JPH1131685A - プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法Info
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- JPH1131685A JPH1131685A JP20379497A JP20379497A JPH1131685A JP H1131685 A JPH1131685 A JP H1131685A JP 20379497 A JP20379497 A JP 20379497A JP 20379497 A JP20379497 A JP 20379497A JP H1131685 A JPH1131685 A JP H1131685A
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- Japan
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- impedance
- plasma
- chamber
- anode
- cathode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プロセスパラメータを変更することなく、プ
ラズマの拡散状態をコントロールすることができるプラ
ズマＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 チャンバと、該チャンバ内に収容される
上部電極と、該上部電極に対向して配置された下部電極
とからなり、該上部電極には高周波電力出力回路が接続
されており、上部電極と高周波電力出力回路との間には
インピーダンス整合回路が更に接続されているプラズマ
ＣＶＤ装置において、前記下部電極はインピーダンス調
整回路を介して接地されており、成膜時にインピーダン
ス調整回路により、印加する高周波電力の周波数に共振
させて下部電極側のインピーダンスを印加周波数に対し
て０Ωとして前記下部電極の範囲に対応するプラズマを
発生させ、クリーニング時にインピーダンス調整回路に
より、上部電極側から見た下部電極のインピーダンスを
上昇させて前記下部電極の範囲を超える幅のプラズマを
発生させることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
ラズマの拡散状態をコントロールすることができるプラ
ズマＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 チャンバと、該チャンバ内に収容される
上部電極と、該上部電極に対向して配置された下部電極
とからなり、該上部電極には高周波電力出力回路が接続
されており、上部電極と高周波電力出力回路との間には
インピーダンス整合回路が更に接続されているプラズマ
ＣＶＤ装置において、前記下部電極はインピーダンス調
整回路を介して接地されており、成膜時にインピーダン
ス調整回路により、印加する高周波電力の周波数に共振
させて下部電極側のインピーダンスを印加周波数に対し
て０Ωとして前記下部電極の範囲に対応するプラズマを
発生させ、クリーニング時にインピーダンス調整回路に
より、上部電極側から見た下部電極のインピーダンスを
上昇させて前記下部電極の範囲を超える幅のプラズマを
発生させることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマの制御方法
に関する。更に詳細には、本発明はプラズマＣＶＤ装置
などにおけるクリーニング処理の際のプラズマ制御方法
に関する。
に関する。更に詳細には、本発明はプラズマＣＶＤ装置
などにおけるクリーニング処理の際のプラズマ制御方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＩＣの製造においては、基板の表
面に酸化シリコンの薄膜を形成する工程がある。薄膜の
形成方法には化学的気相成長法（ＣＶＤ）が用いられて
いる。ＣＶＤ法には、常圧法、減圧法およびプラズマ法
の３方法があるが、最近の高品質で高精度な薄膜が要求
される超ＬＳＩに対してはプラズマ法が好適であるとし
て注目されている。
面に酸化シリコンの薄膜を形成する工程がある。薄膜の
形成方法には化学的気相成長法（ＣＶＤ）が用いられて
いる。ＣＶＤ法には、常圧法、減圧法およびプラズマ法
の３方法があるが、最近の高品質で高精度な薄膜が要求
される超ＬＳＩに対してはプラズマ法が好適であるとし
て注目されている。
【０００３】プラズマ法は、チャンバの真空中に噴射さ
れた数種類の反応ガスに対し、高周波電圧を印加してプ
ラズマ化し、反応に必要なエネルギーを得るもので、膜
厚の均一性と共に良好な膜質が得られ、しかも、膜形成
速度が速いなど多くの点で優れている。
れた数種類の反応ガスに対し、高周波電圧を印加してプ
ラズマ化し、反応に必要なエネルギーを得るもので、膜
厚の均一性と共に良好な膜質が得られ、しかも、膜形成
速度が速いなど多くの点で優れている。
【０００４】図３はプラズマ法による成膜処理を行うた
めに従来から使用されてきた平行平板型プラズマＣＶＤ
装置の一例の模式的構成図である。図中、符号１は成膜
処理が行われるチャンバを示し、符号２は上部電極（カ
ソード）、３は下部電極（アノード）、４は上部電極に
高周波を印加するための高周波電力出力回路であり、５
はインピーダンス整合回路を示す。インピーダンス整合
回路５は、負荷とのインピーダンスマッチングを行うた
めに設けられている。図３に示されるような平行平板型
装置の場合、高周波プラズマは高周波を印加した上部電
極（カソード）とアースレベルの下部電極（アノード）
間の電界により発生すると考えられる。発生したプラズ
マの拡散状態は圧力及び上部及び下部の対向電極の距離
によって決定されるが、プロセスとの兼ね合いから、こ
れらのパラメータの変更範囲は限られてくる。
めに従来から使用されてきた平行平板型プラズマＣＶＤ
装置の一例の模式的構成図である。図中、符号１は成膜
処理が行われるチャンバを示し、符号２は上部電極（カ
ソード）、３は下部電極（アノード）、４は上部電極に
高周波を印加するための高周波電力出力回路であり、５
はインピーダンス整合回路を示す。インピーダンス整合
回路５は、負荷とのインピーダンスマッチングを行うた
めに設けられている。図３に示されるような平行平板型
装置の場合、高周波プラズマは高周波を印加した上部電
極（カソード）とアースレベルの下部電極（アノード）
間の電界により発生すると考えられる。発生したプラズ
マの拡散状態は圧力及び上部及び下部の対向電極の距離
によって決定されるが、プロセスとの兼ね合いから、こ
れらのパラメータの変更範囲は限られてくる。
【０００５】ところで、ＣＶＤ装置では、チャンバに数
種類のガスを導入し、これを分解し、反応させウエハ上
に成膜処理を行うが、生成物はウエハ上以外のチャンバ
壁などにも付着するので、クリーニングと呼ばれる付着
生成物の除去処理が必要になる。
種類のガスを導入し、これを分解し、反応させウエハ上
に成膜処理を行うが、生成物はウエハ上以外のチャンバ
壁などにも付着するので、クリーニングと呼ばれる付着
生成物の除去処理が必要になる。
【０００６】プラズマＣＶＤ装置では、上記の成膜処理
とクリーニング処理をガス種を変えることにより実現し
ている。ガスの分解、反応はプラズマエネルギーによっ
て促進されるため、成膜処理時はプラズマがウエハ上の
みに発生し、クリーニング時にはプラズマがチャンバ壁
まで拡がって発生することが望ましい。
とクリーニング処理をガス種を変えることにより実現し
ている。ガスの分解、反応はプラズマエネルギーによっ
て促進されるため、成膜処理時はプラズマがウエハ上の
みに発生し、クリーニング時にはプラズマがチャンバ壁
まで拡がって発生することが望ましい。
【０００７】特にクリーニングプロセスは本来の装置の
目的であるデポプロセスと同様に装置のインデックスを
決定する大きな要因であり、スループット向上の点から
も高速化が要求される。
目的であるデポプロセスと同様に装置のインデックスを
決定する大きな要因であり、スループット向上の点から
も高速化が要求される。
【０００８】高速クリーニングには以下のような条件が
必要となる。 クリーニングに寄与する活性種やイオンの滞留時間が
長く、デポ生成物と反応する時間が十分であること。 単位体積当たりの活性種やイオンの量が多く、デポ生
成物と反応する物量が多いこと。 イオンのエネルギーが高く、デポ生成物の原子間結合
を容易に切断し、反応後に蒸気圧の低い物質に変化する
こと。 上記の及びの要件は反応圧力を高くすることで満た
される。また、の要件はイオン引き込みのための電極
にバイアスを印加することなどで満たされる。
必要となる。 クリーニングに寄与する活性種やイオンの滞留時間が
長く、デポ生成物と反応する時間が十分であること。 単位体積当たりの活性種やイオンの量が多く、デポ生
成物と反応する物量が多いこと。 イオンのエネルギーが高く、デポ生成物の原子間結合
を容易に切断し、反応後に蒸気圧の低い物質に変化する
こと。 上記の及びの要件は反応圧力を高くすることで満た
される。また、の要件はイオン引き込みのための電極
にバイアスを印加することなどで満たされる。
【０００９】しかし、上記の及びの要件を満たす目
的で反応圧力を高くすることはプラズマを絞り込むこと
となり、平行平板の電極面はクリーニングできてもチャ
ンバ壁面に付着したデポ生成物は除去することができな
い。このため従来の装置では、（１）高い反応圧力の条
件で電極間のデポ生成物を先ず除去（クリーニング）
し、（２）その後に非効率とは判っていながらも低圧力
下の条件にてプラズマを拡散させ、チャンバ壁の生成物
を除去（クリーニング）するという２ステップクリーニ
ング法を用いたり、チャンバ壁周辺が電極間に比べて除
去速度の速い条件を選定し、総合的クリーニング時間が
短時間となる条件を精密に探索するなどの方法を用いて
いる。
的で反応圧力を高くすることはプラズマを絞り込むこと
となり、平行平板の電極面はクリーニングできてもチャ
ンバ壁面に付着したデポ生成物は除去することができな
い。このため従来の装置では、（１）高い反応圧力の条
件で電極間のデポ生成物を先ず除去（クリーニング）
し、（２）その後に非効率とは判っていながらも低圧力
下の条件にてプラズマを拡散させ、チャンバ壁の生成物
を除去（クリーニング）するという２ステップクリーニ
ング法を用いたり、チャンバ壁周辺が電極間に比べて除
去速度の速い条件を選定し、総合的クリーニング時間が
短時間となる条件を精密に探索するなどの方法を用いて
いる。
【００１０】また、ウエハを設置するサセプタ（アノー
ド電極側）は、デポプロセスの性能を最大に引き出すた
めに、アースレベル固定となるような機構が一般的に採
用されている。このため、高速クリーニングはプロセス
条件を煮詰めることにより実現しているのが実状であ
り、合理的な方法とは言えない。負バイアス印加により
イオンエネルギーを高める場合も、チャンバ壁へのプラ
ズマの拡散には殆ど寄与しない。従って、クリーニング
の高速化は重要な課題ではあるが、実現困難なのが実状
である。
ド電極側）は、デポプロセスの性能を最大に引き出すた
めに、アースレベル固定となるような機構が一般的に採
用されている。このため、高速クリーニングはプロセス
条件を煮詰めることにより実現しているのが実状であ
り、合理的な方法とは言えない。負バイアス印加により
イオンエネルギーを高める場合も、チャンバ壁へのプラ
ズマの拡散には殆ど寄与しない。従って、クリーニング
の高速化は重要な課題ではあるが、実現困難なのが実状
である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、プロセスパラメータを変更することなく、プラズマ
の拡散状態をコントロールすることができるプラズマＣ
ＶＤ装置を提供することである。
は、プロセスパラメータを変更することなく、プラズマ
の拡散状態をコントロールすることができるプラズマＣ
ＶＤ装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記課題は、高周波が印
加されるカソード電極に対向するアノード電極側に、印
加周波数に対して、或るインピーダンスを持つ機構を付
加し、チャンバ壁（一種のアノード電極と考えられる）
の持つインピーダンスとのバランスをコントロールする
ことで電界を制御し、プラズマの発生範囲を変化させる
ことができるプラズマＣＶＤ装置により解決される。
加されるカソード電極に対向するアノード電極側に、印
加周波数に対して、或るインピーダンスを持つ機構を付
加し、チャンバ壁（一種のアノード電極と考えられる）
の持つインピーダンスとのバランスをコントロールする
ことで電界を制御し、プラズマの発生範囲を変化させる
ことができるプラズマＣＶＤ装置により解決される。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は本発明のプラズマＣＶＤ装
置の回路構成図である。上部電極（カソード）２には、
高周波電力出力回路４と、インピーダンス整合回路５が
接続され、下部電極（アノード）３にはインピーダンス
調整回路７が接続されている。
置の回路構成図である。上部電極（カソード）２には、
高周波電力出力回路４と、インピーダンス整合回路５が
接続され、下部電極（アノード）３にはインピーダンス
調整回路７が接続されている。
【００１４】例えば、成膜時にはインピーダンス調整回
路７により下部電極（アノード）３側から見たインピー
ダンスを下げることにより高周波電流は下部電極（アノ
ード）側に集中して流れ込み、プラズマがウエハに集中
して発生し、クリーニング時には逆にインピーダンス調
整回路７によりインピーダンスを上げ全体のバランスを
制御することでプラズマをチャンバ内全体に広げて発生
させることが可能となる。
路７により下部電極（アノード）３側から見たインピー
ダンスを下げることにより高周波電流は下部電極（アノ
ード）側に集中して流れ込み、プラズマがウエハに集中
して発生し、クリーニング時には逆にインピーダンス調
整回路７によりインピーダンスを上げ全体のバランスを
制御することでプラズマをチャンバ内全体に広げて発生
させることが可能となる。
【００１５】インピーダンス調整回路７は、印加する高
周波電力の周波数に対してインピーダンスを０〜∞
（Ω）に可変できることが望ましいが、最終的にプラズ
マの拡散はチャンバ壁の持つインピーダンスとのバラン
スで決定されるので、必要な範囲のインピーダンスを制
御できればよい。
周波電力の周波数に対してインピーダンスを０〜∞
（Ω）に可変できることが望ましいが、最終的にプラズ
マの拡散はチャンバ壁の持つインピーダンスとのバラン
スで決定されるので、必要な範囲のインピーダンスを制
御できればよい。
【００１６】図２は、本発明で使用されるインピーダン
ス調整回路７の構成の一例を示すブロック図である。図
示されているように、インピーダンス調整回路７は、コ
イル１１と容量可変コンデンサ１２で構成される共振周
波数可変型の直列共振器である。ここで、共振周波数の
可変範囲は、高周波電力出力回路４の周波数を含むよう
に、接続する下部電極（アノード）３の持つインピーダ
ンスも考慮して、コイル１１と容量可変コンデンサ１２
の各値を選択する必要がある。
ス調整回路７の構成の一例を示すブロック図である。図
示されているように、インピーダンス調整回路７は、コ
イル１１と容量可変コンデンサ１２で構成される共振周
波数可変型の直列共振器である。ここで、共振周波数の
可変範囲は、高周波電力出力回路４の周波数を含むよう
に、接続する下部電極（アノード）３の持つインピーダ
ンスも考慮して、コイル１１と容量可変コンデンサ１２
の各値を選択する必要がある。
【００１７】インピーダンス調整回路７により、印加す
る高周波電力の周波数に共振させると、下部電極（アノ
ード）３側のインピーダンスが印加周波数に対して０
（Ω）となる。これを電極間隔の調整等と合わせて実施
することによりプラズマの発生を電極間に限定すること
ができる。この条件は、一般的には、デポプロセスに適
している。
る高周波電力の周波数に共振させると、下部電極（アノ
ード）３側のインピーダンスが印加周波数に対して０
（Ω）となる。これを電極間隔の調整等と合わせて実施
することによりプラズマの発生を電極間に限定すること
ができる。この条件は、一般的には、デポプロセスに適
している。
【００１８】また、容量可変コンデンサ１２の調整によ
り共振点を変化させると、結果的に上部電極（カソー
ド）２側から見た下部電極（アノード）３側のインピー
ダンスも変化（上昇）させることができる。これによ
り、電界は或るバランスを保って電極間とチャンバ壁間
に発生することになり、プラズマの発生もこれに従い拡
散させることが可能となる。これは、圧力が高い条件に
おいても実現可能であることから、クリーニングに必要
な活性種やイオンの量が多い条件下でプラズマをチャン
バ全体に拡散することが可能となり、高速クリーニング
を実現できることとなる。
り共振点を変化させると、結果的に上部電極（カソー
ド）２側から見た下部電極（アノード）３側のインピー
ダンスも変化（上昇）させることができる。これによ
り、電界は或るバランスを保って電極間とチャンバ壁間
に発生することになり、プラズマの発生もこれに従い拡
散させることが可能となる。これは、圧力が高い条件に
おいても実現可能であることから、クリーニングに必要
な活性種やイオンの量が多い条件下でプラズマをチャン
バ全体に拡散することが可能となり、高速クリーニング
を実現できることとなる。
【００１９】
【実施例】図１に示されるプラズマＣＶＤ装置におい
て、図２の回路構成を用いて実験したところ、チャンバ
壁のエッチングレートについて下記（１）及び（２）の
結果が得られた。ポイント１はゲートバルブ周辺であ
り、ポイント２はゲートバルブから最も遠い部分で測定
した。ガス流量、チャンバ内圧力、電極間隔などのレシ
ピは一定とし、印加する高周波の周波数に対するサセプ
タ側のインピーダンスのみを共振回路の調整により変更
した。 （１）共振回路を印加周波数に対して低インピーダンス
となるように設定した場合。 ポイント１のエッチングレート：６３８Å／秒 ポイント２のエッチングレート：８４０Å／秒 （２）共振回路を印加周波数に対して高インピーダンス
となるように設定した場合。 ポイント１のエッチングレート：９９０Å／秒 ポイント２のエッチングレート：９１２Å／秒 上記の各ポイントにおいて、約９％及び５５％のエッチ
ングレートの向上が確認できた。
て、図２の回路構成を用いて実験したところ、チャンバ
壁のエッチングレートについて下記（１）及び（２）の
結果が得られた。ポイント１はゲートバルブ周辺であ
り、ポイント２はゲートバルブから最も遠い部分で測定
した。ガス流量、チャンバ内圧力、電極間隔などのレシ
ピは一定とし、印加する高周波の周波数に対するサセプ
タ側のインピーダンスのみを共振回路の調整により変更
した。 （１）共振回路を印加周波数に対して低インピーダンス
となるように設定した場合。 ポイント１のエッチングレート：６３８Å／秒 ポイント２のエッチングレート：８４０Å／秒 （２）共振回路を印加周波数に対して高インピーダンス
となるように設定した場合。 ポイント１のエッチングレート：９９０Å／秒 ポイント２のエッチングレート：９１２Å／秒 上記の各ポイントにおいて、約９％及び５５％のエッチ
ングレートの向上が確認できた。
【００２０】以上、チャンバ内でのプラズマ拡散手段に
ついて、前記の実施例では単純な直列共振回路を用いた
が、実施例と同様な回路構成でコイル１１のインダクタ
ンスを可変タイプにしたものや、高調波成分を考慮した
数次のフィルタを持つインピーダンス調整回路や、アク
ティブな回路などを用いてもインピーダンスの調整は可
能である。また、インピーダンスの調整を外部からモー
タ駆動などによって自動調整可能な構造にしても、本発
明と本質的に何ら変わるところはない。更に、チャンバ
壁そのもののインピーダンスが可変な構造を持たせた場
合も、本発明の概念の応用と言える。
ついて、前記の実施例では単純な直列共振回路を用いた
が、実施例と同様な回路構成でコイル１１のインダクタ
ンスを可変タイプにしたものや、高調波成分を考慮した
数次のフィルタを持つインピーダンス調整回路や、アク
ティブな回路などを用いてもインピーダンスの調整は可
能である。また、インピーダンスの調整を外部からモー
タ駆動などによって自動調整可能な構造にしても、本発
明と本質的に何ら変わるところはない。更に、チャンバ
壁そのもののインピーダンスが可変な構造を持たせた場
合も、本発明の概念の応用と言える。
【００２１】以上、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を例
に挙げて本発明の内容を詳細に説明してきたが、本発明
の回路構成はＥＣＲ方式などのようなバイアス電極を有
する装置などにおいても適用可能である。
に挙げて本発明の内容を詳細に説明してきたが、本発明
の回路構成はＥＣＲ方式などのようなバイアス電極を有
する装置などにおいても適用可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
プロセスパラメータを変更することなく、プラズマの拡
散状態をコントロールすることができるプラズマＣＶＤ
装置が得られる。本発明の機構を備えれば、プラズマの
集中及び拡散に対する自由度が拡大されるため、拡散プ
ラズマ形成のための低圧力化が不要になり、前記の高速
クリーニング条件及びを満たしながら電極間及びチ
ャンバ壁の個々に適したプラズマ状態を形成できるよう
になる。従って、本発明によれば、従来の装置に比べ
て、合理的にクリーニングプロセスの高速化がはかれ
る。特に、本発明によれば、圧力、電極間隔のパラメー
タとは直接関与しないため、これらのプロセスパラメー
タを変更できないプロセスについては特に有効な手段と
なる。
プロセスパラメータを変更することなく、プラズマの拡
散状態をコントロールすることができるプラズマＣＶＤ
装置が得られる。本発明の機構を備えれば、プラズマの
集中及び拡散に対する自由度が拡大されるため、拡散プ
ラズマ形成のための低圧力化が不要になり、前記の高速
クリーニング条件及びを満たしながら電極間及びチ
ャンバ壁の個々に適したプラズマ状態を形成できるよう
になる。従って、本発明によれば、従来の装置に比べ
て、合理的にクリーニングプロセスの高速化がはかれ
る。特に、本発明によれば、圧力、電極間隔のパラメー
タとは直接関与しないため、これらのプロセスパラメー
タを変更できないプロセスについては特に有効な手段と
なる。
【図１】本発明のプラズマＣＶＤ装置の構成を示す模式
的構成図である。
的構成図である。
【図２】図１の装置で使用されるインピーダンス調整回
路の構成の一例を示すブロック図である。
路の構成の一例を示すブロック図である。
【図３】従来のプラズマＣＶＤ装置の構成を示す模式的
構成図である。
構成図である。
１ チャンバ ２ 上部電極 ３ 下部電極 ４ 高周波電力出力回路 ５ インピーダンス整合回路７ ７ インピーダンス調整回路 １１ コイル １２ 容量可変コンデンサ
Claims (3)
- 【請求項１】 チャンバと、該チャンバ内に収容される
上部電極（カソード）と、該上部電極（カソード）に対
向して配置された下部電極（アノード）とからなり、該
上部電極（カソード）には高周波電力出力回路が接続さ
れており、上部電極と高周波電力出力回路との間にはイ
ンピーダンス整合回路が更に接続されているプラズマＣ
ＶＤ装置において、 前記下部電極（アノード）はインピーダンス調整回路を
介して接地されており、成膜時にインピーダンス調整回
路により、印加する高周波電力の周波数に共振させて下
部電極（アノード）側のインピーダンスを印加周波数に
対して０Ωとして前記下部電極の範囲に対応するプラズ
マを発生させ、クリーニング時にインピーダンス調整回
路により、上部電極（カソード）側から見た下部電極
（アノード）のインピーダンスを上昇させて前記下部電
極の範囲を超える幅のプラズマを発生させることを特徴
とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 インピーダンス調整回路はコイルと容量
可変コンデンサとから構成されている請求項１のプラズ
マＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 チャンバと、該チャンバ内に収容される
上部電極（カソード）と、該上部電極（カソード）に対
向して配置された下部電極（アノード）とからなり、該
上部電極（カソード）には高周波電力出力回路が接続さ
れており、上部電極と高周波電力出力回路との間にはイ
ンピーダンス整合回路が更に接続されているプラズマＣ
ＶＤ装置のチャンバ内部のクリーニング方法において、 前記下部電極（アノード）をインピーダンス調整回路を
介して接地し、該インピーダンス調整回路により、上部
電極（カソード）側から見た下部電極（アノード）側の
インピーダンスを上昇させて、プラズマをチャンバ内に
拡散させることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置のチャ
ンバ内部のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20379497A JPH1131685A (ja) | 1997-07-14 | 1997-07-14 | プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20379497A JPH1131685A (ja) | 1997-07-14 | 1997-07-14 | プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1131685A true JPH1131685A (ja) | 1999-02-02 |
Family
ID=16479865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20379497A Pending JPH1131685A (ja) | 1997-07-14 | 1997-07-14 | プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1131685A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000315598A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-11-14 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| KR100373491B1 (ko) * | 2000-06-27 | 2003-02-25 | 최대규 | 플라즈마 건식 가스 세정기 |
| JP2006236867A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Ngk Insulators Ltd | プラズマ処理部材 |
| JP2006524422A (ja) * | 2003-04-17 | 2006-10-26 | プラズマ コントロール システムズ，エルエルシー | プラズマ発生装置、方法、および調整可能デューティサイクルを有するｒｆ駆動回路 |
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