JPS62188783A - 静電潜像担持体の製造方法 - Google Patents
静電潜像担持体の製造方法Info
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- JPS62188783A JPS62188783A JP3143886A JP3143886A JPS62188783A JP S62188783 A JPS62188783 A JP S62188783A JP 3143886 A JP3143886 A JP 3143886A JP 3143886 A JP3143886 A JP 3143886A JP S62188783 A JPS62188783 A JP S62188783A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファスシリコン等のアモルファス半導体
層を備えた静電潜像担持体の製造方法に関するものであ
る。
層を備えた静電潜像担持体の製造方法に関するものであ
る。
一般にこの種静電潜像担持体はへβ等の導電性材料で形
成した円筒形の支持体表面に光導電層を積層形成して構
成されるのが一般的であるが、光導電層として近年はア
モルファスシリコン等のアモルファス半導体層としたも
のが提案されている。
成した円筒形の支持体表面に光導電層を積層形成して構
成されるのが一般的であるが、光導電層として近年はア
モルファスシリコン等のアモルファス半導体層としたも
のが提案されている。
アモルファスシリコンを主成分とする半導体層はセレン
、硫化カドミウムを主成分とする旧来のものに比較して
耐熱性、耐摩擦性に冨むうえ無害で、しかも高光感度で
ある等の利点を有しており、その開発が進められている
。
、硫化カドミウムを主成分とする旧来のものに比較して
耐熱性、耐摩擦性に冨むうえ無害で、しかも高光感度で
ある等の利点を有しており、その開発が進められている
。
ところで従来にあってはこのような静電潜像担持体は次
にようにして製造されていた。即ち真空チャンバ内の中
央に設けた回転台に支持体を配設し、この支持体の内側
にはヒータを、また外側には電極を夫々対向配置し、ヒ
ータにて支持体を所要温度に加熱しつつ電極と支持体と
の間に直流電圧、又は低周波、或いは高周波交流電圧を
印加して相互の間にグロー放電を発生させつつ、この間
に原料ガスを通流させ、原料ガスを分解して支持体表面
にアモルファス半導体層を堆積形成せしめる。
にようにして製造されていた。即ち真空チャンバ内の中
央に設けた回転台に支持体を配設し、この支持体の内側
にはヒータを、また外側には電極を夫々対向配置し、ヒ
ータにて支持体を所要温度に加熱しつつ電極と支持体と
の間に直流電圧、又は低周波、或いは高周波交流電圧を
印加して相互の間にグロー放電を発生させつつ、この間
に原料ガスを通流させ、原料ガスを分解して支持体表面
にアモルファス半導体層を堆積形成せしめる。
(発明が解決しようとする問題点〕
しかしこのような構成にあっては、原料ガスに対する分
解能力が低く、原料ガスの有効利用効率が低く、余剰原
料ガスの反応副生成物であるフレークが真空チャンバ内
面、排気系或いは温度センサに堆積し、製造作業中まま
剥離し、支持体面に付着して膜質を低下せしめる外、温
度センサの動作を不安定にするなどの悪影響があった。
解能力が低く、原料ガスの有効利用効率が低く、余剰原
料ガスの反応副生成物であるフレークが真空チャンバ内
面、排気系或いは温度センサに堆積し、製造作業中まま
剥離し、支持体面に付着して膜質を低下せしめる外、温
度センサの動作を不安定にするなどの悪影響があった。
また従来方法にあっては支持体を加熱するヒータが不可
欠であり、製造装置自体が大型化し、支持体交換時等の
取扱いが煩わしく作業能率を低下させる等の問題があっ
た。
欠であり、製造装置自体が大型化し、支持体交換時等の
取扱いが煩わしく作業能率を低下させる等の問題があっ
た。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、そ
の目的とするところはヒータを用いることなく、原料ガ
スに対する大きな分解能力が得られて反応副生成物の発
生が少なく、また支持体面に対する成膜速度も速い、静
電潜像担持体の製造方法を提供するにある。
の目的とするところはヒータを用いることなく、原料ガ
スに対する大きな分解能力が得られて反応副生成物の発
生が少なく、また支持体面に対する成膜速度も速い、静
電潜像担持体の製造方法を提供するにある。
本発明に係る静電潜像担持体の製造方法は支持体とこれ
に対向配置した電極との間に直流電圧と交流電圧とを重
畳して、或いは低周波電圧と高周波電圧とを重畳して印
加する。
に対向配置した電極との間に直流電圧と交流電圧とを重
畳して、或いは低周波電圧と高周波電圧とを重畳して印
加する。
本発明はこれによって、ヒータが不要となって構成が簡
略化出来ることは勿論、原料ガスに対する分解機能が大
きくて副生成物の低減が図れ、副生成物がもたらす悪影
響を抑制し得て、アモルファス半導体層の膜品質の向上
が図れることとなる。
略化出来ることは勿論、原料ガスに対する分解機能が大
きくて副生成物の低減が図れ、副生成物がもたらす悪影
響を抑制し得て、アモルファス半導体層の膜品質の向上
が図れることとなる。
第1図は本発明に係る静電潜像担持体の製造態様を示す
模式的縦断面図であり、図中1はチャンバ、2はホルダ
、3は支持体、4は電極、Mはモータを示している。チ
ャンバ1の底部中央には底壁を貫通して、ホルダ2の軸
部2aが回動自在に枢支されており、チャンバ1の底部
下方に突き出した軸部2aの下端にはモータMが連繋さ
れ、またチャンバ1内のホルダ2の上端には、AA等を
材料にして製造された円筒状をなす導電性を備える支持
体3が縦向きの状態で軸部2aと同心状に着脱可能に装
着されるようにしてある。
模式的縦断面図であり、図中1はチャンバ、2はホルダ
、3は支持体、4は電極、Mはモータを示している。チ
ャンバ1の底部中央には底壁を貫通して、ホルダ2の軸
部2aが回動自在に枢支されており、チャンバ1の底部
下方に突き出した軸部2aの下端にはモータMが連繋さ
れ、またチャンバ1内のホルダ2の上端には、AA等を
材料にして製造された円筒状をなす導電性を備える支持
体3が縦向きの状態で軸部2aと同心状に着脱可能に装
着されるようにしてある。
電極4は大径の円筒状に形成され、ホルダ2、支持体3
の回転中心と同心に位置させて、チャンバ1内に図示し
ない支持部材を用いて配設されている。
の回転中心と同心に位置させて、チャンバ1内に図示し
ない支持部材を用いて配設されている。
電極4にはチャンバ1の側壁を貫通して低周波発振器5
、高周波発振器6の各一方の端子が途中に周波数変調S
7を介在させて接続され、また低周波発振器5、高周波
発振器6の各他方の端子はホルダ2の軸部2aに接続さ
れており、支持体3と電極4との間に低周波発振器5、
高周波発振器6からの低周波電力、高周波電力を重畳し
た状態で、或いは必要に応じて夫々単独で印加するよう
になっている。
、高周波発振器6の各一方の端子が途中に周波数変調S
7を介在させて接続され、また低周波発振器5、高周波
発振器6の各他方の端子はホルダ2の軸部2aに接続さ
れており、支持体3と電極4との間に低周波発振器5、
高周波発振器6からの低周波電力、高周波電力を重畳し
た状態で、或いは必要に応じて夫々単独で印加するよう
になっている。
その他、図中8は原料ガスの供給系、9は排気系を示し
ている。供給系8は途中にバルブ8a、 8bを介在さ
せて、SiH4+ 高次シラン、H2,pH3。
ている。供給系8は途中にバルブ8a、 8bを介在さ
せて、SiH4+ 高次シラン、H2,pH3。
[12116等のガスタンクに連結されており、バルブ
8a、 8bの調節によって、所望の原料ガスを選択的
に、或いは同時的にチャンバ1内に供給するようになっ
ている。また排気系9は途中にメカニカルブースターポ
ンプ9a、 ロータリーポンプ9bを介在させてあり
、チャンバ1内を所定の真空度(0,1〜2.0 To
rr程度)に設定維持するようになっている。
8a、 8bの調節によって、所望の原料ガスを選択的
に、或いは同時的にチャンバ1内に供給するようになっ
ている。また排気系9は途中にメカニカルブースターポ
ンプ9a、 ロータリーポンプ9bを介在させてあり
、チャンバ1内を所定の真空度(0,1〜2.0 To
rr程度)に設定維持するようになっている。
10はホルダ2の上部に配設された温度センサであり、
支持体3の内周面温度を検出し、図示しないコントロー
ラに出力するようになっている。コントローラは例えば
温度センサ10から取り込んだ温度と予め設定した設定
温度とを比較し、支持体3の温度が設定温度よりも低い
場合は低周波発振器5を作動し、また、設定温度よりも
高くなると低周波発振器5を停止するようになっている
。
支持体3の内周面温度を検出し、図示しないコントロー
ラに出力するようになっている。コントローラは例えば
温度センサ10から取り込んだ温度と予め設定した設定
温度とを比較し、支持体3の温度が設定温度よりも低い
場合は低周波発振器5を作動し、また、設定温度よりも
高くなると低周波発振器5を停止するようになっている
。
而して本発明方法にあっては、ホルダ2上に支持体3を
嵌挿固定し、排気系9を作動してチャンバ1内を所定の
真空度に設定した後、先ず図示しないコントローラによ
って低周波発振器5を作動し、電極4と支持体3との間
に低周波電圧を印加し、この間に放電を行わせて、支持
体3を所定温度にまで加熱する。支持体3が所定温度に
まで加熱されると供給系8を通じて原料ガスをチャンバ
1内に導入し、同時に高周波発振器6を作動し周波数変
調器7を通じて、低周波と高周波とを重畳した電力を電
極4と支持体3との間に印加し、この間にグロー放電を
発生させ、原料ガスを分解して支持体3の周面にアモル
ファス半導体層を積層形成せしめる。
嵌挿固定し、排気系9を作動してチャンバ1内を所定の
真空度に設定した後、先ず図示しないコントローラによ
って低周波発振器5を作動し、電極4と支持体3との間
に低周波電圧を印加し、この間に放電を行わせて、支持
体3を所定温度にまで加熱する。支持体3が所定温度に
まで加熱されると供給系8を通じて原料ガスをチャンバ
1内に導入し、同時に高周波発振器6を作動し周波数変
調器7を通じて、低周波と高周波とを重畳した電力を電
極4と支持体3との間に印加し、この間にグロー放電を
発生させ、原料ガスを分解して支持体3の周面にアモル
ファス半導体層を積層形成せしめる。
電極4と支持体3との間には低周波と高周波とを重畳し
た状態の電力が供給されるから、支持体3に対する加熱
と同時に原料ガスに対するガス分解が行われ、ガス分解
能力が相乗的に増強され、支持体3表面に対するアモル
ファス半導体の成膜速度が大幅に向上すると共に副生成
物の低減が図れ、副生成物のチャンバ1内壁等への積層
が著しく低減される。
た状態の電力が供給されるから、支持体3に対する加熱
と同時に原料ガスに対するガス分解が行われ、ガス分解
能力が相乗的に増強され、支持体3表面に対するアモル
ファス半導体の成膜速度が大幅に向上すると共に副生成
物の低減が図れ、副生成物のチャンバ1内壁等への積層
が著しく低減される。
また支持体3内へのヒータの設置が省略できるため設備
がコンパクトとなり、また取扱いも簡便となり作業能率
が向上する。
がコンパクトとなり、また取扱いも簡便となり作業能率
が向上する。
成膜条件の1例を示すと次のとおりである。チャンバ1
内の圧力は0.1〜2.OTorr、総原料ガス流量は
103e113/分〜51/分、支持体温度:250〜
500℃、印加低周波の周波数: 20Hz 〜IMI
Iz、印加高周波数の周波数: IMllz=100G
Hz、 RFパワー密度1.OX 10−2〜2.OX
10−’ W / am 2である。
内の圧力は0.1〜2.OTorr、総原料ガス流量は
103e113/分〜51/分、支持体温度:250〜
500℃、印加低周波の周波数: 20Hz 〜IMI
Iz、印加高周波数の周波数: IMllz=100G
Hz、 RFパワー密度1.OX 10−2〜2.OX
10−’ W / am 2である。
第2図は本発明の他の実施例を示す模式的縦断面図であ
り、支持体1の周囲に配設する電極はステンレス、A1
等を材料にして形成されたチャンバ1の内周壁1aがこ
れを兼ねる構成となっている。
り、支持体1の周囲に配設する電極はステンレス、A1
等を材料にして形成されたチャンバ1の内周壁1aがこ
れを兼ねる構成となっている。
従って真空チャンバ1の周壁と支持体との間には前記第
1図に示す電極4に相当する部材は存在しない。■bは
合成樹脂製の保護カバーである。
1図に示す電極4に相当する部材は存在しない。■bは
合成樹脂製の保護カバーである。
他の構成は前記第1図に示した実施例の構成と同じであ
り、対応する部分には同じ番号を付して説明を省略する
。
り、対応する部分には同じ番号を付して説明を省略する
。
而してこのような本発明方法にあっては前記第1図に示
した実施例の効果に加えて、特別に独立した電極を設け
る必要がないから真空チャンバ1自体の一層の小型化が
可能となる効果が得られる。
した実施例の効果に加えて、特別に独立した電極を設け
る必要がないから真空チャンバ1自体の一層の小型化が
可能となる効果が得られる。
第3図は本発明の更に他の実施状態を示す模式的縦断面
図であり、チャンバ1の内周壁1aが電極を兼ねた第2
図に示す実施状態に加えて、このチャンバ1の外周に複
数のマイクロ波発振器11を配設し、一端を各マイクロ
波発振器11に連結した導波管11aの他端をチャンバ
1の内周壁1aに面して固定してある。
図であり、チャンバ1の内周壁1aが電極を兼ねた第2
図に示す実施状態に加えて、このチャンバ1の外周に複
数のマイクロ波発振器11を配設し、一端を各マイクロ
波発振器11に連結した導波管11aの他端をチャンバ
1の内周壁1aに面して固定してある。
また低周波発振器5を備えており、夫々前記各マイクロ
波発振器11に接続すると共に、他端はホルダ2の軸部
2aに接続されている。
波発振器11に接続すると共に、他端はホルダ2の軸部
2aに接続されている。
他の構成は前記第2図に示した実施状態と実質的に同じ
であり、対応する部材には同じ番号を付して説明を省略
する。
であり、対応する部材には同じ番号を付して説明を省略
する。
而してこのような構成にあっては各マイクロ波発振器1
1からはマイクロ波と低周波発振器5から供給される低
周波とが重畳された状態で導波管11aを通じて電極た
る内周壁1aに伝播され、該内周壁と支持体3との間に
グロー放電を発生させ、供給された原料ガスを分解して
、支持体3表面にアモルファス半導体層を形成する。
1からはマイクロ波と低周波発振器5から供給される低
周波とが重畳された状態で導波管11aを通じて電極た
る内周壁1aに伝播され、該内周壁と支持体3との間に
グロー放電を発生させ、供給された原料ガスを分解して
、支持体3表面にアモルファス半導体層を形成する。
このような実施例にあっては原料ガスに対する分解効率
が高く、成膜速度は10μm/時以上が可能となる。成
膜条件の1例を示すとマイクロ波周波数はI G ll
z〜100GIlz程度、またこれに重畳する低周波の
周波数はIKHz〜100KIIz程度である。
が高く、成膜速度は10μm/時以上が可能となる。成
膜条件の1例を示すとマイクロ波周波数はI G ll
z〜100GIlz程度、またこれに重畳する低周波の
周波数はIKHz〜100KIIz程度である。
第4図は本発明方法の更に他の実施状態を示す模式的断
面図であり、第2図に示した如く内周壁が電極を兼ねる
真空チャンバl内における支持体3の保持位置よりも上
方にこれと同心状に励磁コイル12を配設する共に、励
磁コイル12の更に上方中央に一端が図示しないマイク
ロ波発振器に連らなる導波管13aの他端を連結してあ
り、チャンバ1内に励磁コイル12によって所定の磁界
を形成しつつ、マイクロ波発振器を通じてマイクロ波を
供給し、電子サイクロトロン共鳴現象を利用して原料ガ
スのプラズマを発生させ、励磁コイル12の磁界によっ
てイオンを支持体3の表面に導き、ここにアモルファス
半導体層を形成するようになっている。
面図であり、第2図に示した如く内周壁が電極を兼ねる
真空チャンバl内における支持体3の保持位置よりも上
方にこれと同心状に励磁コイル12を配設する共に、励
磁コイル12の更に上方中央に一端が図示しないマイク
ロ波発振器に連らなる導波管13aの他端を連結してあ
り、チャンバ1内に励磁コイル12によって所定の磁界
を形成しつつ、マイクロ波発振器を通じてマイクロ波を
供給し、電子サイクロトロン共鳴現象を利用して原料ガ
スのプラズマを発生させ、励磁コイル12の磁界によっ
てイオンを支持体3の表面に導き、ここにアモルファス
半導体層を形成するようになっている。
他の作用は前記第2図に示した実施状態と実質的に同じ
である。
である。
このような方法にあっては原料ガスに対する分解能力は
高く成膜速度も10μIl/時以上が可能である。
高く成膜速度も10μIl/時以上が可能である。
成膜条件の一例を示すとマイクロ波発振器はIGHz〜
20GHz程度、またこれに重畳する低周波の周波数は
IKHz〜100KHz程度である。
20GHz程度、またこれに重畳する低周波の周波数は
IKHz〜100KHz程度である。
第5図は本発明の更に他の実施状態を示す模式的縦断面
図であり、第1図に示した実施状態に加えて、支持体3
と同心状にチャンバ1の上、下に夫々磁気コイル14.
15を配設し、チャンバ1内に磁界を形成しつつ、電極
4と支持体3との間にグロー放電を発生させ、電子サイ
クロトロン共鳴現象を利用してチャンバ1内に供給され
た原料ガスをプラズマ化し、発生したイオンを励磁コイ
ル14゜15による磁界によって支持体30表面に導き
、アモルファス半導体層を積層形成するようになってい
る。
図であり、第1図に示した実施状態に加えて、支持体3
と同心状にチャンバ1の上、下に夫々磁気コイル14.
15を配設し、チャンバ1内に磁界を形成しつつ、電極
4と支持体3との間にグロー放電を発生させ、電子サイ
クロトロン共鳴現象を利用してチャンバ1内に供給され
た原料ガスをプラズマ化し、発生したイオンを励磁コイ
ル14゜15による磁界によって支持体30表面に導き
、アモルファス半導体層を積層形成するようになってい
る。
このような方法にあっては原料ガスに対する分解能率が
高く、その有効利用が図れ、10μm/時以上の成膜速
度が得られた。
高く、その有効利用が図れ、10μm/時以上の成膜速
度が得られた。
成膜条件の1例を示すと、高周波の周波数はIGHz〜
20GHz、これに重畳する低周波の周波数はI K
Ilz〜100KIIz程度である。
20GHz、これに重畳する低周波の周波数はI K
Ilz〜100KIIz程度である。
なお、上述の方法はいずれも低周波と高周波及び/又は
これらにマイクロ波を重畳させる構成につき説明したが
、これに代えて直流と交流とを重畳する構成としてもよ
く、同様の効果が得られることが確認された。
これらにマイクロ波を重畳させる構成につき説明したが
、これに代えて直流と交流とを重畳する構成としてもよ
く、同様の効果が得られることが確認された。
前記第1〜5図に示した各実施状態における低周波と高
周波、更にはマイクロ波の周波数、印加順序2重量タイ
ミング等の制御内容は必要に応じて行えばよい。
周波、更にはマイクロ波の周波数、印加順序2重量タイ
ミング等の制御内容は必要に応じて行えばよい。
以上の如く本発明方法にあっては直流と交流と、又は低
周波交流と高周波交流とを同時的又は個別的に支持体と
これに対向する電極との間に供給することとしているか
ら、支持体のためのヒータが不要となり、設備のコンパ
クト化が図れる外、取扱作業が容易となって作業能率が
向上し、また原料ガスに対する分解機能が格段に向上し
て成膜速度が速く、また副生成物の発生を抑制出来てそ
の悪影響が低減され、膜質の向上が図れるなど本発明は
優れた効果を奏するものである。
周波交流と高周波交流とを同時的又は個別的に支持体と
これに対向する電極との間に供給することとしているか
ら、支持体のためのヒータが不要となり、設備のコンパ
クト化が図れる外、取扱作業が容易となって作業能率が
向上し、また原料ガスに対する分解機能が格段に向上し
て成膜速度が速く、また副生成物の発生を抑制出来てそ
の悪影響が低減され、膜質の向上が図れるなど本発明は
優れた効果を奏するものである。
第1.2.3,4.5図は本発明の夫々別異の実施状態
を示す模式的縦断面図である。 ■・・・チャンバ 1a・・・内周壁 2・・・ホルダ
2a・・・軸 3・・・支持体 4・・・電極 5・
・・低周波発生器6・・・高周波発m器 7・・・周波
数変調器 8・−・原料ガスの供給系 9・・・排気系
10・・・温度センサ 11・・・マイクロ波発振器
11a・・・導波管 12・−励磁コイル 13a・
・・導波管 14.15・・・励磁コイル特 許 出願
人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 ♂ 7 茸 1 凹 葺 2 図 $ 3 図 弄 4 図
を示す模式的縦断面図である。 ■・・・チャンバ 1a・・・内周壁 2・・・ホルダ
2a・・・軸 3・・・支持体 4・・・電極 5・
・・低周波発生器6・・・高周波発m器 7・・・周波
数変調器 8・−・原料ガスの供給系 9・・・排気系
10・・・温度センサ 11・・・マイクロ波発振器
11a・・・導波管 12・−励磁コイル 13a・
・・導波管 14.15・・・励磁コイル特 許 出願
人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 ♂ 7 茸 1 凹 葺 2 図 $ 3 図 弄 4 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、低周波交流と高周波交流とを重畳した変調周波電力
を減圧容器内に配した導電性の支持体とこれに対向配置
した電極とに供給し、この間にグロー放電を発生させて
アモルファス半導体形成用原料ガスを分解し、前記支持
体面にアモルファス半導体層を積層形成することを特徴
とする静電潜像担持体の製造方法。 2、前記低周波交流は周波数が20Hz〜1MHzであ
る特許請求の範囲第1項記載の静電潜像担持体の製造方
法。 3、前記高周波交流は周波数が1MHz〜100GHz
である特許請求の範囲第1項記載の静電潜像担持体の製
造方法。 4、前記電極は減圧容器がこれを兼ねるよう構成してあ
る特許請求の範囲第1項記載の静電潜像担持体の製造方
法。 5、直流と交流とを重畳した電力を減圧容器内に配した
導電性の支持体とこれに対向配置した電極とに供給し、
この間にグロー放電を発生させてアモルファス半導体形
成用原料ガスを分解し、前記支持体面にアモルファス半
導体層を積層形成することを特徴とする静電潜像担持体
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3143886A JPS62188783A (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | 静電潜像担持体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3143886A JPS62188783A (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | 静電潜像担持体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62188783A true JPS62188783A (ja) | 1987-08-18 |
Family
ID=12331242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3143886A Pending JPS62188783A (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | 静電潜像担持体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62188783A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2008121116A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Schott Ag | プラズマ化学気相堆積のための方法および装置 |
-
1986
- 1986-02-14 JP JP3143886A patent/JPS62188783A/ja active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012062579A (ja) * | 2006-11-10 | 2012-03-29 | Schott Ag | プラズマ化学気相堆積のための方法および装置 |
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