JPS63217379A

JPS63217379A - 現像剤供与部材およびその製造方法

Info

Publication number: JPS63217379A
Application number: JP5179587A
Authority: JP
Inventors: Toshiya Natsuhara; 敏哉夏原; Mochikiyo Osawa; 大澤　以清
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 1987-03-05
Filing date: 1987-03-05
Publication date: 1988-09-09

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は現像剤供与部材、特に、電子写真複写機の現像
器における現像剤供与部材に関する。

従来の技術カールソン法に代表されるごとく、−Ｍに、電子写真複
写法においては、先導蛋性を有する：ざ光体上に帯電お
よび露光工程により静電潜イ象を形成し、その後、トナ
ーとキャリアとからなる二成分系現像剤あるいはトナー
だけからなる一成分系現像剤を回転可能な現像剤供与部
材周面に保持し、これを前記静電潜像に接触せしめ、ト
ナー像として顕像化する現像工程が用いられる。

従来よりこれらの現像方法における問題点の一つとして
いわゆるカブリ現象があることは周知の事実である。こ
れは静電潜像形成工程において感光体上露光部の電荷が
完全に消滅しない状態で現像を行なうために残留電荷に
よりトナーが静電的に付着し、その結果、複写物が全体
的に汚れた状態を呈する現象をいう。この様な問題を解
決するために、現像バイアス印加法が常用されている。

現像バイアス法とは、現像に際して感光体上の露光部の
有する残留電位と同極性で、かつ、それ以上の直流電圧
を現像剤供与部材側に設けた電極に印加せしめると共に
、この電極の対向電極となるべき前記感光体もしくは感
光体を構成するための一要素である導電性支持体を接地
に保って両者間に電界を形成せしめ、前記感光体の露光
部の有する帯電極性と印加バイアス電圧極性との反撥作
用を利用して、前記露光部へのトナー付着を防止する方
法である。上述したものは、感光体上に形成された静電
潜像と逆極性の電荷を持つトナーによって現像動作を行
なう正規現像に関するものであるが、潜像と同極性の電
荷を持つトナーを使用する反転現像の場合においても、
極性あるいは電位量等に差異はあるものの、同様の手法
によりバイアス電圧が印加される。この現像バイアス印
加法は、カブリ現象を防止するためには有効な方法では
あるが、反面それに付随して新たな問題を引き起こす。

例えば、前記現像剤供与部材側電極および前記感光体側
電極間が電気的にリークした場合、現像バイアスの低減
によるカブリ現象を生じせしめることがある。このよう
な電気的リークの発生要因には幾つかのものが挙げられ
るが、例えば、二成分現像の場合において現像剤のキャ
リアとして常用される磁性体粒子が感光体層を貫通し、
導電性基板にまで達したような場合に発生する。この現
象は感光体が低硬度な時しばしば発生する。持に、最近
進歩が著しい有機感光体は、硬度が低いため問題となる
。また、感光体上に往々にして発生ずる感光層のいわゆ
るビンポール状の欠陥部においても、二成分現像ではキ
ャリアとして常用される磁性体粒子と感光体の導電性基
板とが接触した場合、また、−成分現像では前記現像剤
供与部月側電極と感光体の導電性基板とが直接接触した
場合に発生する。このような現象に基づくいわゆるバイ
アス落ちは、リークが発生した部分のみならずリーク発
生時に現像剤と感光体が接している部分全体に影響が及
ぶため、実用の複写機においては画像上に帯状のカブリ
が発生し、リーク発生自体はわずかの欠陥部位における
現象であるにもかかわらず画像品位を著しく損なう。

一方、−成分現像の場合においては静電潜像の極性並び
に正規現像か反転現像かの種別に応じて現像前にトナー
を所定の極性に帯電させる必要があり、例えば、トナー
と摩擦帯電序列において隔たっている摩擦帯電ブレード
を使用する方法や、コロナ帯電器によりトナーを帯電さ
せる方法や、バイアス電圧の印加された金属ブレードを
トナーと接触きせてトナーに電荷を付与して帯電させる
方法等が考えられている。しかしながら、摩１察帯電ブ
レード方法はトナーの帯電量が不充分なため高速現像に
は適ざないとか、充分にトナーを帯電させるために多数
の摩擦帯電ブレードを配置しなければならないという問
題があった。コロナ放電器による方法は、コロナ帯電時
トナーが電界の作用で飛散したり、トナ一層の内部まで
充分に帯電しない等の問題を有していた。また、金属ブ
レードによる電荷付与方法は、上述の問題は少ないもの
の、現像剤供与部材を導電性にして金属ブレードと現像
剤供与部材との間に電位差を形成し、この間を通過する
トナーを帯電きせるため、現像時、現像剤供与部材によ
る電極効果が効き過ぎてエツジ効果がでないという現象
が生ずる。即ち、−成分トナーを用いる現像においては
、現像剤供与部材上のトナ一層厚は、高々５０ｕｍであ
るため、静電潜像面と現像剤供与部材表面とがトナ一層
厚以下に接近するため極めて大ぎな電極効果が生じ、従
って、階調性が悪く、低濃度原稿の再現性が悪いといっ
た問題があった。

これらの問題点を解決するために現像剤供与部材に高抵
抗層或は高硬度層を被覆する手法がある。

即ち、感光体と現像剤供与部材との間に常に一定の抵抗
層を介在させることによって、前述した如きいわゆるバ
イアス落ち、帯電量不足あるいは過大な電極効果を防止
しようとするものである。

例えば、特開昭５１−６７３０号公報には、エンドレス
部材表面にアルマイト処理による高抵抗層、あるいは、
珪素樹脂、尿素樹脂、メラミンＦＡ脂、ポリビニールブ
チラール樹脂等による被覆層を設けた電子写真複写法に
おける現像方法が開示されている。また、特開昭５５−
４６７６８号公報には、現像剤供与部材に体積固有抵抗
率が１０８Ωｃｍ乃至１０１５ｃｍのシリコンゴム、ネ
オプレンゴム、ニトリルゴム等による表面層を約５ｍｒ
口設けた静電潜像現像装置が開示されている。

しかし、これらの開示に見られるような現像剤供与部材
に樹脂系の高抵抗層或は高硬度層を被覆しただけでは、
樹脂系被ｉ層の摩擦係数が低いため、現像剤供与部材の
本来の機能としての現像剤の搬送性が確保されず好適な
画像濃度を得ることができない。そこで現像剤供与部材
表面に微小な凹凸を形成し現像剤の担持性能を向上させ
ることが有効となるが、これらの被ｒｒＬ層に対し従来
そのような微細加工を施す手段並びにそのような微細加
工を施せるような材料はなかった。

発明が解決しようとする問題点前述した如きバイアス落ち、帯電量不足あるいは過大な
電極効果による画像品位の低減を解決するために、現像
剤供与部材に被覆層を設ける技術において、この被覆層
は相応の高抵抗を有する必要がある。また、この被覆層
は、複写機内での実使用時にしばしば発生する現像剤に
よる汚染あるいは他部材との接触摩耗による傷を発生し
ないように、現像剤との融着性が低くかつ高硬度な材↑
こ［を用いる必要がある。また、この被Ｆｔ層は、現像
剤供与部材上に設けられた被覆層全域にわたっていわゆ
る抵抗値のムラを有きず、さらにこの１１２　ｍ層と前
記感光体との間のいわゆる現像ギャップを一定に保つた
めに、均質で均等な膜ｋを有するＩＩＡでなくてはなら
ない。ざらに、このような被覆層を有する現像剤供与部
材は充分な現像剤の搬送性能を備える必要がある。しか
しながら、従来技術は必ずしもこれらの性能を満足する
ものとはいえず、より高性能な被覆層が必要とされてい
た。

本発明は、これらの問題点を全て解消するとＪＩ、に、
従来とは全く材料も製法も異なる被覆層を有する現像剤
供与部材を提供しようとするものである。

問題点を解決するための手段即ち、本発明の現像剤供与部材は、フルオロアルキルシ
ランガスを真空中グロー放電によりプラズマ重合せしめ
た有機重合膜により被覆され、かつ、この有機重合膜が
線条凹凸を有することを特徴とするものである。ざらに
、本発明の現像剤供与部材の製造方法は、フルオロアル
キルシランガスを真空中グロー放電によりプラズマ重合
せしめた有機重合膜により被覆する工程と、この有機重
合膜に電子ビームを照射して潜像を形成する７エ程と、
この潜像をプラズマエツチングにより現像する工程とを
含むことを特徴とするものである。

本発明における有機重合膜の作製には、少なくとも一種
類のフルオロアルキルシランが用いられる。フルオロア
ルキルシランとしては、例えば、ＣＦ３ＣＨ２ＣＨ２Ｓ
ｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３ＣＨ２ＣＨ２５ｉＣ１３、Ｃ
Ｆ３（ＣＦ２）５ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣ１３、ＣＦ３（Ｃ
Ｆ２）５ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（Ｃ
Ｆ２）７ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣ１３、ＣＦ３（ＣＦ２）７
ＣＨ２ＣＨ２Ｓ　　ｉ　　（ＯＣＨ３）３、　ＣＦ　３
（ＣＦ　２）７ＣＨ２ＣＨ２Ｓ　ｉ　ＣＨ２Ｏｌ　２、
ＣＦ３（ＣＦ２）７Ｃ８２ＣＨ２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣ
Ｈ３）３、等が挙げられる。

これらの有機化合物の相状態は當温常圧において液体ま
たは固体であるが、加熱あるいは減圧等により容易に融
解を経て気化でき、従って本発明におけるプラズマ重合
反応はプラズマＣＶＤ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　　Ｖａｐ
ｏｒ　　Ｄｅｐｏｓｉｔ、１ｏｎ）の常法を用いて容易
に行なうことが可能である。即ち、気相状態にある少な
くとも一種類のフルオロアルキルシランを減圧下で放電
分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含まれる活性中性
種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力、あるいは磁
気力等により語感し、基板上での再結合反応により固相
として堆積させる、いわゆるプラズマＣＶＤ反応から重
合生成きれる。

これらの有機化合物ガスは、プラズマＣＶＤ反応におけ
る放電安定性、成膜安定性、あるいは、ガス供給安定性
等を保つために、例えば、水素、ヘリウム、アルゴン、
あるいは、キセノン等のキャリアガスと混合して用いる
ことができる。

また、これらの有機化合物ガスは、作製される有機重合
膜の電気的特性を調整するために、例えば、周期律表第
１１［族に属する原子を含むガス、周期律表第■族に属
する原子を含むガス、アルカリ金属原子を含むガス、あ
るいは、ハロゲン原子を含むガスと混合して用いること
ができる。

本発明における有機重合膜の膜厚は凸部において、１μ
ｍ乃至２ｍｍ、好ましくは１０μｍ乃至１ｍｍ、最適に
は１１００ｕ乃至５００μｍとすることが好ましい。膜
厚が１μｍより薄いと必要とされる抵抗値が必ずしも確
保されなくなり、また、耐摩耗性が低下し好ましくない
。膜厚が２ｍｍより厚いと抵抗値が高くなり過ぎ、また
、生産性の面からも好ましくない。また、この有機重合
膜の堆積速度は、０．０１μｍ／分乃至５０ｕｍ／分と
することが好ましい。堆積速度が０．０１μｍ／分より
低いと、生産性の面で好ましくない。

堆積速度が５０Ｌｔｍ／分より高いと有機重合膜の成膜
性が低下し、いわゆる荒れた股となり基板表面の被覆性
が低下し好ましくない。この有機重合膜の膜厚は、成膜
時間の調整により容易に制御可能である。また、この有
機重合膜の堆積速度は、使用するプラズマＣＶＤ装置の
形態により制御−）辻の差異はあるが、堆積速度を高く
するには、例えば、前記有機化合物の流量を増やす、印
加電力を大きくする、印加電力の周波数を低くする、基
板温度を低くする等の手段、あるいはこれらの手段の組
合せを用いることにより容易に制（卸可能である。

また本発明における有機重合膜中に含有される弗素原子
の量は０．１乃至３５原子％、好ましくは２乃至３０原
子％、最適には１０乃至２５原子％とすることが好まし
い。弗素原子の含有量が０゜１原子％より少ないと現像
剤による汚染あるいは他部材との接触摩耗による傷が発
生しやすくなり耐久性の面で好ましくない。弗素原子の
含有量が３５原子％より多いと前述の一成分現住におけ
る帯電量の低下を招き好ましくない。

また、本発明における現像剤供与部材の形状は、製法的
にも実用的にも特に限定を受けるものではなく、例えば
円筒形状あるいはベルト形状等を有することができる。

本発明における有機重合膜に設けられた線条凹凸は、フ
ルオロアルキルシランガスを真空中グロー放電によりプ
ラズマ重合せしめた有８！！重合膜に電子ビームを照射
して線条潜像を形成する工程と、この線条潜像をプラズ
マエツチングにより現像する工程から形成される。

線条潜像の形状は、前記現像剤搬送性能を満足しうるも
のであれば特に限定的ではないが、例えば、直線状、格
子状、螺旋状、多重螺旋状、等を有することができる。

本発明による有機重合膜は、電子ビーム描画により電子
ビーム照射部がプラズマエツチングにより凹部となるい
わゆるネガ型エツチング特性を有するが、成膜後口弗化
炭素プラズマ照射を行なう事によりエツチング特性をポ
ジ型に変更する事も可能である。この四弗化炭素プラズ
マ照射処理時間は、プラズマ条件並びに有機重合膜の股
厚笠により調整が必要であるが、概ね１分乃至３ｏ分程
度が適当である。また、四弗化炭素プラズマ照射は、有
機重合膜作製に用いたプラズマＣＶＤ装置をそのまま用
いて行なうことが可能である。

この有機重合膜における四弗化炭素プラズマ照射による
ネガポジ反転の効果は、四弗化炭素プラズマにより炭素
原子或は弗素原子が有機重合膜中７に取り込まれたか、
または、１弗化炭素プラズマにより真空装置に常用され
るステンレス製部材中の原子がスパッタにより有機重合
膜表面に付着したことに起因するものと考えられる。

本発明における有機重合膜の線条凹凸の形成方法におい
て、潜像形成工程には、電子ビーム描画の常法、例えば
、ベクタースキャン方式、或は、ラスタースキャン方式
等を用いる。電子ビームには、例えば、ポイント電子ビ
ーム、固定成形電子ビーム、あるいは、可変成形電子ビ
ーム等を用いることができる。また、本発明における現
像工程には、プラズマによるドライエツチングを用いる
。

以上のように、本発明においてはウェットプロセスを全
く用いることなく有機重合股上に任意の線条潜像パター
ンを形成することが可能である。

このようにして作製された線条凹凸の深さは、本発明現
像剤供与部材が用いられる現像器の種類によっても差異
があるが、凸部の有機重合膜の膜厚に対して凹部の有機
重合膜の膜厚が概ねＯ乃至９５％程度が好ましい。ここ
で、０％の意味するところは、エツチングにより凹部の
有機重合膜を完全に除去することであるが、本発明の一
形態に属する。また、線条凹凸の線幅は、本発明現像剤
供与部材が用いられる現像器の種類によっても差異があ
るが、凹部凸部何れにおいても概ね５μｍ乃至２ｍｍ程
度が好ましい。ここで、凹部と凸部の線幅は必ずしも等
しい必要はない。

次に、本発明について図面を参照しながら説明する。こ
こでは、本発明における現像剤供与部材の形状として円
筒形状を用いて説明するが、他の形状についても同様に
して本発明における現像剤供与部材を得ることができる
。

第１図（ａ）は、本発明の現像剤供与部材の断面図の一
例を示し、図中（１）は現像剤供与部材、（２）はバイ
アス印加電極となりうる導電性円筒形部材、（３）は本
発明有機重合膜からなる被覆層である。また、第１図（
ｂ）、（ｃ）は、本発明の現像剤供与部材の側面図であ
り、被ｒｒＬ層に設けられる線条凹凸の例を示している
。

第２図は、本発明における現像剤供与部材を搭載した二
成分用現像装置の一例を示し、図中（１１）は現像器、
（１２）は現像剤供与部材、　（１３）は現イ＊剤、（
１４）はバイアス印加電源である。

現像剤（１３）中のトナーは、キャリアと混合・攪拌さ
れることによって摩擦帯電され、磁石を内蔵した現像剤
供与部材（１２）上に磁気力によってキャリアとともに
磁気ブラシを形成し、現像剤供与部材（１２）の回転に
よって感光体対向面（現像領域）まで移動される。

第３図は、本発明における現像剤供与部材を搭載した一
成分用現像装置の一例を示し、図中（２１）は現像器、
（２２）は現像剤供与部材、　（２３）は現像剤、（２
４）はバイアス印加電源、（２５）は規制部材である。

現像剤（２３）は現像剤供与部材（２２）の回転に伴う
て移動し、規制部材（２５）と現像剤供与部材（２２）
との間隙を規制部材（２５）の圧接力に抗して通過する
ときに摩擦帯電される。それと同時に現像剤供与部材（
２２）上にトナー薄層が形成されて、感光体対向面（現
像領域）まで移動される。

第４図は本発明に係わる有８１重合膜形成用プラズマＣ
ＶＤ装置の一例を示す。この装置は、ドライエツチング
用としても兼用することができる。

図中（７０１）乃至（７０６）は常温において気相状態
にあるエツチングガス、ボンバードガスおよびキャリア
ガスを密封した第１乃至第６タンクで、各々のタンクは
第１乃至第６調節弁（７０７）乃至（７１２）と第１乃
至第６流量制御器（７１３）乃至（７１８）に接続され
ている。図中（７１９）乃至（７２１）は常温において
液相または固相状態にある原料化合物を封入した第１乃
至第３容器で、各々の容器は気化のため第１乃至第３温
調器（７２２）乃至（７２４）により与熱可能であり、
ざらに各々の容器は第７乃至第９調節弁（７２５）乃至
（７２７）と第７乃至第９流量制御器（７２８）乃至（
７３０）に接続されている。

これらのガスは混合器（７３１）で混合きれた後、主管
（７３２）を介して反応室（７３３）に送り込まれる。

途中の配管は、常温において液相または固相状態にあっ
た原料化合物が気化したガスが、途中で凝結しないよう
に、適宜配置された配管加熱器（７３４）により、与熱
可能とされている。

反応室内には接地電極（７３５）と電力印加型４仮（７
３６）が対向して設置され、各々の電極は電極加熱器（
７３７）により与熱可能とされている。

電力印加電極（７３６）には、高周波電力用整合器（７
３８）を介して高周波電源（７３９）、低周波電力用整
合器（７４０）を介して低周波電源（７４１）、ローパ
スフィルタ（７４２）を介して直流電源（７４３）が接
続されており、接続選択スイッチ（７４４）により周波
数の異なる電力が印加可能とされている。反応室（７３
３）内の圧力は圧力制御弁（７４５）により調整可能で
あり、反応室（７３３）内の減圧は、排気系選択弁（７
４６）を介して、拡散ポンプ（７４７）　、油回転ポン
プ（７４８）　、あるいは、冷却除外装置（７４９）　
、メカニカルブースターポンプ（７５０）、油回転ポン
プ（７４８）により行なわれる。

排ガスについては、ざらに適当ｄ除外装置（７５３）に
より安全無害化した後、大気中に排気される。これら排
気系配管についても、常温において液相または固相状態
にあった原料化合物が気化したガスが、途中で凝結しな
いように、適宜配置された配管加熱器（７３４）により
、与熱可能とされている。反応室（７３３）も同様の理
由から反応室加熱器（７５１）により与熱可能とされ、
その内部には、接地電極（７３５）を兼ねた導電性円筒
形部材が基板（７５２）として設置さ°れ、内側には電
極加熱器（７３７）が配されている。基板（７５２）周
囲には同じく円筒形状をした電力印加電極（７３６）が
配され、外側には電極加熱器（７３７）が配されている
。基板（７５２）は、外部より駆動モータ（７５４）を
用いて自転可能となっている。

第４図に示した本発明に係わる有機重合膜形成用プラズ
マＣＶＤ装置は、潜像形成のための電子ビーム照射装置
、並びに、基板の装脱着のための予備室等とゲートバル
ブを介して接続する事が可能であり、またそうする事に
より全く真空を破る事なく基板上の有ｊａ重合膜に線条
凹凸を形成する事が可能である。

第４図に示した本発明に係わる有機重合膜形成用プラズ
マＣＶＤ装置において、反応室は拡散ポンプにより予め
１０−４乃至１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空
度の確認と装置内部に吸着したガスの脱離を行なう。同
時に電極加熱器により、電極並びに基板を所定の温度ま
で昇温する。次いで、第１乃至第６タンクおよび第１乃
至第３容２ｇから、原料ガスを適宜第１乃至第９流量制
御器を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力
調節弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。

ガス流量が安定化した後、接続選択スイッチにより、例
えば低周波電源を選択し、電力印加電極に低周波電力を
投入する。両電極間には放電が開始され、時間と共に基
板上に固相の有機重合膜が形成される。反応時間により
膜厚を制御し、所定の膜厚並びに積層構成に達したとこ
ろで放電を停止し、本発明現像剤供与部材を得る。次い
で、第１乃至第９調節弁を閉じ、反応室内を充分に排気
する。

得られた有機重合膜は、本発明によるネガ型エツチング
特性を有する有機重合膜として次の電子ビーム描画工程
に供せられる。ここで、電子ビーム描画工程においてポ
ジ型エツチング特性が必要とされる場合においては、再
び有機重合膜形成時と同様の操作により反応室内に第１
乃至第６タンクの何れかより四弗化炭毒ガスを導入し放
電を行なえばよい。このように、わずかの操作によりエ
ツチング特性のネガ型ポジ型を選択し得ることが、本発
明有機重合膜の特徴の一つである。

次いで、本発明有機重合膜が形成された基板を電子ビー
ム照射装置に移し、常法により所望の線条パターンを描
画し、潜像形成を行なう。

次いで、潜像形成が成された基板を、再び、第４図に示
した本発明に係わる有機重合膜形成用プラズマＣＶＤ装
置に移し、有機重合膜形成時と同様の操作により反応室
内に第１乃至第６タンクの何れかよりエツチングガスを
導入し放電を行なうことにより現像を行なう。

これら一連の本発明による現像剤供与部材の形成方法に
より、ウェットプロセスを全く用いることなく、線条凹
凸を有する有機重合膜により被覆された本発明現像剤供
与部材を容易に得ることができる。

以下、本発明の詳細な説明する。

去施泗１有機重合膜用プラズマＣＶＤ装置を用いて、第１図に示
す現像剤供与部材を作製した。線条凹凸としては、いわ
ゆる直線状パターンを用いた。

第４図に示す有機重合膜用プラズマＣＶＤ装置において
、まず、反応室（７３３）の内部を１０＝６Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第７調節弁（７２５）を解放し、
第１容器（７１９）よりＣＦ　３（ＣＦ２）５ＣＨ２Ｓ
ｉ（ＯＣＨ３）３ガスを第１温調器（７２２）温度８０
℃の下で、第７流量制胛器（７２８）内へ流入させた。

そして流量制御器の目盛を調整して、ＣＦ　３（ＣＦ　
２）５ＣＨ２Ｓ　ｉ　（○ＣＨ３）３ガスの流量を１８
ｓｅｃｍとなるように設定して、主管（７３２）より反
応室（７３３）内へ流入した。流量が安定した後に、反
応室（７３３）内の圧力がＯ，，２Ｔｏｒｒとなるよう
に圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、基板（７５
２）としては、直径２２×長き３３０ｍｍの円筒形アル
ミニウム基板を用いて予め９０℃に加熱しておき、ガス
流星および圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッ
チ（７４４）により接続しておいた低周波電源（７４１
）を投入し、電力印加電極（７３６）に１０５Ｗａｔｔ
の電力を周波数３０ＫＨｚの下で印加して約６０分間プ
ラズマ重合反応を行ない、基板（７５２）上に厚ざ２０
０Ｌｔｍの有機重合膜を形成した。成膜完了後は、電力
印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充
分に排気した。

以上のようにして得られた有機重合膜につき・元素分析
を行なったところ、全構成原子に対し含有される水素原
子の旦は２７原子％、弗素原子の臘は２５原子％、酸素
原子の量は２．５原子％、珪素原子の量は２．４原子％
であった。また、ＪＩＳ−に−５４００規格に準拠して
鉛筆硬度をｄ！１１定したところ７Ｈ以上の硬度を有し
、通常の有機合成反応より得られる重合膜に比べてはる
かに高硬度であった。

次いで、有機重合膜が形成された円筒形基板をゲートバ
ルブを介して、電子ビーム蒸着装置（ＪＥＢＥ−４８Ｎ
ｏ、４１００６　　日本電子社製）に移し、電子ビーム
を１００μｍにフォーカシングし、円筒形基板の長手方
向に走査しながら、一走査毎に円筒形基板を円周上で３
００μｍずつ回転させ潜像形成を行なった。このとき、
真空度は２．６Ｘ１０＝Ｔｏｒｒ以下とし、電子ビーム
照射は電子照射量が１ｍＣ／ｃｍ２となるまで行なった
。次いで、■び基板を第４図に示す有機重合膜形成用プ
ラズマＣＶＤ装置にゲートバルブを介して移し、有機重
合膜形成時と同様の操作にて、反応室（７３３）内に第
６タンク（７０６）よりエツチングガスとして酸素ガス
を導入し、高周波電源（７３９）より周波数１３．５６
ＭＨｚの高周波電力を電力印加電極（７３６）に印加し
、５０Ｗの電力で６０分間プラズマエツチングを行ない
現像した。得られた現像剤供与部材の表面を、表面粗ざ
計（サーフコム５５０Ａ　東京精密製）にて測定したと
ころ、凸部の膜厚は約１００μｍ１四部の線幅は約１０
０μｍ１凸部の線幅は約２００μｍであり、凹部と凸部
との膜厚差は約１８μｍであった。

得られた現像剤供与部材の性能を評価するために、本実
施例１で得られた現像剤供与部材を搭載した第２図に示
す如き二成分用現像装置を備えたＥＰ４７０Ｚ　（ミノ
ルタカメラ（ＩＩＩＭ）を用いて、常用のカールソンプ
ロセス内にて、いわゆるバイアス落ちに関する実写評価
を行なった。感光体としては感光層に意図的にピンホー
ルを設け、その部分の基板を露出させた有機感光体を用
い、現像方式は正規現像とした。

まず、常用のコロナ放電により感光体表面、９−７００
Ｖに帯電した後、感光体全面に露光を行ない表面電位を
一５０Ｖにまで減衰させた。次いで、本実施例１で得ら
れた現像剤供与部材を搭載した現像装置により一１５０
Ｖのバイアス電位を印加しながら感光体表面を現像した
後、トナー像を転写紙上に転写、定着した。感光体の除
電、清帰を行なった後、本プロセスを１０００回繰り返
した。

この実写評価中、転写紙上には前記電位設定通りトナー
像は形成されず、また、いわゆるバイアス落ちによる帯
状のカブリも現れなかった。しかし、有機重合膜を設け
ない現像剤供与部材について同様の評価を行なったとこ
ろ、帯状のカブリが発生した。このことから、本実施例
１による現像剤供与部材がいわゆるバイアス落ちを効果
的に防止することが確認された。

次に、バイアス電位を一４５０Ｖに変え、反転現像にお
ける１０００回繰り返しの実写評価を行なった。この実
写評価中、転写紙上には面記電位設定通りいわゆるベタ
黒画像が形成され、また、正規現像におけるカブリに対
応するいわゆる帯状の白抜けも現れなかった。しかし、
有機重合膜をちを効果的に防止することが確認された。

得られた現像剤供与部材の性能を評価するために、本実
施例１で得られた現像剤供与部材を搭載した第３図に示
す如き一成分用現像装置を用いて、トナー帯電量に関す
る試験を行なった。　まず、所定のトナーを前記−成分
用現体装置に入れ、本実施例１で得られた現像剤供与部
材を１１００ｒｐで５秒間回転させた。回転終了後、こ
の現像剤供与部材上に付着したトナーにつき帯電量を測
定したところ１８μＣ／ｇの帯電量が得られた。しかし
、有機重合膜を設けない現像剤供与部材について同様の
評価を行なったところ、７μＣ／ｇの帯電量しか得られ
なかった。このことから、本実施例１による現像剤供与
部材が一成分現像用トナーを好適に帯電することが確認
された。

得られた現像剤供与部材の性能を評価するために、本実
施例１で得られた現像剤供与部材を搭載しｔ；第２図に
示す如き二成分用現像装置を備えたＥＰ４７０Ｚ　（ミ
ノルタカメラｅｔ製）を用いて、常用の複写機内にて耐
刷試験を行なった。Ａ４紙３万枚の耐刷試験後、現像剤
供与部材の表面を観察したところ、有機重合膜の剥Ｂ「
は無く、また、トナー付着、傷の発生等も認められなか
った。しかし、有機重合膜を設けない現像剤供与部材に
ついて同様の評価を行なったところ、トナーがいわゆる
フィルミング状に付着し、トナーの搬送性低下による画
像濃度の低下が認められた。このことから、本実施例１
による現像剤供与部材が耐刷性に優れたものであること
が確認された。

また、上記試験中、ベタ黒部の画像濃度は１゜１乃至１
．４であった。しかし、有機重合膜は設けるが、線条凹
凸を設けない現像剤供与部材について、同様の試験を行
なったところ、ベタ黒部の画像濃度は０．８乃至１．０
であり現像剤搬送性能が低いことによる画像濃度の低下
が認められた。

このことから、本実施例１による現像剤供与部材が現像
剤搬送性能に優れたものであることが６７ｍ　Ｈ，＝さ
れた。

叉旅伝旦有機重合膜用プラズマｃｖＤ装置を用いて、第１図に示
す現像剤供与部材を作製した。線条凹凸としては、いわ
ゆる螺旋状パターンを用いた。

第４図に示す有機重合膜用プラズマＣＶＤ装置において
、まず、反応室（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第７調節弁（７２５）を解放し、
第１容器（７１９）よりＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ
２Ｓ　ｉ　（ＯＣＨ３）３ガスを第１温調器（７２２）
温度１０５℃の下で、第７流旦制御器（７２８）内へ流
入させた。同時に、第１調節弁（７０７）を解放し、第
１タンク（７０１）より水素ガスを第１流量制御器（７
１３）内へ流入させた。そして流量制御器の目盛を調整
して、ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３
）３ガスの流量を３１ｓｅｃｍ、並びに、水素ガスの流
量を３０ｓｅｃｍとなるように設定して、主管（７３２
）より反応室（７３３）内へ流入した。流量が安定した
後に、反応室（７３３）内の圧力が０．２２Ｔｏｒｒと
なるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、基
板（７５２）としては、直径と２×長さ３３０ｍｍの円
筒形アルミニウム基板を用いて予め１００℃に加熱して
おき、ガス流産および圧力が安定した状態で、予め接続
選択スイッチ（７４４）により接続しておいた低周波電
源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）に２１
５Ｗａｔｔの電力を周波数２００ＫＨｚの下で印加して
約２時間プラズマ重合反応を行ない、基板（７５２）上
に厚き１ｍｍの有機重合膜を形成した。成膜完了後は、
電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内
を充分に排気した。

以上のようにして得られた有機重合膜につき・元素分析
を行なったところ、全構成原子に対し含有される水素原
子の量は２２原子％、弗素原子の量は３０原子％、酸素
原子の量は１．９原子％、珪素原子の量は２原子％であ
った。また、ＪＩＳ−に−５４００規格に準拠して鉛筆
硬度を測定したところ７Ｈ以上の硬度を有し、通常の有
機合成反応より得られる重合膜に比べてはるかに高硬度
であった。

次いで、有機重合膜が形成された円筒形基板をゲートバ
ルブを介して、電子ビーム蒸着装置（ＪＥＢＥ−４８Ｎ
ｏ、４１００６　　日本電子社製）に移し、電子ビーム
を２００μｍにフォーカシングし、円筒形基板を回転さ
せ、電子ビームを基板一回転につき５００μｍの割合で
基板長手方向に走査しながら潜像形成を行なった。この
とき、真空度は２．６Ｘ１０−５Ｔｏｒｒ以下とした。

電子ビーム照射は、電子照射量が２ｍＣ／ｃｍ２となる
まで行なった。次いで、再び基板を第４図に示°）”本
発明に係わる有Ｊａ重合成形成用プラズマＣＶＤ装置に
ゲートバルブを介して移し、有機重合Ｈり形成時と同様
の操作にて、反応室（７３３）内に第６タンク（７０６
）よりエツチングガスとして酸素ガスを導入し、高周波
電源（７３９）より周波数１３．５６Ｍ１−１ｚの高周
波電力を電力印加電極（７３６）に印加し、２００Ｗの
電力で２００分間プラズマエツチングを行ない現像した
。得られた現像剤供与部材の表面を、表面ｆＩｌぎ計（
サーフコム５５０Ａ　　東京精密製）にて測定したとこ
ろ、凸部の膜厚は約５００μｍ１凹部の線幅は約２００
μｍ１凸部の線幅は約３００μｍであり、四ＦＩ≦と凸
部との膜厚差は約１１００ａであった。

得られた現像剤供与部材の性能を実施例１と同様にして
評価したところ、−成分用現像装置による帯電量に関す
る試験で１４μＣ／ｇと若干帯電量の低下が認められた
が実用上は問題なく、他は実施例１とほぼ同等の結果が
得られた。このことから、本実施例２による現像剤供与
部材がいわゆるバイアス落ち、トナー帯電性、耐刷性、
並びに、現像剤搬送性能に優れたものであることが確認
された。

実施例３有機重合膜用プラズマＣＶＤ装置を用いて、第１図に示
す現像剤供与部材を作製した。線条凹凸としては、いわ
ゆる螺旋状パターンを用いた。

第４図に示す有機重合膜形成用プラズマＣＶＤ装置にお
いて、まず、反応室（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒ
ｒ程度の高真空にした後、第７調節弁（７２５）を解放
し、第１容器（７１９）よりＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２
ＣＨ２Ｓ　１ＣＨ３Ｃ１２ガスを第１温調器（７２２）
温度１００℃の下で、第７流量制御器（７２８）内へ流
入させた。モして流鼠制御器の目盛を調整して、ＣＦ　
３（ＣＦ　２）　７ＣＩ−＋２ＣＨ２ＳｉＣＨ３Ｃ１２
ガス、の流量を３８ｓｅｃｍとなるように設定して、主
管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。流量
が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．２Ｔ
ｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。

一方、基板（７５２）としては、直径２２×長さ３３０
ｍｍの円筒形アルミニウム基板を用いて予め１００℃に
加熱しておき、ガス流量および圧力が安定した状態で、
予め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた
低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６
）に１１０Ｗａｔｔの電力を周波数７０ＫＨｚの下で印
加して約８０分間プラズマ重合反応を行ない、基板（７
５２）上に厚き６００μｍの有機重合膜を形成した。成
膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室
（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られた有機重合膜につき元素分析を
行なったところ、全構成原子に対し含有される水禦原子
の量は２８原子％、弗素原子の頃は３５原子％、酸素原
子の量は２．３原子％、珪素原子の量は２．１原子％、
塩素原子の量は３゜９原子％であった。また、ＪＩＳ−
に−５４００規格に準拠して鉛筆硬度を測定したところ
７Ｈ以上の硬度を有し、通常の有機合成反応より得られ
る重合膜に比べてはるかに高硬度であった。

次いで、有機重合膜が形成された円筒形基板をゲートバ
ルブを介して、電子ビーム蒸着装置（ＪＥＢＥ−４８Ｎ
ｏ、４１００６　　日本電子社製）に移し、電子ビーム
を１ｍｍにフォーカシングし、円筒形基板を回転させ、
電子ビームを基板一回転につき２ｍｍの割合で基板長手
方向に走査しながら潜像形成を行なった。このとき、真
空度は２゜６Ｘ１０−５Ｔｏｒｒ以下とした。電子ビー
ム照射は、電子照射量が２ｍＣ／ｃｍ２となるまで行な
った。次いで、再び基板を第４図に示す有機重合膜形成
用プラズマＣＶＤ装置にゲートバルブを介し一〇移し、
有機重合膜形成時と同様の操作にて、反応室（７３３）
内に第６タンク（７０６）より酸素ガスを導入し、高周
波電源（７３９）より周波数１３．５６Ｍｌ−１ｚの高
周波電力を電力印加電極（７３６）に印加し、２５０Ｗ
の電力で６０分間プラズマエツチングを行ない現像した
。得られた現像剤供与部材の表面を、表面粗ざ計（サー
フコム５５０Ａ　　東京精密製）にて測定したところ、
凸部の膜厚は約３００μｍ１凹部の線幅は約１ｔｎｍ１
凸部の線幅は約１ｍｍであり、凹部と凸部との膜厚差は
約２００μｍであった。

得られた現像剤供与部材の性能を実施例１と同様にして
評価したところ、−成分用現像装置による帯電量に関す
る試験で１２μＣ／ｇと帯電量の低下が認められたが実
用上は問題なく、また、他は実施例１とほぼ同等の結果
が得られた。このことから、本実施例３による現像剤供
与部材がいわゆるバイアス落ち、トナー帯電性、耐刷性
、並びに、現像剤搬送性能に優れたものであることが確
認された。

発明の効果本発明の現像剤供与部材は、バイアス落ち、帯電量不足
、あるいは過大な電極効果による画像品位の低減を解決
でき、かつ耐刷性、現像剤搬送性にも優れている。

を示す図面、第２図および第３図は本発明における現像
剤供与部材を搭載した現像装置の一例を示す図面、およ
び、第４図は本発明に係わる有機重合膜形成用プラズマ
ＣＶＤ装置を示す図面である。

出願人　ミノルタカメラ株式会社鷹　１　図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）フルオロアルキルシランガスの真空中グロー放電
によりプラズマ重合せしめた有機重合膜により被覆され
、かつ、この有機重合膜が線条凹凸を有することを特徴
とする現像剤供与部材。
（２）前記有機重合膜が四弗化炭素プラズマ照射処理さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
現像剤供与部材。
（３）フルオロアルキルシランガスの真空中グロー放電
によりプラズマ重合せしめた有機重合膜により被覆する
工程と、この有機重合膜に電子ビームを照射して潜像を
形成する工程と、この潜像をプラズマエッチングにより
現像する工程とを含むことを特徴とする現像剤供与部材
の製造方法。