JPH01144078A

JPH01144078A - 現像装置

Info

Publication number: JPH01144078A
Application number: JP30374687A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Asada; 浅田　智幸
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1987-12-01
Filing date: 1987-12-01
Publication date: 1989-06-06

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）この発明は、電子複写装置等の画像形成装置に装備され
る現像装置に関し、特に、非磁性−成分現像剤を使用す
る現像装置に関する。

（従来の技術）電子複写装置等の画像形成装置に用いられる現像装置と
しては、一般に、像担持体としての感光体上ζミ形成さ
れた静電潜像を可視化するために、二成分の現像剤、又
は、磁性−成分の現像剤を用いるものが知られている。

しかしながら、二成分の現像剤を用いる場合には、現像
剤を構成するトナー及びキャリの濃度比を正確にコント
ロールしなければならないという欠点があり、一方、磁
性−成分の現像剤を用いる場合には、現像剤としてのト
ナーが磁性体を含んでいることから、カラー複写化が困
難であるという不都合がある。また、いずれの現像剤を
用いる場合であっても、現像剤保持部材である現像ロー
ラとしてマグネットローラを使用せざるを得ず、現像装
置のコストが非常に高くなってしまう。

このような不具合を解消するものとして、近時、非磁性
の一成分現像剤を用いた現像装置が提案されている。こ
のような現像装置は、非磁性トナーを収容するホッパと
、感光体に近接対峙して設けられたトナー保持用の現像
ローラと、ホッパ内のトナーを現像ローラに供給するト
ナー供給ローラと、現像ローラの外周に当接され現像ロ
ーラ上にトナーの薄層を形成するコーティングブレード
とを備えている。このような現像装置においては、トナ
ー供給ローラによりホッパ内のトナーを現像ローラに供
給し、コーティングブレードの押付は力により、トナー
を現像ローラに付着させると共に、付着したトナーの厚
みを例えば約３０μｍの薄層にし、この現像ローラに付
着したトナーを感光体に供給して感光体上の静電潜像を
現像する。

このような現像装置を用いる場合には、感光体として負
極性のものを使用し、このため、トナーとしては薄層形
成後に帯電量が約＋１２μＣ／ｇとなるような正帯電性
のものを用いる。また、このトナーとしては高電気抵抗
のものを用いており、トナーの帯電はトナーと現像ロー
ラ及びコーティングブレードとの間の摩擦帯電によりな
される。

更に、トナーはトナーと現像ローラとの静電引力により
現像ローラに引付けられており、現像ローラの回転に従
って感光体に搬送される。このように、このような現像
装置は、二成分及び磁性−成分現像剤を用いる場合のよ
うな磁気による現像剤の搬送を必要としないので、極め
て簡易な構造の装置により現像することができ、コスト
面においても極めて有利であり、画像形成装置のカラー
化に最も適したものである。

（発明が解決しようとする問題点）しかしながら、上述のような非磁性−成分現像剤を用い
る現像装置の場合には、長時間の使用により、現像ロー
ラ及びコーティングブレードがトナーとの摩擦により激
しく摩耗してしまい、画像濃度の低下及び文字のかすれ
等が著しくなるという不具合がある。

また、コーティングブレードとしては、金属製のもの又
はゴム製のもの等を使用しているが、このような材質の
場合にはコーティングブレードとトナーとの間の摩擦に
より現像装置のトルクが増大してしまう。

更に、一般によく使用されている負極性のＯＰＣ等を用
いたシステムの場合には、トナーとしては、正極性のも
のが要求されるが、トナーを構成する樹脂、カーボン及
びシリカ等は、−膜内に金属に対して正極性に帯電する
ことが困難である。そのため、二成分現像剤の場合には
、キャリヤにテフロンコートを施す等の手段によりトナ
ーの正帯電を補助する場合もあるが、非磁性−成分現像
剤を使用する現像装置の場合には、トナーの帯電に用い
られるのが現像ローラ及びコーティングブレードのみで
あり、これらを金属にした場合に、均一に正帯電したト
ナー薄層を現像ローラ状に形成することが極めて困難で
ある。このため、画像に地かぶり、画像濃度の不拘−及
び文字のかすれが生じたり、未帯電トナーが現像ローラ
のスリーブから飛散して画像形成装置内を汚染するとい
うような問題点がある。

この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
良好な画像を得ることができ、装置に加わるトルクを小
さくすることができる非磁性−成分現像剤を使用した現
像装置を提供することを目的とする。

［発明の構成］（問題点を解決するための手段）この発明に係る現像装置は、像担持体に形成された静電
潜像を現像するために像担持体に搬送されるトナーを保
持するトナー保持体と、トナー保持体に保持されたトナ
ーを薄層化する薄層形成部材とを有する現像装置であっ
て、前記トナー保持体は、その表面にセラミックコーテ
ィング層を有することを特徴とする。

（作用）この発明においては、上述のように、トナー保持体の表
面をセラミックコーティング層としたので、薄層形成部
材の摩耗を抑制することができ、また、トナーを所望の
極性に均一に帯電させることができる。このため、良好
な画像を得ることができる。また、セラミックコーティ
ングによりトナー保持体の摩擦係数を小さくすることが
できるので、現像装置のトルクを低減することができる
。

（実施例）以下、添付図１面を参照してこの発明の実施例について
具体的に説明する。第３図はこの実施例に係る現像装置
を使用した電子複写機を示す概略構成図である。図中参
照符号１は複写機本体であり、この本体１内の中央部に
は像担持体としての感光体２が矢印Ａ方向・に回転可能
に設けられている。この感光体２の周囲は、その回転方
向に沿って帯電器３、結像レンズアレイ４、現像装置５
、転写帯電器６、クリーナ７及び除電器８が順次配設さ
れている。また、本体１の上部には、原稿を露光する光
学系９が設けられており、本体１の下部には給紙カセッ
ト１０が装着されている。この給紙カセット１０からは
複写用紙が供給され、この用紙は搬送路１１に沿って搬
送されるようになっている。この搬送路１１には用紙の
搬送方向に沿ってレジストローラ１２、定着器１３及び
排紙ローラ１４が配設されている。更に、本体ｌ外側の
排紙ローラ１４近傍には排紙トレイ１５が設けられてお
り、本体１上には原稿台１６が設けられている。

このような電子複写機により画像を形成する際には、光
学系９により原稿台１６上の原稿に光が照射され、その
反射光は結像レンズアレイ４を介して帯電器３により一
様に帯電された感光体２１；結像され、静電潜像が形成
される。この静電潜像には現像装置５によりトナーが供
給され、静電潜像が顕像化される。

一方、この際に、給紙カセット１０から複写用紙が感光
体２と転写帯電器６との間に搬送され、感光体２上の顕
像が用紙に転写される。その後、用紙は搬送路１１に沿
って定着器１３へ搬送され、この定着器１３により画像
が定着された後、排紙ローラ１４を介して排紙トレイ１
５上に排出される。顕像が転写された後、感光体２表面
に残存したトナーはクリーナ７によって除去され、次い
で、感光体２の表面が除電器８により除電され、その後
、再び帯電器３により一様に帯電される。

次に、上述した現像装置５について詳細に説明する。第
１図は現像装置の概略構成を示す側断面図、第２図はそ
の平面図である。この第１図及び第２図に示すように、
現像装置５はホッパ２１を備えており、このホッパ２１
内には現像剤として一成分の非磁性トナー２２が収、容
されており、更に、ミキサ２３、トナー供給ローラ２４
及び現像剤保持体としての現像ローラ２５が配設されて
いる。現像ローラ２５は一ローラ本体２５ａと、この本
体２５ａに外嵌されたスリーブ２５ｂとからなっており
、前述した感光体２に近接対峙して設けられていて、図
示しない駆動手段により、感光体２の周速の１乃至３倍
の周速で変変速可能に回転されるようになっている。

現像ローラ２５の上方には、現像ローラ２５にトナー薄
層を形成するためのコーティングブレード２７が設けら
れている。このコーティングブレード２７は、その上端
部がホルダ２６により導通状態でホッパ２１に保持され
、その下端部が現像ローラ２５に当接されている。また
、現像ローラ２５の下部に、トナー回収ブレード２８が
当接されている。

現像ローラ２５のスリーブ２５ｂの表面には、後述する
ような方法によりセラミックコーティング層３０が形成
されている。このセラミックコーティング層３０により
、現像ローラ２５の耐摩耗性が向上すると共に、コーテ
ィングブレード２７との間の摩擦係数が低減する。なお
、コーティングブレード２７の現像ローラ２５側の表面
にセラミックコーティング層を設けることもできる。こ
の場合には、現像ローラ２５及びコーティングブレード
２７のいずれについても摩耗を抑制することができるの
で一層好ましい。

なお、このセラミックコーティング層３ｏの層厚は、０
．１乃至５μｍであることが好ましい。

層厚が５μｍを超えると、コーティングしたセラミック
スが高抵抗のため、現像ローラ２５の表面に現像バイア
スを印加する際に電圧降下が生じ易く、また、セラミッ
クコーティング層がトナーに対して逆極性の電荷を保持
し、トナーの帯電量を低下させ易い。このように、トナ
ーの帯電量が低下すると画像の地かぶりが増加する等の
不都合が生じる虞がある。一方、セラミックコーティン
グ層が０．１μｍよりも薄い場合には、上述した効果が
不十分になる虞がある。

このような現像装置においては、ホッパ２１内に収容さ
れたトナー２２をミキサー２３で撹拌しつつ、トナー２
２をトナー供給ローラ２４により現像ローラ２５に供給
・する。現像ローラ２５に供給されたトナー２２は、現
像ローラ２５の回転に伴い、コーティングブレードによ
り現像ローラ２５のスリーブ２５ｂの表面に付着される
と共に薄層化し、感光体２に供給されて感光体２の静電
潜像を現像する。

次に、セラミックコーティング層の形成方法について説
明する。このセラミックコーティング層は、例えばＳ　
ｔ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｂ、Ａｌ、Ｗ、Ｃ。

Ｎ、Ｏ及びハロゲン元素から選択された少なくとも１種
の元素を含んでいる。そして、このコーティング層はス
パッタリング、イオンブレーティング、真空蒸着、プラ
ズマＣＶＤ、ＥＣＲプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ及び光Ｃ
ＶＤ等がある。これらの方法の中で、膜の密着性が良い
こと、比較的低温で処理することができ、基板の特性が
損われないこと、並びに、膜の電気的特性及び光学的特
性を容易にコントロールすることができること等の点か
らプラズマＣＶＤが最適である。また、コーティング層
の被着体がコーティングブレードのような平板の場合に
は、スパッタリングによってもこれらの利点を保持しつ
つコーティングすることができる。

次に、プラズマＣＶＤによりセラミックコーティング層
を形成する場合について具体的に説明する。先ず、スリ
ーブ２５ｂの表面にセラミックコーティング層を形成す
る場合について説明する。

第４図はスリーブにセラミックコーティング層を形成す
るためのプラズマＣＶＤ装置を示す側断面図、第５図は
その平面断面図である。角筒状の平面断面を有する反応
室１０１は、その下端に複数個の排気口１０２が設けら
れた底部部材１０３が絶縁体１０４を介して取付けられ
ている。反応室１０１は、図示しない真空ポンプにより
排気口１０２を介して排気され、約１０”−３Ｔｏｒｒ
に保持されるようになっている。反応室１０１内には、
ガス導入口１０５を介して種々の原料ガスが導入される
。

反応室１０１の上方には、絶縁体２０６を介して収納室
１０７が設置されており、収納室１０７は絶縁体１０６
により反応室゛１０１と電気的に絶縁されている。また
、収納室１０７は反応室１０１と仕切板１０８により仕
切られている。仕切板１０８には、複数子の支持ロッド
１０９がその長手方向を鉛直にして挿通されている。各
ロッド１０９には、カラー１１０が嵌合されてロッド１
０９に固定されており、カラー１１０が仕切り板１０８
に掛止されることによりロッド１０９が抜は落ちないよ
うになっている。ロッド１０９の上端部には、駆動手段
、のギア１１２が嵌合されており、その下方にてロッド
１０９に嵌合して固定された押え部材１１１により、ギ
ア１１２がロッド１０９に支持されている。各ギア１１
２は隣接するもの同士が相互に噛合しており、駆動装置
により中央のギアが回転駆動されると、全てのギア１１
２が回転し、支持ロッド１０９が回転するようになって
いる。

各支持ロッド１０９の下端側には雌ねじが形成されてお
り、支持体１０４の上端部には雄ねじが形成されている
。セラミックコーティング層を成膜しようとする支持体
１１３の上端部には雌ねじが形成されており、支持体１
１３と支持ロッド１０９とを螺合することにより、支持
体１１３がロッド１０・９に取付けられる。駆動装置１
１４が収納室１０７の上方に設けられており、この駆動
装置１１４によりギア１１２が回転すると、支持体１１
３はその軸を中心として回転する。

第５図に示すように、支持体１１３は、反応室１０１内
にそのほぼ中央に一列に配列するように配設されている
。そして、この支持体１１３の列を挟むようにして、そ
の両側に一対の平板上の電極１１５．１１６が対設され
ている。電極１１５゜１１６は、マツチングボックス１
１７を介して高周波電源１１８に接続されている。

このようなプラズマＣＶＤ装置によりセラミックコーテ
ィング層を形成するためには、先ず、反応室１０１内に
複数個の支持体１１３を取付けた後、駆動装置１１４に
より支持体１１３を適宜の速度で時点させると共に、反
応室１０１内を約１０−３Ｔｏｒｒに排気する。そして
、排気を継続しつつ、ガス導入口１０５を介して原料ガ
スを導入し、反応室１０１内を例えば０．１乃至１０Ｔ
　ｏｒｒの圧力に調節する。そして、マツチングボック
ス１１７を介して高周波電源１１８から高周波電力を電
極１１５，１１６に印加する。そうすると、支持体１１
３は収納室１０７を介して接地されているから、電極１
１５，１１６と、支持体１１３との間にプラズマが生起
され、原料ガス中の元素を含有する組成のセラミックコ
ーティング層が支持体１１３の表面に形成される。この
場合に、支持体は時点しているので、コーティング層は
支持体の周面に均一に形成される。

次に、コーティングブレード２７の表面にセラミックコ
ーティング層を形成する場合について説明する。第６図
はコーティングブレード表面にセラミックコーティング
層を形成するための平行平板型の容量結合型プラズマＣ
ＶＤ装置を示す概略構成図である。真空子ナンバ４１内
には、平板状の接地電極４２と高周波電極４３が対向し
て設置されており、基板４４は接地電極４２上に載置さ
れる。そして、図示しない真空ポンプによりチャンバ４
１内を１０−３Ｔｏｒｒ程度に排気した後、接地電極４
２に取付けたヒータ４５により基板４４を１５０乃至４
５０℃程度に加熱する。次いで、ガス導入口４６からＳ
　ｉＨ４、Ｎ２　、ＣＨ３等の原料ガスをチャンバ４１
内に供給しつつ、チャンバ４１内が０．０５乃至１．０
Ｔｏｒｒに保持されるようにチャンバ４１を排気しなが
ら、マツチングボックス４７を介して高周波電源４８か
ら高周波電極４３に電力を投入する。そうすると電極間
にグロー放電が生じ、原料ガスがプラズマ化し、セラミ
ックスの薄膜が基板上に形成される。

この方法によれば、原料ガスの混合比を適当にコントロ
ールすることで、種々の物性を有するセラミックコーテ
ィング層を得ることができる。例えば、ＳｉＨ４のみを
供給すれば、非晶質水素化シリコンを得ることができ、
周期律表第■族又は第Ｖ族に属する元素を含有するガス
、例えばＢ２Ｈ６、ＰＨ３等を混合すれば価電子制御が
可能である。また、ＳｉＨ４にＮ２又はＮＨ３を混合す
ると非晶質窒化シリコンを得ることができ、ＣＨ４、Ｃ
２Ｈ６、Ｃ２Ｈ２等の炭化水素を混合すると非晶質炭化
シリコンを得ることができ、０２又はＮ２０を混合する
と非晶質酸化シリコンが得られる。更に、これらのガス
を複数混合することも可能であり、ＳｉＨ４にＣＨ４及
びＮ２を混合して、窒素を含む非晶質炭化シリコンを形
成することもできる。これらの材料の中では、非晶質シ
リコンが最も光学的バンドギャップ及び比抵抗が小さく
、炭化物、窒化物、酸化物の順にこれらの値が大きくな
る。一方、機械的強度についても夫々異なり、ビッカー
ス硬度で比較すると、非晶質シリコンが１０００、炭化
シリコンが２５００、窒化シリコンが２０００、酸化シ
リコンが１５００程度であり、これらのうちから所望の
硬度のものを選択することができる。また、上述したよ
うに、周期律表第■族又は第Ｖ族に属する元素を含有さ
せることにより価電子制御が可能であり、これによりセ
ラミックコーティング層の電気抵抗を１０３乃至１０１
３ΩＣ■程度の間で変化させることができ、現像剤の特
性及び帯電極性に応じて電気抵抗及び導電型を適宜選択
することができる。

また、原料ガスとしてＧｅＨ４を使用する場合には非晶
質ゲルマニウムを形成することができ、混合する原料ガ
スの種類を適宜調整することによリ、Ｓｔの場合と同様
に、窒化物、炭化物又は酸化物を得ることもでき、また
、周期律表第■族又は第Ｖ族に属する元素を含有させる
ことにより価値電子制御することもできる。このように
Ｇｅを使用した場合には、Ｓｉを使用した場合と比較し
て機械的強度が若干劣り、光学的バンドギャップ及び比
抵抗は小さくなる。

更に、セラミックコーティング層をＴｉ系セラミックス
で形成することもできる。Ｔｉ系セラミックスは電気伝
導度が高く、導電性である。従って、帯電しやすいトナ
ーを用いる場合に適している。Ｔｉ系セラミックスとし
ては、ＴｉＮ又はＴｉＣ等があるが、これらをコーティ
ングするためには、原料ガスとしてＴ　ｉＣ１４、Ｎ　
２、ＮＨ３、ＣＨ４、Ｃ２Ｈｂ又はＣ２Ｈ２等を用いる
。また、ＴｉＣｌ４は蒸気圧があまり高くないので、チ
ャンバ内にＨ２を吹込んで、ＴｉＣｌ４をチャンバから
強制的に追出すことが必要である。

従ってチャンバ内には上述の原料ガスの他にＨ２ガスも
導入する。

その他、Ａｌ、Ｂ又はＣ系のセラミックスを適用するこ
ともできる。これらは非常に硬く、ビッカース硬度は３
０００乃至１００００にまで及び、摩耗しに＜＜、更に
熱伝導性が良好なので、コーティングブレードと現像ロ
ーラとの間に生じた摩擦熱を容易に放出することができ
る。このようなセラミックスはトナーへの外添剤が多い
場合等、特に、現像ローラのスリーブ又はコーティング
ブレードが摩耗しやすい場合に効果が大きい。

ＡＩ系セラミックスとしてはＡｌ２Ｏ３及びＡＩＮ等が
あるが、これらをコーティングする場合には、原料ガス
としてＡｌ（ＣＨ３）３、Ａｌ　（Ｃ２Ｈ５）３．０２
、Ｎ２又はＮＨ３等を用いる。Ａｌ（ＣＨ３）３及びＡ
Ｉ（Ｃ２Ｈｓ　）　３は蒸気圧が低いのでチャンバ内に
Ｈ２を吹込んで、ＴｉＣｌ４の場合と同様に、これらを
チャンバから強制的に追出すことが必要である。従って
チャンバ内には上述の原料ガスの他にＨ２ガスも導入す
る。

Ｃ系のセラミックスとしては、ダイヤモンド、グラファ
イト及び非晶質炭素等があり、炭素重合膜をコーティン
グすることもできる。これらをコーティングする場合に
は、原料ガスとしてＣＨ４、Ｃ２Ｈ６又はｃ２Ｉ（２等
の炭化水素とＨ２とを用いる。ダイヤモンド及びグラフ
ァイトをコーティングする場合には特に基板温度を高く
する必要があり、ダイヤモンドの場合には基板温度を約
８００℃、グラファイトの場合には基板温度を約５００
℃にする。

Ｂ系のセラミックスとしてはＢＮ及びＢＣがある。これ
らをコーティングする場合には、原料ガスとしてＢ２Ｈ
６、ＢＦ３又はＢＣ１３等のガスと、Ｎ２、ＮＨ３、Ｃ
Ｈ４又はＣ２Ｈ６等のガスとの混合ガスを用いる。

次に、スパッタリングによりコーティングブレード表面
にセラミックコーティング層を形成する場合について具
体的に説明する。第７図はコーティングブレード表面に
セラミックコーティング層を形成するためのスパッタリ
ング装置を示す概略構成図である。このスパッタリング
装置はターゲットを設けた以外は第６図に示すＣＶＤ装
置に類似している。真空チャンパラ１内には、平板状の
接地電極５２と高周波電極５３が対向して設置されてお
り、高周波電極５３には形成しようとするセラミックコ
ーティング層の主体となる材料で形成されたターゲット
５９が配設されていて、基板５４は接地電極５２上に載
置される。そして、図示しない真空ポンプによりチャン
バ５１内を１０−６Ｔｏｒｒ程度に排気した後、必要に
応じて接地電極５２に取付けたヒータ５５により基板５
４を加熱する。次いで、ガス導入口５６からＡ「ガス及
び必要に応じて反応ガスをチャンバ５１内に供給しつつ
、チャンバ５１内が約１Ｏ−３Ｔ　ｏｒｒに保持される
ようにチャンパラ１を排気しながら、マツチングボック
ス５７を介して高周波電源５８から高周波電極４３に電
力を投入する。

そうするとＡｒガス及び反応ガスがプラズマ化し、Ａｒ
イオンによりターゲット５つからたたき出された原子又
は分子が、反応ガスが存在する場合には反応ガスと反応
して、所定の組成を有するセラミックスを形成し、この
ようにして形成されたセラミックスが基板に付若する。

このようなスパッタリングの場合には、基板５４を必ず
しも加熱しなくても良いが、加熱したほうがセラミック
コーティング層の密告性が向上する。なお、スパッタリ
ングによってセラミックスコーティング層を形成する場
合にも、ターゲット５９の材質及び反応ガスを適宜調節
することにより、プラズマＣＶＤの場合と同様に、柾々
のセラミックスをコーティングすることができる。

試験例以下、この実施例に係る現像装置を製造して実際に試験
した試験例について具体的に説明する。

第２図に示したような現像装置において、サンドブラス
トによりＡ１０一ラ表面の表面粗さを２．８μｍ　Ｒｚ
とし、表面に非晶質シリコンを２．２μｍの厚−みでコ
ーティングしたスリーブをＡＩクローラ外嵌したものを
現像ローラとして使用した。この場合に、原料ガスとし
てＳｉＨ４を用い、その流量を１１００５ＣＣとし、真
空チャンバ内の圧力が１．０Ｔｏｒｒｓ高周波電力が１
００Ｗという条件で成膜した。また、価電子制御するた
めに原料ガスとしてＢ２Ｈ６又はＰＨ３を含有させてコ
ーティングしたものも作成した。

Ｂ２Ｈ６を使用したものは、流量比Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ４
をｌＸｌ０−’及び１×１０−２とし、ＰＨ３を使用し
たものは、流量比ＰＨ３／ＳｉＨ４を同じ＜ｌＸｌ０−
５及びＩ　Ｘ　１０−２として、チャンバ内の圧力及び
電力を価電子制御しないものと同様に、夫々１，０Ｔｏ
ｒｒ及び１００Ｗとして成膜した。

このような現像装置を第１図に示した複写装置に使用し
、５００００枚連続してコピーした。その結果、５００
００枚連続コピー後も、スリーブ表面の表面粗さは初期
と同様であった。また、このように連続コピーしても、
スリーブ表面の現像バイアスの電圧効果が生じなかった
。

次に、セラミックコーティング層の厚みを種々変化させ
て作成した現像ローラのスリーブを用いて同様な試験を
行った。セラミックコーティング層の厚みが０．１μｍ
よりも薄い場合いは、コーティング層に傷が生じた際に
下地のＡｌ粗面が現われ、その部分から摩耗が生じた。

また、コーティング層が５μｍより厚い場合には、現像
バイアスの電圧降下が生じ画像濃度の低下及び文字のか
すれが生じる場合があった。

また、コーティングブレードにも同様にしてセラミック
コーティング層を形成し、同様の試験を行った結果同様
に良好な結果を得ることができた。

なお、セラミックコーティング層として他の材質を用い
た場合についても同様に試験した。その結果、いずれも
上述の非晶質シリコンと同様に良好な結果を得ることが
できた。その際の各材質における製造条件を以下に列挙
する。

（１）非晶質炭化シリコン（２）非晶質窒化シリコン（３）非晶質酸化シリコン（４）非晶質ゲルマニウム（５）非晶質炭化ゲルマニウム（６）非晶質窒化ゲルマニウム（７）非晶質酸化ゲルマニウム（８）窒化チタン（Ｔ　ｉ　Ｎ）（９）炭化チタン（Ｔ　ｉ　Ｃ）（１０）炭窒化チタン（ＴｉＣＮ）（１１）炭化タングステン（ｗｃ）（１２）酸化アルミニウム（Ａ１２０３）（１３）窒化
アルミニウム（ＡＩＮ）（１４）ダイヤモンドまた、コーティングブレードのセラミックコーティング
層をスパッタリングによって形成した。

この場合においてもプラズマＣＶＤでコーティング層を
形成した場合と同様に良好な結果を得ることができた。

次に、各材質についてのスパッタリング条件を列挙する
。

（１）非晶質シリコンターゲット；単結晶シリコン又は多結晶シリコン圧力、ｌＸ１０−３電力、５００Ｗ反応ガス及び流量；（ａ）Ａｒ　　　ＩＯ８ＣＣＭＨ２
１００ＳＣＣ１００５ＣＣＩＯ３Ｃ０ＭＨ２１００ＳＣ１００５ＣＣ１ＳＣＣＭ（ｃ）Ａｒ　　　ＩＯ３Ｃ０ＭＨ２１００Ｓ１００５ＣＣ１ＳＣＣＭ（２）炭化シリコン（Ｓ　ｉ　Ｃ）圧力、ｌＸ１０−３電力、５００Ｗ（ａ）ターゲット；焼結炭化シリコン反応ガス及び流量；Ａｒ　　　１０ＳＣ１０５ＣＣター
ゲット；単結晶シリコン反応ガス及び流ｆｆｉ　；　Ａ　ｒ　　　１０　Ｓ　Ｃ
ＣＭＣＨ４５０ＳＣＣＭ（３）窒化シリコン（ＳｉＮ）圧力、ｌＸ１０−３電力；５００Ｗ（ａ）ターゲット；焼結窒化シリコン反応ガス及び流量；Ａｒ　　　ＩＯＳＣＣＭ（ｂ）ター
ゲット；単結晶シリコン反応ガス及び流量；Ａｒ　　　１０ＳＣ１０５ＣＣ５０
ＳＣＣＭ（４）酸化シリコン（Ｓｉｎ）ターゲット；酸化シリコン圧力、ｌＸ１０−３電力、５００Ｗ反応ガス及び流量；Ａｒ　　　　　ＩＯＳＣＣＭ（５）
窒化チタン（Ｔ　ｉ　Ｎ）ターゲット；金属チタン圧力；ｌＸ１０−３電力、８００Ｗ反応ガス及び流量ＨＡｒ　　　　　ＩＯ８ＣＣＭＮ２　
　　５０ＳＣＣＭ（６）炭化チタン（Ｔ　ｉ　Ｃ）ターゲット；金属チタン圧力、ｌＸ１０−３電力、８００Ｗ反応ガス及び流量；Ａｒ　　　　　ＩＯ３ＣＣＭＣＨ４
５０ＳＣＣＭ（７）酸化アルミニウム（Ａ１２０３）ターゲット；焼
結酸化アルミニウム圧力；ｌＸ１０−３電力、８００Ｗ反応ガス及び流量；Ａｒ　　　　　ＩＯＳＣＣＭ（８）
窒化ボロン（ＢＮ）ターゲット；焼結窒化ボロン圧力、ｌＸ１０−３電力、８００Ｗ反応ガス及び流量；Ａｒ　　　　　ＩＯ８ＣＣＭ［発明
の効果］この発明によれば、トナー保持体の表面にセラミックコ
ーティング層を設けたから、トナー保持体の摩耗を低減
することができ、また、トナーを所望の極性に均一に帯
電させることができる。このため、極めて良好な画質を
得ることができる。

また、セラミックコーティング層により薄層形成部材と
トナー保持体との間の摩擦係数を少なくすることができ
るので、現像装置のトルクを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例に係る現像装置の概略構成を
示す側断面図、第２図はその平面図、第３図はこの現像
装置を用いた電子複写装置を示す概略構成図、第４図は
現像ローラのスリーブにセラミックコーティング層を形
成するためのプラズマＣＶＤ装置の概略を示す側断面図
、第５図はその平面断面図、第６図はコーティングブレ
ードにセラミックコーティング層を形成するためのプラ
ズマＣＶＤ装置を示す概略構成図、第７図はコーティン
グブレードにセラミックコーティング層を形成するため
のスパッタリング装置を示す概略構成図である。２；感光体（像担持体）、５；現像装置、２５；現像ロ
ーラ（トナー保持体）、２７；コーティングブレード（
薄層形成部材）、３０；セラミックコーティング層。出願人代理人　弁理士　鈴江武彦１／第２図第４図第５図第６図第７図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）像担持体に形成された静電潜像を現像するために
像担持体に搬送されるトナーを保持するトナー保持体と
、トナー保持体に保持されたトナーを薄層化する薄層形
成部材とを有する現像装置において、前記トナー保持体
は、その表面にセラミックコーティング層を有すること
を特徴とする現像装置。
（２）前記セラミックコーティング層は、その層厚が０
．１乃至５μｍであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の現像装置。
（３）前記セラミックコーティング層は、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｔｉ、Ｂ、Ａｌ、Ｗ、Ｃ、Ｎ、Ｏ及びハロゲン元素から
選択された少なくとも１種の元素を含んでいることを特
徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の現像
装置。
（４）前記セラミックコーティング層は、プラズマを形
成してコーティングされることを特徴とする特許請求の
範囲第１項乃至第３項いずれか１項に記載の現像装置。