JPS6256573A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS6256573A JPS6256573A JP60197943A JP19794385A JPS6256573A JP S6256573 A JPS6256573 A JP S6256573A JP 60197943 A JP60197943 A JP 60197943A JP 19794385 A JP19794385 A JP 19794385A JP S6256573 A JPS6256573 A JP S6256573A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- potential
- plasma
- vacuum chamber
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、Ｆｉ ＢｆＡをプラズマ化学気相成長法によ
って形成するための装置に関する。
って形成するための装置に関する。
背景技術
電子写真感光体は、直円筒状のアルミニウムなどから成
るドラムの外周面に、薄膜である感光層が形成されて構
成される。感光層は、たとえば７モル７７スシリコンを
主体とした感光材料から成り、このような薄膜の形成に
当たっては、最も一般的にはプラズマ化学気相成長（略
称ＣＶ Ｄ ）法に従い、モノシラン、あるいはジシラ
ンガスの分解によって行なわれている。
るドラムの外周面に、薄膜である感光層が形成されて構
成される。感光層は、たとえば７モル７７スシリコンを
主体とした感光材料から成り、このような薄膜の形成に
当たっては、最も一般的にはプラズマ化学気相成長（略
称ＣＶ Ｄ ）法に従い、モノシラン、あるいはジシラ
ンガスの分解によって行なわれている。
プラズマ化学気相成長法は、プラズマを発生させるため
のエネルギとしての高周波電力を供給する構造によって
、誘導結合型と容量結合型に大別される。アモルファス
シリコンを主体とする電子写真感光体の＋Ｍ造に当たっ
ては、量産性を考慮して、容量結合型によるプラズマ化
学気相成長法が適していると考えられている。
のエネルギとしての高周波電力を供給する構造によって
、誘導結合型と容量結合型に大別される。アモルファス
シリコンを主体とする電子写真感光体の＋Ｍ造に当たっ
ては、量産性を考慮して、容量結合型によるプラズマ化
学気相成長法が適していると考えられている。
典型的な先行技術は、第４図に示されている。
原料ガスが供給される金属から成る真空槽１内に、感光
層が形成されるべき金属製ドラム２と、電極３とが同心
に配置される。電極３は、真空槽１の内周面とドラム２
の外周面との）ｍのたとえば中間位置にある。真空槽１
とドラム２とは接地される６電極３には、高周波電源４
からインピーダンス整合を行なうマンチングボンクス５
を介して、容量結合によって高周波電位が印加される。
層が形成されるべき金属製ドラム２と、電極３とが同心
に配置される。電極３は、真空槽１の内周面とドラム２
の外周面との）ｍのたとえば中間位置にある。真空槽１
とドラム２とは接地される６電極３には、高周波電源４
からインピーダンス整合を行なうマンチングボンクス５
を介して、容量結合によって高周波電位が印加される。
これによってドラム２と電極３との間にプラズマが形成
される。
される。
発明が解決しようとする問題点
このような第４図に示された先行技術では、プラズマは
真空槽１と電極３との間にも広がってしまう。また、第
５図に示されたプラズマの直流電位図から明らかなとお
り、プラズマ電位Ｖｐｌ が比較的小さい。そのため
有効に原料ガスの励起およゾ分解が進まず、原料ブスを
薄膜の形成のために有効に使用することができない。こ
れらの原因によって先行技術では、大きな成膜速度を得
ることができなかった。
真空槽１と電極３との間にも広がってしまう。また、第
５図に示されたプラズマの直流電位図から明らかなとお
り、プラズマ電位Ｖｐｌ が比較的小さい。そのため
有効に原料ガスの励起およゾ分解が進まず、原料ブスを
薄膜の形成のために有効に使用することができない。こ
れらの原因によって先行技術では、大きな成膜速度を得
ることができなかった。
本発明の目的は、成膜速度を向上した薄膜形成装置を提
供することである。
供することである。
問題７１スを解決するための手段
本発明は、原料ガスが供給される真空槽と、真空槽内に
設けられ、少な（とも薄膜がプラズマ気相成長すべき表
面が導電性であって接地される基体と、 真空槽内で基体に対向し７て配置され、大体との間でプ
ラズマを発生するための電極と、電極に高周波電力を供
給する高周波電源と、電極に接地電位に対して負の直流
電位を重畳士る直流電源とを含むことを特徴とする薄膜
形１戎装置である。
設けられ、少な（とも薄膜がプラズマ気相成長すべき表
面が導電性であって接地される基体と、 真空槽内で基体に対向し７て配置され、大体との間でプ
ラズマを発生するための電極と、電極に高周波電力を供
給する高周波電源と、電極に接地電位に対して負の直流
電位を重畳士る直流電源とを含むことを特徴とする薄膜
形１戎装置である。
作 用
本発明に従えば、薄膜が形成されるべき基体に対向する
電極には、高周波電源から高周波電力が供給されるだけ
でなく、接地電位に対して、負の直流電位が直流電源に
よって重Ｊ＆されるので、プラズマ電位Ｖｐ２（後述の
第２図参照）を高くすることが可能になる。これによっ
て基体にプラズマ化学気相成長法によって形成される薄
膜の成膜速度を向上することが可能になる。
電極には、高周波電源から高周波電力が供給されるだけ
でなく、接地電位に対して、負の直流電位が直流電源に
よって重Ｊ＆されるので、プラズマ電位Ｖｐ２（後述の
第２図参照）を高くすることが可能になる。これによっ
て基体にプラズマ化学気相成長法によって形成される薄
膜の成膜速度を向上することが可能になる。
実施例
第１図は、本発明の一実施例の断面図である、直円筒状
の気密な真空槽６は、たとえばステンレス鋼などの導電
性材料から成り、接地される。この真空槽６内には、電
子写真感光体を製造するためのアルミニウムなどの金属
から成る直円筒状ドラムである基体７が同軸に配置され
る。基体７を外囲して真空槽６の内周面近傍には、電極
８が同紬に配置される。真空槽６と基体７は、接地され
る。真空槽６と電極８とによって形成される空間と、電
（眠８と基体７とによって形成される空間とは、連通し
ている。
の気密な真空槽６は、たとえばステンレス鋼などの導電
性材料から成り、接地される。この真空槽６内には、電
子写真感光体を製造するためのアルミニウムなどの金属
から成る直円筒状ドラムである基体７が同軸に配置され
る。基体７を外囲して真空槽６の内周面近傍には、電極
８が同紬に配置される。真空槽６と基体７は、接地され
る。真空槽６と電極８とによって形成される空間と、電
（眠８と基体７とによって形成される空間とは、連通し
ている。
高周波電源９の一方端９ａは接地され、他方端９１＋は
インヒ゛−・ダンス整合のためのマンチングボックス１
０を介して、さらにライン１１を介して容量結合される
。ライン１１には、直流電源１２が接続される。直流電
源１２の正端子１２ａは接地され、負端子１２ｂはライ
ン１１に接続される。
インヒ゛−・ダンス整合のためのマンチングボックス１
０を介して、さらにライン１１を介して容量結合される
。ライン１１には、直流電源１２が接続される。直流電
源１２の正端子１２ａは接地され、負端子１２ｂはライ
ン１１に接続される。
こうして直流電源１２がらライン１１には、接地電位に
対してその直流電位が重畳される。
対してその直流電位が重畳される。
基体７の外径りはたとえば１００〜１４０ｍｍであり、
真空槽６の内径は（Ｄ ＋ ５ ）ｃｍ程度であり、電
極８の外周面と真空槽６の内周面との半径方向の間隙は
２１程度であＩ）、この電極８の厚みは約１ｍｎ＋であ
る。高周波電源９の出力周波数は、たとえば１３．５６
ＭＨ２であり、その出力はたとえば１００〜５００Ｗで
ある。直流電源１２の出力電圧は、後述のように４００
−６００ Ｖ程度が好ましく、この電圧値は変化され）
する。真空ｆｆｆｆＧ内の空間には、Ｓ ｉＨｔ ５０
ｓｅｃｍが供給され、その圧力は０，５Ｔｏｒｒであ
る。
真空槽６の内径は（Ｄ ＋ ５ ）ｃｍ程度であり、電
極８の外周面と真空槽６の内周面との半径方向の間隙は
２１程度であＩ）、この電極８の厚みは約１ｍｎ＋であ
る。高周波電源９の出力周波数は、たとえば１３．５６
ＭＨ２であり、その出力はたとえば１００〜５００Ｗで
ある。直流電源１２の出力電圧は、後述のように４００
−６００ Ｖ程度が好ましく、この電圧値は変化され）
する。真空ｆｆｆｆＧ内の空間には、Ｓ ｉＨｔ ５０
ｓｅｃｍが供給され、その圧力は０，５Ｔｏｒｒであ
る。
これによって基体７と電極８との間でプラてマが発生し
、基体７の外周面にアモルファスシリコンを主体とする
感光層の３膜が、プラズマ化学気相成長法によって形成
される。
、基体７の外周面にアモルファスシリコンを主体とする
感光層の３膜が、プラズマ化学気相成長法によって形成
される。
第２図は、第１図に示された実施例にす５けるプラズマ
電位を示す直流電位図である。電極）Ｊに接地電位に対
して負の直流電位を重畳することに上ってプラズマ電位
Ｖｐ２ を高くすることができる。
電位を示す直流電位図である。電極）Ｊに接地電位に対
して負の直流電位を重畳することに上ってプラズマ電位
Ｖｐ２ を高くすることができる。
そのため原料ブスのイオンお上シラノカルへの励起効率
を上昇することができる。その結果、基体７の外周面へ
の薄膜の成膜速度を向上することが可能になる。
を上昇することができる。その結果、基体７の外周面へ
の薄膜の成膜速度を向上することが可能になる。
第３図は、高周波電ｉ原４の出力を１００Ｗとし、直流
電源１２の電圧を変化したときにおける基体７の外周面
の成膜速度を示す本件発明者の実験結果を示すグラフで
ある。この実験によれば、Ｉｆ ｉｔ電源１２の負のバ
イアスは、４００〜６００Ｖであることが望ましく、こ
れ以上に直流電圧の絶対値を大きくすると、基体７の外
周面へのイオンの衝突が激しくなり、これによって成長
した膜がいわばスバンタしてしまい、膜の成長が妨げら
れるとともに、生成した膜の表面が荒らされることにな
る。したがって直流電Ｗ、１２の絶対値は、成膜速度が
向上する範囲の値に選ぶことが必要である。
電源１２の電圧を変化したときにおける基体７の外周面
の成膜速度を示す本件発明者の実験結果を示すグラフで
ある。この実験によれば、Ｉｆ ｉｔ電源１２の負のバ
イアスは、４００〜６００Ｖであることが望ましく、こ
れ以上に直流電圧の絶対値を大きくすると、基体７の外
周面へのイオンの衝突が激しくなり、これによって成長
した膜がいわばスバンタしてしまい、膜の成長が妨げら
れるとともに、生成した膜の表面が荒らされることにな
る。したがって直流電Ｗ、１２の絶対値は、成膜速度が
向上する範囲の値に選ぶことが必要である。
」二連の実施例では、真空槽６の内周面と電極８の外周
面との半径方向の間隙が、たとえば２輸翰であり、小さ
い値である。これによって真空槽６が小形化されるとと
もに、電極８と真空槽６との間でのプラズマの発生が防
がれる。したがって発生したプラズマに晒され、かつア
ース電位となっている”Ｉｆ極の総面積Ａ１を小さくす
ることができ、この値Ａ１に対する電極８の基体７に臨
む内周面の面積Ａ２の比（＝Ａ２／Ａ１．）を大きくす
ることができる。このことによってもまた、プラズマ′
市位Ｖｐ２ を高めることが可能になる。さらに真空
槽６と電極８との間においてプラズマの発生が防がれる
ことによって、原料ガスの無駄を省くことができるとと
もに、シリコンが取合したポリマーの粉が発生すること
が防がれる。
面との半径方向の間隙が、たとえば２輸翰であり、小さ
い値である。これによって真空槽６が小形化されるとと
もに、電極８と真空槽６との間でのプラズマの発生が防
がれる。したがって発生したプラズマに晒され、かつア
ース電位となっている”Ｉｆ極の総面積Ａ１を小さくす
ることができ、この値Ａ１に対する電極８の基体７に臨
む内周面の面積Ａ２の比（＝Ａ２／Ａ１．）を大きくす
ることができる。このことによってもまた、プラズマ′
市位Ｖｐ２ を高めることが可能になる。さらに真空
槽６と電極８との間においてプラズマの発生が防がれる
ことによって、原料ガスの無駄を省くことができるとと
もに、シリコンが取合したポリマーの粉が発生すること
が防がれる。
本発明は電子写真感光体を製造するために実施されるだ
けでなく、その他の薄膜を形成するために広範囲に実施
することができる。
けでなく、その他の薄膜を形成するために広範囲に実施
することができる。
また上述の実施例では、真空４’？ｆｆ ６と電極８と
の間隙を小さくして、この間の空間でのプラズマの発生
を防いだけれども、本発明に従えばこの真空槽６と電極
８との間でプラズマが発生されてもよい。
の間隙を小さくして、この間の空間でのプラズマの発生
を防いだけれども、本発明に従えばこの真空槽６と電極
８との間でプラズマが発生されてもよい。
また上述の実施例では、基体７と電極８と真空槽６とは
、同心円筒状であったけれども、本発明に従えばその池
の形状であってもよく、たとえば基体７と電極８とが相
互に平行な平板状であってもよい。
、同心円筒状であったけれども、本発明に従えばその池
の形状であってもよく、たとえば基体７と電極８とが相
互に平行な平板状であってもよい。
また上述の実施例では、真空槽６によって密閉空間を形
成しなけれども、本発明に従えば真空槽６を省略して電
極８で原料ガスの密閉空間を形成してもよい。
成しなけれども、本発明に従えば真空槽６を省略して電
極８で原料ガスの密閉空間を形成してもよい。
効 果
以上のように本発明によれば、基体に対向した電極に供
給される高周波電力に、接地電位に対して負の直流電位
が重畳されるようにしたので、プラズマ電位を向上する
ことができるようになり、これによって原料ガスのイオ
ンおよびラジカルへの励起効率を向上し、したがって成
膜速度を向上することができるようになる。そのため、
原料〃又を有効に使用することができる。
給される高周波電力に、接地電位に対して負の直流電位
が重畳されるようにしたので、プラズマ電位を向上する
ことができるようになり、これによって原料ガスのイオ
ンおよびラジカルへの励起効率を向上し、したがって成
膜速度を向上することができるようになる。そのため、
原料〃又を有効に使用することができる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は第１図に
示された実施例の直流電位図、第３図は本件発明者の実
験結果を示ｒグラフ、第４図は先行技術の断面図、第５
図は第４図に示された先行技術の直流７１泣図である。 ６・・・真空槽、７・・・基体、８・・・電極、９・・
・高周波電源、１０・・・マッチングボンク久、１２・
・・直流電源
示された実施例の直流電位図、第３図は本件発明者の実
験結果を示ｒグラフ、第４図は先行技術の断面図、第５
図は第４図に示された先行技術の直流７１泣図である。 ６・・・真空槽、７・・・基体、８・・・電極、９・・
・高周波電源、１０・・・マッチングボンク久、１２・
・・直流電源
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 原料ガスが供給される真空槽と、 真空槽内に設けられ、少なくとも薄膜がプラズマ気相成
長すべき表面が導電性であって接地される基体と、 真空槽内で基体に対向して配置され、基体との間でプラ
ズマを発生するための電極と、 電極に高周波電力を供給する高周波電源と、電極に接地
電位に対して負の直流電位を重畳する直流電源とを含む
ことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60197943A JPS6256573A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60197943A JPS6256573A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6256573A true JPS6256573A (ja) | 1987-03-12 |
Family
ID=16382875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60197943A Pending JPS6256573A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6256573A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02276240A (ja) * | 1989-04-18 | 1990-11-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 非晶質半導体薄膜の形成方法 |
| JPH02276241A (ja) * | 1989-04-18 | 1990-11-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体薄膜の形成方法 |
| CN106124868A (zh) * | 2016-08-09 | 2016-11-16 | 南京苏曼等离子科技有限公司 | 一种低温等离子体中电磁波传播特性测试装置 |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP60197943A patent/JPS6256573A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02276240A (ja) * | 1989-04-18 | 1990-11-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 非晶質半導体薄膜の形成方法 |
| JPH02276241A (ja) * | 1989-04-18 | 1990-11-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体薄膜の形成方法 |
| CN106124868A (zh) * | 2016-08-09 | 2016-11-16 | 南京苏曼等离子科技有限公司 | 一种低温等离子体中电磁波传播特性测试装置 |
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