JPH01142576A - 現像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は複写機やレーザビームプリンタ等画像形成装置
において、−成分現像剤を保持する現像剤保持体により
像担持体上の静電潜像の現像を行なう現像装置の改良に
関する。

（従来の技術） 一般に、Ｗ１子複写装置等の画像形成装置における現像
装置には、像担持体である感光体上に形成された静電潜
像を可視化するための現像処理手段として１例えば二成
分あるいは磁性−成分現像剤を用いるものが知られてい
る。

ところが、上記した二成分の現像処理手段では。

現像剤であるトナーとキャリアとの濃度比の正確なコン
トロールが必要であり、一方、磁性−成分の現像処理手
段では、トナーが磁性体を含んでいることから、カラー
化が困難であるなどの不都合を有するばか〃でなく、い
ずれの現像処理手段にあっても、現像剤保持体である現
像ローラとしてマグネットローラを必要とするため、コ
スト的に非常に高価なものとなっている。

そこで、上記のような不具合を解消するものとして、最
近、非磁性の一成分現像剤を用いた現像処理手段が提案
されている。

即ちこの装置は、第８図に示す様に非磁性−成分のトナ
ー（２０）を収容する現像容器本体であるホッパー（２
１）内に、現像剤搬送部材であるミキサー（２３）及び
、トナー供給ローラ（２４）を設け、ミキサー　（２３
）及びトナー供給ローラ（２４）の回転作用により、現
像剤保持体でありアルミニウムローラ上に無電解ニッケ
ル（Ｎｉ）メツキが成される現像ローラ（２６）にトナ
ー（２０）を供給すると共に、この現像ローラ（２６）
の外周に薄層化規制部材であり、厚さ約０．５（＋ａｍ
）のステンレス製（ＳＯ３３０４）のコーティングブレ
ード（２７）を当接させるものである。そしてこれによ
りコーティングブレード（２７）及び現像ローラ（２Ｇ
）の接触部を通り抜けたトナー（２０）は、現像ローラ
（２６）上に厚さ約３０〔μｍ〕の薄膜層状にコーティ
ングされ、現像ローラ（２６）に間隙（Ｇ）で近接対向
される像担持体である感光体（２８）上の静電潜像を現
像するようになっている。

しかしながらに、このような装置にあっては、トナー（
２０）が、現像ローラ（２６）及びコーティングブレー
ド（２７）との間の摩擦帯電により帯電され、更に、ト
ナー（２０）と現像ローラ（２６）相互の静電引力によ
り、現像ローラ（２６）の回転に連れて回転搬送される
事から、非常に簡単な構造でしかもマグネットローラを
必要とする事無く、コスト面でも有利でカラー化にも適
しているものの、長時間使用する間にトナー（２０）及
び現像ローラ（２６）との摩擦により、コーティングブ
レード（２７）が摩耗してしまい、現像ローラ（２６）
への押圧が不充分となり、トナー（２０）は充分な摩擦
帯電を得られず、現像濃度が低下し、地かぶりや文字の
かすれ、あるいは画像濃度の不均一により画質の劣下を
生じたり、更に未帯電トナーが現像ローラ（２６）上か
ら飛散し、本体内部を汚損するという問題を有すると共
に、その材質上、コーティングブレード（２７）とトナ
ー（２０）及び現像ローラ（２６）との摩擦係数が大き
く、現像装置の駆動トルクが増大されるという問題も有
している。

しかもこの様な装置において、感光体（２８）として、
一般に良く使用される負帯電用オーガニックフォトコン
ダクタ−（以下ＯＰＣと称す。）を用いた場合、トナー
（２０）は正極性に帯電するものが要求されるが、通常
樹脂やカーボンあるいはシリカ等の、トナー（２０）を
構成する物質は、金属との摩擦帯電時にあっては正極性
に帯電しにくいという特性を有している。

このため二成分現像剤にあってはキャリアをテフロンコ
ートする等によりトナーの正極性の帯電を助長するとい
う手段が取られることもあるが、−成分トナーにあって
はこの様な手段を取る事が出来ず、均一かつ充分に正帯
電されたトナー層を得にくいという問題も有している。

即ち、この様な装置において、カラー化等装置の多様化
に伴い、種々特性の異る感光体（２８）が使用されると
、トナー（２０）もこれに適したものが使用される事と
なるが、これに対し、現像ローラ（２６）及びコーティ
ングブレード（２７）は通常同じものが使用され、トナ
ー（２０）によっては充分な帯電々荷を得られず、帯電
不足になったり、あるいは逆に異常に帯電し過ぎたりし
て、画質の劣化を招いている。

（発明が解決しようとする問題点） 従来は、現像ローラとの摩擦によるコーティングブレー
ドの摩耗によりトナーの帯電不足を生じたり、あるいは
現像ローラやコーティングブレードがトナーの特性に適
しておらず、トナーの帯電不足あるいは帯電のし過ぎを
招き、ひいては画質の劣下を生じたり、周囲を汚損する
と共に、摩擦係数が大きい事から現像装置の駆動トルク
が増大されるという欠点を有している。そこで本発明は
上記欠点を除去するもので、駆動トルクの縮小を図ると
共に、コーティングブレードの摩耗を生じる事無く、シ
かも種々のトナーにあっても充分な帯電を得る事が出来
、長時間の使用にかかわらず、地かぶりや画像濃度の不
均一による画質の劣下を防止し、更にはトナー飛散によ
る本体内部の汚損を防止する事が出来る現像装置を提供
する事を目的とする。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段） 本発明は上記問題点を解決するために現像ローラとして
、その表面に、アルミニウム〔Ａｌ１、硼素〔Ｂ〕、炭
素〔Ｃ〕のうち少なくとも１つの原子を含有する第１の
セラミックスをコーティングしたものを用い、更にコー
ティングブレードとして、その表面にシリコン〔Ｓｉ〕
、ゲルマニウム〔Ｇｅ〕の少なくとも１つの原子を含有
する第２のセラミックスをコーティングしたものを用い
るものである。

（作　用） 本発明は上記手段によりコーティングブレード更には現
像ローラの摩耗を防止し、長時間の使用によっても、ト
ナーの帯電不足による地かぶりやかすれ等の画像の劣下
を防止すると共に、飛散トナーによる本体内の汚損防止
を図る一方、現像ローラの駆動トルクを軽減し、更には
、使用するトナーの特性に応じて最適な電荷付与を行な
い画質の向上を図るものである。

（実施例） 以下本発明の一実施例を第１図ないし第６図を参照しな
がら説明する。画像形成装置本体（２９）内の負極性Ｏ
ＰＣからなる像担持体である感光体（３０）周囲には感
光体（３０）表面を約−６００（Ｖ）に帯電する帯電装
置（３１）、画像情報を照射する露光位置（３２）、現
像装置（３３）、転写チャージャ（３４）、クリーニン
グ装置（３６）、除電ランプ（３７）が設けられている
。

また、画像形成装置本体（２９）内の上部側には原稿を
露光する光学系（３８）が設けられるとともに、上部側
には給紙カセット（４０）が装着されている。更に給紙
カセット（４０）より排紙トレイ（４１）に至る搬送路
（４２）中には、レジストローラ（４３）、定着器（４
４）、および排紙ローラ（４６）が設けられている。

次に上記現像装置（３３）について詳述する。現像装置
（３３）にあっては、アルミニウム〔Ａｌ１のローラ（
４７ａ）表面を、サンドブラストで表面粗さ約３．０〔
μｍＲｚ）となるように表面処理し、更に後述するプラ
ズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎのＩＩ）装置（８０）により、第１のセラ
ミックスである酸化アールミニラム［Ａｌ□Ｏ１］の被
膜を約２〔μｍ〕コーティングした第１の表面層（４７
ｂ）を有する現像剤保持体である現像ローラ（４７）が
、感光体（３０）と約２５０〔μ園〕の間隙を介するよ
う設けられている。この現像ローラ（４７）には、周波
数２　（ｋＨｚ）、実効値が６７０（Ｖ）　ノＡＣ電圧
と、−２００（Ｖ）のＤＣ電圧との重ね合わせ電圧が印
加されており、図示しない駆動手段により、感光体（３
０）の１〜３倍の周速で回転可能とされている。

又、現像装置！　（３３）の筐体（３３ａ）内には、磁
性粉を１０〔重量％〕金含有る、現像剤である正帯電非
磁性−成分のトナー（４８）が収容されると共に、ミキ
サー（５０）、トナー供給ローラ（５１）が配設されて
いる。更に現像装置（３３）内には、上端部がホルダ（
５２）により保持され、下端部が現像ローラ（４７）に
当接され、トナー（４８）を薄層化し、現像ローラ（４
７）にコーティングするための薄層化規制部材であり、
ステンレス（ＳＵＳ　３０４）製の厚さ約０．５〔１ｌ
ＩＩ〕のブレード（５３ａ）表面に後述するプラズマＣ
ＶＤ装置（５６）により第２のセラミックスである非晶
質シリコン（以下（ａ−３ｉ）と称す、）の被膜を約２
〔μｍ〕コーティングした第２の表面層（５３ｂ）を有
するコーティングブレード（５３）、及び現像後にトナ
ー（４８）を回収するよう現像ローラ（４７）に当接さ
れる回収ブレード（５４）が設けられている。

尚、次に現像ローラ（４７）への酸化アルミニウム（ｏ
ｔｏａ）のコーティング、及びコーティングブレード（
５３）への（ａ−Ｓｉ）のコーティングについて詳述す
る。先ずコーティングブレード（５３）にあっては第４
図に示すようにプラズマＣＶＤ装置（５６）の真空チャ
ンバー（５７）内にはヒータ（５８）を内蔵する平板状
の接地電極（６０）と、マツチングボックス（６１）を
介し、周波数１３．５６（ＭＨｚ）の高周波電源（６２
）より電圧が印加される高周波電極（６３）が対向して
設置されている。又、真空チャンバー（５７）には１図
示しないガス供給系よりモノシランガス（Ｓｉｌ１４）
やメタンガス（ＣＨ４）等の必要とするガスを導入する
ガス導入管（６５）及び排気を行なう排気管（６４）が
設けられている。そして先ずブレード（５３ａ）を機械
的に加工製造した後、真空チャンバー（５７）内の接地
電極（６０）上にセットし、真空チャンバー（５７）内
を一担約１０″″”　（Ｔｏｒｒ）に排気すると共に、
膜の密着性を良くするよう、ヒータ（５８）によりブレ
ード（５３ａ）を約３００〜５００（’Ｃ）に加熱する
。そしてガス導入管（６５）を介しガス供給系（図示せ
ず）より、モノシランガス（ＳｉＨ２）を１０１００（
ＳＣＣ、真空チャンバー（５７）に導入し、真空チャン
バー（５７）内を約１　（Ｔｏｒｒｌに保持する０次い
で高周波電源（６２）により高周波電極（６３）！、−
１００ｍ（７）高周波電力を約３０〔分〕印加し、ブレ
ード（５３ａ）上に厚さ約２〔μｍ〕の１０１０（Ωｃ
＋＋）　ｉ型の（ａ−３Ｌ）の第２の表面層（５３ｂ）
をコーティングし、コーティングブレード（５３）の形
成を終了する。

次に現像ローラ（４７）にあっては、第５図及び第６図
に示すように、プラズマＣＶＤ装置（８０）の反応室（
８１）には、その下端に複数個の排気口（８２）が設け
られた底部部材（８３）が絶縁体（８４）を介して取付
けられている。反応室（８１）は、メカニカルブースタ
ポンプ及び油回転ポンプ（図示せず）等により排気口（
８２）を介して排気され、約１０−３トルの真空度に保
持されるようになっている。反応室（８１）内には、ガ
ス導入口（８５）を介して種々の原料ガスが導入される
。

反応室（８１）の上方には１．ＩＩ！ｉａ体８６を介し
て収納室（８７）が設置されており、収納室（８７）は
絶縁体（８６）により反応室（８１）と電気的に絶縁さ
れている。

また、収納室（８７）は反応室（８１）と仕切板（８８
）により仕切られている。仕切板（８８）には、複数個
の支持ロッド（８９）がその長手方向を鉛直にして挿通
されている。各ロッド（８９）には、カラー（９０）が
嵌合されてロッド（８９）に固定されており、カラー（
９０）が仕切板（８８）に係止されることにより、ロッ
ド（８９）が抜は落ちないようになっている。ロッド（
８９）の上端部には、駆動手段のギア（９２）が嵌合さ
れており、その下方にてロッド（８９）に嵌合して固定
された押え（９１）により、ギア（９２）がロッド（８
９）に支持されている。各ギア（９２）は隣接するもの
同士が相互に噛合しており、駆動装置により中央のギア
が回転駆動されると、全てのギア（９２）が回転し、支
持ロッド（８９）が回転するようになっている。

各支持ロッド（８９）の下端部には、雌ネジ（図示せず
）が形成されており、ローラ（４７ａ）の上端部には、
雄ネジ（図示せず）が形成されている。成膜すべきロー
ラ（４７ａ）の上端部には、雄ネジ（図示せず）が形成
されていて、ローラ（４７ａ）と支持ロッド（８９）と
を螺合することにより、ローラ（４７ａ）がロッド（８
９）に取り付けられる。駆動装置（９４）が収納室（８
７）の上方に設けられており、この駆動装置（９４）の
駆動によりギア（９２）が回転すると、ローラ（４７ａ
）はその軸を回転中心として回転する。

第　図に示すように、ローラ（４７ａ）は、反応室（８
１）内にその実質的に中央にて一列に配列するように配
設されている。そして、この支持体列を挟むようにして
、その両側に、一対の平板状の電極（９５）　、　（９
６）が対設されている。電極（９５）　、　（９６）に
は、多数の孔が開設されており、ガス導入口（８５）を
介して反応室（８１）内に導入されたガスはこの孔を介
して反応室（８１）の中心部に供給される。電極（９５
）　。

（９６）は反応室（８１）と同一の電位になるように反
応室（８１）に取り付けられている。そして、この電極
（９５）　、　（９６）は、マツチングボックス（９７
）を介して高周波電源（９８）に接続されている。

そして反応室（８１）内の支持ロッド（８９）に複数個
のローラ（４７ａ）を取り付けた後、駆動装置（９４）
によりローラ（４７ａ）を適宜の速度で自転させると共
に、反応室（８１）内を約１０−”　（Ｔｏｒｒ）に排
気し、更に排気を継続しつつ、ガス導入口（８５）を介
してトリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨａ）ａｌを３
０（ＳＣＣＭ）　、オゾン〔Ｏ，〕を１０１００（ＳＣ
Ｃ、水素〔Ｈ２〕　を１０１０００（ＳＣＣの流量で導
入し１反応室（８１）内を約１　（Ｔｏｒｒ）に保持す
る。次いでマツチングボックス（９７）を介して高周波
電源（９８）から４００（Ｗ）（７）高周波電力を電極
（９５）　。

（９６）に印加する。これにより、電極（９５）　、　
（９６）間に生起されるプラズマにより、ローラ（４７
ａ）上に酸化アルミニウム（Ａｌ、０．〕の第１の表面
層（４７ｂ）が約２〔μｍ〕の厚さで均一にコーティン
グされ現像ローラ（４７）の形成を終了する。

次に上記現像ローラ（４７）及びコーティングブレード
（５３）を有する本発明の現像装置（３３）による作用
について述べる。コピーが開始されると、感光体（３０
）が矢印Ｘ方向に回転されると共に各画像形成手段が作
動され、感光体（３０）表面は帯電装置（３１）により
一様に−６００（Ｖ）に帯電される０次いで光学系（３
８）により露光位置（３２）で露光され、感光体（３０
）上には静電潜像が形成され現像装置（３３）に達する
。一方この時現像装置（３３）にあってはＡＣ６７０（
Ｖ）とＤＣ−２００（Ｖ）の重ね合わせ電圧が印加され
る現像ローラ（４７）が、感光体（３０）の周速とほぼ
等速となるよう矢印ｙ方向に回転されており、トナー（
４８）は、感光体（３０）及びコーティングブレード（
５３）との摩擦により正帯電され、現像ローラ（４））
表面に静電的に吸着し、感光体（３０）に対向す　　　
□る位置に搬送され静電潜像の現像を行なう事となる。

そして現像ローラ（４７）上に残留したトナー（４８）
は回収ブレード（５４）を介して現像装置（３３）内に
回収される。一方転写位置にあっては、感光体（３０）
上のトナー像と同期して給紙カセット（４０）から用紙
（図示せず）が供給されており、転写チャージャ（３４
）により、トナー像が用紙に転写される。

この後、用紙は搬送路（４２）に沿って定着器（４４）
へと搬送され、ここで定着された後、排紙ローラ（４６
）を介して排紙トレイ（４１）に排出される。又。

転写後、感光体（３０）はクリーニング装置（３６）、
除電ランプ（３７）を経て次のコピー可能とされる。そ
して以上のようなコピーサイクルを繰り返えす事により
、必要な枚数のコピーを得る事となる。尚この様にして
コーティングブレード（５３）に２．０（ｋｇ）の線荷
重をかけて１０〔方杖〕のテストコピーを行なったとこ
ろ、ステンレス（ＳＯ５３０４）のみからなる従来のコ
ーチインブレード及びサンドブラストで粗したアルミニ
ウムローラ上に無電解ニッケル［Ｎｉ］メツキが施され
る従来の現像ローラを用いた装置にあっては、現像ロー
ラとの接触部においてコーティングブレードが約２〔μ
禦〕削れ、線荷重の減少により現像ローラ上のトナー搬
送量が低下し、充分な画像濃度が得られなかったのに対
し、本実施例のコーティングブレード（５３）の現像ロ
ーラ（４７）との接触部分は削られる事無く、１０［方
杖］以後のコピーにおいても画像濃度が低下されずに、
良好な画像が得られた。又、このテストコピーにおいて
、コーティングブレードに２．０（ｋｇ）の線荷重をか
けた時、従来のステンレス製コーティングブレード及び
アルミニウムローラ上に無電解ニッケルメッキが施され
る現像ローラを使用した場合、現像ローラの駆動トルク
が２　、５　（ｋｇ　３　）であったのに対し、本実施
例の酸化アルミニウム［Ａｌ□０２］の第１の表面層（
４７ｂ）をコーティングした現像ローラ（４７）及び（
ａ−Ｓｉ）の第２の表面層（５３ｂ）をコーティングし
たコーティングブレード（５３）を使用した場合は、現
像ローラ（４７）の駆動トルクは１　、８　（ｋｇ　ｃ
ｌ）となり、コーティングブレード（５３）に（ａ−５
ｉ）の第２表面層（５３ｂ）をコーティングし、現像ロ
ーラ（４７）に酸化アルミニウム（ｕｉｏｉ）の第１の
表面層（４７ｂ）をコーティングする事により、現像ロ
ーラの駆動トルクはかなり軽減される事が判明した。更
にこの実施例において、現像装置（３３）内の現像剤の
みを、スチレン−アクリル樹脂にカーボン（Ｃ）を４〔
重量％〕、その他添加剤を４〔重量％〕混入してなる正
帯電非磁性−成分のトナーと交換して、その摩擦帯電を
行なったところ、従来のステンレス製のコーティングブ
レード及びアルミニウムローラに無電解ニッケルメッキ
を施した現像ローラを使用した場合、帯電量は＋１０〔
μＣ／ｇ）でありコピー像に地かぶりが見られたのに対
して、トナーの帯電量は＋１２〔μＣ／ｇ）まで増加さ
れ、コピー像も地かぶりを生じる事無く良好であった。

この様に構成すれば、コーティングブレード（５３）は
、耐摩耗性にすぐれた（ａ−５ｉ）の第２の表面層（５
３ｂ）を有する事から、その長時間の使用によっても、
現像ローラ（４７）との摩擦により削られ変形する事が
無く、常に現像ローラ（４７）に対して一定の線荷重を
かける事が出来、トナー（４８）に充分な帯電々荷を付
与出来、現像時、地かぶりや濃度の不均一を生じる事無
く良好な画像を得られ、しかも飛散トナーを生じる事も
無く、本体内のトナーによる汚損も防止される。又、従
来のコーティングブレード及び現像ローラに比し、コー
ティングブレード（５３）及び現像ローラ（４７）の摩
擦係数が小さく、ひいては現像ローラ（４７）の睨動ト
ルクを軽減出来、その駆動源の小型、軽量化の促進を図
れる。更に現像ローラ（４７）の第１の表面層（４７ｂ
）を形成する酸化アルミニウム［Ａｌ、　０３　］が絶
縁性を有すると共にコーティングブレード（５３）表面
の（ａ−５ｉ）も高抵抗である事から、従来のステンレ
ス製コーティングブレード及び無電解ニッケルメッキを
施した現像ローラに比し、トナーの帯電量を向上する事
が出来、ひいては帯電しにくいトナーを用いた場合にも
充分な帯電を得られ、地かぶりやかすれ等を生じる事無
く画質の向上が図られる。

尚１本発明は上記実施例と限定されず種々設計変更可能
であり１例えば現像剤保持体の表面にコーティングされ
る第１のセラミックスは、アルミニウム［Ａｌ］、硼素
（Ｂ）、炭素〔Ｃ）原子のうち少なくとも１つを含有す
るものであれば、その材質は限定されないし、又、薄層
化規制部材の表面にコーティングされる第２のセラミッ
クスも、シリコン（Ｓｉ）あるいはゲルマニウム［Ｇｅ
］のうち少なくとも１つの原子を含有するものであれば
、材質は限定されず、第１のセラミックスの代表的なも
の及びその成膜条件を〔表・１〕に示すと共に、第２の
セラミックスの代表的なもの及びその成膜条件〔表・２
〕■ないし〔表・２〕■に示す。但し、第２のセラミッ
クスのうちゲルマニウム（Ｇｅ）を含有するものはシリ
コン（Ｓｉ）を含有するものに比し、機械的強度が少し
劣ると共に、光学的バンドギャップ及び比抵抗は小さく
なる。

（以下余白） 但しセラミックスは他の物でも良いし、使用ガスも、ア
ルミニウム原子を含有するセラミックスを成形するため
、トリエチルアルミニウム（Ａｌ（ｃａｎｓ）３）　、
炭素原子を含有するセラミックス成形のため、エチレン
［：Ｃ２Ｈ，］、アセチレン（ｃｉ　Ｈ２）　。

硼素原子を含有するセラミックス形成のため、３フッ価
硼素（ＢＦ、）　、３塩化硼素［ＢＣｌ３］等であって
も良く、シリコン［Ｓｉ３あるいはゲルマニウム（Ｇｅ
）含有ガスも任意であり、その地圧力や温度等、成膜条
件も任意である。更に第２のセラミックスは、非晶質の
もののみで無く、シリコン（Ｓｉ）あるいはゲルマニウ
ム（Ｇｅ）を含有する多結晶あるいは微結晶のセラミッ
クス等であっても良い。

又、実施例のプラダｖ　ｃｖｏ装置ａ　（５６）　、　
（８０）　４：より形成される第１及び第２のセラミッ
クスにあっては、使用ガスに応じて１例えばジボランガ
ス（Ｂ、　Ｈ，）を用いた場合は水素〔Ｈ〕元素が、又
３フッ価硼素（ＢＦ３　）を用いた場合はフッ素（Ｆ）
元素というように水素あるいはフッ素等のハロゲン元素
が０．１〜４０［ａｔｏ■ｉｃ％］含有され、その含有
量は基板温度及び高周波電力を高めにすると減少され、
逆に低くすると増加される。そして一般に、水素あるい
はハロゲン元素の含有量が少ない程、セラミックスはそ
の硬度が高くなり、逆に含有量が多いと硬度が低減され
る事から、水素あるいはハロゲン元素の含有量を調節す
る事により所望の硬度のセラミックスを容易に得られる
事となる。更には炭素〔Ｃ〕、窒素〔Ｎ〕、酸素〔Ｏ〕
のうちどの元素を含有するかによっても、セラミックス
又は比抵抗及び機械的強度が変動され、例えば、（ａ−
５ｉ）にあっては、水素あるいはハロゲン元素の含有量
が同一である場合には、非晶質シリコン（ａ−５ｉ）が
最も光学的バンドギャップ及び比抵抗が小さく、次いで
炭素（Ｃ）を含有する非晶質炭化シリコン（ａ−５ｉＣ
）、窒素（Ｎ）を含有する非晶質窒化シリコン（ａ−５
ｉＮ）、酸素〔Ｏ〕を含有する非晶質酸化シリコン（ａ
−５ｉＯ）の順に大きくなる。又１機械的強度について
も同様であり、ビッカース硬度で言うと（ａ−５ｉＣ）
が（２５００）といちばん大きく１次いで（ａ−５ｉＮ
）が（２０００）、（ａ−ＳｉＯ）が（１５００）、（
ａ−５ｉ）が（１０００）というように順に小さくされ
る。

この他、使用ガスの選択及び混合比のコントロールによ
り種々の特性を有するセラミックスを得る事が出来き、
例えば硼素〔Ｂ〕、アルミニウム（Ａｌ）等の周期律表
第■族の元素をドーピングする事により導電型をｐ型に
したり、あるいは窒素〔Ｎ〕。

リン（Ｐ）等の周期律表第■族の元素をドーピングして
導電型をｎ型にする等の価電子制御を行なえ、更には電
気抵抗を１０”（Ω１〕程度から１０３〔Ω〔〕程度迄
変動出来、使用する現像剤の特性に適したセラミックス
を容易に得る事が出来る。尚周期律表第■族及び第■族
のドーピング量は、−般にＩ　Ｘ　１０−’　〜〔ａｔ
ｏｍｉｃ％］程度とされ、例えば〔表・２〕に示すよう
にモノシランガス［ＳｉＨ４］やゲルマンガス（ＧｅＨ
４）に対する流量比がｌＸｌ０−”程度であれば０．０
１〜０．１（ａｔｏｉａｉｃ％〕となる一方、流量比が
ｌＸ１０−’程度テアレばＩ　Ｘ　１０−’　〜Ｉ　Ｘ
　１０−’〔ａｔｏｍｉｃ％〕となる。そして例えば現
像ローラは同じものを使用し、このようにして得られた
第２のセラミックスをコーティングしたコーティングブ
レードを用い、各種現像剤との適性を判明するためのテ
スト現像を行なったところ〔表・３〕に示すような結果
が得られた。但し非晶質酸化シリコン（ａ−５ｉＯ）　
、非晶質窒化シリコン（ａ−３ｉＯ）については非晶質
炭化シリコン（ａ−５ｉＯ）とほぼ同様の結果が得られ
た。又、〔表・３〕のセラミックスより、低抵抗のセラ
ミックスを必要とする場合は、ゲルマニウム（Ｇｅ）を
含有するセラミックスを用いると、より良好な結果が得
られる事がテストにより確認〔表・３〕 尚セラミックスのコーティングの方法もＣＶＤ方法に限
定されずスパッタリング方法、イオンブレーティング方
法、真空蒸着方法等任意であり、使用ガスも限定されな
い、そして例えばスパッタリング方法を行なうには、第
７図に示す変形例のスパッタリング装置（６５）のよう
に、真空チャンバー（６６）内にヒータ（６７）を内蔵
する平板状の接地電極と、支持体（７０）に支持されマ
ツチングボックス（７１）を介し高周波電源（７２）に
より電圧を印加される固体原料からなるターゲット（７
３）を対向させ。

更にガス導入管（７４）及び排気管（７６）を設けるよ
うにすれば良い、そして前述の実施例と同様にステンレ
ス製のブレード（７７）に（ａ−５ｉ）の表面層を形成
する場合、ターゲット（７３）として単結晶あるいは多
結晶シリコン（Ｓｉ）を設け、接地電極（６８）にブレ
ード（７７）をセットし、排気管（７６）より排気を行
ない、真空チャンバー（６６）内を１．０Ｘ１０″″’
　（Ｔｏｒｒ）を保持し、更にヒータ（６７）によりブ
レード（７７）を約３００〜５００（’Ｃ）に加熱する
。そしてガス導入管（７４）よりアルゴン（Ａｒｌを１
０（ＳＣＣＭ）、水素ガス〔Ｈ３〕を１０１００（ＳＣ
Ｃ導入しながら、高周波電源（７２）により。

単結晶あるいは多結晶シリコン（Ｓｉ）からなるターゲ
ット（７３）に周波数１３．５６［ＭＨｚ）の高周波電
力５００（ｖ）を約３０〔分〕印加し、ブレード（７７
）上に厚さ約２〔μ履〕の（ａ−３ｉ）の被膜のコーテ
ィングを行なうものである。尚、このスパッタリング装
置Ｉ！（６５）によりコーティングされる代表的なセラ
ミックス及びその成膜条件を〔表・４〕に示す。

（以下余白） 又、現像剤の帯電特性や帯電極性あるいは添加物の材質
や添加量等も全く任意である。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、長時間の使用によ
っても薄層化規制部材及び現像剤保持体は摩耗される事
が無く、現像剤に充分な電荷を付与出来、地かぶりや画
像濃度低下を来たす事無く良好な画像を得られると共に
、飛散トナーによる汚損も防止出来る。しかも、セラミ
ックス中に含有される元素及びその含有量を変える事に
よりセラミックスの導電型、電気抵抗、硬度を容易に調
整出来、現像剤の特性に適したセラミックスを容易に得
る事が出来１種々の像担持体、及び現像剤の使用が可能
となり、機能も図られる。又、従来に比し薄層化規制部
材及び現像剤保持体の摩擦係数が小さく、現像剤保持体
への負荷が軽減される事から、現像剤保持体の駆動トル
クを減少出来、ひいては駆動源の小型軽量化が可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第６図は本発明の一実施例を示し、第１図
はその本体の概略説明図、第２図はその現像装置の断面
図、第３図はその現像ローラ及びコーティングブレード
の一部断面図、第４１１はその第２のセラミックスをコ
ーティングするプラズマＣＶＤ装置の概略説明図、第５
図はその第１のセラミックスをコーティングするプラズ
マＣＶＤ装置の概略縦断面図、第６図はその第５図にお
ける概略横断面図、第７図は他の変形例のスパッタリン
グ装置を示す概略説明図、第８図は従来の現像装置を示
す断面図である。 ２９・・・画像形成装置本体、　　　３０・・・感光体
、３３・・・現像装置、　　　　　　　４７・・・現像
ローラ、°４７ｂ・・・第１の表面層、　　　　　５３
・・・コーティングブレード、５３ｂ・・・第２の表面
層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、薄層化規制部材により薄層化された現像剤を有する
   現像剤保持体により像担持体上の静電潜像を現像するも
   のにおいて、前記現像剤保持体がアルミニウム〔Ａｌ〕
   、硼素〔Ｂ〕、炭素〔Ｃ〕のうち少なくとも１つの原子
   を含有する第１のセラミックスからなる第１の表面層を
   具備し、前記薄層化規制部材が、シリコン〔Ｓｉ〕、ゲ
   ルマニウム〔Ｇｅ〕の少なくともいづれか１つの原子を
   含有する第２のセラミックスからなる第２の表面層を具
   備する事を特徴とする現像装置。 ２、第１のセラミックスが、窒素〔Ｎ〕、炭素〔Ｃ〕、
   酸素〔Ｏ〕、水素〔Ｈ〕、ハロゲンのうち少なくとも１
   つの元素を含有する事を特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の現像装置。 ３、第１のセラミックスが、水素〔Ｈ〕又はハロゲンを
   １〜４０〔ａｔｏｍｉｃ％〕含有する事を特徴とする特
   許請求の範囲第２項記載の現像装置。 ４、第２のセラミックスが、窒素〔Ｎ〕、炭素〔Ｃ〕、
   酸素〔Ｏ〕、水素〔Ｈ〕、ハロゲンのうち少なくとも１
   つの元素を含有する事を特徴とする特許請求の範囲第１
   項ないし第３項のいづれかに記載の現像装置。 ５、第２のセラミックスが、水素〔Ｈ〕又はハロゲンを
   １〜４０〔ａｔｏｍｉｃ％〕含有する事を特徴とする特
   許請求の範囲第４項記載の現像装置。 ６、第２のセラミックスが、周期律表第III族又は周期
   律表第Ｖ族のいづれかの元素を含有する事を特徴とする
   特許請求の範囲の第１項ないし第５項のいづれかに記載
   の現像装置。 ７、第２のセラミックスが、周期律表第III族又は周期
   律表第Ｖ族のいづれかの元素を１×１０＾−＾６〜１〔
   ａｔｏｍｉｃ％〕含有する事を特徴とする特許請求の範
   囲第６項記載の現像装置。