JPS61147880A - 感光体作成用プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
感光体作成用プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS61147880A JPS61147880A JP59271402A JP27140284A JPS61147880A JP S61147880 A JPS61147880 A JP S61147880A JP 59271402 A JP59271402 A JP 59271402A JP 27140284 A JP27140284 A JP 27140284A JP S61147880 A JPS61147880 A JP S61147880A
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- Japan
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- raw material
- photosensitive drum
- electric field
- magnetic field
- electrode
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
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- Power Engineering (AREA)
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えば感光ドラム基体に感光層を被着するため
のＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｎ＋１ｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置に係り、特に感光層を高速で成
膜できるプラズマＣＶＤ装置に関する。
のＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｎ＋１ｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置に係り、特に感光層を高速で成
膜できるプラズマＣＶＤ装置に関する。
電子複写機や光学プリンタ等の潜像形成用ドラムの光導
電膜、例えばアモルファスシリコン膜やアモルファス水
素化シリコン膜等をプラズマＣｖＤ法により形成するこ
とは周知である。そして、例えば電子写真感光体として
アモルファスシリコン膜を用いる場合、その膜厚は少な
くともｌＯμｍ程度必要であり、高速に成膜する装置が
望まれている。
電膜、例えばアモルファスシリコン膜やアモルファス水
素化シリコン膜等をプラズマＣｖＤ法により形成するこ
とは周知である。そして、例えば電子写真感光体として
アモルファスシリコン膜を用いる場合、その膜厚は少な
くともｌＯμｍ程度必要であり、高速に成膜する装置が
望まれている。
従来のアモルファスシリコン感光体の製造装置としては
第４図に示すＣＶＤ装置が一般的に使用されており、同
図（ａ）および（ｂｌは上面図および平面図である。な
お、全図を通じて同一部分には同一符号を付して示した
。
第４図に示すＣＶＤ装置が一般的に使用されており、同
図（ａ）および（ｂｌは上面図および平面図である。な
お、全図を通じて同一部分には同一符号を付して示した
。
この装置１は密封容器２内に円筒形基体である感光ドラ
ム基体３と、この感光ドラム基体３の周りに円筒状の高
周波電極４を有している。この高周波電極４は外筒と内
筒からなる２重構造で、２分割する如く隔壁５が設けら
れている。２分割された電極４の一方には、原料ガスを
導入するための管６が、他方にはガスを排気するための
管７が密封容器２を貫通して接続されている。電極４の
内筒には多数の小孔が設けられており、矢印で示すよう
に反応ガスをこの多数の孔から噴出するとともに、排出
する構造となっている。
ム基体３と、この感光ドラム基体３の周りに円筒状の高
周波電極４を有している。この高周波電極４は外筒と内
筒からなる２重構造で、２分割する如く隔壁５が設けら
れている。２分割された電極４の一方には、原料ガスを
導入するための管６が、他方にはガスを排気するための
管７が密封容器２を貫通して接続されている。電極４の
内筒には多数の小孔が設けられており、矢印で示すよう
に反応ガスをこの多数の孔から噴出するとともに、排出
する構造となっている。
原料ガス（例えば、ＳｉＨ４、Ｓｉ２ Ｈ６）を導入し
、高周波電源８により高周波電極４と、所定速度で回転
している感光ドラム基体３との間でグロー放電を生じさ
せ、感光ドラム基体３上にアモルファスシリコンを堆積
するようにしている。
、高周波電源８により高周波電極４と、所定速度で回転
している感光ドラム基体３との間でグロー放電を生じさ
せ、感光ドラム基体３上にアモルファスシリコンを堆積
するようにしている。
上記構成のものは、原料ガスの導入、排気を感光ドラム
基体３に比較的接近した高周波電極４を通して行ってい
るため、かなり高速にアモルファスシリコンを堆積する
ことができる。
基体３に比較的接近した高周波電極４を通して行ってい
るため、かなり高速にアモルファスシリコンを堆積する
ことができる。
しかしながら、プリンタや複写機などの感光体としては
、前述したように少なくとも１０μｍ程度の膜厚を必要
とし、この成膜に数時間もかかるとともに、多量の原料
ガスを要するという欠点があった。
、前述したように少なくとも１０μｍ程度の膜厚を必要
とし、この成膜に数時間もかかるとともに、多量の原料
ガスを要するという欠点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明はドラム基体に効率よくアモルファスシリコンを
堆積して、成膜速度を向上できるＣＶＤ装置を提供する
もので、 その手段は、感光ドラム基体と電極との間にかける電界
と直角方向に磁場を発生させる手段を付加した感光体作
成用プラズマＣＶＤ装置によってなされる。
堆積して、成膜速度を向上できるＣＶＤ装置を提供する
もので、 その手段は、感光ドラム基体と電極との間にかける電界
と直角方向に磁場を発生させる手段を付加した感光体作
成用プラズマＣＶＤ装置によってなされる。
すなわち、本発明のＣＶＤ装置は一方の電極となる感光
ドラム基体と高周波電極間にグロー放電を発生させつつ
、ドラム基体の円筒軸方向に磁場をかけることにより、
感光ドラム基体のより近傍において原料ガスを分解し、
膜の成長に寄与する活性種の基体への到達確率を高める
ことで成膜速度の向上を図ったものである。
ドラム基体と高周波電極間にグロー放電を発生させつつ
、ドラム基体の円筒軸方向に磁場をかけることにより、
感光ドラム基体のより近傍において原料ガスを分解し、
膜の成長に寄与する活性種の基体への到達確率を高める
ことで成膜速度の向上を図ったものである。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図である。
本図が第、４図と異なる点は、電磁石９を感光ドラム基
体３の上方および下方に設置したことである。なお、１
０は電磁石９の電源である。
体３の上方および下方に設置したことである。なお、１
０は電磁石９の電源である。
原料ガスを管６から導入し、感光ドラム基体３と高周波
電極４間に高周波電圧を印加してグロー放電を発生させ
つつ磁場をかけて基体３表面にアモルファスシリコン膜
を成膜すると、従来より成膜速度が向上した。
電極４間に高周波電圧を印加してグロー放電を発生させ
つつ磁場をかけて基体３表面にアモルファスシリコン膜
を成膜すると、従来より成膜速度が向上した。
ここで、成膜速度が向上する原理について説明する。
第２図は感光ドラム基体３と高周波電極４間に発生する
グロー放電領域のポテンシャル分布図である。
グロー放電領域のポテンシャル分布図である。
図において、Ｖｐはプラズマポテンシャルを示し、■１
およびｖ２はそれぞれ高周波電極４と感光ドラム基体３
に生じるシース電位を示す。
およびｖ２はそれぞれ高周波電極４と感光ドラム基体３
に生じるシース電位を示す。
プラズマ中の電子は電位勾配のある領域、つまリシース
の領域Ａで加速され、原料ガスと衝突する。その際ガス
分子が分解され、アモルファスシリコン膜の成長に寄与
する活性種が生成される。
の領域Ａで加速され、原料ガスと衝突する。その際ガス
分子が分解され、アモルファスシリコン膜の成長に寄与
する活性種が生成される。
この活性種が感光ドラム基体面に到達する量で成膜速度
が決定される。
が決定される。
従って、感光ドラム基体３のできるだけ近傍で原料ガス
を分解すれば、活性種がその寿命内で感光ドラム基体に
到達する確率は太き（なり、成膜速度を向上させること
ができる。
を分解すれば、活性種がその寿命内で感光ドラム基体に
到達する確率は太き（なり、成膜速度を向上させること
ができる。
第３図は本実施例構成により、高周波電界に加え磁界を
かけた時の電子の運動を説明するための図である。
かけた時の電子の運動を説明するための図である。
図に示したように、感光ドラム基体３と高周波電極４と
の間に電界Ｅが矢印イ方向にかかっており、磁界Ｂが矢
印口方向に、つまり電界と直角方向にかかると、電子ｅ
は矢印ハのように電界と磁界と直角方向にらせん運動し
つつ、感光ドラム基体３゛のごく近傍を円周方向に回る
。
の間に電界Ｅが矢印イ方向にかかっており、磁界Ｂが矢
印口方向に、つまり電界と直角方向にかかると、電子ｅ
は矢印ハのように電界と磁界と直角方向にらせん運動し
つつ、感光ドラム基体３゛のごく近傍を円周方向に回る
。
従って、原料ガスは感光ドラム基体３のより近傍でこの
電子と衝突するので、活性種の寿命内で感光ドラム基体
３に到達する確率が上がり、成膜速度の向上が図れると
ともに、原料ガスを有効に利用することができた。
電子と衝突するので、活性種の寿命内で感光ドラム基体
３に到達する確率が上がり、成膜速度の向上が図れると
ともに、原料ガスを有効に利用することができた。
なお、本実施例においては、電磁石を密封容器の外に設
置したが、容器内に設置しても良い。
置したが、容器内に設置しても良い。
以上、詳細に説明したように本発明のプラズマＣＶＤ装
置は感光ドラム基体と高周波電極との間に電界をかける
とともに、磁界を加えることで、感光ドラム基体のより
近傍で活性種を生成できるので、高速に成膜できるとと
もに、原料ガスを有効に利用することができる。
置は感光ドラム基体と高周波電極との間に電界をかける
とともに、磁界を加えることで、感光ドラム基体のより
近傍で活性種を生成できるので、高速に成膜できるとと
もに、原料ガスを有効に利用することができる。
第１図は本発明のプラズマ−ＣＶＤ装置の一実施例を示
す平面図、 第２図は感光ドラム基体と高周波電極間に発生するグロ
ー放電領域のポテンシャル分布図、第３図は高周波電界
に加え、磁界をかけた時の電子の運動を説明するための
図、 第４図（ａ）および（ｂｌは従来のプラズマＣＶＤ装置
を示す上面図および平面図である。 図中、２は密封容器、３は感光ドラム基体、４は高周波
電極、９は電磁石、１０は電源、をそれぞれ示す。 第１図 ＣＶＤ装置装置子面図 第２図 を極ｒＩｉＴ／１オｆデシシャル４ト鱗回ｔ１の連動ｔ
ｔｔｅ月する■ 第４１！１
す平面図、 第２図は感光ドラム基体と高周波電極間に発生するグロ
ー放電領域のポテンシャル分布図、第３図は高周波電界
に加え、磁界をかけた時の電子の運動を説明するための
図、 第４図（ａ）および（ｂｌは従来のプラズマＣＶＤ装置
を示す上面図および平面図である。 図中、２は密封容器、３は感光ドラム基体、４は高周波
電極、９は電磁石、１０は電源、をそれぞれ示す。 第１図 ＣＶＤ装置装置子面図 第２図 を極ｒＩｉＴ／１オｆデシシャル４ト鱗回ｔ１の連動ｔ
ｔｔｅ月する■ 第４１！１
Claims (1)
- 円筒形基体と電極の間に電界をかけ、プラズマを発生さ
せて反応原料ガスを分解して円筒形基体の外周面に薄膜
を被着形成する装置構成において、電界の方向と直角方
向に磁場を発生させる手段を設けたことを特徴とする感
光体作成用プラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59271402A JPS61147880A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 感光体作成用プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59271402A JPS61147880A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 感光体作成用プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61147880A true JPS61147880A (ja) | 1986-07-05 |
Family
ID=17499557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59271402A Pending JPS61147880A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 感光体作成用プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61147880A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63194326A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-12-21 JP JP59271402A patent/JPS61147880A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63194326A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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