JPS63217377A

JPS63217377A - 現像剤供与部材

Info

Publication number: JPS63217377A
Application number: JP5179387A
Authority: JP
Inventors: Toshiya Natsuhara; 敏哉夏原; Mochikiyo Osawa; 大澤　以清
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 1987-03-05
Filing date: 1987-03-05
Publication date: 1988-09-09

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は現像剤供与部材、特に、電子写真複写機の現像
器における現像剤供与部材に関する。

従来Ω球街カールソン法に代表されるごとく、一般に、電子写真複
写法においては、光導電性を有する感光体上に帯電およ
び露光工程により静電潜像を形成し、その後、トナーと
キャリアとからなる二成分系現像剤あるいはトナーだけ
からなる一成分系現像剤を回転可能な現像剤供与部材周
面に保持し、これを前記静電潜像に接触せしめ、トナー
像として顕像化する現像工程が用いられる。

従来よりこれらの現像方法における問題点の一つとして
いわゆるカブリ現象があることは周知の事実である。こ
れは静電潜像形成工程において感光体上露光部の電荷が
完全に消滅しない状態で現像を行なうために残留電荷に
よりトナーが静電的に付着し、その結果、複写物が全体
的に汚れた状態を呈する現象をいう。この様な問題を解
決するために、現像バイアス印加法が常用されている。

現像バイアス法とは、現像に際して感光体上の露光部の
有する残留電位と同極性で、かつ、それ以上の直流電圧
もしくは交流を重畳せしめた直流電圧を現像剤供与部材
側に設けた電極に印加すると共に、この電極の対向電極
となるべき前記感光体もしくは感光体を構成するための
一要素である導電性支持体を接地に保って両者間に電界
を形成せしめ、前記感光体の露光部の有する帯電極性と
印加バイアス電圧極性との反撥作用を利用して、前記露
光部へのトナー付着を防止する方法である。

上述したものは、感光体上に形成された静電潜像と逆極
性の電荷を持つトナーによって現像動作を行なう正規現
像に関するものであるが、潜像と同極性の電荷を持つト
ナーを使用する反転現像の場合においても、極性あるい
は電荷量等に差異はあるものの、同様の手法によりバイ
アス電圧が印加される。この現像バイアス印加法はカブ
リ現象を防止するためには有効な方法ではあるが、反面
それに付随して新たな問題を引き起こす。

例えば、前記現像剤供与部材側電極及び前記感光体側電
極間が電気的にリークした場合、現像バイアスの低減に
よるカブリ現象を生じせしめることがある。このような
電気的リークの発生要因には幾つかのものが挙げられる
が、例えば、二成分現像の場合において現像剤のキャリ
アとして常用される磁性体粒子が感光体層を貫通し、導
電性基板にまで達したような場合に発生する。この現象
は感光体が低硬度な時しばしば発生するが、特に、最近
進歩が著しい有機感光体は、硬度が低いため問題となる
。また、感光体上に往々にして発生する感光層のいわゆ
るピンホール状の欠陥部においても、二成分現像ではキ
ャリアとして常用される磁性体粒子と感光体の導電性基
板とが接触した場合、また、−成分現像では前記現像剤
供与部材側電極と感光体の導電性基板とが直接接触した
場合に発生する。このような現象に基づくいわゆるバイ
アス落ちは、リークが発生した部分のみならずリーク発
生時に現像剤と感光体が接している部分全体にｍＷが及
ぶため、実用の複写機においては画像上に帯状のカブリ
が発生し、リーク発生自体はわずかの欠陥部位における
現象であるにもかかわらず画像品位を著しく損なう。

一方、−成分現像の場合においては静電潜像の極性並び
に正規現像か反転現像かの征別に応じて現像前にトナー
を所定の極性に帯電させる必要があり、例えば、トナー
と摩擦帯電序列において隔たっている摩擦帯電ブレード
を使用する方法や、コロナ帯電器によりトナーを帯電さ
せる方法や、バイアス電圧の印加された金属ブレードを
トナーと接触させてトナーに電荷を付与して帯電させる
方法等が考えられている。しかしながら、摩１富帯電ブ
レード方法はトナーの帯電量が不充分なため高速現像に
は適ざないとか、充分にトナーを帯電きせるために多数
の摩擦帯電ブレードを配置しなければならないという問
題があった。コロナ放電器による方法は、コロナ帯電時
トナーが電界の作用で飛散したり、トナ一層の内部まで
充分に帯電しない等の問題を有していた。また、金属ブ
レードによる電荷付与方法は、上述の問題は少ないもの
の、現像剤供与部材を導電性にして金属ブレードと現像
剤供与部材との間に電位差を形成し、この間を通過する
トナーを帯電させるため、現像時、現像剤供与部材によ
る電極効果が効き過ぎてエツジ効果がでないという現象
が生ずる。即ち、−成分トナーを用いる現像においては
、現像剤供与部材上のトナ一層厚は、高々５０μｍであ
るため、静電潜像面と現像剤供与部材表面とがトナーＰ
ｊＪ５゜以下に接近するため極めて大きな電極効果が生
じ、従って、階調性が悪く、低濃度原稿の再現性が悪い
といった問題があった。

これらの問題点を解決するために現像剤供与部材に高抵
抗層或は高硬度層を被覆する手法がある。

即ち、感光体と現像剤供与部材との間に常に一定の抵抗
層を介在させることによって、前述した如きいわゆるバ
イアス落ち、帯電量不足あるいは過大な電極効果を防止
しようとするものである。

例えば、特開昭５１−６７３０号公報には、エンドレス
部材表面にアルマイト処理による高抵抗層、あるいは、
珪素樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ポリビニールブチ
ラール樹脂等による被覆層を設けた電子写真複写法にお
ける現像方法が開示されている。また、特開昭５５−４
６７６８号公報には、現像剤供与部材に体積固有抵抗率
が１・０８Ωｃｍ乃至１０”ｃｍのシリコンゴム、ネオ
ブレンゴム、ニトリルゴム等による表面層を約５ｍｍ設
けた静電潜像現像装置が開示されている。

■が　゛　しようとする口”、。

前述した如きバイアス落ち、帯電量不足あるいは過大な
電極効果による画像品位の低減を解決するために現像剤
供与部材に被覆層を設ける技術において、この被覆層は
相応の高抵抗を有する必要がある。また、この被覆層は
、複写機内での実使用時にしばしば発生する現像剤によ
る汚染あるいは他部材との接触摩耗による傷を発生しな
いように、現像剤との融着性が低くかつ高硬度な材料を
用いる必要がある。また、この被覆層は、現像剤供与部
材上に設けられた被覆層全域にわたっていわゆる抵抗値
のムラを有ざず、ざらにこの被？’と前記感光体との間
のいわゆる現像ギャップを一定に保つために、均質で均
等な膜厚を有する膜でなくてはならない。しかしながら
、従来例は、必ずしもこれらの性能を充分に満足するも
のとはいえず、より高性能な被覆層材料が必要とされて
いた。

本発明は、これらの問題点を全て解消すると共に、従来
とは全く材料も製法も異なる被覆層を有する現像剤供与
部材を提供しようとするものである。

問題点を　決するための手段即ち、本発明は、被覆層を有する現像剤供与部材におい
て、該被覆層は真空中グロー放電分解法から生成される
弗素含有非晶質炭素膜であることを特徴とする現像剤供
与部材に関する。

本発明における弗素含有非晶質炭素膜の作製には、炭化
水素化合物を用いることができる。この炭化水素化合物
における相状態は常温常圧において必ずしも気相である
必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等
を経て気化しうるものであれば、液相でも固相でも使用
可能である。

炭化水素化合物としては、例えば、飽和炭化水素、不飽
和炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、等が用
いられる。

使用可能な炭化水素化合物には種類が多いが、飽和炭化
水素としては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブ
タン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナ
ン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テト
ラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン
、オクタデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコ
サン、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコ
サン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノ
ナコサン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタ
トリアコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソ
ブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、
ネオヘキサン、２．３−ジメチルブタン、２−メチルヘ
キサン、３−エチルペンタン、２，２−ジメチルペンタ
ン、２．４−ジメチルペンタン、３，３−ジメチルペン
タン、トリブタン、２−メチルへブタン、３−メチルへ
ブタン、２，２−ジメチルヘキサン、２，２．５−ジメ
チルヘキサン、２，２．３−）ジメチルペンタン、２，
２．４−トリメチルペンタン、２，３゜３−トリメチル
ペンタン、２．３．４−トリメチルペンタン、イソナノ
ン、等のイソパラフィン、等が用いられる。

不飽和炭化水素としては、例えば、エチレン、プロピレ
ン、イソブチレン、１−ブテン、２−ブテン、１−ペン
テン、２−ペンテン、２−メチル−１−ブテン、３−メ
チル−１−ブテン、２−メチル−２−ブテン、１−ヘキ
セン、テトラメチルエチレン、１−ヘプテン、１−オク
テン、１−ノネン、１−デセン、等のオレフィン、並び
に、アレン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン
、ヘキサジエン、シクロペンタジェン、等のジオレフィ
ン、並びに、オシメン、アロシメン、ミルセン、ヘキサ
トリエン、等のトリオレフイン、並びに、アセチレン、
メチルアセチレン、１−ブチン、２−ブチン、１−ペン
チン、１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１
−ノニン、１−テ゛シン、等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルピノレン、フエランドレン、シルベストレン、
ツエン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フ
エンチェン、シクロフエンチェン、トリシクレン、ビサ
ボレン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネ
ンセスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタ
レン、セドレン、カンホレン、フィロクラテ°ン、ボド
カルプレン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド
等が用いられる。

芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン
、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メシチレ
ン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、ペンタメチ
ルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、
プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフェニル、テ
ルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン、
ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタリン、テト
ラリン、アントラセン、フェナントレン、等が用いられ
る。

これらの炭化水素化合物の相状態は常温常圧において必
ずしも気体とは限らないが、液体または固体であっても
加熱あるいは減圧等により容易に融解を経て気化でき、
従って本発明における弗素含有非晶質炭素膜を作製する
ための真空中グロー放電分解法にはプラズマＣＶＤの常
法を用いることが可能である。

本発明における弗素含有非晶質炭素膜には炭化水素化合
物の他に、膜中に弗素原子を添加するために弗素化合物
が使用きれる。この弗素化合物における相状態は常温常
圧において必ずしも気相である必要はなく、加熱或は減
圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化しうるもので
あれば、液相でも固相でも使用可能である。弗素化合物
としては、例えば、弗素、弗化水素、弗化塩累、弗化臭
素、弗化沃素、弗化硫黄、弗化酸素、弗化砒素、弗化硼
素、弗化珪素、弗化水素アンモニウム、弗化水素カリウ
ム、弗化スルフリル、弗化セレン、弗化チオニル、弗化
チオホスホリル、弗化窒素、弗化テルル、弗化ニオブ、
弗化ニトリル、弗化ニトロシル、弗化シアン、弗化ホス
ホリル、等の無機化合物、あるいは、弗化メチル、弗化
エチル、弗化プロピル、弗化ブチル、弗化アミル、弗化
ヘキシル、弗化ヘプチル、弗化オクチル、弗化ノニル、
弗化デシル、弗化エチレン、弗化ブチレン、弗化ブタジ
ェン、弗化アセチル、弗化ビニリデン、フルオロベンゼ
ン、フルオルスチレン、フルオロホルム、弗化オキサリ
ル、弗化カルボニル、弗化エチリデン、弗化アリル、弗
化クロミル、弗化シアン等の有機化合物が用いられる。

これらの弗素化合物の相状態は常温常圧において必ずし
も気体とは限らないが、液体または固体であっても加熱
あるいは減圧等により容易に融解を経て気化でき、従っ
て本発明における弗素含有非晶質炭素膜を作製するため
の真空中グロー放電分解法にはプラズマＣＶＤの常法を
用いることが可能である。即ち、前記化合物の中から少
なくとも炭素原子と弗素原子が原料ガス中に含まれるよ
うに使用する化合物を選択し、この原料ガスを減圧下で
放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含まれる活性
中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力、あるい
は磁気力等により諺導し、基板上での再結合反応により
固相として堆積させるプラズマＣＶＤ反応から重合生成
される。

これらの化合物ガスは、プラズマＣＶＤ反応における放
電安定性、成膜安定性、あるいは、ガス供給安定性等を
保つために、例えば、水素、ヘリウム、アルゴン、ある
いは、キセノン等のキャリアガスと混合して用いること
ができる。

また、これらの化合物ガスは、作製されるプラズマ重合
膜の電気的特性を調整するために、例えば、周期律表第
１１１族に属する原子を含むガス、周期律表第■族に属
する原子を含むガス、アルカリ金属原子を含むガス、あ
るいは、ハロゲン原子を含むガスと混合して用いること
ができる。

本発明における弗素含有非晶質炭素膜の膜厚は、１μｍ
乃至２ｍｍ、好ましくは１０μｍ乃至１ｍｍ１最適には
１００μｍ乃至５００μｍとすることが好ましい。膜厚
が１μｍより薄いと必要とされる抵抗値が必ずしも確保
されなくなり、また、耐摩耗性が低下し好ましくない。

膜厚が２ｍｍより厚いと生産性の面で好ましくない。ま
た、この弗素含有非晶質炭素膜の堆積速度は、０．０１
μｍ／分乃至５０μｍ／分とすることが好ましい。

堆積速度が０．０１μｍ／分より低いと、生産性の面で
好ましくない。堆積速度が５０μｍ／分より高いとプラ
ズマ重合膜の成膜性が低下し、いわゆる荒れた膜となり
基板表面の被覆性が低下し好ましくない。この弗素含有
非晶質炭素膜の膜厚は、成膜時間の調整により容易に制
御可能である。また、この弗素含有非晶質炭素膜の堆積
速度は、使用するプラズマＣＶＤ装置の形態により制御
ｆｆｌの差異はあるが、堆積速度を高くするには、例え
ば、前記有機化合物の流量を増やす、印加電力を大きく
する、印加電力の周波数を低くする、基板温度を低くす
る等の手段、あるいはこれらの手段の組合せを用いるこ
とにより容易に制御可能である。

また本発明における弗素含有非晶質炭素膜中に含有され
る弗素原子の量は０．１乃至３５原子％、好ましくは２
乃至３０原子％、最適には１０乃至２５原子％とするこ
とが好ましい。弗素原子の含有量が０．１原子％より少
ないと現像剤による汚染あるいは他部材との接触摩耗に
よる傷が発生しやすくなり耐久性の面で好ましくない。

弗素原子の含有量が３５原子％より多いと前記帯電量の
低下を招き好ましくない。

また、本発明における現像剤供与部材の形状は、製法的
にも実用的にも特に限定を受けるものではなく、例えば
円筒形状あるいはベルト形状等を有することができる。

次に、本発明について図面を参照しながら説明する。こ
こでは、本発明における現像剤供与部材の形状として円
筒形状を用いて説明するが、他の形状についても同様に
して本発明における現像剤供与部材を得ることができる
。

第１図は、本発明における現像剤供与部材の構成を示し
、図中（１）は現像剤供与部材、（２）はバイアス印加
電極となりうる導電性円筒形部材、（３）はプラズマ重
合膜からなる被覆層である。

第２図は、本発明における現像剤供与部材を搭載した二
成分用現像装置の一例を示し、図中（１１）は現像器、
（１２）は現像剤供与部材、（１３）は現像剤、（，１
，４）はバイアス印加電源である。

現像剤（１３）中のトナーは、キャリアと混合・攪拌さ
れることによって摩擦帯電され、磁石を内蔵した現像剤
供与部材（１２）上に磁気力によってキャリアとともに
磁気ブラシを形成し、現像剤供与部材（１２）の回転に
よって感光体対向面（現像領域）まで移動される。

第３図は、本発明における現像剤供与部材を搭載した一
成分用現像装匝の一例を示し、図中（２１）は現像器、
（２２）は現像剤供与部材、　（２３）は現像剤、（２
４）はバイアス印加電源、（２５）は規制部材である。

現像剤（２３）は現像剤供与部材（２２）の回転に伴っ
て移動し、規制部材（２５）と現像剤供与部材（２２）
との間隙を規制部材（２５）の圧接力に抗して通過する
ときに摩擦帯電される。それと同時に現像剤供与部材（
ｚ２）上にトナー薄層が形成されて、感光体対向面（現
像領域）まで移動される。

第４図は本発明に係わる現像剤供与部材の被覆層製造装
置を示し、図中（７０１）乃至（７０６）は常温におい
て気相状態にある原料化合物およびキャリアガスを密封
した第１乃至第６タンクで、各々のタンクは第１乃至第
６調節弁（７０７）乃至（７１２）と第１乃至第６流量
制御器（７１３）乃至（７１８）に接続されている。図
中（７１９）乃至（７２１）は常温において液相または
固相状態にある原料化合物を封入した第１乃至第３容器
で、各々の容器は気化のため第１乃至第３温調器（７２
２）乃至（７２４）により与熱可能であり、ざらに各々
の容器は第７乃至第９調節弁（７２５）乃至（７２７）
と第７乃至第９流量制御器（７２８）乃至（７３０）に
接続されている。これらのガスは混合器（７３１）で混
合された後、主管（７３２）を介して反応室（７３３）
に送り込まれる。途中の配管は、常温において液相また
は固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中
で凝結しないように、適宜配置された配管加烈器（７３
４）により、与熱可能ときれている。反応室内には接地
電極（７３５）と電力印加電極（７３６）が対向して設
置され、各々の電極は電極加熱器（７３７）により与熱
可能とされている。

電力印加電極（７３６）には、高周波電力用整合器（７
３８）を介して高周波電源（７３９）　、低周波電力用
整合器（７４０）を介して低周波電源（７４１）、ロー
パスフィルタ（７４２）を介して直流電源（７４３）が
接続されており、接続選択スイッチ（７４４）により周
波数の異なる電力が印加可能とされている。反応室（７
３３）内の圧力は圧力制御弁（７４５）により調整可能
であり、反応室（７３３）内の減圧は、排気系選択弁（
７４６）を介して、拡散ポンプ（７４７）　、油回転ポ
ンプ（７４８）　、あるいは、４冷却除外装置（７４９
）　、メカニカルブースターポンプ（７５０）、油回転
ポンプ（７４８）により行なわれる。

排ガスについては、ざらに適当な除外装置（７５３）に
より安全無害化した後、大気中に排気される。これら排
気系配管についても、常温において液相または固相状態
にあった原料化合物が気化したガスが、途中で凝結しな
いように、適宜配置された配管加熱器（７３４）により
、与熱可能とされている。反応室（７３３）も同様の理
由から反応室加熱器（７５１）により与熱可能とされ、
その内部には、接地電極（７３５）を兼ねた導電性円筒
形部材が基板（７５２）として設置され、内側には電極
加熱器（７３７）が配されている。基板（７５２）周囲
には同じく円筒形状をした電力印加電極（７３６）が配
され、外側には電極加熱器（７３７）が配されている。

基板（７５２）は、外部より駆動モータ（７５４）を用
いて自転可能となっている。

本発明に係わる現像剤供与部材の被覆層の製造において
は、適当な基板搬送袋でおよびゲートバルブ等を用いて
プラズマＣＶＤ工程を真空を破らずに連続して行なえる
ようにしてもよい。また、そうする事により、真空外へ
基板を取り出した時の基板及び装置に対する種々のコン
タミネーシヨンを防止でき、本発明現像剤供与部材の作
製を安定した条件下で行なえるようになり好ましい。

第４図に示した本発明に係わる現像剤供与部材の被覆層
製造装置において、反応室は拡散ポンプにより予め１０
−４乃至１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度の
確認と装置内部に吸着したガスの脱離を行なう。同時に
電極加熱器により、電極並びに電極に装着された基板を
所定の温度まで昇温する。次いで、第１乃至第６タンク
及び第１乃至第３容器から、原料ガスを適宜第１乃至第
９流量制御器を用いて定流量化しながら反応室内に導入
し、圧力調節弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ
。ガス流量が安定化した後、接続選択スイッチにより、
例えば低周波電源を選択し、電力印加電極に低周波電力
を投入する。両電極間には放電が開始され、時間と共に
基板上に固相の膜が形成される。反応時間により膜厚を
制御し、所定の膜厚並びに積層構成に達したところで放
電を停止し、本発明現像剤供与部材を得る。次いで、第
１乃至第９調節弁を閉じ、反応室内を充分に排気し、最
後に、真空を破り基板を取り出す。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

実施例１現像剤供与部材の被覆層製造装置を用いて、第１図に示
す現像剤供与部材を作製した。

第４図に示す現像剤供与部材の被覆層製造装置において
、まず、反応室（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第７調節弁（７２５）を解放し、
第１容器（７１９）よりスチレンガスを第１温調器（７
２２）温度６５℃の下で、第７流量制＠１器（７２８）
内へ流入させな。同時に第１及び第２調節弁（７０７及
び７ｏ８）を解放し、第１及び第２タンク（７０１及び
７ｏ２）より水素ガス及び四弗化炭素ガスを第１及び第
２流量制御器（７１３及び７１４）内へ流入させた。

そして流量制御器の目盛を調整して、スチレンガスの流
量を１６．８ｓｅｃｍ１水素ガスの流量を１００１００
５ｅ及び、四弗化炭素ガスの流量を５０ｓｃａｍとなる
ように設定して、主管（７３２）より反応室（７３３）
内へ流入した。流量が安定した後に、反応室（７３３）
内の圧力が０゜２Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７
４５）を調整した。一方、基板（７５２）としては、直
径２２×長き３３０ｍｍの円筒形アルミニウム基板を用
いて予め７０℃に加熱しておき、ガス流量および圧力が
安定した状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）によ
り接続しておいた低周波電源（７４１）を投入し、電力
印加電極（７３６）に１４５Ｗａｔｔの電力を周波数５
０ＫＨｚの下で印加して約３０分間プラズマ重合反応を
行ない、基板（７５２）上に厚ざ１００μｍのプラズマ
重合膜を形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、
調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られた弗素含有非晶質炭素膜プラズ
マ重合膜につき元素分析を行なったところ、全構成原子
に対し含有される水素原子の量は３９原子％、弗素原子
の量は１０．３原子％であった。

得られた現像剤供与部材の性能を評価するために、本実
施例１で得られた現像剤供与部材を搭載した第２図に示
す如き二成分用現像装置を備えたＥＰ４７０２（ミノル
タカメラｑｖ製＞を用いて、常用のカールソンプロセス
内にて、いわゆるバイアス落ちに関する実写評価を行な
った。感光体としては感光層に意図的にピンホールを設
け、その部分の基板を露出させた有機感光体を用い、現
像方式は正規現像とした。

まず、常用のコロナ放電により感光体表面を一７００Ｖ
に帯電した後、感光体全面に露光を行ない表面電位を一
５０Ｖにまで減衰させた。次いで、本実施例１で得られ
た現像剤供与部材を搭載した現像装置により一１５０Ｖ
のバイアス電位を印加しながら感光体表面を現像した後
、トナー像を転写紙上に転写、定着した。感光体の除電
、清掃を行なった後、本プロセスを１０００回繰り返し
た。

この実写評価中、転写紙上には前記電位設定通りトナー
像は形成されず、また、いわゆるバイアス落ちによる帯
状のカブリも現れなかった。しかし、プラズマ重合膜を
設けない現像剤供与部材について同様の評価を行なった
ところ、帯状のカブリが発生した。このことから、本実
施例１による現像剤供与部材がいわゆるバイアス落ちを
効果的に防止することが確認された。

次に、バイアス電位を一４５０Ｖに変え、反転現像にお
ける１０００回繰り返しの実写評価を行なった。この実
写評価中、転写紙上には前記電位設定通りいわゆるベタ
黒画像が形成され、また、正規現像におけるカブリに対
応するいオ〕ゆる帯状の白抜けも現れなかった。しかし
、プラズマ重合実施例１による現像剤供与部材がいわゆ
るバイアス落ちを効果的に防止することが確認された。

・さらに、得られた現像剤供与部材の性能を評価するた
めに、本実施例１で得られた現像剤供与部材を搭載した
第３図に示す如き一成分用現像装置を用いて、トナー帯
電量に関する試験を行なった。

まず、所定のトナーを前記−成分用現像装置に入れ、本
実施例で得られた現像剤供与部材を１１００ｒｐで５秒
間回転させた。回転終了後、この現像剤供与部材上に付
着したトナーにつき帯電量を測定したところ１８μＣ／
ｇの帯電量が得られた。しかし、プラズマ重合膜を設け
ない現像剤供与部材について同様の評価を行なったとこ
ろ、７μＣ／ｇの帯電量しか得られなかった。このこと
から、本実施例１による現像剤供与部材が一成分現像用
トナーを好適に帯電することが確認された。

ざらに、得られた現像剤供与部材の性能を評価するため
に、本実施例１で得られた現像剤供与部材を搭載した第
２図に示す如き二成分用現像装置をを備えたＥＰ４７０
Ｚ　（ミノルタカメラＧ９製）用いて、常用の複写機内
にて耐刷試験を行なった。

Ａ４紙３万枚の耐刷試験後、現像剤供与部材の表面を観
察したところ、プラズマ重合膜の膜剥順は無く、また、
トナー付着、傷の発生等も認められなかった。しかし、
プラズマ重合膜を設けない現像剤供与部材について同様
の評価を行なったところ、トナーがいわゆるフィルミン
グ状に付着し、トナーの搬送性低下による画像濃度の低
下が認められた。このことから、本実施例１による現像
剤供与部材が耐刷性に優れたものであることが確認され
た。

実施例２現像剤供与部材の被覆層製造装置を用いて、第１図に示
す現像剤供与部材を作製した。

第４図に示す現像剤供与部材の被覆層製造装置において
、まず、反応室（７３３）の内部を１０＝６Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第１、第２、及び、第３調節弁を
解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、第２タン
ク（７０２）よりブタジェンガス、及び、第３タンク（
７０３）より四弗化炭素ガスを第１、第２、及び、第３
流量制御器（７１３，７１４、及び、７１５）内へ流入
させた。そして流量制御器の目盛を調整して、水素ガス
の流量を３００ｓｃｅｍ、ブタジェンガスの流量を６０
ｓｅｃｍ、及び、四弗化炭素ガスの流量を１２０　ｓ　
ｅ　ｃｍとなるように設定して、主管（７３２）より反
応室（７３３）内へ流入した。

流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．
０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整し
た。一方、基板（７５２）としては、直径２２×長ざ３
３０ｍｍの円筒形アルミニウム基板を用いて予め２００
℃に加熱しておき、ガス流量および圧力が安定した状態
で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続してお
いた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加型Ｊｌ（
７３６）に１６０Ｗａｔｔの電力を周波数２００　Ｋ　
Ｈ７，の下で印加して約１時間プラズマ重合反応を行な
い、基板（７５２）上に厚ざ５００μｍのプラズマ重合
膜を形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節
弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたプラズマ重合膜につき元素分
析を行なったところ、全構成原子に対し含有される水素
原子の量は４２原子％、弗米原子の量は２．５原子％で
あった。

得られた現像剤供与部材の性能を実施例１と同様にして
評価したところ、若干の硬度低下が認められたものの実
用上は問題なく、また、他は実施例１とほぼ同等の結果
が得られた。このことから、本実施例２による現像剤供
与部材かいオ〕ゆるバイアス落ち、トナー帯電性、並び
に、耐刷性に優れたものであることが確認された。

発■ｐ効米本発明の現像剤供与部材は、バイアス落も、帯電量不足
、あるいは過大な電極効果による画ｆ９品位の低減を解
決でき、かつ耐刷性にも覆れている。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明における現像剤供与部材の構成を示す図
面、第２図及び第３図は本発明における現像剤供与部材
を搭載した現体装置の一例を示す図面、及び、第４図は
本発明に係わる現像剤供与部材の被覆層製造装置を示す
図面である。

Claims

【特許請求の範囲】

被覆層を有する現像剤供与部材において、該被覆層は真
空中グロー放電分解法から生成される弗素含有非晶質炭
素膜であることを特徴とする現像剤供与部材。