BE1008338A5 - Multifrequente inductieve werkwijze en inrichting voor het bewerken van materiaal. - Google Patents
Multifrequente inductieve werkwijze en inrichting voor het bewerken van materiaal. Download PDFInfo
- Publication number
- BE1008338A5 BE1008338A5 BE9400433A BE9400433A BE1008338A5 BE 1008338 A5 BE1008338 A5 BE 1008338A5 BE 9400433 A BE9400433 A BE 9400433A BE 9400433 A BE9400433 A BE 9400433A BE 1008338 A5 BE1008338 A5 BE 1008338A5
- Authority
- BE
- Belgium
- Prior art keywords
- substrate
- electric current
- frequency
- processing
- high frequency
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/507—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
Abstract
De onderhavige uitvinding verschaft een werkwijze voor het bewerken van een substraat uit een bepaald materiaal, waarbij het materiaal wordt verwarmd door middel van inductie met een elektrische stroom van een relatief lage frequentie, waarbij een elektrische stroom van relatief hoge frequentie wordt gebruikt voor het verder bewerken van het materiaal, en waarbij een instelspanning wordt aangelegd aan het substraat.
Description
<Desc/Clms Page number 1> MULTIFREQUENT INDUCTIEVE WERKWIJZE EN INRICHTING VOOR HET BEWERKEN VAN MATERIAAL Chemical Vapour Deposition (CVD) wordt op grote schaal in de industrie gebruikt voor het bij een temperatuur van 800 OC of hoger laten neerslaan van lagen op een substraat uit een bepaald materiaal of op een ander voorwerp. Bij lagere temperatuur kan gebruik worden gemaakt van Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD). Hierbij doet zieh echter het probleem voor van gebrek aan uniformiteit indien neerslag dient plaats te vinden op voorwerpen met drie dimensies. PECVD wordt derhalve hoofdzakelijk toegepast bij neerslag op vlakke substraten. Voor uniformiteit bij lage temperatuur en hoge neerslag wordt ook wel gebruik gemaakt van een zogeheten Distributed Electronic Cyclotronic Residence Reactor (DECR). DECRapparatuur is voor industriële toepassingen echter complex en kostbaar, terwijl ook de neerslagsnelheid nog te laag is voor dergelijke industriële toepassingen. De onderhavige uitvinding betreft een werkwijze en inrichting, waarbij bij relatief lage temperatuur, aanzienlijk onder 800 oc, op het voorwerp of op het materiaal lagen kunnen worden neergeslagen, terwijl een hoge neerslagsnelheid wordt bereikt, een excellente neerslaguniformiteit ook in drie dimensies wordt bereikt, de micro-structuur van de neergeslagen laag nauwkeurig kan worden gestuurd, en/of elektrisch geleidende lagen kunnen worden neergeslagen. In het Amerikaans octrooischrift US-A-4388344 is een werkwijze en inrichting beschreven, waarbij het materiaal van een substraat wordt verwarmd door middel van inductie bij relatief lage frequentie en waarbij een elektrische stroom van relatief hoge frequentie wordt gebruikt voor het verder bewerken van het materiaal. Bij <Desc/Clms Page number 2> deze bekende werkwijze en inrichting is ook de uniformiteit van de neergeslagen laag in het bijzonder voorbeeld 3 voor wat betreft drie dimensies, beperkt en is het ook moeilijk de microstructuur van een neergeslagen laag nauwkeurig te sturen. Ook bij het Amerikaanse octrooischrift US-A- 4. 664. 746 en de Japanse octrooipublicatie JP-A-62188783 laten snelheid en neerslaguniformiteit te wensen over. De onderhavige uitvinding beoogt bovengenoemde nadelen van de bekende werkwijze te ondervangen, en verschaft een werkwijze voor het bewerken van een substraat uit een bepaald materiaal, waarbij het materiaal wordt verwarmd door middel van inductie met een elektrische stroom van een relatief lage frequentie, waarbij een elektrische stroom van relatief hoge frequentie wordt gebruikt voor het verder bewerken van het materiaal, en waarbij een instelspanning wordt aangelegd aan het substraat. Voorts verschaft de onderhavige uitvinding een inrichting voor het bewerken van een substraat, waarbij de inrichting omvat : - een reactorkamer met een buitenwand, die ten minste gedeeltelijk vervaardigd is uit niet-elektrisch geleidend materiaal ; - opstellingsmiddelen voor het opstellen van het substraat in de reactiekamer ; en - een elektrische geleider zowel voor het geleiden van een elektrische stroom van relatief lage frequentie voor inductieverwarming van het substraat als voor het geleiden van een elektrische stroom van relatief hoge frequentie voor het verder bewerken van het materiaal daarvan. Door de enkele elektrische geleider die dient zowel voor het geleiden van de elektrische stroom voor relatief lage frequentie als voor het geleiden van de elektrische stroom van relatieve hoge frequentie, wordt een complexe en een veel minder complexe inrichting verkregen. Volgen de oorspronkelijke stukken vanaf bladzijde 2 regel 15. <Desc/Clms Page number 3> Op de elektromagnetische winding 2 is een eerste vermogensgenerator 6 van lage frequentie, dat wil zeggen met een frequentie kleiner of gelijk aan 10 kHz via twee filters 7 respectievelijk 8 aangesloten teneinde een inductieve verwarming van het voorwerp 0 via de winding 2 mogelijk te maken. Voorts is op de elektromagnetische winding een hoogfrequente bron of vermogensgenerator 9 voor het opwekken van een frequentie van 13, 56 MHz of hoger, waarbij de frequenties dienen voor het opwekken van een plasma als noodzakelijk voor PECVD-bewerking van het voorwerp 0. De laagfrequente vermogensgenerator 6 kan bijvoorbeeld een vermogen leveren van ongeveer 20 kWatt terwijl de hoogfrequente vermogensgenerator bijvoorbeeld een instelbaar vermogen van ongeveer 5kWatt kan leveren. Het voorwerp 0 is aangesloten op een vermogensinstelgenerator 13 voor hoge frequentie, zodat geschikte werking voor de nauwkeurige besturing van ionenergie die op het oppervlak van het voorwerp invalt, kan optreden. De instelgenerator 13 kan in fase vergrendeld zijn met de hoogfrequente generator 9. Een eerste voorgesteld voorbeeld van een werkwijze volgens de onderhavige uitvinding betreft het neerslaan van een kubische boron nitride film op een geleidend voorwerp, waartoe een gasmengsel uit N2 met een stroomsnelheid van 90 sccm (standard cubic centimetre per minute), uit H2 met een stroomsnelheid van 10 sccm, en uit WF6 met een stroomsnelheid van 5 sccm in de reactorkamer 1 wordt gebracht bij een druk van 800 Pascal met een radiofrequent regelbaar vermogen bij 13, 56 MHz dat door de generator 9 wordt geleverd, van ongeveer 100 Watt waardoor een vermogensdichtheid bij het voorwerp gerealiseerd wordt van 500 mW/cm2. De instelbron 13 is vereist voor bij het besturen instelspanning op het voorwerp te verschaffen, bijvoorbeeld een aantal honderden Volts. Met behulp van de laagfrequente vermogensgenerator 6 dient het voorwerp 0 in een temperatuurgebied van 200-500OC te worden gehouden, waartoe in de reactorkamer een (niet getoonde) <Desc/Clms Page number 4> temperatuursensor is opgenomen die is gekoppeld met een (niet getoonde) besturing voor het vermogen van de laagfrequente generator 6. Een tweede voorkeursuitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de onderhavige uitvinding betreft het neerslaan van diamant-achtige bekleding op een elektrisch geleidend voorwerp met een totale gasstroom van 80 sccm, hoofdzakelijk uit H, waarin 7 mol. % CO en 2, 2 mol. % 02 is opgenomen, bij een druk van 250 Pascal. De hoogfrequente vermogensgenerator 9 levert bij dit proces bij een microgolffrequentie van 2, 45 GHz een (regelbaar) vermogen van 80 Watt. De instelvermogensgenerator 13 wordt gebruikt voor het verschaffen van instelspanning voor het voorwerp. Bij voorkeur wordt de temperatuur bij dit proces in het gebied van 400-750OC gehouden, door de nauwkeurige inductieve verwarming die wordt verzekerd door de laagfrequente vermogensgenerator 6. Bij deze uitvoeringsvorm wordt een van inductieve koppeling gebruikmakende reactor verschaft, waarbij de spanningen over het plasma laag zijn en bij gevolg de ionen lage energie hebben. De laagfrequente inductie wordt niet, maar in ieder geval in geringe mate beinvloedt door het aanwezige plasma. De opgewekte hoogfrequente energie wordt, althans vrijwel volledig, geabsorbeerd door het plasma dat daaruit resulteert. De bovenbeschreven voorkeursuitvoeringsvormen van de onderhavige uitvinding verschaffen een groot aantal voordelen waarvan een aantal belangrijke de volgende zijn : - de dichtheid van de plasma kan hoog zijn, bijvoorbeeld tot aan 1012 deeltjes per cm' ; - het drukgebied waarin gewerkt wordt kan zeer uitgestrekt zijn, bijvoorbeeld van 104 tot ITorr ; - er wordt een hoge mate van driedimensionale homogeniteit in het plasma bereikt ; - het voorwerp of het substraat kan voorzien worden van een onafhankelijke instelspanning hetgeen de sturing van de microstructuur van de neergeslagen laag mogelijk maakt ; <Desc/Clms Page number 5> - door het variëren van de frequenties kan gemakkelijk schaalvergroting of vergroting van de neerslagsnelheid bereikt worden ; - sputtering van de wand wordt voorkomen vanwege de uiterst lage ionenenergie hetgeen een schone technologie verzekert ; - het rendement van de verwarming kan groot zijn, daar weinig energieverlies voor de verwarming optreedt ; - de verwarming kan snel plaatsvinden daar het voorwerp direct wordt verwarmd door zogenoemde eddy stromen zonder dat daarbij een grote mate van thermische traagheid optreedt ; - de temperatuurregeling van het voorwerp of het substraat kan gemakkelijk en nauwkeurig plaatsvinden ; - neerslag op de wand wordt vermeden, daar deze koud blijft en elektrische kortsluiting of afscherming van hoogfrequent vermogen wordt voorkomen ; - de opbouw van de inrichting kan compact worden gehouden, terwijl veel instelparameters zoals de verschillende frequenties en temperaturen mogelijk zijn ; - naar verwachting zullen de kosten voor aanschaf laag kunnen zijn, het onderhoud gemakkelijk, de bediening uitblinken door een hoge mate van eenvoud en weinig storingsgevoelig zijn. De gevraagde rechten worden geenszins beperkt door de hiervoor beschreven voorkeursuitvoeringsvormen daarvan ; de gevraagde rechten worden allereerst bepaald door de strekking van de navolgende conclusies. In dat verband wordt in het bijzonder opgemerkt dat een niet-beperkend bedoelde variatie ten opzichte van de uitvoeringsvormen betreft het met afzonderlijke spoelwikkelingen laten plaatsvinden van de overdracht van laagfrequent respectievelijk hoogfrequent elektromagnetisch vermogen, alsmede dat ook andere bewerkingen dan PECVD met de inrichting en werkwijze volgens de onderhavige uitvinding mogelijk zijn. <Desc/Clms Page number 6> Bijvoorbeeld zijn er een aantal veelbelovende metallurgische toepassingen, waarbij de multifrequente inductie kan worden toegepast om procesresultaten te verkrijgen buiten bereik van andere middelen.
Claims (9)
- CONCLUSIES 1. Werkwijze voor het bewerken van een substraat uit een bepaald materiaal, waarbij het materiaal wordt verwarmd door middel van inductie met een elektrische stroom van een relatief lage frequentie, waarbij een elektrische stroom van relatief hoge frequentie wordt gebruikt voor het verder bewerken van het materiaal, en waarbij een instelspanning wordt aangelegd aan het substraat.
- 2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de relatief hoge frequentie in staat is voor opwekking van een plasma uit aangevoerd gas zorg te dragen, en waarbij de bewerking PECVD is.
- 3. Werkwijze volgens conclusie 1 of 2, waarbij het voorwerp een elektrisch geleidend voorwerp, bijvoorbeeld uit metaal is.
- 4. Werkwijze volgens conclusie 1, 2 of 3, waarbij EMI7.1 een gasmengsel uit N2 nabij het voorwerp wordt gebracht.
- 5. Werkwijze volgens conclusie 1, 2 of 3, waarbij een gasmengsel omvattende H2'CO en 02 in de reactor wordt gebracht.
- 6. Inrichting voor het bewerken van een substraat, waarbij de inrichting omvat : - een reactorkamer met een buitenwand, die ten minste gedeeltelijk vervaardigd is uit niet-elektrisch geleidend materiaal ; - opstellingsmiddelen voor het opstellen van het substraat in de reactiekamer ; en - een elektrische geleider zowel voor het geleiden van een elektrische stroom van relatief lage frequentie voor inductieverwarming van het substraat als voor het geleiden van een elektrische stroom van relatief hoge frequentie voor het verder bewerken van het materiaal daarvan. <Desc/Clms Page number 8>
- 7. Inrichting volgens conclusie 6, waarbij de reactorkamer voorzien is van een of meer gasinvoeren en een of meer gasuitvoeren.
- 8. Inrichting volgens conclusie 6 of 7 waarbij stroken uit elektrisch geleidend materiaal in of op de buitenwand zijn aangebracht.
- 9. Inrichting volgens een van de conclusies 6,7 of 8, voorzien van een generator voor een instelspanning voor het aanleggen daarvan aan het in de reactiekamer op te stellen voorwerp.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
BE9400433A BE1008338A5 (nl) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | Multifrequente inductieve werkwijze en inrichting voor het bewerken van materiaal. |
PCT/EP1995/001522 WO1995029273A1 (en) | 1994-04-26 | 1995-04-20 | Multi-frequency inductive method and apparatus for the processing of material |
AU24474/95A AU2447495A (en) | 1994-04-26 | 1995-04-20 | Multi-frequency inductive method and apparatus for the processing of material |
EP95918586A EP0758409A1 (en) | 1994-04-26 | 1995-04-20 | Multi-frequency inductive method and apparatus for the processing of material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
BE9400433A BE1008338A5 (nl) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | Multifrequente inductieve werkwijze en inrichting voor het bewerken van materiaal. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
BE1008338A5 true BE1008338A5 (nl) | 1996-04-02 |
Family
ID=3888123
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
BE9400433A BE1008338A5 (nl) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | Multifrequente inductieve werkwijze en inrichting voor het bewerken van materiaal. |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0758409A1 (nl) |
AU (1) | AU2447495A (nl) |
BE (1) | BE1008338A5 (nl) |
WO (1) | WO1995029273A1 (nl) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19900179C1 (de) * | 1999-01-07 | 2000-02-24 | Bosch Gmbh Robert | Plasmaätzanlage |
JP3555844B2 (ja) | 1999-04-09 | 2004-08-18 | 三宅 正二郎 | 摺動部材およびその製造方法 |
DE19923018C2 (de) * | 1999-05-19 | 2001-09-27 | Univ Dresden Tech | Vorrichtung zur Bearbeitung bandförmiger Werkstücke mit Hilfe resonanter Hochfrequenzplasmen |
US6969198B2 (en) | 2002-11-06 | 2005-11-29 | Nissan Motor Co., Ltd. | Low-friction sliding mechanism |
JP4863152B2 (ja) | 2003-07-31 | 2012-01-25 | 日産自動車株式会社 | 歯車 |
US7771821B2 (en) | 2003-08-21 | 2010-08-10 | Nissan Motor Co., Ltd. | Low-friction sliding member and low-friction sliding mechanism using same |
CN100366788C (zh) * | 2004-09-09 | 2008-02-06 | 复旦大学 | 一种利用强电场的真空热蒸镀成膜方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2793140A (en) * | 1953-10-20 | 1957-05-21 | Ohio Commw Eng Co | Method of gas plating with a chromium compound and products of the method |
JPS5633839A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Hitachi Ltd | Plasma treatment and device therefor |
US4388344A (en) * | 1981-08-31 | 1983-06-14 | United Technolgies Corporation | Method of repairing surface defects in coated laser mirrors |
US4664747A (en) * | 1985-03-28 | 1987-05-12 | Anelva Corporation | Surface processing apparatus utilizing local thermal equilibrium plasma and method of using same |
JPS62188783A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電潜像担持体の製造方法 |
EP0457076A2 (en) * | 1990-04-26 | 1991-11-21 | Hitachi, Ltd. | Method for producing synthetic diamond thin film, the thin film and device using it |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63317676A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-26 | Sharp Corp | 無粒構造金属化合物薄膜の製造方法 |
-
1994
- 1994-04-26 BE BE9400433A patent/BE1008338A5/nl not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-04-20 WO PCT/EP1995/001522 patent/WO1995029273A1/en not_active Application Discontinuation
- 1995-04-20 AU AU24474/95A patent/AU2447495A/en not_active Abandoned
- 1995-04-20 EP EP95918586A patent/EP0758409A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2793140A (en) * | 1953-10-20 | 1957-05-21 | Ohio Commw Eng Co | Method of gas plating with a chromium compound and products of the method |
JPS5633839A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Hitachi Ltd | Plasma treatment and device therefor |
US4388344A (en) * | 1981-08-31 | 1983-06-14 | United Technolgies Corporation | Method of repairing surface defects in coated laser mirrors |
US4664747A (en) * | 1985-03-28 | 1987-05-12 | Anelva Corporation | Surface processing apparatus utilizing local thermal equilibrium plasma and method of using same |
JPS62188783A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電潜像担持体の製造方法 |
EP0457076A2 (en) * | 1990-04-26 | 1991-11-21 | Hitachi, Ltd. | Method for producing synthetic diamond thin film, the thin film and device using it |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
DATABASE WPI Section Ch Week 8738, Derwent World Patents Index; Class G08, AN 87-268976 * |
KUWANO Y: "Some properties of silicon nitride films produced by radio frequency glow discharge reaction of silane and nitrogen", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, JULY 1969, JAPAN, VOL. 8, NR. 7, PAGE(S) 876 - 882, ISSN 0021-4922 * |
OLCAYTUG F ET AL: "A low temperature process for the reactive formation of Si/sub 3/N/sub 4/ layers on InSb", THIN SOLID FILMS, 15 APRIL 1980, SWITZERLAND, VOL. 67, NR. 2, PAGE(S) 321 - 324, ISSN 0040-6090 * |
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 005, no. 086 (E - 060) 5 June 1981 (1981-06-05) * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1995029273A1 (en) | 1995-11-02 |
EP0758409A1 (en) | 1997-02-19 |
AU2447495A (en) | 1995-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5387288A (en) | Apparatus for depositing diamond and refractory materials comprising rotating antenna | |
US5900225A (en) | Formation of diamond materials by rapid-heating and rapid-quenching of carbon-containing materials | |
US5039548A (en) | Plasma chemical vapor reaction method employing cyclotron resonance | |
US5439715A (en) | Process and apparatus for microwave plasma chemical vapor deposition | |
EP2299789A1 (en) | Plasma generating apparatus and plasma processing apparatus | |
WO1996005337A9 (en) | Formation of diamond materials by rapid-heating and rapid-quenching of carbon-containing materials | |
JPH0420878B2 (nl) | ||
WO1994009179A1 (en) | High density plasma deposition and etching apparatus | |
BE1008338A5 (nl) | Multifrequente inductieve werkwijze en inrichting voor het bewerken van materiaal. | |
JP3175672B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
WO1995015672A1 (en) | Method and apparatus for planar plasma processing | |
US6592664B1 (en) | Method and device for epitaxial deposition of atoms or molecules from a reactive gas on a deposition surface of a substrate | |
Takeuchi et al. | Characteristics of very-high-frequency-excited SiH4 plasmas using a ladder-shaped electrode | |
JP2005149887A (ja) | プラズマ発生装置用アンテナの整合方法及びプラズマ発生装置 | |
EP0674335B1 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
CN112955997B (zh) | 用于使用相位控制来调整等离子体分布的设备及方法 | |
JP7389444B2 (ja) | マイクロ波加熱装置、加熱方法及び化学反応方法 | |
Oechsner et al. | ECWR-Plasma CVD as a novel technique for phase controlled deposition of semiconductor films | |
JPH10125495A (ja) | 壁密着型電極を使用した位相制御多電極型交流放電装置 | |
JP2807790B2 (ja) | 感光体作製方法 | |
CN115852319B (zh) | 一种电爆炸-icp电感耦合等离子体高速率气相沉积系统 | |
WO2023218990A1 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JPH05163572A (ja) | ダイヤモンド成膜装置 | |
JPH031377B2 (nl) | ||
JP3022794B2 (ja) | ダイヤモンド様炭素薄膜堆積装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RE | Patent lapsed |
Owner name: COBRAIN N.V. Effective date: 19970430 |