JPH01142574A - 現像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は復写機やレーザービームプリンタ等画像形成装
置において、−成分現像剤を保持する現像剤保持体によ
り像担持体上の静電潜像の現像を行なう現像装置の改良
に関する。 （従来の技術） 一般に、電子複写装置等の画像形成装置における現像装
置には、像担持体である感光体上に形成された静電潜像
を可視化するための現像処理手段として、例えば二成分
あるいは磁性−成分現像剤を用いるものが知られている
。 ところが、上記した二成分の現像処理手段では、現像剤
であるトナーとキャリアとの濃度比の正確なコントロー
ルが必要であり、一方、磁性−成分の現像処理手段では
、トナーが磁性体を含んでいることから、カラー化が困
難であるなどの不都合を有するばかりでなく、いずれの
現像処理手段にあっても、現像剤保持体である現像ロー
ラとしてマグネットローラを必要とするため、コスト的
に非常に高価なものとなっている。 そこで、上記のような不具合を解消するものとして、最
近、非磁性の一成分現像剤を用いた現像処理手段が提案
されている。 即ちこの装置は、第８図に示す様に非磁性−成分のトナ
ー（２０）を収容する現像容器本体であるホッパー（２
１）内に、現像剤搬送部材であるミキサー（２３）及び
、トナー供給〇−ラ（２４）を設け、ミキサー　（２３
）及びトナー供給ローラ（２４）の回転作用により、現
像剤保持体でありアルミニウムローラ上に無電−ニッケ
ル（Ｎ　ｉ　）メツキが成される現像ローラ（２６）に
トナー（２０）を供給すると共に、この現像ローラ（２
６）の外周に薄層化規制部材であり、厚さ約０．５〔履
〕のステンレス製（５ＵＳ３０４　）のコーティングブ
レード（２７）を当接させるものでおる。 そしてこれによりコーティングブレード（２７）及び現
像ローラ（２６）の接触部を通り抜けたトナー（２０）
は、現像ローラ（２６）上に厚さ約３０（−）の薄膜層
状にコーティングされ、現像ローラ（２６）に間隙（Ｇ
）で近接対向される像担持体である感光体（２８）上の
静電潜像を現像するようになっている。 しかしながら、このような装置にあっては、トナー（２
０）が、現像ローラ（２６）及びコーティングブレード
（２７）との間の摩擦帯電により帯電され、更に、トナ
ー（２０）と現像ローラ（２６）相互の静電引力により
、現像ローラ（２６）の回転に連れて回転搬送される事
から、非常に簡単な構造でしかもマグネットローラを必
要とする事無く、コスト面でも有利でカラー化にも適し
てはいるものの、長時間使用する間にトナー（２０）及
び現像ローラ（２６）との摩擦により、コーティングブ
レード（２７）が摩耗してしまい、現像ローラ（２６）
への押圧が不充分となり、トナー　（２０）は充分な摩
擦帯電を得られず、現像濃度が低下し、地かぶりや文字
のかすれ、あるいは現像濃度の不均一により画質の劣下
を生じたり、更には未帯電トナーが現像ローラ（２６）
上から飛散し、本体内部を汚損するという問題を有する
と共に、その材質上、コーティングブレード（２７）と
トナー　（２０）及び現像ローラ（２６）との摩擦係数
が大きく、現像装置の駆動トルクが増大されるという問
題も有している。 更には、カラー化等装置の多様化に伴い種々特性の異る
感光体（２８）が使用されると、トナー（２０）もこれ
に適したものが使用される事となるが、これに対し、現
像ローラ（２６）及びコーティングブレード（２７）は
通常同じものが使用され、トナーによっては充分な帯電
々荷を得られず、帯電不足になったり、あるいは逆に異
常に帯電し過ぎたりして画質の劣下を招いている。 （発明が解決しようとする問題点） 従来は、現像ローラとの摩擦によるコーティングブレー
ドの摩耗によりトナーの帯電不足を生じたり、あるいは
現像ローラやコーティングブレードがトナーの特性に適
しておらず、トナーの帯電不足あるいは帯電のし過ぎを
招き、ひいては画質の劣下を生じたり、周囲を汚損する
と共に、摩擦係数が大きい事から現像装置の駆動トルク
が増大されるという欠点を有している。 そこで本発明は上記欠点を除去するもので、駆動トルク
の縮小を図ると共に、コーティングブレードの摩耗を生
じる事無く、しかも種々のトナーにあっても充分な帯電
を得る事が出来、長時間の使用にかかわらず、地かぶり
や画像濃度の不均一による画質の劣下を防止し、更には
トナー飛散による本体内部の汚損を防止する事が出来る
現像装置を提供する事を目的とする。 ［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明は上記問題点を解決するために現像ローラとして
、その表面にチタン（Ｔ　ｉ　）　、タングステン〔Ｗ
〕の少なくともいづれか１つの原子を含有する第１のセ
ラミックスをコーティングしたものを用い、更にコーテ
ィングブレードとして、その表面にシリコン〔Ｓｉ〕、
ゲルマニウム（Ｇｅ）の少なくともいづれか１つの原子
を含有する第２のセラミックスをコーティングしたもの
を用いるものである。 （作　用） 本発明は上記手段によりコーティングブレード更には現
像ローラの摩耗を防止し、長時間の使用によっても、ト
ナーの帯電不足による地かぶりやかすれ等の画像の劣下
を防止すると共に、飛散トナーによる本体内の汚損防止
を図る一方、現像ローラの駆動トルクを軽減し、更には
、使用するトナーの特性に応じて最適な電荷付与を行な
い、画質の向上を図るものである。 （実施例） 以下本発明の一実施例を第１図ないし第６図を参照しな
がら説明する。画像形成装置本体（２９）内の負極性Ｏ
ＰＣからなる像担持体である感光体（３０）周囲ニハ感
光体（３０）表面を約−６００（Ｖ）（：帯電する帯電
装置（３１）、画像情報を照射する露光位置（３２）、
現像装置（３３）、転写チャージャ（３４）、クリーニ
ング装置（３Ｂ）、除電ランプ（３７）が設けられてい
る。また、画像形成装置本体（２９）内の上部側には原
稿を露光する光学系（３８）が設けられるとともに、下
部側には給紙カセット（４０）が装着されている。更に
給紙カセット（４０）より排紙トレイ（４１）に至る搬
送路（４２）中には、レジストローラ（４３）。 定着器（４４）、及び排紙ローラ（４６）が設けられて
いる。 次に上記現像装置（３３）について詳述する。現像装置
Ｃ３３）にあっては、アルミニウム（ＡＡ　）のローラ
（４７ａ）表面をサンドブラストで表面粗さ約３−０（
−Ｒｚ）となるように表面処理し、更に後述するプラス
？ＣＶＤ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏ
ｓｉ−ｔｉＯｎの略〕装置（８０）により第１のセラミ
ックスである窒化チタン（ＴｉＮ）の被膜を約２〔ｐ〕
ココ−ィングした第１の表面層（４７ｂ）を有する現像
剤保持体である現像ローラ（４７）が、感光体（３０）
と約２５０（藺）の間隙を介するよう設けられている。 この現像ローラ（４７）には、周波数２　（ＫＨｚ　）
、実効値が６７０　（Ｖ　）のＡＣ電圧と、−２００（
Ｖ　）のＤＣ電圧との重ね合わせ電圧が印加されており
、図示しない駆動手段により、感光体（３０）の１〜３
倍の周速で回転可能とされている。 又、現像装置（３３）の筐体（３３ａ）内には、磁性粉
１０（重量％）含有する。現像剤である正帯電非磁性−
成分のトナー（４８）が収容されると共に、ミキサー（
５０）、トナー供給ローラ（５１）が配設されている。 更に現像装置（３３）内には、上端部がホルダ（５２）
により保持され、下端部が現像ローラ（４７）に当接さ
れ、トナー（４８）を薄層化し、現像ローラ（４７）に
コーティングするための薄層化規制部材であり、ステン
レス〔５ｕＳ３０４〕製の厚さ約０．５（ａｎ）のブレ
ード（５３ａ）表面に後述するプラズマＣＶＤ　’装置
　（５Ｂ）により第２のセラミックスである非晶質シリ
コン（以下（ａ−３ｉ）と称す。）の被膜を約２〔譚〕
コーティングした第２の表面層（５３ｂ）を有するコー
ティングブレード（５３）、及び現像後にトナー（４８
）を回収するよう現像ローラ（４７）に当接される回収
ブレード（５４）が設けられている。 尚、次に現像ローラ（４７）への窒化チタン（ＴｉＮ）
のコーティング及びコーティングブレード（５３）への
（ａ−３ｉ）のコーティングについて詳述する。先ず、
コーティングブレード（５３）にあっては第４図に示す
ようにプラズマＣＶＤ装＋！（５６）の真空チャンバー
（５７）内にはヒータ（５８）を内蔵する平板状の接地
電極（６０）と、−マツチングボックス（６１）を介し
、周波数１３．５６　　（ＭＨｚ　）の高周波電源（６
２）より電圧が印加される高周波電極（６３）が対向し
て装置されている。又、真空チャンバー（５１）には、
図示しないガス供給系よりモノシランガス（Ｓ！Ｈ＋）
やメタンガス（ＣＨ４）等の必要とするガスを導入する
ガス導入管（６５）及び排気を行なう排気管（６４）が
設けられている。そして先ずブレード（５３ａ）を機械
的に加工製造した後、真空チャンバー（５７）内の接地
電極（６０）上にセットし、真空チャンバー（５７）内
を一担約１０−３　（ＴＯｒｒ）に排気すると共に膜の
密着性を良くするよう、ヒータ（５８）によりブレード
（５３ａ）を約３００〜５００〔℃〕に加熱する。そし
てガス導入管（６５）介しガス供給系（図示せず）より
、モノシランガス（Ｓ　ｉ　Ｈ４）を１００　（ＳＣＣ
）ｌ）の流旦で真空チャンバー（５７）に導入し、真空
チャンバ−（５７）内を約１（Ｔｏｒｒ）に保持する。 次いで高周波電源（６２）により高周波電極（６３）　
１００　〔Ｗ〕の高周波電力を約３０〔分〕印加し、ブ
レード（５３ａ）上に厚さ約２〔−〕の１０１０〔０ｃ
ｍ）Ｌ型の（ａ−３ｉ）の第２の表面層（５３ａ）をコ
ーティングし、コーティングブレード（５３）の形成を
終了する。 次に現像ローラ（４７）にあっては、第５図及び第６図
に示すように、プラズマＣＶＤ装置（８０）の反応室（
８１）には、その下端に複数個の排気口（８２）が設【
プられた底部部材８３が絶縁体８４を介して取付けられ
ている。反応室８１は、メカニカルブースタポンプ及び
油回転ポンプ（図示せず）等により排気口８２を介して
排気され、約１０−３トルの真空度に保持されるように
なっている。反応室８１内には、ガス導入口８５を介し
て種々の原料ガスが導入される。 反応室８１の上方には、絶縁体８６を介して収納室８７
が設置されており、収納室８７は絶縁体８６により反応
室８１と電気的に絶縁されている。また、収納室８７は
反応室８１と仕切板８８により仕切られている。 仕切板８８には、複数個の支持ロッド８９がその長手方
向を鉛直にして挿通されている。各ロッド８９には、カ
ラー９０が嵌合されてロッド８９に固定されており、カ
ラー９０が仕切板８８に係止されることにより、ロッド
８９が後は落ちないようになっている。 ロッド８９の上端部には、駆動手段のギア９２が嵌合さ
れており、その下方にてロッド８９に嵌合して固定され
た押え９１により、ギア９２がロッド８９に支持されて
いる。各ギア９２は隣接するもの同士が相互に噛合して
おり、駆動装置により中央のギアが回転駆動されると、
全てのギア９２が回転し、支持ロッド８９が回転するよ
うになっている。 各支持ロッド８９の下端部には、雌ネジ（図示せず）が
形成されており、ローラ（４７ａ）の上端部には、雄ネ
ジ（図示せず）が形成されている。成膜すべきローラ（
４７ａ）の上端部には、雄ネジ（図示せず）が形成され
ていて、ローラ（４７ａ）と支持ロッド８９とを螺合す
ることにより、ローラ（４７ａ）がロッド８９に取り付
けられる。駆動装置９４が収納室８７の上方に設けられ
ており、この駆動装置９４の駆動によりギア９２が回転
すると、ローラ（４７ａ）はその軸を回転中心として回
転する。 第６図に示すように、ローゼ（’４７ａ）は、反応室８
１内にその実質的に中央にて一例に配列するように配設
されている。そして、この支持体列を挟むようにしｌ、
その両側に、一対の平板状の電極９５゜９６が対設され
ている。電極９５．９６には、多数の孔が［１されてお
り、ガス導入口８５を介して反応室８１内に導入された
ガスはこの孔を介して反応室８１の中心部に供給される
。電極９５．９６は反応室８１と同一の電位になるよう
に反応室８１に取り付けられている。そして、この電極
９５．９６は、マツチングボックス９７を介して高周波
電源９８に接続されている。 そして反応室（８１）内の支持ロッド（８９）に複数個
のローラ（４７ａ）を取っ付番ブた後、駆動装置（９４
）によりローラ（４７ａ）を適宜の速度で自転させると
共に、反応室（８１）内を約１０−３　（丁ｏｒｒ　）
に排気し、更に排気を継続しつつ、ガス導入口（８５）
を介して四塩化チタン（ＴＩＣｎ４）を５０（ＳＣＣＭ
）　、　　（Ｎ２　）を２００　（ＳＣＣＨ）　、水素
〔Ｈ２〕を１ｏｏｏ　（５ＣＣＨ）導入し、反応室（８
１）内を約’ｌ　（Ｔｏｒｒ）に保持する。 次いでマツチングボックス（９７）を介して高周波電源
（９８）から４００〔Ｗ〕の高周波電力を電極（９５）
。 （９６）に印加する。これによ、す、電極（９５）、　
（９６）間に生起されるプラズマにより、ローラ（４７
ａ）上に窒化チタン（ＴｉＮ）の第１の表面層（４７ｂ
）が約２〔ｐ〕の厚さで均一にコーティングされ現像口
−ラ（４７）の形成を終了する。 次に上記現像ローラ（４７）及びコーティングブレード
（５３）を有する本発明の現像装置（３３）による作用
について述べる。コピーが開始されると、感光体（３０
）が矢印工方向に回転されると共に各画像形成手段が作
動され、感光体（３０）表面は帯電装置（３１）により
一様に−６００〔Ｗ〕に帯電される。次いで光学系（３
８）により露光位置（３２）で露光され、感光体（３０
）上には静電潜像が形成され現像装置（３３）に達する
。一方この時現像装＠（３３）にあってはＡＣ６００（
Ｖ）とＤＣ−２００（Ｖ）の重ね合わせ電圧が印加され
る現像ローラ（４７）が感光体（３０）の周速とほぼ等
速となるよう矢印ン方向に回転されてあり、トナー（４
８）は、感光体（３０）及びコーティングブレード（５
３）との摩擦により正帯電され、現像ローラ（４７）表
面に静電的に吸着し、感光体（３０）に対向する位置に
搬送され静電潜像の現像を行なう事となる。そして現像
ローラ（４７）上に残留したトナー（４８）は回収ブレ
ード（５４）を介して現像装置（３３）内に回収される
。一方転写位置にあっては、感光体（３０）上のトナー
像と同期して給紙カセット（４０）から用紙（図示せず
）が供給されており、転写チャージャ（３４）により、
トナー像が用紙に転写される。この後、用紙は搬送路（
４２）に沿って定着５（４４）へと搬送され、ここで定
着された俊、排紙ローラ（４６）を介して排紙トレイ（
４１）に排出される。 又、転写後、感光体（３０）はクリーニング装置（３６
）、除電ランプ（３７）を経て次のコピー可能とされる
。 そして以上のようなコピーサイクルを繰り返えす事によ
り、必要な枚数のコピーを得る事となる。 尚、この様にしてコーティングブレード（５３）に２．
０（Ｋｇ）の線荷重をかけて１０（方杖）のテストコピ
ーを行なったところ、ステンレス（５ＵＳ３０４　）の
みからなる従来のコーティングブレード及びサンドブラ
ストで粗したアルミニウムローラ上に無電解ニッケル（
Ｎ　ｉ　）メツキが施される従来の現像ローラを用いた
装置にあっては、現像ローラとの接触部においてコーテ
ィングブレードが約２（−）削れ、線荷重の減少により
現像ローラ上のトナー搬送量が低下し、充分な画像濃度
が得られなかったのに対し、本実施例のコーティングブ
レード（５３）の現像ローラ（４７）との接触部分は削
られる事無く、１０〔方杖〕以後のコピーにおいても画
像濃度が低下されずに、良好な画像が得られた。 又、このテストコピーにおいて、コーティングブレード
に２．０（Ｋｇ）の線荷重をかけた時、従来のステンレ
ス製コーティングブレード及びアルミニウムローラ上に
無電解ニッケルメッキが施される現像ローラを使用した
場合、現像ローラの駆動トルクが２．５　（Ｋ！Ｊｃｍ
　）であったのに対し、本実施例の窒化チタン（ＴｉＮ
）からなる第１の表面層（４７ｂ）をコーティングした
現像ローラ（４７）及び（ａ−３ｉ）からなる第２の表
面層（５３ｂ）をコーティングしたコーティングブレー
ド（５３）を使用した場合は、現像ローラ（４７）の駆
動トルクは１．８（Ｎｆｆ儒）となり、コーティングブ
レード（５３）に（ａ−３ｉ）の第２の表面層（５３ｂ
）をコーティングし、現像ローラ（４７）に窒化チタン
（ＴｉＮ）の第１の表面層（４７ｂ）をコーティングす
る事により、現像ローラの駆動トルクがかなり軽減され
る事が判明した。 更にこの実施例において、現像装置（３３）内の現像剤
のみを、スチレン−アクリル樹脂にカーボン（Ｃ）を４
（重旦％）、その他添加剤を４〔重母％〕混入してなる
正帯電非磁性−成分のトナーと交換して、その摩擦帯電
を行なったところ、従来のステンレス製のコーティング
ブレード及びアルミニウムローラに無電解ニッケルメッ
キを施した現像ローラを使用した場合、帯電旦は＋１０
〔μＣ／ｇ）でありコピー像に地かぶりが見られたのに
対して、トナーの帯電母は＋１２〔μＣ／ｇ）まで増加
され、コピー像も地かぶりを生じる事無く良好であった
。 この様に構成すれば、コーティングブレード　（５３）
は、耐摩耗性にすぐれた（ａ−３ｉ）の第２の表面層（
５３ｂ）を有する事から、その長時間の使用によっても
、現像ローラ（４７）との摩擦により削られ変形する事
が無く、常に現像ローラ（４７）に対して一定の線荷重
をかける事か出来、トナー（４８）に充分な帯電々荷を
付与出来、現像時、地かぶりや濃度の不均一を生じる事
無く良好な画像を得られ、しかも飛散トナーを生じる事
も無く、本体内のトナーによる汚損も防止される。又、
従来のコーティングブレード及び現像ローラに比し、コ
ーティングブレード（５３）及び現像ローラ（４７）の
摩擦係数が小さく、ひ′いては現像ローラ（４７）の駆
動トルクを軽減出来、その駆動源の小型軽量化の促進を
図れる。更に現像ローラ（４７）表面の（ａ−３ｉ）は
高抵抗を有するものの、窒化チタン（ＴｉＮ）が導電性
を有する事から、帯電しやすいトナーを用いた場合に、
トナー（４８）が異常に帯電し過ぎ画質を劣下させると
いう事が無く、充分な画像濃度を得る事が出来る。 尚、本発明は上記実施例に限定されず種々設計変更可能
であり、例えば現像剤保持体の表面にコーティングされ
る第１のセラミックスは、チタン〔Ｔｉ〕、タングステ
ン〔Ｗ〕の少なくともいづれか１つを含有するものであ
れば、その材質は限定されないし、又、薄膜規制部材の
表面にコーティングされる第２のセラミックスも、シリ
コン（Ｓ　ｉ　）あるいはゲルマニウム（Ｇｅ）のうち
少なくとも１つの原子を含有するものであれば、材質は
限定されず、第１のセラミックスの代表的なもの及びそ
の成膜条件を〔表・１〕に示すと共に、第２のセラミッ
クスの代表的なもの及びその成膜条件を〔表・２〕■な
いし〔表・２〕■に示す。 但し、第２のセラミックスのうちゲルマニウム（Ｇｅ）
を含有するものはシリコン（Ｓ　ｉ　）を含有するもの
に比し、機械的強度が少し劣ると共に、光学的バンドギ
ャップ及び比抵抗は小さくなる。 （以下余白） 但し、セラミックスは他の物でも良いし、使用ガスもメ
タンガス（ＣＨ４）のかわりに、エチレン（Ｃ２Ｈ６）
、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）を使用したり、窒素ガス〔Ｎ
２〕のかわりにアンモニア（ＮＨ３）を用いる等しても
良く、その地圧力や温度等の成膜状態も任意である。更
にに第２のセラミックスは、非晶質のもののみで無く、
シリコン（Ｓｉ）あるいはゲルマニウム（Ｇｅ）を含有
する多結晶あるいは微結晶のセラミックスであっても良
い。 又、実施例のプラズマＣＶＤ装置（５６）、　（８０）
により形成される第１及び第２のセラミックスにあって
は、使用ガスに応じて、例えばジポランガス（Ｂ２Ｈ６
）を用いた場合は水素〔Ｈ〕元素が、又３フツ化硼素（
ＢＦ３）を用いた場合はフッ素（Ｆ）元素というように
水素あるいはフッ素等のハロゲン−元素が０．１〜４０
　〔ａｔｏｍｉｃ％〕含有され、その含有量は基板温度
及び高周波電力を高めにすると減少され、逆に低くする
と増加される。そして一般に、水素あるいはハロゲン元
素の含有量が少ない程、セラミックスはその硬度が高く
なり、逆に含有量が多いと硬度が低減される事から、水
素あるいはハロゲン元素の含有量を調節する事により所
望の硬度のラセミックスを容易に得られる事となる。更
には炭素〔Ｃ〕、窒素〔Ｎ〕、酸素

〔０〕のうちどの元
素を含有するかによっても、セラミックスは比抵抗及び
機械的強度が変動され、例えば、（ａ−３ｉ）にあって
は、水素あるいはハロゲン元素の含有量が同一である場
合には、非晶質シリコン（ａ−３ｉ）が最も光学的バン
ドギャップ及び比抵抗が小さく、次いで炭素（Ｃ）を含
有する非晶質炭化シリコン（ａ−３ｉＣ）　、窒素（Ｎ
）を含有する非晶質窒化シリコン（ａ−３ｉＮ　）　、
Ｗ素

〔０〕を含有する非晶質酸化シリコン（ａ−３ｉＯ
）の順に大きくなる。又、機械的強度についても同様で
あり、ビッカース硬度で言うと（ａ−３ｉＣ）が（２５
００）といちばん大きく、次いで（ａ−３ｉＮ　）が（
２０００）、（ａ−３ｉＯ）が（１５００）、（ａ−３
ｉ）が（１０００）というように順に小ざくされる。 この他、使用ガスの選択及び混合比のコントロールによ
り種々の特性を有するセラミックスを得る事が出来、例
えば硼素〔Ｂ〕、アルミニウム〔へβ〕等の周期律表第
■族の元素をドーピングする事により導電型をｐ型にし
たり、あるいは窒素〔Ｎ〕、リン（Ｐ）等の周期律表第
Ｖ族の元素をドーピングして導電型をｎ型にする等の価
電子制御を行なえ、更には電気抵抗を１０３〔Ωｃｍ’
Ｊ程度から１９１３　（Ωｃｍ）程度迄変動出来、使用
する現像剤の特性に適したセラミックスを容易に（ｑる
事が出来る。尚、周期律表第■族及び第Ｖ族のドーピン
グ量、一般に１Ｘ１０−６〜１〔ａｔｏｍｉｎ％〕程度
とされ、例えば〔表・２〕に示すようにモノシランガス
（ＳｆＨ４）やゲルマンガス（ＧｅＨ４）に対する流器
比が１×１０−２程度であれば０．０１〜０、１　〔ａ
ｔｏｍｉｃ％）となる一方、流器比が１Ｘ１０−５程度
であれば１　ｘ　１０−５〜１　ｘ　１０−３　〔ａｔ
ｏｍｉｃ　％）となる。そして例えば現像ローラは同じ
ものを使用し、このようにして（ｑられた第２のセラミ
ックスをコーティングしたコーティングブレードを用い
、各種現像剤との適性を判明するためのテスト現像を行
なったところ〔表・３〕に示すような結果が得られた。 但し非晶質酸化シリコン（ａ−３ｉＯ）、非晶質窒化シ
リコン（ａ−３ｉＮ　）については非晶質炭化シリコン
（ａ−３ｉＣ）とほぼ同様の結果が得られた。又、（表
・３〕のセラミックスより、より低抵抗のセラミックス
を必要とする場合は、ゲルマニウム（Ｇｅ）を含有する
セラミックスを用いると、より良好な結果が得られる事
がテストにより確認された。 （以下余白） 尚セラミックスのコーティングの方法もＣＶＤ方法に限
定されずスパッタリング方法、イオンブレーティング方
法、真空蒸着方法等任意であり、使用ガスも限定されな
い。そして例えばスパッタリング方法を行なうには、第
７図に示す変形例のスパッタリング装置（６５）のよう
に、真空チャンバー　（６６）内にヒータ（６７）を内
蔵する平板状の接地電極と、支持体（７０）に支持され
マツチングボックス（７１）を介し高周波電源（７２）
より電圧を印加される固体原料からなるターゲット（７
３）を対向させ、更にガス導入管（７４）及び排気管（
７６）を設けるようにすれば良い。そして前述の実施例
と同様にステンレス製のブレード（７７）に（ａ−Ｓ＋
）の表面層を形成する場合、ターゲット（７３）として
単結晶あるいは多結晶シリコン〔Ｓ１〕を設け、接地電
極（６８）にブレード（７７）をセットし、排気管（７
６）より排気を行ない、真空チャンバー（６６）内を１
．０Ｘ１０−３（ＴＯｒｒ）に保持し、更にヒータ（６
７）によりブレード（７７）を約３００〜５００（’Ｃ
）に加熱する。 そしてガス導入管（７４）よりアルゴン（Ａｒ）を１０
　（ＳＣＣＩ（）水素ガス（Ｈ２〕を１００　（ＳＣＣ
）ｌ）導入しながら、高周波電源（７２）により、単結
晶あるいは多結晶シリコン（Ｓ　ｉ　）からなるターゲ
ット（７３）に周波数１３．５６　　（ＭＨｚ　）の高
周波電力５００〔Ｗ〕を約３０（分）印加し、ブレード
（７７）上に厚さ約２〔−〕の（ａ−３ｉ）の被膜のコ
ーティングを行なうものである。尚、このスパッタリン
グ装置（６５）によりコーティングされる代表的なセラ
ミックス及び成膜条件をその〔表・４〕に示す。 （以下余白） 又、現像剤の帯電特性や帯電極性あるいは添加物の材質
や混入量等も全く任意である。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、長時間の使用によ
っても薄層化規制部材及び現像剤保持体は摩耗される事
が無く、現像剤に充分な電荷を付与出来、地かぶりや画
像濃度低下を来たす事無く良好な画像を得られると共に
飛散トナーによる汚損も防止出来る。しかも現像剤を帯
電するための薄層化規制部材が高抵抗であるものの現像
剤保持体が導電性を有する事から、帯電しやすいトナー
を使用する場合、異常に帯電し過ぎるという事が無く、
良好な現像を行なえ、更にはセラミックス中に含有され
る元素及びその含有量を変える事によりセラミックスの
導電型、電気抵抗、硬度を容易に調整出来、現象剤の特
性に適したセラミックスを容易に得る事が出来る事から
、第１のセラミックス及び第２のセラミックスを種々組
合わせる事により、各種像担持体、及び現像剤の使用が
可能となり、機能の拡大も図られる。又、従来に比し薄
層化規制部材及び現像剤保持体の摩擦係数が小さく、現
像剤保持体への負荷が軽減される事から現像剤保持体の
駆動トルクを減少出来、ひいては駆動源の小型軽量化が
可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第６図は本発明の一実施例を示し、第１図
はその本体の概略説明図、第２図はその現像装置の断面
図、第３図はその現像ローラ及びコーティングブレード
の一部断面図、第４図はその第２のセラミックスをコー
ティングするプラズマ゛ＣＶＤ装置の概略説明図、第５
図はその第１のセラミックスをコーティングするプラズ
マＣＶＤＩ装置の概略縦断面図、第６図はその第５図に
おける概略横断面図、第７図は他の変形例のスパッタリ
ング装置を示す概略説明図、第８図は従来の現像装置を
示す断面図である。 ２９・・・画像形成装置本体、　３０・・・感光体、３
３・・・現像装置、　　　　　４７・・・現像ローラ、
４７ｂ・・・第１の表面層、　　４８・・・トナー５３
・・・コーティングブレード、 ５３ｂ・・・第２の表面層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、薄層化規制部材により薄層化された現像剤を有する
   現像剤保持体により像担持体上の静電潜像を現像するも
   のにおいて、前記現像剤保持体が、チタン〔Ｔｉ〕、タ
   ングステン〔Ｗ〕の少なくともいづれか１つの原子を含
   有する第１のセラミックスからなる第１の表面層を具備
   し、前記薄層化規制部材が、シリコン〔Ｓｉ〕、ゲルマ
   ニウム〔Ｇｅ〕の少なくともいづれか１つの原子を含有
   する第２のセラミックスからなる第２の表面層を具備す
   る事を特徴とする現像装置。 ２、第１のセラミックスが、窒素〔Ｎ〕、炭素〔Ｃ〕、
   酸素〔Ｏ〕、水素〔Ｈ〕、ハロゲンのうち少なくとも１
   つの元素を含有する事を特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の現像装置。 ３、第１のセラミックスが、水素〔Ｈ〕、又はハロゲン
   を１〜４０〔ａｔｏｍｉｃ％〕含有する事を特徴とする
   特許請求の範囲第２項記載の現像装置。 ４、第２のセラミックスが、窒素〔Ｎ〕、炭素〔Ｃ〕、
   酸素〔Ｏ〕、水素〔Ｈ〕、ハロゲンのうち少なくとも１
   つの元素を含有する事を特徴とする特許請求の範囲第１
   項ないし第３項のいづれかに記載の現像装置。 ５、第２のセラミックスが、水素〔Ｈ〕又はハロゲンを
   １〜４０〔ａｔｏｍｉｃ％〕含有する事を特徴とする特
   許請求の範囲第４項記載の現像装置。 ６、第２のセラミックスが、周期律表第III族又は周期
   律表第Ｖ族のいづれかの元素を含有する事を特徴とする
   特許請求の範囲第１項ないし第５項のいづれかに記載の
   現像装置。 ７、第２のセラミックスが、周期律表第III族又は周期
   律表第Ｖ族のいづれかの元素を１×１０＾−＾６〜１〔
   ａｔｏｍｉｎ％〕含有する事を特徴とする特許請求の範
   囲第６項記載の現像装置。