JP2001127055A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 カソード電極の自己バイアス電位を変化させ
ることにより、エッチング能力及びクリーニング能力を
向上させる。 【解決手段】 反応室２内にカソード電極３とアノード
電極４を対向配置し、反応室２内に処理ガスを導入した
状態でカソード電極３に高周波電力を印加することで反
応室２内にプラズマを発生させ、このプラズマを利用す
ることで、アノード電極４上に配した基板Ｗに所定の処
理を施すプラズマ処理装置において、カソード電極３
を、自己バイアス電位制御手段としてのコイル３０を介
してアースに接続した。
ることにより、エッチング能力及びクリーニング能力を
向上させる。 【解決手段】 反応室２内にカソード電極３とアノード
電極４を対向配置し、反応室２内に処理ガスを導入した
状態でカソード電極３に高周波電力を印加することで反
応室２内にプラズマを発生させ、このプラズマを利用す
ることで、アノード電極４上に配した基板Ｗに所定の処
理を施すプラズマ処理装置において、カソード電極３
を、自己バイアス電位制御手段としてのコイル３０を介
してアースに接続した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン基板やガ
ラス基板に対して薄膜を形成したり薄膜のエッチングを
行ったりするプラズマ処理装置に係り、特に、電極の自
己バイアス電位を変化させることにより、エッチング効
率やクリーニング効率を向上させるようにしたプラズマ
処理装置に関する。
ラス基板に対して薄膜を形成したり薄膜のエッチングを
行ったりするプラズマ処理装置に係り、特に、電極の自
己バイアス電位を変化させることにより、エッチング効
率やクリーニング効率を向上させるようにしたプラズマ
処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマを利用して基板に所定の処理を
施すプラズマ処理装置の一種にプラズマＣＶＤ装置があ
る。図３はプラズマＣＶＤ装置の一例を示している。
施すプラズマ処理装置の一種にプラズマＣＶＤ装置があ
る。図３はプラズマＣＶＤ装置の一例を示している。
【０００３】図３において、１は真空容器で、その内部
が反応室２となっている。真空容器１の上壁部には、絶
縁材８を介して円板状のカソード電極３が設けられてい
る。また、反応室２の内底部には、基板載置台を兼ねた
円板状のアノード電極４が設けられている。このアノー
ド電極４は、それを支持している軸部１０と真空容器１
の間に絶縁材９を介在させることで絶縁状態に保持され
ている。これらカソード電極３とアノード電極４は上下
に対向しており、アノード電極４の上面に処理すべき基
板Ｗが載置されるようになっている。
が反応室２となっている。真空容器１の上壁部には、絶
縁材８を介して円板状のカソード電極３が設けられてい
る。また、反応室２の内底部には、基板載置台を兼ねた
円板状のアノード電極４が設けられている。このアノー
ド電極４は、それを支持している軸部１０と真空容器１
の間に絶縁材９を介在させることで絶縁状態に保持され
ている。これらカソード電極３とアノード電極４は上下
に対向しており、アノード電極４の上面に処理すべき基
板Ｗが載置されるようになっている。
【０００４】アノード電極３とカソード電極４に挟まれ
た空間はプラズマ生成領域となっており、このプラズマ
生成領域を囲むように、真空容器１の周壁部にはリング
電極５が絶縁材６、７を介して配置されている。そし
て、カソード電極３、アノード電極４、及びリング電極
５には、それぞれ位相整合器２２、２６、２４を介して
高周波発振器２１、２５、２３が接続されている。
た空間はプラズマ生成領域となっており、このプラズマ
生成領域を囲むように、真空容器１の周壁部にはリング
電極５が絶縁材６、７を介して配置されている。そし
て、カソード電極３、アノード電極４、及びリング電極
５には、それぞれ位相整合器２２、２６、２４を介して
高周波発振器２１、２５、２３が接続されている。
【０００５】また、反応室２の上部に位置するカソード
電極３の中央には、アノード電極４上の基板Ｗに向けて
処理ガスを供給するガス導入口１８が設けられ、真空容
器１の周壁底部には、反応室２内の雰囲気ガスを排気す
る排気口１９が設けられている。ガス導入口１８は図示
略のガス供給系に接続され、排気口１９は図示略の排気
ポンプに接続されている。
電極３の中央には、アノード電極４上の基板Ｗに向けて
処理ガスを供給するガス導入口１８が設けられ、真空容
器１の周壁底部には、反応室２内の雰囲気ガスを排気す
る排気口１９が設けられている。ガス導入口１８は図示
略のガス供給系に接続され、排気口１９は図示略の排気
ポンプに接続されている。
【０００６】基板処理に用いるガスとしては、Ｓｉ
Ｈ4、Ｓｉ(ＯＣ2Ｈ5)4、ＮＨ3、ＮＦ3、Ｃ2Ｆ6、Ｏ2、
Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ2、Ｎ2Ｏの各ガスの中から選択される１
種類のガス、または、２種類以上の混合ガスが利用され
る。
Ｈ4、Ｓｉ(ＯＣ2Ｈ5)4、ＮＨ3、ＮＦ3、Ｃ2Ｆ6、Ｏ2、
Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ2、Ｎ2Ｏの各ガスの中から選択される１
種類のガス、または、２種類以上の混合ガスが利用され
る。
【０００７】次に、基板に対して薄膜形成処理を行う場
合の上記プラズマＣＶＤ装置の運転の流れについて説明
すると、運転は次の順番で進められる。
合の上記プラズマＣＶＤ装置の運転の流れについて説明
すると、運転は次の順番で進められる。
【０００８】（１）まず、図示略の基板搬送手段によっ
て、反応室２内のアノード電極４上に基板Ｗを搬送し、
図示略の排気ポンプを用いて反応室２内を真空にする。 （２）次に、その基板Ｗを、その処理に適した温度に図
示略の加熱手段で加熱し、加熱したらガス導入口１８か
ら処理ガスを反応室２内に供給する。 （３）同時に、高周波発振器２１、２５、２３から高周
波電力をそれぞれカソード電極３、アノード電極４、リ
ング電極５に印加し、反応室２内にプラズマを発生さ
せ、そのプラズマを利用して、基板Ｗの表面に薄膜を形
成する。 （４）基板処理後は、高周波電力の印加を止め、排気処
理を行った後、処理した基板Ｗを反応室２内より外へ搬
出する。 （５）次に、反応室２内にクリーニングガスを導入す
る。 （６）そして、高周波発振器２１、２３から高周波電力
をそれぞれカソード電極３、リング電極５に印加し、反
応室２内にプラズマを発生させ、そのプラズマを利用し
て、反応室２内の、特にアノード電極４に付着した膜を
クリーニングする。 （７）クリーニング処理が終了したら、高周波電力の印
加を止め、排気処理を行う。 以上の（１）〜（７）の工程を繰り返し、連続処理を行
う。
て、反応室２内のアノード電極４上に基板Ｗを搬送し、
図示略の排気ポンプを用いて反応室２内を真空にする。 （２）次に、その基板Ｗを、その処理に適した温度に図
示略の加熱手段で加熱し、加熱したらガス導入口１８か
ら処理ガスを反応室２内に供給する。 （３）同時に、高周波発振器２１、２５、２３から高周
波電力をそれぞれカソード電極３、アノード電極４、リ
ング電極５に印加し、反応室２内にプラズマを発生さ
せ、そのプラズマを利用して、基板Ｗの表面に薄膜を形
成する。 （４）基板処理後は、高周波電力の印加を止め、排気処
理を行った後、処理した基板Ｗを反応室２内より外へ搬
出する。 （５）次に、反応室２内にクリーニングガスを導入す
る。 （６）そして、高周波発振器２１、２３から高周波電力
をそれぞれカソード電極３、リング電極５に印加し、反
応室２内にプラズマを発生させ、そのプラズマを利用し
て、反応室２内の、特にアノード電極４に付着した膜を
クリーニングする。 （７）クリーニング処理が終了したら、高周波電力の印
加を止め、排気処理を行う。 以上の（１）〜（７）の工程を繰り返し、連続処理を行
う。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来では、
前述したクリーニング処理時のエッチングレートが低い
ために、クリーニング効率が悪いという問題があった。
前述したクリーニング処理時のエッチングレートが低い
ために、クリーニング効率が悪いという問題があった。
【００１０】すなわち、プラズマＣＶＤ装置におけるク
リーニング性能の評価は、ＳｉＯ2を堆積させたウェー
ハ（基板）をアノード電極上に載置し、クリーニング処
理前後のＳｉＯ2の膜厚を比較し、ＳｉＯ2のエッチング
レートを算出することで行っており、従来では、高周波
電力、ガスの種類、ガスの流量、圧力などを変化パラメ
ータとして、ＳｉＯ2のエッチング効率が最もよい条件
を見つけ出して、その条件でクリーニングを行うように
しているが、それらを最適な条件に設定してクリーニン
グを実施しても、依然として、リーニング効率が低いと
いう問題があった。
リーニング性能の評価は、ＳｉＯ2を堆積させたウェー
ハ（基板）をアノード電極上に載置し、クリーニング処
理前後のＳｉＯ2の膜厚を比較し、ＳｉＯ2のエッチング
レートを算出することで行っており、従来では、高周波
電力、ガスの種類、ガスの流量、圧力などを変化パラメ
ータとして、ＳｉＯ2のエッチング効率が最もよい条件
を見つけ出して、その条件でクリーニングを行うように
しているが、それらを最適な条件に設定してクリーニン
グを実施しても、依然として、リーニング効率が低いと
いう問題があった。
【００１１】因みに、従来技術によるクリーニング性能
評価を行ったときのプロセス条件とプロセス結果を示す
と、 （ａ）プロセス条件 ・ガス ：ＮＦ3を１０００［ｓｃｃｍ］ ・圧力 ：３０ｐａ ・高周波電力：カソード電極のみに２７．１２［ＭＨ
ｚ］、１０００［Ｗ］の電力を印加 （ｂ）プロセス結果 ・エッチングレート：４２３［Å／ｍｉｎ］ であった。
評価を行ったときのプロセス条件とプロセス結果を示す
と、 （ａ）プロセス条件 ・ガス ：ＮＦ3を１０００［ｓｃｃｍ］ ・圧力 ：３０ｐａ ・高周波電力：カソード電極のみに２７．１２［ＭＨ
ｚ］、１０００［Ｗ］の電力を印加 （ｂ）プロセス結果 ・エッチングレート：４２３［Å／ｍｉｎ］ であった。
【００１２】この結果を踏まえて詳細に検討してみたと
ころ、図４に示すように、クリーニング処理時のカソー
ド電極３の電位は約−１０［Ｖ］、アノード電極４の電
位は約−３０［Ｖ］であり、クリーニングガスの正イオ
ンの一部が、カソード電極３に引き寄せられてしまい、
その分、アノード電極４のエッチングレートが減少する
ことが原因であることが推察できた。
ころ、図４に示すように、クリーニング処理時のカソー
ド電極３の電位は約−１０［Ｖ］、アノード電極４の電
位は約−３０［Ｖ］であり、クリーニングガスの正イオ
ンの一部が、カソード電極３に引き寄せられてしまい、
その分、アノード電極４のエッチングレートが減少する
ことが原因であることが推察できた。
【００１３】本発明は、上記事情を考慮し、カソード電
極の自己バイアス電位を変化させることにより、エッチ
ング能力及びクリーニング能力を向上させるようにした
プラズマ処理装置を提供することを目的とする。
極の自己バイアス電位を変化させることにより、エッチ
ング能力及びクリーニング能力を向上させるようにした
プラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、反応
室内にカソード電極とアノード電極を対向配置し、前記
反応室内に処理ガスを導入した状態でカソード電極に高
周波電力を印加することで反応室内にプラズマを発生さ
せ、このプラズマを利用することで、アノード電極上に
配した基板に所定の処理を施すプラズマ処理装置におい
て、少なくとも前記カソード電極の自己バイアス電位を
制御する自己バイアス電位制御手段を設けたことを特徴
とする。
室内にカソード電極とアノード電極を対向配置し、前記
反応室内に処理ガスを導入した状態でカソード電極に高
周波電力を印加することで反応室内にプラズマを発生さ
せ、このプラズマを利用することで、アノード電極上に
配した基板に所定の処理を施すプラズマ処理装置におい
て、少なくとも前記カソード電極の自己バイアス電位を
制御する自己バイアス電位制御手段を設けたことを特徴
とする。
【００１５】この発明においては、カソード電極のみに
自己バイアス電位制御手段を設けると、アノード電極上
に、処理ガスの正イオンを集中的に引き寄せることがで
きるようになるので、アノード電極に設置された基板上
へのエッチング効果を向上させることができる。従っ
て、アノード電極上に付着した膜のエッチング作用によ
るクリーニング処理を効率的に行うことができる。ま
た、カソード電極とアノード電極に共に自己バイアス電
位制御手段を設けると、反応室壁に処理ガスの正イオン
を集中的に引き寄せることができるようになるので、反
応室壁に対するエッチング作用が高められることで、反
応室壁のクリーニング効果が向上する。
自己バイアス電位制御手段を設けると、アノード電極上
に、処理ガスの正イオンを集中的に引き寄せることがで
きるようになるので、アノード電極に設置された基板上
へのエッチング効果を向上させることができる。従っ
て、アノード電極上に付着した膜のエッチング作用によ
るクリーニング処理を効率的に行うことができる。ま
た、カソード電極とアノード電極に共に自己バイアス電
位制御手段を設けると、反応室壁に処理ガスの正イオン
を集中的に引き寄せることができるようになるので、反
応室壁に対するエッチング作用が高められることで、反
応室壁のクリーニング効果が向上する。
【００１６】上記発明で、特に、自己バイアス電位制御
手段として、カソード電極をアースに接続するコイルを
設けることが好ましい。
手段として、カソード電極をアースに接続するコイルを
設けることが好ましい。
【００１７】カソード電極がコイルを介してアースに接
続されていると、カソード電極の自己バイアス電位をゼ
ロ［Ｖ］にすることができる。ここで、カソード電極の
自己バイアス電位（直流電位）をゼロ［Ｖ］にするに
は、カソード電極をアースに単に導線で短絡させればよ
いが、単純に短絡させると、カソード電極に印加してい
る高周波電位も短絡してしまう。そこで、直流電位のみ
を短絡させ、高周波電位は短絡させないようにするため
に、単なる導線ではなくコイルを使用しているのであ
る。その理由は、コイルは、直流電圧に対しては短絡す
る道として機能することになるが、高周波電圧に対して
は、Ｒ＝２πｆ・Ｌ（ｆ：高周波周波数［Ｈｚ］、Ｌ：
自己インダクタンス）という抵抗を生じることになっ
て、短絡しなくなるからである。
続されていると、カソード電極の自己バイアス電位をゼ
ロ［Ｖ］にすることができる。ここで、カソード電極の
自己バイアス電位（直流電位）をゼロ［Ｖ］にするに
は、カソード電極をアースに単に導線で短絡させればよ
いが、単純に短絡させると、カソード電極に印加してい
る高周波電位も短絡してしまう。そこで、直流電位のみ
を短絡させ、高周波電位は短絡させないようにするため
に、単なる導線ではなくコイルを使用しているのであ
る。その理由は、コイルは、直流電圧に対しては短絡す
る道として機能することになるが、高周波電圧に対して
は、Ｒ＝２πｆ・Ｌ（ｆ：高周波周波数［Ｈｚ］、Ｌ：
自己インダクタンス）という抵抗を生じることになっ
て、短絡しなくなるからである。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は本発明の実施形態としてのプ
ラズマＣＶＤ装置を示している。図３にて示したものと
同じように、このプラズマＣＶＤ装置は、反応室２内の
上部にカソード電極３、反応室２の内底部にアノード電
極４、反応室２の周壁部にリング電極５を有している。
基づいて説明する。図１は本発明の実施形態としてのプ
ラズマＣＶＤ装置を示している。図３にて示したものと
同じように、このプラズマＣＶＤ装置は、反応室２内の
上部にカソード電極３、反応室２の内底部にアノード電
極４、反応室２の周壁部にリング電極５を有している。
【００１９】カソード電極３とアノード電極４とリング
電極５には、図３の装置と同様に、位相整合器２２、２
４、２６及び高周波発振器２１、２３、２５からなる高
周波電源装置（高周波電力印加回路）が接続されてお
り、所望の高周波電力をカソード電極３、アノード電極
４及びリング電極５に印加できるようになっている。
電極５には、図３の装置と同様に、位相整合器２２、２
４、２６及び高周波発振器２１、２３、２５からなる高
周波電源装置（高周波電力印加回路）が接続されてお
り、所望の高周波電力をカソード電極３、アノード電極
４及びリング電極５に印加できるようになっている。
【００２０】そして、カソード電極３と位相整合器２２
の結線途中に、カソード電極３の自己バイアス電位を制
御するための手段として、コイル３０の一端を接続し、
該コイル３０の他端をアースに接続している。コイル３
０を接続したのは、高周波電位はアースに短絡させず
に、直流電位のみをアースに短絡させるためであり、こ
れにより、カソード電極３の自己バイアス電位は、ゼロ
［Ｖ］にすることができる。それ以外の構成は、図３の
装置と同じであるので、同一要素に同一符号を付して説
明を省略する。
の結線途中に、カソード電極３の自己バイアス電位を制
御するための手段として、コイル３０の一端を接続し、
該コイル３０の他端をアースに接続している。コイル３
０を接続したのは、高周波電位はアースに短絡させず
に、直流電位のみをアースに短絡させるためであり、こ
れにより、カソード電極３の自己バイアス電位は、ゼロ
［Ｖ］にすることができる。それ以外の構成は、図３の
装置と同じであるので、同一要素に同一符号を付して説
明を省略する。
【００２１】前記のコイル３０を付けない場合は、カソ
ード電極３の自己バイアス電位は約−１０〜２０［Ｖ］
となるが、コイル３０を付けたことで、カソード電極３
の自己バイアス電位は０［Ｖ］になり、図２に示すよう
に、プラズマ電離され正の電荷を持つエッチングガスの
イオンが、カソード電極３に引き寄せられずに、自己バ
イアス電位が約−３０Ｖのアノード電極４方向に引き寄
せられる。その結果、エッチングガスの正イオンがアノ
ード電極４に多く集まるようになり、アノード電極４上
におけるエッチング反応が促進されることになる。
ード電極３の自己バイアス電位は約−１０〜２０［Ｖ］
となるが、コイル３０を付けたことで、カソード電極３
の自己バイアス電位は０［Ｖ］になり、図２に示すよう
に、プラズマ電離され正の電荷を持つエッチングガスの
イオンが、カソード電極３に引き寄せられずに、自己バ
イアス電位が約−３０Ｖのアノード電極４方向に引き寄
せられる。その結果、エッチングガスの正イオンがアノ
ード電極４に多く集まるようになり、アノード電極４上
におけるエッチング反応が促進されることになる。
【００２２】つまり、図のようにアノード電極４上に基
板Ｗを載せている場合は、基板Ｗに対するエッチング効
率が促進される。また、クリーニング処理の際には、ア
ノード電極４に付着している膜のクリーニング効果が促
進される。なお、クリーニング処理に用いるガスは、Ｎ
Ｆ3、Ｃ2Ｆ6、Ｏ2の中から選択される１種類のガス、ま
たは２種以上の混合ガスである。
板Ｗを載せている場合は、基板Ｗに対するエッチング効
率が促進される。また、クリーニング処理の際には、ア
ノード電極４に付着している膜のクリーニング効果が促
進される。なお、クリーニング処理に用いるガスは、Ｎ
Ｆ3、Ｃ2Ｆ6、Ｏ2の中から選択される１種類のガス、ま
たは２種以上の混合ガスである。
【００２３】ここで、理想的なコイル３０をあげるとす
れば、全く抵抗のない材質でできた無限に長いコイルを
使用するのが望ましいが、クリーニング性能評価のため
の実験例では、φ４ｍｍの導線をφ８０ｍｍの筒に２０
回巻き付けた自己インダクタンスＬ＝約２０［μＨ］の
ものを使用した。
れば、全く抵抗のない材質でできた無限に長いコイルを
使用するのが望ましいが、クリーニング性能評価のため
の実験例では、φ４ｍｍの導線をφ８０ｍｍの筒に２０
回巻き付けた自己インダクタンスＬ＝約２０［μＨ］の
ものを使用した。
【００２４】このようなコイル３０を追加した装置にお
いてクリーニング性能評価を行ったときのプロセス条件
とプロセス結果を示すと、 （ａ）プロセス条件（従来例と同様） ・ガス ：ＮＦ3を１０００［ｓｃｃｍ］ ・圧力 ：３０ｐａ ・高周波電力：カソード電極のみに２７．１２［ＭＨ
ｚ］、１０００［Ｗ］の電力を印加 （ｂ）プロセス結果 ・エッチングレート：９３８［Å／ｍｉｎ］ であった。
いてクリーニング性能評価を行ったときのプロセス条件
とプロセス結果を示すと、 （ａ）プロセス条件（従来例と同様） ・ガス ：ＮＦ3を１０００［ｓｃｃｍ］ ・圧力 ：３０ｐａ ・高周波電力：カソード電極のみに２７．１２［ＭＨ
ｚ］、１０００［Ｗ］の電力を印加 （ｂ）プロセス結果 ・エッチングレート：９３８［Å／ｍｉｎ］ であった。
【００２５】この結果から明らかなように、本発明のよ
うにコイル３０を挿入したことで、エッチングレートが
２倍になった。下表に改良前後のエッチングレートとカ
ソード電極３の自己バイアス電位を示す。
うにコイル３０を挿入したことで、エッチングレートが
２倍になった。下表に改良前後のエッチングレートとカ
ソード電極３の自己バイアス電位を示す。
【００２６】 改良前 改良後 エッチングレート［Å／min ］ ４２３ ９３８ 自己バイアス電位 ［Ｖ］ −１２ ０
【００２７】また、この装置では、コイル３０を１個追
加するだけなので、小スペース、低コストに実現できる
メリットもある。
加するだけなので、小スペース、低コストに実現できる
メリットもある。
【００２８】なお、上記実施形態では、カソード電極３
にのみコイル３０を設けたが、反応室２の内壁が最も膜
がつきやすくてクリーニングが必要な場合は、カソード
電極３とアノード電極４の両方にコイル３０を設けて、
反応室２の内壁のクリーニング効率を上げることもでき
る。
にのみコイル３０を設けたが、反応室２の内壁が最も膜
がつきやすくてクリーニングが必要な場合は、カソード
電極３とアノード電極４の両方にコイル３０を設けて、
反応室２の内壁のクリーニング効率を上げることもでき
る。
【００２９】また、上記実施形態では、プラズマＣＶＤ
装置の場合を示したが、他のタイプのプラズマ処理装置
にも本発明は適用することができる。
装置の場合を示したが、他のタイプのプラズマ処理装置
にも本発明は適用することができる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、少なくともカソード電極の自己バイアス電位を
制御する手段を設けたので、エッチングガスの正イオン
をカソード電極に引き寄せないで、アノード電極や反応
室壁に多く向かわせることができ、エッチングレートを
向上させることができる。従って、カソード電極のみに
自己バイアス電位制御手段を設けた場合は、アノード電
極に設置された基板上へのエッチング効果を向上させる
ことができ、アノード電極のクリーニングの際には、ア
ノード電極上に付着した膜のエッチング作用によるクリ
ーニング処理を効率的に行うことができる。また、カソ
ード電極とアノード電極に共に自己バイアス電位制御手
段を設けた場合は、反応室壁に処理ガスの正イオンを集
中的に引き寄せることができるようになるので、反応室
壁のクリーニング効果を向上させることができる。
よれば、少なくともカソード電極の自己バイアス電位を
制御する手段を設けたので、エッチングガスの正イオン
をカソード電極に引き寄せないで、アノード電極や反応
室壁に多く向かわせることができ、エッチングレートを
向上させることができる。従って、カソード電極のみに
自己バイアス電位制御手段を設けた場合は、アノード電
極に設置された基板上へのエッチング効果を向上させる
ことができ、アノード電極のクリーニングの際には、ア
ノード電極上に付着した膜のエッチング作用によるクリ
ーニング処理を効率的に行うことができる。また、カソ
ード電極とアノード電極に共に自己バイアス電位制御手
段を設けた場合は、反応室壁に処理ガスの正イオンを集
中的に引き寄せることができるようになるので、反応室
壁のクリーニング効果を向上させることができる。
【００３１】また、請求項２の発明のように、自己バイ
アス電位制御手段として、カソード電極をアースに接続
するコイルを設けた場合は、小スペース、低コストで上
記の実効をあげることができる。
アス電位制御手段として、カソード電極をアースに接続
するコイルを設けた場合は、小スペース、低コストで上
記の実効をあげることができる。
【図１】本発明の実施形態のプラズマＣＶＤ装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図２】同装置におけるエッチングガスの正イオンの挙
動を示す図である。
動を示す図である。
【図３】従来のプラズマＣＶＤ装置の概略構成図であ
る。
る。
【図４】従来の装置におけるエッチングガスの正イオン
の挙動を示す図である。
の挙動を示す図である。
２ 反応室 ３ カソード電極 ４ アノード電極 ２１ 高周波発振器 ２２ 位相整合器 ３０ コイル（自己バイアス電位制御手段） Ｗ 基板
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 CA04 CA06 DA04 DA06 FA03 KA20 KA30 KA41 5F004 AA03 AA15 BA09 BB13 BB18 BC08 CA03 CA06 DA02 DA17 DA26 DB03 5F045 AA08 AC02 AC11 AF03 AF07 BB10 EB05 EB06 EH06 EH14 EH20
Claims (1)
- 【請求項１】 反応室内にカソード電極とアノード電極
を対向配置し、前記反応室内に処理ガスを導入した状態
でカソード電極に高周波電力を印加することで反応室内
にプラズマを発生させ、このプラズマを利用すること
で、アノード電極上に配した基板に所定の処理を施すプ
ラズマ処理装置において、 少なくとも前記カソード電極の自己バイアス電位を制御
する自己バイアス電位制御手段を設けたことを特徴とす
るプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30403899A JP2001127055A (ja) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30403899A JP2001127055A (ja) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001127055A true JP2001127055A (ja) | 2001-05-11 |
Family
ID=17928316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30403899A Pending JP2001127055A (ja) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001127055A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1306567C (zh) * | 2003-05-16 | 2007-03-21 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置及其控制方法 |
| CN102387655A (zh) * | 2010-09-06 | 2012-03-21 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 用于等离子体设备的下电极及等离子体设备 |
| WO2014052228A1 (en) * | 2012-09-26 | 2014-04-03 | Applied Materials, Inc. | Bottom and side plasma tuning having closed loop control |
-
1999
- 1999-10-26 JP JP30403899A patent/JP2001127055A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1306567C (zh) * | 2003-05-16 | 2007-03-21 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置及其控制方法 |
| CN102387655A (zh) * | 2010-09-06 | 2012-03-21 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 用于等离子体设备的下电极及等离子体设备 |
| WO2014052228A1 (en) * | 2012-09-26 | 2014-04-03 | Applied Materials, Inc. | Bottom and side plasma tuning having closed loop control |
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