Y2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 光起電力装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0559833U JPH0559833U (ja) | 1993-08-06 |
| JP2551028Y2 true JP2551028Y2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=11602387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992005117U Expired - Fee Related JP2551028Y2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 光起電力装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2551028Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6327011A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-04 | Hitachi Ltd | 薄膜の形成方法および装置 |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP1992005117U patent/JP2551028Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0559833U (ja) | 1993-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004128159A (ja) | 高周波プラズマ発生装置および高周波プラズマ発生方法 | |
| JP2000323460A5 (ja) | ||
| US6663748B2 (en) | Method of forming a thin film | |
| JPH1131685A (ja) | プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 | |
| JP2551028Y2 (ja) | 光起電力装置の製造装置 | |
| JP3227949B2 (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JPH02312229A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JP3420960B2 (ja) | 電子デバイス製造装置および電子デバイス製造方法 | |
| US20020056415A1 (en) | Apparatus and method for production of solar cells | |
| JP3335762B2 (ja) | プラズマクリーニング方法 | |
| JPH02166283A (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JP3019563B2 (ja) | プラズマｃｖｄ法及び装置 | |
| JP2536367B2 (ja) | 酸化シリコン膜の形成方法 | |
| JP3246795B2 (ja) | タングステン膜の成膜方法及びタングステンｃｖｄ装置 | |
| JP3615919B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3235095B2 (ja) | シリコン酸化膜の成膜方法 | |
| JP2001127055A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2669249B2 (ja) | プラズマ処理装置及び該装置のクリーニング方法 | |
| JPH10317150A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| JPH10147877A (ja) | ガスクリーニング方法 | |
| JPS6091646A (ja) | プラズマ気相成長法 | |
| JPS62238370A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0793272B2 (ja) | プラズマｃｖｄ法及び装置 | |
| JPH0729829A (ja) | 直流放電型プラズマ処理方法及び装置 | |
| JPS62262418A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R323111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |