JP2536367B2 - 酸化シリコン膜の形成方法 - Google Patents
酸化シリコン膜の形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高周波放電を用いた
プラズマＣＶＤ法によって基板上に酸化シリコン（Ｓi
Ｏ2）膜を形成する方法に関する。
プラズマＣＶＤ法によって基板上に酸化シリコン（Ｓi
Ｏ2）膜を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来のプラズマＣＶＤ装置の一
例を示す概略図である。真空排気装置１２によって真空
排気される真空容器４内に、電極６とホルダ兼電極８と
を対向させて収納している。ホルダ兼電極８は接地され
ている。ホルダ兼電極８上には、成膜しようとする基板
２が載せられる。基板２は例えばホルダ兼電極８内のヒ
ータ１０によって加熱される。
例を示す概略図である。真空排気装置１２によって真空
排気される真空容器４内に、電極６とホルダ兼電極８と
を対向させて収納している。ホルダ兼電極８は接地され
ている。ホルダ兼電極８上には、成膜しようとする基板
２が載せられる。基板２は例えばホルダ兼電極８内のヒ
ータ１０によって加熱される。
【０００３】真空容器４内には、電極６につながるガス
導入部１４を経由して原料ガス２０が導入される。原料
ガス２０は、例えばＳiＨ4（シラン）＋Ｏ2 であるが、
近年は処理の低温化および酸化シリコン膜の平坦化か
ら、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）＋Ｏ2 あるいは
ＴＥＯＳ＋Ｏ3 が用いられている。この例では、ガス導
入部１４に、ガス源２２からＴＥＯＳを供給し、ガス源
２４からＯ2 を供給するようにしている。２６、２８は
マスフローコントローラであり、３０はＴＥＯＳの気化
用のヒータである。
導入部１４を経由して原料ガス２０が導入される。原料
ガス２０は、例えばＳiＨ4（シラン）＋Ｏ2 であるが、
近年は処理の低温化および酸化シリコン膜の平坦化か
ら、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）＋Ｏ2 あるいは
ＴＥＯＳ＋Ｏ3 が用いられている。この例では、ガス導
入部１４に、ガス源２２からＴＥＯＳを供給し、ガス源
２４からＯ2 を供給するようにしている。２６、２８は
マスフローコントローラであり、３０はＴＥＯＳの気化
用のヒータである。
【０００４】また、両電極６、８間には、マッチングボ
ックス１６を介して高周波電源１８から高周波電力が供
給される。この高周波電力は、従来は連続した正弦波で
あり、その周波数は通常は１３．５６ＭＨｚである。
ックス１６を介して高周波電源１８から高周波電力が供
給される。この高周波電力は、従来は連続した正弦波で
あり、その周波数は通常は１３．５６ＭＨｚである。
【０００５】このような装置において、真空容器４内に
上記のような原料ガス２０を導入して真空容器４内を例
えば数百ｍＴｏｒｒ程度にすると共に、電極６に高周波
電源１８から高周波電力を供給すると、両電極６、８間
で高周波放電が生じてプラズマ３２が発生する。その
際、マッチングボックス１６内には一般的にブロッキン
グコンデンサが含まれているので、そこに電子が溜ま
り、電極６は負に帯電する。すると、プラズマ３２中の
正イオンが電極６に向かって加速されて電極６に衝突
し、これによって電子が生成されてこの電子がプラズマ
３２を持続するように働く。
上記のような原料ガス２０を導入して真空容器４内を例
えば数百ｍＴｏｒｒ程度にすると共に、電極６に高周波
電源１８から高周波電力を供給すると、両電極６、８間
で高周波放電が生じてプラズマ３２が発生する。その
際、マッチングボックス１６内には一般的にブロッキン
グコンデンサが含まれているので、そこに電子が溜ま
り、電極６は負に帯電する。すると、プラズマ３２中の
正イオンが電極６に向かって加速されて電極６に衝突
し、これによって電子が生成されてこの電子がプラズマ
３２を持続するように働く。
【０００６】上記のようにして、プラズマ３２によって
原料ガス２０が活性化され、化学反応が進み、基板２の
表面に酸化シリコン（ＳiＯ2）膜が形成される。
原料ガス２０が活性化され、化学反応が進み、基板２の
表面に酸化シリコン（ＳiＯ2）膜が形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】近年、ＬＳＩの微細構
造化が進むにつれて、基板２の表面に形成する酸化シリ
コン膜の平坦化が重要な課題となっている。上記のよう
な従来の方法では、原料ガス２０に、前述したようにＴ
ＥＯＳ＋Ｏ2 あるいはＴＥＯＳ＋Ｏ3 を用いることで、
ある程度は平坦度を改善することができるが、それで
も、基板２の表面のパターン密度の粗密による酸化シリ
コン膜の埋め込み深さの変化が大きく、即ち例えば図４
に示すように基板２の表面のデバイス構造３の間隔が大
きい所での酸化シリコン膜３４の凹みが激しく、従って
満足すべき平坦度が得られないという問題がある。
造化が進むにつれて、基板２の表面に形成する酸化シリ
コン膜の平坦化が重要な課題となっている。上記のよう
な従来の方法では、原料ガス２０に、前述したようにＴ
ＥＯＳ＋Ｏ2 あるいはＴＥＯＳ＋Ｏ3 を用いることで、
ある程度は平坦度を改善することができるが、それで
も、基板２の表面のパターン密度の粗密による酸化シリ
コン膜の埋め込み深さの変化が大きく、即ち例えば図４
に示すように基板２の表面のデバイス構造３の間隔が大
きい所での酸化シリコン膜３４の凹みが激しく、従って
満足すべき平坦度が得られないという問題がある。
【０００８】そこでこの発明は、基板表面に形成する酸
化シリコン膜の平坦度を向上させることができる方法を
提供することを主たる目的とする。
化シリコン膜の平坦度を向上させることができる方法を
提供することを主たる目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の酸化シリコン膜の形成方法は、前述した
ような電極間に、元となる高周波信号に対して、それを
断続させる第１の変調と、この第１の変調よりも短い周
期で断続させる第２の変調と、この第２の変調よりも短
い周期で断続させる第３の変調とをかけた高周波電力を
供給することとし、しかも前記第１の変調の周波数が４
００Ｈｚ〜１ＫＨｚの範囲内にあり、前記第２の変調の
オン期間が０．１ｍｓｅｃ〜１ｍｓｅｃの範囲内、オフ
期間が０．１ｍｓｅｃ〜１ｍｓｅｃの範囲内にあり、か
つ前記第３の変調のオン期間が０．０１ｍｓｅｃ〜０．
５ｍｓｅｃの範囲内、オフ期間が０．０１ｍｓｅｃ〜
０．５ｍｓｅｃの範囲内にあることを特徴とする。
め、この発明の酸化シリコン膜の形成方法は、前述した
ような電極間に、元となる高周波信号に対して、それを
断続させる第１の変調と、この第１の変調よりも短い周
期で断続させる第２の変調と、この第２の変調よりも短
い周期で断続させる第３の変調とをかけた高周波電力を
供給することとし、しかも前記第１の変調の周波数が４
００Ｈｚ〜１ＫＨｚの範囲内にあり、前記第２の変調の
オン期間が０．１ｍｓｅｃ〜１ｍｓｅｃの範囲内、オフ
期間が０．１ｍｓｅｃ〜１ｍｓｅｃの範囲内にあり、か
つ前記第３の変調のオン期間が０．０１ｍｓｅｃ〜０．
５ｍｓｅｃの範囲内、オフ期間が０．０１ｍｓｅｃ〜
０．５ｍｓｅｃの範囲内にあることを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記方法によれば、プラズマ中のラジカル（活
性種）の発生消滅に大きく寄与する電子温度を制御する
ことが可能になる。その結果、プラズマ中において気相
反応だけでなく表面反応をも効率良く起こさせることが
できるようになり、それによって、基板表面に形成する
酸化シリコン膜の平坦度を向上させることが可能にな
る。
性種）の発生消滅に大きく寄与する電子温度を制御する
ことが可能になる。その結果、プラズマ中において気相
反応だけでなく表面反応をも効率良く起こさせることが
できるようになり、それによって、基板表面に形成する
酸化シリコン膜の平坦度を向上させることが可能にな
る。
【００１１】しかも、上記のようにしてプラズマ中の電
子温度を制御することによって、プラズマ中のラジカル
の選択性を向上させることが可能になり、その結果、良
質な膜形成に寄与するラジカルの優先生成および不必要
なラジカルの抑制が可能になり、酸化シリコン膜の成膜
速度を向上させることも可能になる。
子温度を制御することによって、プラズマ中のラジカル
の選択性を向上させることが可能になり、その結果、良
質な膜形成に寄与するラジカルの優先生成および不必要
なラジカルの抑制が可能になり、酸化シリコン膜の成膜
速度を向上させることも可能になる。
【００１２】
【実施例】図１は、この発明の実施に用いたプラズマＣ
ＶＤ装置の一例を示す概略図である。図５の従来例と同
一または相当する部分には同一符号を付し、以下におい
ては当該従来例との相違点を主に説明する。
ＶＤ装置の一例を示す概略図である。図５の従来例と同
一または相当する部分には同一符号を付し、以下におい
ては当該従来例との相違点を主に説明する。
【００１３】この実施例においては、従来例の高周波電
源１８の代わりに、任意の波形の高周波信号を発生させ
ることができる高周波信号発生器３６と、それからの高
周波信号を電力増幅する高周波パワーアンプ３８とで構
成された高周波電源１８ａを用いている。そしてこれに
よって、例えば図２に示すように、元となる高周波信号
に対して、それを周期Ｔで断続させる第１の変調と、こ
の第１の変調よりも短い周期で断続させる第２の変調
と、この第２の変調よりも短い周期で断続させる第３の
変調とをかけた（即ち三重変調をかけた）高周波電力
を、前述した電極６、８に供給するようにしている。
源１８の代わりに、任意の波形の高周波信号を発生させ
ることができる高周波信号発生器３６と、それからの高
周波信号を電力増幅する高周波パワーアンプ３８とで構
成された高周波電源１８ａを用いている。そしてこれに
よって、例えば図２に示すように、元となる高周波信号
に対して、それを周期Ｔで断続させる第１の変調と、こ
の第１の変調よりも短い周期で断続させる第２の変調
と、この第２の変調よりも短い周期で断続させる第３の
変調とをかけた（即ち三重変調をかけた）高周波電力
を、前述した電極６、８に供給するようにしている。
【００１４】この元となる高周波信号は、例えば従来例
と同様に１３．５６ＭＨｚの正弦波信号であるが、これ
に限定されるものではない。
と同様に１３．５６ＭＨｚの正弦波信号であるが、これ
に限定されるものではない。
【００１５】上記のような高周波電力を用いることによ
り、プラズマ３２中のラジカル（例えば上記のようなシ
ラン系の原料ガス２０を用いる場合は、ＳiＨ3ラジカ
ル、ＳiＨ2ラジカル、ＳiＨラジカル、Ｓiラジカル等）
の発生消滅に大きく寄与する、プラズマ３２中の電子温
度（即ち電子エネルギー）を制御することが可能にな
る。その結果、プラズマ３２中において、気相反応だけ
でなく、基板２の表面での表面反応をも効率良く起こさ
せることができるようになる。前者の気相反応による場
合は、反応生成物である酸化シリコンは、基板２の表面
に上から言わば降り積もるように形成されるので、基板
２の表面の凹凸を増幅するような格好で形成されるのに
対して、後者の表面反応による酸化シリコンは、基板２
の表面上に言わば盛り上がるように形成されるので、基
板２の表面の凹部を埋めるような格好で形成される。こ
のような作用により、基板２の表面に形成する酸化シリ
コン膜の平坦度を向上させることが可能になる。
り、プラズマ３２中のラジカル（例えば上記のようなシ
ラン系の原料ガス２０を用いる場合は、ＳiＨ3ラジカ
ル、ＳiＨ2ラジカル、ＳiＨラジカル、Ｓiラジカル等）
の発生消滅に大きく寄与する、プラズマ３２中の電子温
度（即ち電子エネルギー）を制御することが可能にな
る。その結果、プラズマ３２中において、気相反応だけ
でなく、基板２の表面での表面反応をも効率良く起こさ
せることができるようになる。前者の気相反応による場
合は、反応生成物である酸化シリコンは、基板２の表面
に上から言わば降り積もるように形成されるので、基板
２の表面の凹凸を増幅するような格好で形成されるのに
対して、後者の表面反応による酸化シリコンは、基板２
の表面上に言わば盛り上がるように形成されるので、基
板２の表面の凹部を埋めるような格好で形成される。こ
のような作用により、基板２の表面に形成する酸化シリ
コン膜の平坦度を向上させることが可能になる。
【００１６】しかも、上記のようにプラズマ３２中の電
子温度を制御することによって、プラズマ３２中のラジ
カル種の選択性を向上させることも可能になる。
子温度を制御することによって、プラズマ３２中のラジ
カル種の選択性を向上させることも可能になる。
【００１７】即ち、高周波放電によって生成されるプラ
ズマ３２中には、反応過程を支配する前述したような多
種のラジカルが存在する。このラジカルには、良質な酸
化シリコン膜を形成するのに寄与する分子量の大きいラ
ジカル（例えばＳiＨ3ラジカル）と、膜形成に不必要で
パーティクル発生の原因となる分子量の小さいラジカル
（例えばＳiＨ2ラジカル、ＳiＨラジカル、Ｓiラジカ
ル）とが混在する。前者の分子量の大きいラジカルは長
寿命であり、後者の分子量の小さいラジカルは短寿命で
あるが、プラズマ３２中の電子温度の制御によって、こ
の良質な膜形成に寄与する分子量の大きいラジカルの優
先生成および不必要なラジカルの抑制が可能になる。そ
の結果、酸化シリコン膜の成膜速度を向上させることも
可能になる。
ズマ３２中には、反応過程を支配する前述したような多
種のラジカルが存在する。このラジカルには、良質な酸
化シリコン膜を形成するのに寄与する分子量の大きいラ
ジカル（例えばＳiＨ3ラジカル）と、膜形成に不必要で
パーティクル発生の原因となる分子量の小さいラジカル
（例えばＳiＨ2ラジカル、ＳiＨラジカル、Ｓiラジカ
ル）とが混在する。前者の分子量の大きいラジカルは長
寿命であり、後者の分子量の小さいラジカルは短寿命で
あるが、プラズマ３２中の電子温度の制御によって、こ
の良質な膜形成に寄与する分子量の大きいラジカルの優
先生成および不必要なラジカルの抑制が可能になる。そ
の結果、酸化シリコン膜の成膜速度を向上させることも
可能になる。
【００１８】上記のようなラジカル種の選択性は、高周
波電力に上記のような第１および第２の変調をかけるこ
とによって高まるが、これに更に第３の変調をかけるこ
とによって一層高まる。
波電力に上記のような第１および第２の変調をかけるこ
とによって高まるが、これに更に第３の変調をかけるこ
とによって一層高まる。
【００１９】上記高周波電力（図２参照）の第１の変調
の周波数（１／Ｔ）は、ラジカルの寿命が一般的にｍｓ
ｅｃオーダーであることから、４００Ｈｚ〜１ＫＨｚの
範囲内に選ぶのが好ましい。また、電子温度遷移のカー
ブ等から見て、第２の変調の間隔は、オン期間ｔ1 を
０．１ｍｓｅｃ〜１ｍｓｅｃの範囲内に、オフ期間ｔ2
を０．１ｍｓｅｃ〜１ｍｓｅｃの範囲内に選ぶのが好ま
しい。同様に、第３の変調の間隔は、オン期間ｔ3 を
０．０１ｍｓｅｃ〜０．５ｍｓｅｃの範囲内に、オフ期
間ｔ4 を０．０１ｍｓｅｃ〜０．５ｍｓｅｃの範囲内に
選ぶのが好ましい。
の周波数（１／Ｔ）は、ラジカルの寿命が一般的にｍｓ
ｅｃオーダーであることから、４００Ｈｚ〜１ＫＨｚの
範囲内に選ぶのが好ましい。また、電子温度遷移のカー
ブ等から見て、第２の変調の間隔は、オン期間ｔ1 を
０．１ｍｓｅｃ〜１ｍｓｅｃの範囲内に、オフ期間ｔ2
を０．１ｍｓｅｃ〜１ｍｓｅｃの範囲内に選ぶのが好ま
しい。同様に、第３の変調の間隔は、オン期間ｔ3 を
０．０１ｍｓｅｃ〜０．５ｍｓｅｃの範囲内に、オフ期
間ｔ4 を０．０１ｍｓｅｃ〜０．５ｍｓｅｃの範囲内に
選ぶのが好ましい。
【００２０】次に、この発明に従ったより具体的な実施
例と、従来例相当の比較例とについて説明する。
例と、従来例相当の比較例とについて説明する。
【００２１】（実施例） 基板：２００ｍｍ角のガラス基板 原料ガス：ＴＥＯＳ ６〜１０ｃｃｍ Ｏ2 １００〜２００ｃｃｍ 基板温度：３７５℃ 元となる高周波の周波数：１３．５６ＭＨｚ 高周波電力：約１０００Ｗ 第１変調の周波数：１０００Ｈｚ 第２変調の間隔：オン期間ｔ1 ＝０．７５ｍｓｅｃ オフ期間ｔ2 ＝０．２５ｍｓｅｃ 第３変調の間隔：オン期間ｔ3 ＝０．２ｍｓｅｃ オフ期間ｔ4 ＝０．５５ｍｓｅｃ
【００２２】（比較例） 高周波：１３．５６ＭＨｚの正弦波の連続（即ち変調な
し） その他の条件：上記実施例と同じ
し） その他の条件：上記実施例と同じ
【００２３】上記実施例および比較例による成膜結果の
模式図を図３および図４にそれぞれ示す。両図におい
て、基板２上の凹凸（デバイス構造）３の寸法は、Ａ＝
１μｍ、Ｂ＝１μｍ、Ｃ＝１μｍ、Ｄ＝５μｍである。
模式図を図３および図４にそれぞれ示す。両図におい
て、基板２上の凹凸（デバイス構造）３の寸法は、Ａ＝
１μｍ、Ｂ＝１μｍ、Ｃ＝１μｍ、Ｄ＝５μｍである。
【００２４】上記Ｄ部の中央部での酸化シリコン膜３４
の膜厚を実施例の場合をＨ1 、比較例の場合をＨ2 とす
ると、Ｈ1／Ｈ2＝１．６が得られた。最高部の膜厚はい
ずれの例もＨ0 で変わらないから、比較例に比べて実施
例の平坦度は１．６倍であるということができる。
の膜厚を実施例の場合をＨ1 、比較例の場合をＨ2 とす
ると、Ｈ1／Ｈ2＝１．６が得られた。最高部の膜厚はい
ずれの例もＨ0 で変わらないから、比較例に比べて実施
例の平坦度は１．６倍であるということができる。
【００２５】また、酸化シリコン膜３４の成膜速度は、
実施例の場合は８５０Å／ｍｉｎ、比較例の場合は６０
０Å／ｍｉｎであり、実施例の方が約１．４倍の成膜速
度が得られた。
実施例の場合は８５０Å／ｍｉｎ、比較例の場合は６０
０Å／ｍｉｎであり、実施例の方が約１．４倍の成膜速
度が得られた。
【００２６】なお、以上では原料ガス２０の例として、
ＴＥＯＳ＋Ｏ2 を説明したが、この発明はこれに限定さ
れるものではなく、ＴＥＯＳ＋Ｏ3 でも、更にはＴＥＳ
等の有機シラン系のガスとＯ2 またはＯ3 との混合ガス
でも良い。
ＴＥＯＳ＋Ｏ2 を説明したが、この発明はこれに限定さ
れるものではなく、ＴＥＯＳ＋Ｏ3 でも、更にはＴＥＳ
等の有機シラン系のガスとＯ2 またはＯ3 との混合ガス
でも良い。
【００２７】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、上記の
ような特定範囲の周波数（周期）でしかも三重に断続さ
せる変調をかけた高周波電力を使用することによって、
プラズマ中のラジカルの発生消滅に大きく寄与する電子
温度の制御が可能になり、それによって、基板表面に形
成する酸化シリコン膜の平坦度を向上させることが可能
になる。しかも、電子温度制御によって、プラズマ中の
ラジカルの選択性も向上し、その結果、酸化シリコン膜
の成膜速度を向上させることも可能になる。
ような特定範囲の周波数（周期）でしかも三重に断続さ
せる変調をかけた高周波電力を使用することによって、
プラズマ中のラジカルの発生消滅に大きく寄与する電子
温度の制御が可能になり、それによって、基板表面に形
成する酸化シリコン膜の平坦度を向上させることが可能
になる。しかも、電子温度制御によって、プラズマ中の
ラジカルの選択性も向上し、その結果、酸化シリコン膜
の成膜速度を向上させることも可能になる。
【図１】この発明の実施に用いたプラズマＣＶＤ装置の
一例を示す概略図である。
一例を示す概略図である。
【図２】三重変調をかけた高周波電力の波形の一例を示
す概略図である。
す概略図である。
【図３】実施例の方法によって基板上に酸化シリコン膜
を形成した状態を模式的に示す断面図である。
を形成した状態を模式的に示す断面図である。
【図４】比較例の方法によって基板上に酸化シリコン膜
を形成した状態を模式的に示す断面図である。
を形成した状態を模式的に示す断面図である。
【図５】従来のプラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略図
である。
である。
２ 基板 ６ 電極 ８ ホルダ兼電極 １８ａ 高周波電源 ２０ 原料ガス ３２ プラズマ ３４ 酸化シリコン膜
Claims (1)
- 【請求項１】 電極間の高周波放電によってプラズマを
発生させるプラズマＣＶＤ法によって基板上に酸化シリ
コン膜を形成する方法において、前記電極間に、元とな
る高周波信号に対して、それを断続させる第１の変調
と、この第１の変調よりも短い周期で断続させる第２の
変調と、この第２の変調よりも短い周期で断続させる第
３の変調とをかけた高周波電力を供給することとし、し
かも前記第１の変調の周波数が４００Ｈｚ〜１ＫＨｚの
範囲内にあり、前記第２の変調のオン期間が０．１ｍｓ
ｅｃ〜１ｍｓｅｃの範囲内、オフ期間が０．１ｍｓｅｃ
〜１ｍｓｅｃの範囲内にあり、かつ前記第３の変調のオ
ン期間が０．０１ｍｓｅｃ〜０．５ｍｓｅｃの範囲内、
オフ期間が０．０１ｍｓｅｃ〜０．５ｍｓｅｃの範囲内
にあることを特徴とする酸化シリコン膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4194765A JP2536367B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 酸化シリコン膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4194765A JP2536367B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 酸化シリコン膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06287755A JPH06287755A (ja) | 1994-10-11 |
| JP2536367B2 true JP2536367B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=16329873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4194765A Expired - Fee Related JP2536367B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 酸化シリコン膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2536367B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69107101T2 (de) | 1990-02-06 | 1995-05-24 | Semiconductor Energy Lab | Verfahren zum Herstellen eines Oxydfilms. |
| US7465679B1 (en) | 1993-02-19 | 2008-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulating film and method of producing semiconductor device |
| US9117967B2 (en) | 2011-08-30 | 2015-08-25 | El-Seed Corporation | Method of manufacturing glass substrate with concave-convex film using dry etching, glass substrate with concave-convex film, solar cell, and method of manufacturing solar cell |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188783A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電潜像担持体の製造方法 |
| JP2588388B2 (ja) * | 1986-08-08 | 1997-03-05 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 被膜作製方法 |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP4194765A patent/JP2536367B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06287755A (ja) | 1994-10-11 |
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