JPH01214891A - クリーナーブレード - Google Patents
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- 229930001895 zingiberene Natural products 0.000 description 1
- KKOXKGNSUHTUBV-LSDHHAIUSA-N zingiberene Chemical compound CC(C)=CCC[C@H](C)[C@H]1CC=C(C)C=C1 KKOXKGNSUHTUBV-LSDHHAIUSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- VMYXUZSZMNBRCN-UHFFFAOYSA-N α-curcumene Chemical compound CC(C)=CCCC(C)C1=CC=C(C)C=C1 VMYXUZSZMNBRCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Cleaning In Electrography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はクリーナーブレードに関する。
従来技術および課題
電子写真法において、感光体上の潜像に対して現像され
た現像剤は、転写部で普通紙に忠実に転写されることが
要求される。しかし、100%の理想的な転写はほとん
ど不可能であるために、感光体上に残ったトナーを拭い
とるクリーニング工程が必要となる。
た現像剤は、転写部で普通紙に忠実に転写されることが
要求される。しかし、100%の理想的な転写はほとん
ど不可能であるために、感光体上に残ったトナーを拭い
とるクリーニング工程が必要となる。
従来、クリーニング方法としてはブラシクリーニング、
ブレードクリーニング、ウェーブクリーニング等の種々
の方法が知られているが、複写装置の小を化、メインテ
ナンスの容易性等からブレードクリーニング方式が主流
を占めるにいたっている。
ブレードクリーニング、ウェーブクリーニング等の種々
の方法が知られているが、複写装置の小を化、メインテ
ナンスの容易性等からブレードクリーニング方式が主流
を占めるにいたっている。
ブレードクリーニング方法は、ゴム状弾性重合体のシー
ト片を感光体表面に接触させて、感光体上の残留トナー
をシード斧のエツジ部を利用してかき落とす方法である
。
ト片を感光体表面に接触させて、感光体上の残留トナー
をシード斧のエツジ部を利用してかき落とす方法である
。
そのようなゴム状のシート片としては、通常シリコンゴ
ム、ウレタンゴム等の弾性重合体が使用されるが、それ
らの弾性重合体は、柔らかいために耐摩耗性が小さい。
ム、ウレタンゴム等の弾性重合体が使用されるが、それ
らの弾性重合体は、柔らかいために耐摩耗性が小さい。
そのため、耐久性が得られないばかりか、感光体やトナ
ーとの摩擦を介して、クリーナーブレードのエツジが削
れ、クリーニング不良が発生する。今日、画像の高精細
化、高品位化のために、トナーは小粒径化、球形化の傾
向にあり、クリー二ング不良がより大きな問題となる。
ーとの摩擦を介して、クリーナーブレードのエツジが削
れ、クリーニング不良が発生する。今日、画像の高精細
化、高品位化のために、トナーは小粒径化、球形化の傾
向にあり、クリー二ング不良がより大きな問題となる。
また、エツジ部分が削れ丸くなってしまうとりリーナー
ブレードと感光体の接触面積が増し、異音(鳴き)が発
生したり、クリーナーブレードの変形、まくれ等が生じ
たりする。
ブレードと感光体の接触面積が増し、異音(鳴き)が発
生したり、クリーナーブレードの変形、まくれ等が生じ
たりする。
クリーナーブレードの摩耗にに起因する上記問題点を解
決する手段として、クリーナーブレードの先端に耐摩耗
性を付与する方法が提案されている(例えば特開昭61
−255375号公報等)。
決する手段として、クリーナーブレードの先端に耐摩耗
性を付与する方法が提案されている(例えば特開昭61
−255375号公報等)。
しかし、上記方法を用いても多少摩耗の進行が押さえら
れるものの、−度摩耗が始まると急激にクリーナーブレ
ードが劣化し、上記した問題が発生する。
れるものの、−度摩耗が始まると急激にクリーナーブレ
ードが劣化し、上記した問題が発生する。
発明が解決しようとする課題
本発明はクリーナーブレードのエツジ部の摩耗に起因す
るトナークリーニング不良、異音等が発生せず、長期使
用が可能なりリーナーブレードを提供することを目的と
する。
るトナークリーニング不良、異音等が発生せず、長期使
用が可能なりリーナーブレードを提供することを目的と
する。
課題を解決するための手段
すなわち、本発明はゴム状弾性体を用いたシート状クリ
ーナーブレードにおいて、感光体に圧接するエツジ部を
含む面の一方が、有機化合物のプラズマ重合膜によって
被覆されていることを特徴とするクリーナーブレードに
関する。
ーナーブレードにおいて、感光体に圧接するエツジ部を
含む面の一方が、有機化合物のプラズマ重合膜によって
被覆されていることを特徴とするクリーナーブレードに
関する。
クリーナーブレードとしては公知のものを使用すること
ができ、その−数的形状はシート状である。以下に詳述
する本発明の理解容易の為にクリーナーブレードのシー
ト状構造を代表的に直方体をもって第1図に表した。な
お、第1図は本発明によるプラズマ重合膜を被覆する前
の構造を示している。第1図に示したクリーナーブレー
ドは頂点abcda’ b’ c’ d’で示され辺a
bが辺daより長い直方体のゴム状弾性体(1)により
構成されており、ゴム状弾性体(1)の長辺ab、ある
いはcd部分がエツジとして感光体に圧接され使用され
る。本発明においてはさらに簡単のために、辺abがエ
ツジとして圧接され使用される場合に限って説明するも
のとする。辺cdをエツジとして使用する場合において
も以下の説明により容易に類推適用可能である。
ができ、その−数的形状はシート状である。以下に詳述
する本発明の理解容易の為にクリーナーブレードのシー
ト状構造を代表的に直方体をもって第1図に表した。な
お、第1図は本発明によるプラズマ重合膜を被覆する前
の構造を示している。第1図に示したクリーナーブレー
ドは頂点abcda’ b’ c’ d’で示され辺a
bが辺daより長い直方体のゴム状弾性体(1)により
構成されており、ゴム状弾性体(1)の長辺ab、ある
いはcd部分がエツジとして感光体に圧接され使用され
る。本発明においてはさらに簡単のために、辺abがエ
ツジとして圧接され使用される場合に限って説明するも
のとする。辺cdをエツジとして使用する場合において
も以下の説明により容易に類推適用可能である。
本発明のクリーナーブレードにおいては、感光体に圧接
するエツジ部を含む面の一方が有機化合物のプラズマ重
合膜によって被覆されている。
するエツジ部を含む面の一方が有機化合物のプラズマ重
合膜によって被覆されている。
感光体に圧接するエツジ部を含む面とは第1図中漬点a
bcdで囲まれる面および頂点aa’bb’で囲まれる
面を言う。頂点abedで囲まれる面にプラズマ重合膜
を被服したときの、第1図におけるX−Y軸にそった断
面図を第2図に示した。図中(2)がプラズマ重合膜を
表す。
bcdで囲まれる面および頂点aa’bb’で囲まれる
面を言う。頂点abedで囲まれる面にプラズマ重合膜
を被服したときの、第1図におけるX−Y軸にそった断
面図を第2図に示した。図中(2)がプラズマ重合膜を
表す。
頂点aa’bb’で囲まれる面にプラズマ重合膜を被服
したときの、第1図におけるX−Y軸にそった断面図を
第3図に示した。
したときの、第1図におけるX−Y軸にそった断面図を
第3図に示した。
本発明のクリーナーブレードは第2図あるいは第3図中
の円で示したエツジ部分を感光体に圧接して使用する。
の円で示したエツジ部分を感光体に圧接して使用する。
クリーナーブレードのゴム状弾性体の全面にではなく、
上記のようにクリーナーブレードの一つの面にプラズマ
重合膜を被覆することにより、エツジの先鋭度が長期間
保持可能となるので、トナーのクリーニング性が長期に
わたって保持され、また異音が発生することもない。す
なわち、クリーナーブレードと感光体の圧接点には、プ
ラズマ重合膜の被覆されている面とゴム状弾性体の面の
2面が接しており、プラズマ重合膜はゴム状弾性体より
硬質であるのでゴム状弾性体の方が速く摩耗し、プラズ
マ重合膜によりクリーナーブレードのエツジ部は鋭く保
たれるのである。
上記のようにクリーナーブレードの一つの面にプラズマ
重合膜を被覆することにより、エツジの先鋭度が長期間
保持可能となるので、トナーのクリーニング性が長期に
わたって保持され、また異音が発生することもない。す
なわち、クリーナーブレードと感光体の圧接点には、プ
ラズマ重合膜の被覆されている面とゴム状弾性体の面の
2面が接しており、プラズマ重合膜はゴム状弾性体より
硬質であるのでゴム状弾性体の方が速く摩耗し、プラズ
マ重合膜によりクリーナーブレードのエツジ部は鋭く保
たれるのである。
従って、トナー粒径の大小にかかわらず、トナーのクリ
ーニング性が良好である。
ーニング性が良好である。
本発明に使用するゴム状弾性体としてはある程度の弾性
を有する弾性体材料、あるいは弾性を付与することので
きる公知の材料、例えばポリエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ塩化フッ化エチ
レン、ポリプロピレン、ポリビニリデン、ポリへキサフ
ルオロプロピレン等の一般プラスチック、および天然ゴ
ム、ポリウレタン、ネオプレン、ポリスチレンブタジェ
ン、シリコンゴム等のゴム状物質が使用できる。
を有する弾性体材料、あるいは弾性を付与することので
きる公知の材料、例えばポリエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ塩化フッ化エチ
レン、ポリプロピレン、ポリビニリデン、ポリへキサフ
ルオロプロピレン等の一般プラスチック、および天然ゴ
ム、ポリウレタン、ネオプレン、ポリスチレンブタジェ
ン、シリコンゴム等のゴム状物質が使用できる。
本発明は、前述したようにゴム状弾性体の一面上にプラ
ズマ重合膜を設ける(本明細書においてはプラズマ重合
膜を以下ra−C膜」と称する)。
ズマ重合膜を設ける(本明細書においてはプラズマ重合
膜を以下ra−C膜」と称する)。
本発明においてはa−C膜(2)は、ざらにa−C膜の
高架橋層とa−C膜の低架橋層からなる2層構成にして
もよい。この場合、低架橋層を高架橋層の下に設け、こ
の下層の低架橋層は圧力歪みを吸収するバッファー層と
して機能し、耐久性がさらに向上したものとなる。a−
C膜の架橋度は、グロー放電重合条件により種々選択す
ることができる。
高架橋層とa−C膜の低架橋層からなる2層構成にして
もよい。この場合、低架橋層を高架橋層の下に設け、こ
の下層の低架橋層は圧力歪みを吸収するバッファー層と
して機能し、耐久性がさらに向上したものとなる。a−
C膜の架橋度は、グロー放電重合条件により種々選択す
ることができる。
本発明においては、グロー放電法によりa−C膜を形成
するためのガスとしては、原料ガスとしての炭化水素ガ
ス及びドーピング用化合物ガスが用いられ、キャリアー
ガスとしては一般に常用される水素ガス、窒素ガス或は
アルゴン等不活性ガスが用いられる。
するためのガスとしては、原料ガスとしての炭化水素ガ
ス及びドーピング用化合物ガスが用いられ、キャリアー
ガスとしては一般に常用される水素ガス、窒素ガス或は
アルゴン等不活性ガスが用いられる。
該炭化水素ガスの相状態は常温常圧において必ずしも気
相である必要は無く、加熱或は減圧等により溶融、蒸発
、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固相
でも使用可能である。該炭化水素としては、例えば、飽
和炭化水素、不飽和炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族
炭化水素等が用いられる。
相である必要は無く、加熱或は減圧等により溶融、蒸発
、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固相
でも使用可能である。該炭化水素としては、例えば、飽
和炭化水素、不飽和炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族
炭化水素等が用いられる。
使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、イソブタン
、インペンタン、ネオペンタン、インヘキサン、ネオヘ
キサン、ジメチルブタン、メチルヘキサン、エチルペン
クン、ジメチルペンタン、トリブタン、メチルへブタン
、ジメチルヘキサン、トリメチルペンタン、イソナノン
等が用いられる。不飽和炭化水素としては、例えば、エ
チレン、プロピレン、イソブチレン、ブテン、ペンテン
、メチルブテン、ヘキセン、テ、トラメチルエチレン、
ヘプテン、オクテン、アレン、メチルアレン、ブタジェ
ン、ペンタジェン、ヘキサジエン、シクロペンタジェン
、オシメン、アロシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、
アセチレン、ジアセチレン、メチルアセチレン、ブチン
、ペンチン、ヘキシン、ヘプチン、オクチン等が用いら
れる。脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパ
ン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、
シクロへブタン、シクロオクタン、シクロプロペン、シ
クロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロ
ヘプテン、シクロオクテン、リモネン、テルビルン、フ
エランドレン、シルペストレン、ツエン、カレン、ピネ
ン、ボルニレン、カンフエン、フェンチェン、シクロブ
タンチエン、トリシクレン、ビサボレン、ジンギベレン
、クルクメン、フムレン、カジネンセスキベニヘン、セ
リネン、カリオフィレン、サンタレン、セドレン、カン
ホレン、フィロクラデン、ポドカルブレン、ミレン等が
用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメ
ン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン
、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチ
ルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビ
フェニノ呟テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェ
ニルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフ
タリン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン等
が用いられる。
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、イソブタン
、インペンタン、ネオペンタン、インヘキサン、ネオヘ
キサン、ジメチルブタン、メチルヘキサン、エチルペン
クン、ジメチルペンタン、トリブタン、メチルへブタン
、ジメチルヘキサン、トリメチルペンタン、イソナノン
等が用いられる。不飽和炭化水素としては、例えば、エ
チレン、プロピレン、イソブチレン、ブテン、ペンテン
、メチルブテン、ヘキセン、テ、トラメチルエチレン、
ヘプテン、オクテン、アレン、メチルアレン、ブタジェ
ン、ペンタジェン、ヘキサジエン、シクロペンタジェン
、オシメン、アロシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、
アセチレン、ジアセチレン、メチルアセチレン、ブチン
、ペンチン、ヘキシン、ヘプチン、オクチン等が用いら
れる。脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパ
ン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、
シクロへブタン、シクロオクタン、シクロプロペン、シ
クロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロ
ヘプテン、シクロオクテン、リモネン、テルビルン、フ
エランドレン、シルペストレン、ツエン、カレン、ピネ
ン、ボルニレン、カンフエン、フェンチェン、シクロブ
タンチエン、トリシクレン、ビサボレン、ジンギベレン
、クルクメン、フムレン、カジネンセスキベニヘン、セ
リネン、カリオフィレン、サンタレン、セドレン、カン
ホレン、フィロクラデン、ポドカルブレン、ミレン等が
用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメ
ン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン
、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチ
ルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビ
フェニノ呟テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェ
ニルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフ
タリン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン等
が用いられる。
本発明におけるa−C膜中に含まれる水素原子量は、炭
素原子と水素原子の総量に対して概ね27乃至60ji
(子%程度である。
素原子と水素原子の総量に対して概ね27乃至60ji
(子%程度である。
本発明におけるa−C膜中に含まれる水素原子の量は、
成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化し、水素
量が低くなる場合としては、例えば、基板温度を高くす
る、圧力を低くする、原料炭化水素ガスの希釈率を低く
する、水素含有率の低い原料ガスを用いる、印加電力を
高くする、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重
畳せしめた直流電界強度を高くする等の場合が挙げられ
る。
成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化し、水素
量が低くなる場合としては、例えば、基板温度を高くす
る、圧力を低くする、原料炭化水素ガスの希釈率を低く
する、水素含有率の低い原料ガスを用いる、印加電力を
高くする、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重
畳せしめた直流電界強度を高くする等の場合が挙げられ
る。
本発明におけるブレードクリーナーとしての被覆膜とし
てのa−C膜の膜厚は、概ね0.2乃至50μmが好適
である。膜厚が0.2μmより薄い場合には、a−C膜
が下地の影響を受けやすくなり、また好適な耐久性が確
保できない。また、膜厚が50μmより厚い場合には、
かならずしも好適なりリーニング性が確保できるとは限
らず、逆にクリーナーブレードの歪みと感光体との摩擦
応力によりクラック又は剥離が発生しやすくなる。また
感光体のとの摩擦によりチャージアップし、感光体に悪
影響を及ぼす。さらに製造時間が長くなる問題が生じる
。
てのa−C膜の膜厚は、概ね0.2乃至50μmが好適
である。膜厚が0.2μmより薄い場合には、a−C膜
が下地の影響を受けやすくなり、また好適な耐久性が確
保できない。また、膜厚が50μmより厚い場合には、
かならずしも好適なりリーニング性が確保できるとは限
らず、逆にクリーナーブレードの歪みと感光体との摩擦
応力によりクラック又は剥離が発生しやすくなる。また
感光体のとの摩擦によりチャージアップし、感光体に悪
影響を及ぼす。さらに製造時間が長くなる問題が生じる
。
本発明のa−C膜中には、前記炭化水素以外の原子を添
加することが可能で、a−C膜の親水性、親油性、また
はぬれ性等を変えることができ、感光体の種類、トナー
の種類に合わせて、クリーナーブレードを調製できる。
加することが可能で、a−C膜の親水性、親油性、また
はぬれ性等を変えることができ、感光体の種類、トナー
の種類に合わせて、クリーナーブレードを調製できる。
係る原子としては、ハロゲン原子、窒素原子、酸素原子
、アルカリ原子、種々の金属原子、カルコゲン原子、周
期律表第■b族元素、周期律表第1Vb族元素(炭素原
子は除く)あるいは周期律表第vb族元素を挙げること
ができる。
、アルカリ原子、種々の金属原子、カルコゲン原子、周
期律表第■b族元素、周期律表第1Vb族元素(炭素原
子は除く)あるいは周期律表第vb族元素を挙げること
ができる。
例えば本発明においては炭化水素ガスの他に、a−C膜
中に少なくともハロゲン原子を添加するためにハロゲン
化合物ガスが使用される。ここでハロゲン原子とは、弗
素原子、塩素原子、臭素原子、及び沃素原子を云う。こ
のようなハロゲン原子の添加はぬれ性、離型性の改良に
有効である。
中に少なくともハロゲン原子を添加するためにハロゲン
化合物ガスが使用される。ここでハロゲン原子とは、弗
素原子、塩素原子、臭素原子、及び沃素原子を云う。こ
のようなハロゲン原子の添加はぬれ性、離型性の改良に
有効である。
該ハロゲン化合物ガスにおける相状態は常温常圧におい
て必ずしも気相で有る必要はなく、加熱或は減圧等によ
り溶融、蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、
液相でも固相でも使用可能である。
て必ずしも気相で有る必要はなく、加熱或は減圧等によ
り溶融、蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、
液相でも固相でも使用可能である。
ハロゲン化合物としては、例えば、弗素、塩素、臭素、
沃素、弗化水素、弗化塩素、弗化臭素、弗化沃素、塩化
水素、塩化臭素、塩化沃素、臭化水素、臭化沃素、沃化
水素等の無機化合物、ハロゲン化アルキル、ハロゲン化
アルキル金属、ハロゲン化アリール、ハロゲン化珪酸エ
ステノ呟ハロゲン化スチレン、ハロゲン化ポリメチレン
、ハロゲン置換オルガノシラン、ハロホルム等の有機化
合物が用いられる。
沃素、弗化水素、弗化塩素、弗化臭素、弗化沃素、塩化
水素、塩化臭素、塩化沃素、臭化水素、臭化沃素、沃化
水素等の無機化合物、ハロゲン化アルキル、ハロゲン化
アルキル金属、ハロゲン化アリール、ハロゲン化珪酸エ
ステノ呟ハロゲン化スチレン、ハロゲン化ポリメチレン
、ハロゲン置換オルガノシラン、ハロホルム等の有機化
合物が用いられる。
ハロゲン化アルキルとしては、例えば、フッ化メチル、
塩化メチル、臭化メチル、ヨウ化メチル、フッ化エチル
、塩化エチル、臭化エチル、ヨウ化エチル、フッ化プロ
ピル、塩化プロピル、臭化プロピル、ヨウ化プロピル、
フッ化ブチル、塩化ブチル、臭化ブチル、ヨウ化ブチル
、フッ化アミル、塩化アミル、臭化アミル、ヨウ化アミ
ル、フッ化ヘキシル、塩化ヘキシル、臭化ヘキシル、ヨ
ウ化ヘキシル、7ツ化ヘプチル、塩化ヘプチル、臭化ヘ
プチル、ヨウ化ヘプチル等が用いられる。
塩化メチル、臭化メチル、ヨウ化メチル、フッ化エチル
、塩化エチル、臭化エチル、ヨウ化エチル、フッ化プロ
ピル、塩化プロピル、臭化プロピル、ヨウ化プロピル、
フッ化ブチル、塩化ブチル、臭化ブチル、ヨウ化ブチル
、フッ化アミル、塩化アミル、臭化アミル、ヨウ化アミ
ル、フッ化ヘキシル、塩化ヘキシル、臭化ヘキシル、ヨ
ウ化ヘキシル、7ツ化ヘプチル、塩化ヘプチル、臭化ヘ
プチル、ヨウ化ヘプチル等が用いられる。
ハロゲン化アルキル金属としては、例えば、塩化ジメチ
ルアルミニウム、臭化ジメチルアルミニウム、塩化ジエ
チルアルミニウム、ヨウ化ジエチルアルミニウム、二塩
化メチルアルミニウム、三臭化メチルアルミニウム、ニ
ョウ化エチルアルミニウム、塩化トリクチルスズ、臭化
トリメチルスズ、ヨウ化トリメチルスズ、塩化トリエチ
ルスズ、臭化トリエチルスズ、二塩化ジメチルスズ、三
臭化ジメチルスズ、ニョウ化ジメチルスズ、二塩化ジメ
チルスズ、三臭化ジエチルスズ、ニョウ化ジエチルスズ
、三塩化メチルスズ、三臭化メチルスズ、三ヨウ化メチ
ルスズ、三臭化エチルスズ等が用いられる。
ルアルミニウム、臭化ジメチルアルミニウム、塩化ジエ
チルアルミニウム、ヨウ化ジエチルアルミニウム、二塩
化メチルアルミニウム、三臭化メチルアルミニウム、ニ
ョウ化エチルアルミニウム、塩化トリクチルスズ、臭化
トリメチルスズ、ヨウ化トリメチルスズ、塩化トリエチ
ルスズ、臭化トリエチルスズ、二塩化ジメチルスズ、三
臭化ジメチルスズ、ニョウ化ジメチルスズ、二塩化ジメ
チルスズ、三臭化ジエチルスズ、ニョウ化ジエチルスズ
、三塩化メチルスズ、三臭化メチルスズ、三ヨウ化メチ
ルスズ、三臭化エチルスズ等が用いられる。
ハロゲン化アリールとしては、例えば、フルオロベンゼ
ン、クロルベンゼン、ブロムベンゼン、ヨードベンゼン
、クロルトルエン、ブロムトルエン、クロルナフタリン
、ブロムナフタリン等が用いられる。
ン、クロルベンゼン、ブロムベンゼン、ヨードベンゼン
、クロルトルエン、ブロムトルエン、クロルナフタリン
、ブロムナフタリン等が用いられる。
ハロゲン化珪酸エステルとしては、例えば、モノメトキ
シトリクロルシラン、ジメトキシジクロルシラン、トリ
メトキシモノクロルシラン、モノエトキシトリクロルシ
ラン、ジェトキシジクロルシラン、トリエトキシモノク
ロルシラン、モノアリロキシトリクロルシラン、ジアリ
ロキシジクロルシラン、トリアリロキシモノクロルシラ
ン等が用いられる。
シトリクロルシラン、ジメトキシジクロルシラン、トリ
メトキシモノクロルシラン、モノエトキシトリクロルシ
ラン、ジェトキシジクロルシラン、トリエトキシモノク
ロルシラン、モノアリロキシトリクロルシラン、ジアリ
ロキシジクロルシラン、トリアリロキシモノクロルシラ
ン等が用いられる。
ハロゲン化スチレンとしては、例えば、クロルスチレン
、ブロムスチレン、ヨードスチレン、フルオルスチレン
等が用いられる。
、ブロムスチレン、ヨードスチレン、フルオルスチレン
等が用いられる。
ハロゲン化ポリメチレンとしては、例えば、塩化メチレ
ン、臭化メチレン−ヨウ化メチレン、塩化エチレン、臭
化エチレン、ヨウ化エチレン、塩化トリメチレン、臭化
トリメチレン、ヨウ化トリメチレン、ジ塩化ブタン、ジ
臭化ブタン、ジヨウ化ブタン、ジ塩化ペンタン、ジ臭化
ペンタン、ジヨウ化ペンタン、ジ塩化ヘキサン、ジ臭化
ヘキサン、ジヨウ化ヘキサン、ジ塩化へブタン、ジ臭化
へブタン、ジヨウ化へブタン、ジ塩化オクタン、ジ臭化
オクタン、ジヨウ化オクタン、ジ塩化ノナン、ジ臭化ノ
ナン等が用いられる。
ン、臭化メチレン−ヨウ化メチレン、塩化エチレン、臭
化エチレン、ヨウ化エチレン、塩化トリメチレン、臭化
トリメチレン、ヨウ化トリメチレン、ジ塩化ブタン、ジ
臭化ブタン、ジヨウ化ブタン、ジ塩化ペンタン、ジ臭化
ペンタン、ジヨウ化ペンタン、ジ塩化ヘキサン、ジ臭化
ヘキサン、ジヨウ化ヘキサン、ジ塩化へブタン、ジ臭化
へブタン、ジヨウ化へブタン、ジ塩化オクタン、ジ臭化
オクタン、ジヨウ化オクタン、ジ塩化ノナン、ジ臭化ノ
ナン等が用いられる。
ハロゲン置換オルガノシランとしては、例えば、クロル
メチルトリメチルシラン、ジクロルメチルトリメチルシ
ラン、ビスクロルメチルジメチルシラン、トリスクロル
メチルメチルシラン、クロルエチルトリエチルシラン、
ジクロルエチルトリエチルシラン、ブロムメチルトリメ
チルシラン、ヨードメチルトリメチルシラン、ビスヨー
ドメチルジメチルシラン、クロルフェニルトリメチルシ
ラン、ブロムフェニルトリメチルシラン、クロルフェニ
ルトリエチルシラン、ブロムフェニルトリエチルシラン
、ヨードフェニルトリエチルシラン等が用いられる。
メチルトリメチルシラン、ジクロルメチルトリメチルシ
ラン、ビスクロルメチルジメチルシラン、トリスクロル
メチルメチルシラン、クロルエチルトリエチルシラン、
ジクロルエチルトリエチルシラン、ブロムメチルトリメ
チルシラン、ヨードメチルトリメチルシラン、ビスヨー
ドメチルジメチルシラン、クロルフェニルトリメチルシ
ラン、ブロムフェニルトリメチルシラン、クロルフェニ
ルトリエチルシラン、ブロムフェニルトリエチルシラン
、ヨードフェニルトリエチルシラン等が用いられる。
ハロホルムとしては、例えば、フルオロホルム、クロロ
ホルム、ブロモホルム、ヨードホルム等が用いられる。
ホルム、ブロモホルム、ヨードホルム等が用いられる。
本発明において化学的修飾物質として含有されるハロゲ
ン原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への
前述のハロゲン化合物ガスの導入量を増減する事により
制御する事が可能である。
ン原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への
前述のハロゲン化合物ガスの導入量を増減する事により
制御する事が可能である。
ハロゲン化合物ガスの導入量を増大させれば、本発明に
よるa−C膜中へのハロゲン原子の添加量を高くする事
が可能であり、逆にハロゲン化合物の導入量を減少させ
れば、本発明によるa−C膜中へのハロゲン原子の添加
量を低くする事が可能である。
よるa−C膜中へのハロゲン原子の添加量を高くする事
が可能であり、逆にハロゲン化合物の導入量を減少させ
れば、本発明によるa−C膜中へのハロゲン原子の添加
量を低くする事が可能である。
本発明において、そのハロゲン原子含有量は、0.1原
子%以上であればよく、最大含有量は特に制限はないが
a−C層の構造及びグロー放電という製造面から必然的
に定まる。
子%以上であればよく、最大含有量は特に制限はないが
a−C層の構造及びグロー放電という製造面から必然的
に定まる。
また、例えば本発明において炭化水素ガスの他に、a−
C膜中に少なくとも窒素原子を添加するために窒素化合
物ガスが使用される。
C膜中に少なくとも窒素原子を添加するために窒素化合
物ガスが使用される。
該窒素化合物ガスにおける相状態は常温常圧において必
ずしも気相で有る必要は無く、加熱或は減圧等により溶
融、蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相
でも固相でも使用可能である。窒素化合物としては、例
えば、窒素、アンモニア、−酸化窒素、二酸化窒素、三
酸化二窒素、五酸化二窒素、三酸化窒素等の無機化合物
、アミノ基(−NHり、シアノ基(−CN)、ニトロ基
(−No、)、ニトロソ基(−No)、イソシアン酸エ
ステル結合(−NGO)、イソチオシアン酸エステル結
合(−NCS)、アゾチオエーテル結合(−N−NS−
)、ペプチド結合(−CONH−)、窒素を含む複素環
等の官能基或は結合を有する有機化合物が用いられる。
ずしも気相で有る必要は無く、加熱或は減圧等により溶
融、蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相
でも固相でも使用可能である。窒素化合物としては、例
えば、窒素、アンモニア、−酸化窒素、二酸化窒素、三
酸化二窒素、五酸化二窒素、三酸化窒素等の無機化合物
、アミノ基(−NHり、シアノ基(−CN)、ニトロ基
(−No、)、ニトロソ基(−No)、イソシアン酸エ
ステル結合(−NGO)、イソチオシアン酸エステル結
合(−NCS)、アゾチオエーテル結合(−N−NS−
)、ペプチド結合(−CONH−)、窒素を含む複素環
等の官能基或は結合を有する有機化合物が用いられる。
アミノ基を有する有機化合物としては、例えば、メチル
アミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン
、アミルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オ
クチルアミン、セチルアミン、ジメチルアミン、ジエチ
ルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、シアミ
ルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ
プロピルアミン、トリブチルアミン、トリアミルアミン
、アリルアミン、ジアリルアミン、トリアリルアミン、
シクロプロピルアミン、シクロブチルアミン、シクロペ
ンチルアミン、シクロヘキシルアミン、アニリン、メチ
ルアニリン、ジメチルアニリン、エチルアニリン、ジエ
チルアニリン、トルイジン、ベンジルアミン、ジベンジ
ルアミン、トリベンジルアミン、ジフェニルアミン、ト
リフェニルアミン、ナフチルアミン、エチレンジアミン
、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペ
ンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジア
ミノへブタン、ジアミノオクタン、フェニレンジアミン
等が用いられる。
アミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン
、アミルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オ
クチルアミン、セチルアミン、ジメチルアミン、ジエチ
ルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、シアミ
ルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ
プロピルアミン、トリブチルアミン、トリアミルアミン
、アリルアミン、ジアリルアミン、トリアリルアミン、
シクロプロピルアミン、シクロブチルアミン、シクロペ
ンチルアミン、シクロヘキシルアミン、アニリン、メチ
ルアニリン、ジメチルアニリン、エチルアニリン、ジエ
チルアニリン、トルイジン、ベンジルアミン、ジベンジ
ルアミン、トリベンジルアミン、ジフェニルアミン、ト
リフェニルアミン、ナフチルアミン、エチレンジアミン
、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペ
ンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジア
ミノへブタン、ジアミノオクタン、フェニレンジアミン
等が用いられる。
シアノ基を有する有機化合物としては、例えば、アセト
ニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、バレロ
ニトリル、カプロニトリル、エナンニトリル、カプリロ
ニトリル、7エラルゴンニトリル、カブリニトリル、ラ
ウロニトリル、パルミトニトリル、ステアロニトリル、
クロトンニトリル、マロンニトリル、ステアロニトリル
、タルタルニトリル、アジポニトリル、ベンゾニトリル
、トルニトリル、シアン化ベンジルけい皮酸ニトリル、
ナフトニトリル、シアンピリジン等が用いられる。
ニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、バレロ
ニトリル、カプロニトリル、エナンニトリル、カプリロ
ニトリル、7エラルゴンニトリル、カブリニトリル、ラ
ウロニトリル、パルミトニトリル、ステアロニトリル、
クロトンニトリル、マロンニトリル、ステアロニトリル
、タルタルニトリル、アジポニトリル、ベンゾニトリル
、トルニトリル、シアン化ベンジルけい皮酸ニトリル、
ナフトニトリル、シアンピリジン等が用いられる。
ニトロ基を有する有機化合物としては、例えば、ニトロ
ベンゼン、ニトロトルエン、ニトロキシレン、ニトロナ
フタリン、等が用いられる。
ベンゼン、ニトロトルエン、ニトロキシレン、ニトロナ
フタリン、等が用いられる。
ニトロン基を有する有機化合物としては、例えば、ニト
ロソベンゼン、ニトロソトルエン、ニトロソナフタリン
、ニトロソクレゾール等が用いられる。
ロソベンゼン、ニトロソトルエン、ニトロソナフタリン
、ニトロソクレゾール等が用いられる。
イソシアン酸エステル結合を有する有機化合物としては
、例えば、イソシアン酸メチル、イソシアン酸エチル、
イソシアン酸プロピル、イソシアン酸ブチル、イソシア
ン酸フェニル、イソシアン酸ナフチル等が用いられる。
、例えば、イソシアン酸メチル、イソシアン酸エチル、
イソシアン酸プロピル、イソシアン酸ブチル、イソシア
ン酸フェニル、イソシアン酸ナフチル等が用いられる。
イソチオシアン酸エステル結合を有する有機化合物とし
ては、例えば、インチオシアン酸メチル、インチオシア
ン酸エチル、インチオシアン酸プロピル、インチオシア
ン酸ブチル、イソチオシアン酸アミル、インチオシアン
酸アリル、イソチオシアン酸フェニル、インチオシアン
酸ベンジル等が用いられる。
ては、例えば、インチオシアン酸メチル、インチオシア
ン酸エチル、インチオシアン酸プロピル、インチオシア
ン酸ブチル、イソチオシアン酸アミル、インチオシアン
酸アリル、イソチオシアン酸フェニル、インチオシアン
酸ベンジル等が用いられる。
アゾチオエーテル結合を有する有機化合物としては、例
えば、ベンゼンジアゾチオフェニルエーテル、クロルベ
ンゼンジアゾチオフェニルエーテル、ブロムベンゼンジ
アゾチオフェニルエーテル、ニトロベンゼンジアゾチオ
フェニルエーテル、フエニルジアゾメルカプトナフタリ
ン、メトキシフエニルジアゾメルカプトナフタリン、ベ
ンゼンジアゾチオグリコール酸、ブロムベンゼンジアゾ
チオグリコール酸、ニトロベンゼンジアゾチオグリコー
ル酸等が用いられる。
えば、ベンゼンジアゾチオフェニルエーテル、クロルベ
ンゼンジアゾチオフェニルエーテル、ブロムベンゼンジ
アゾチオフェニルエーテル、ニトロベンゼンジアゾチオ
フェニルエーテル、フエニルジアゾメルカプトナフタリ
ン、メトキシフエニルジアゾメルカプトナフタリン、ベ
ンゼンジアゾチオグリコール酸、ブロムベンゼンジアゾ
チオグリコール酸、ニトロベンゼンジアゾチオグリコー
ル酸等が用いられる。
ペプチド結合を有する有機化合物としては、例えば、グ
リセロイドペプチド、グリセロイドペプチド等が用いら
れる。
リセロイドペプチド、グリセロイドペプチド等が用いら
れる。
複素環化合物としては、ビロール、ピロリン、ピロリジ
ン、オキサゾール、チアゾール、イミダゾール、イミダ
シリン、イミダゾリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピ
ラゾリジン、トリアゾール、テトラゾール、ピリジン、
ピペリジン、オキサジン、モルホリン、チアジン、ピリ
ダジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジン、トリアジ
ン、インドール、インドリン、ベンゾオキサゾール、イ
ンダゾール、ベンゾイミダゾール、キノリン、シンノリ
ン、フタラジン、7タロシアニン、キナゾリン、キンキ
サリン、カルバゾール フエナントリジン、フェナジン、フェノキサジン、イン
ドリジン、キノリジン、キヌクリジン、ナフチリジン、
プリン、プテリジン、アジリジン、アゼリピン、オキサ
ジアジン、ジチアジン、ベンゾキノリン、イミダゾチア
ゾール等が用いられる。
ン、オキサゾール、チアゾール、イミダゾール、イミダ
シリン、イミダゾリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピ
ラゾリジン、トリアゾール、テトラゾール、ピリジン、
ピペリジン、オキサジン、モルホリン、チアジン、ピリ
ダジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジン、トリアジ
ン、インドール、インドリン、ベンゾオキサゾール、イ
ンダゾール、ベンゾイミダゾール、キノリン、シンノリ
ン、フタラジン、7タロシアニン、キナゾリン、キンキ
サリン、カルバゾール フエナントリジン、フェナジン、フェノキサジン、イン
ドリジン、キノリジン、キヌクリジン、ナフチリジン、
プリン、プテリジン、アジリジン、アゼリピン、オキサ
ジアジン、ジチアジン、ベンゾキノリン、イミダゾチア
ゾール等が用いられる。
本発明において化学的修飾物質として含有される窒素原
子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述
の窒素化合物ガスの導入量を増減する事により制御する
事が可能である。窒素化合物ガスの導入量を増大させれ
ば、本発明によるa−C膜中への窒素原子の添加量を高
くする事が可能であり、逆に窒素化合物の導入量を減少
させれば、本発明によるa−C膜中への窒素原子の添加
量を低くする事が可能である。
子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述
の窒素化合物ガスの導入量を増減する事により制御する
事が可能である。窒素化合物ガスの導入量を増大させれ
ば、本発明によるa−C膜中への窒素原子の添加量を高
くする事が可能であり、逆に窒素化合物の導入量を減少
させれば、本発明によるa−C膜中への窒素原子の添加
量を低くする事が可能である。
本発明において、その窒素原子含有量は、0.1原子%
以上であればよく、最大含有量は特に制限はないがa−
C層の構造及びグロー放電という製造面から必然的に定
まる。
以上であればよく、最大含有量は特に制限はないがa−
C層の構造及びグロー放電という製造面から必然的に定
まる。
また、例えば、本発明においては炭化水素ガスの他に、
a−C膜中に少なくとも酸素原子を添加するために酸素
化合物ガスが使用される。該酸素化合物ガスにおける相
状態は常温常圧において必ずしも気相である必要は無く
、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化
し得るものであれば、液相でも固相でも使用可能である
。酸素化合物としては、例えば、酸素、オゾン、水蒸気
、−酸化炭素、二酸化炭素、亜酸化炭素等の無機化合物
、水酸基(−〇H)、アルデヒド基(− C O H)
、アシル基(RCO−、−CRO)、ケトン基(>CO
)、エーテル結合(−0−)、エステル結合(−C00
−)、酸素を含む複素環等の官能基或は結合を有する有
機化合物等が用いられる。 水酸基を有する有機化
合物としては、例えば、メタノール、エタノール、プロ
パツール、ブタノール、アリルアルコール、フルオロエ
タノール、フルオロブタノール、フェノール、シクロヘ
キサノール、ベンジルアルコール、フルフリルアルコー
ル等が用いられる。
a−C膜中に少なくとも酸素原子を添加するために酸素
化合物ガスが使用される。該酸素化合物ガスにおける相
状態は常温常圧において必ずしも気相である必要は無く
、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化
し得るものであれば、液相でも固相でも使用可能である
。酸素化合物としては、例えば、酸素、オゾン、水蒸気
、−酸化炭素、二酸化炭素、亜酸化炭素等の無機化合物
、水酸基(−〇H)、アルデヒド基(− C O H)
、アシル基(RCO−、−CRO)、ケトン基(>CO
)、エーテル結合(−0−)、エステル結合(−C00
−)、酸素を含む複素環等の官能基或は結合を有する有
機化合物等が用いられる。 水酸基を有する有機化
合物としては、例えば、メタノール、エタノール、プロ
パツール、ブタノール、アリルアルコール、フルオロエ
タノール、フルオロブタノール、フェノール、シクロヘ
キサノール、ベンジルアルコール、フルフリルアルコー
ル等が用いられる。
アルデヒド基を有する有機化合物としては、例えば、ホ
ルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ブロピオアルデヒ
ド、ブチルアルデヒド、グリオキサール、アクロレイン
、ベンズアルデヒド、フルフラール等が用いられる。
ルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ブロピオアルデヒ
ド、ブチルアルデヒド、グリオキサール、アクロレイン
、ベンズアルデヒド、フルフラール等が用いられる。
アシル基を有する有機化合物としては、例えば、ギ酸、
酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、パルミチン酸、ス
テアリン酸、オレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク
酸、安息香酸、トルイル酸、サリチル酸、ケイヒ酸、ナ
フトエ酸、フタル酸、フラン酸等が用いられる。
酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、パルミチン酸、ス
テアリン酸、オレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク
酸、安息香酸、トルイル酸、サリチル酸、ケイヒ酸、ナ
フトエ酸、フタル酸、フラン酸等が用いられる。
ケトン基を有する有機化合物としては、例えば、アセト
ン、エチルメチルケトン、メチルビニルケトン、ブチル
メチルケトン、ビナコロン、ジエチルケトン、メチルビ
ニルケトン、メシチルオキシド、メチルへブテノン、シ
クロブタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、
アセトフェノン、フロピオフエノンブチロフェノン、バ
レロフエノン、ジベンジルケトン、アセトナフトン、ア
セトチエノン、アセトフロン等が用いられる。
ン、エチルメチルケトン、メチルビニルケトン、ブチル
メチルケトン、ビナコロン、ジエチルケトン、メチルビ
ニルケトン、メシチルオキシド、メチルへブテノン、シ
クロブタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、
アセトフェノン、フロピオフエノンブチロフェノン、バ
レロフエノン、ジベンジルケトン、アセトナフトン、ア
セトチエノン、アセトフロン等が用いられる。
エーテル結合を有する有機化合物としては、例えば、メ
チルエーテル、エチルエーテル、プロピルエーテル、ブ
チルエーテル、アミルエーテル、エチルメチルエーテル
、メチルプロピルエーテル、メチルブチルエーテル、メ
チルアミルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチル
ブチルエーテル、エチルアミルエーテル、ビニルエーテ
ル、アリルエーテル、メチルビニルエーテル、メチルア
リルエーテル、エチルビニルエーテル、エチルアリルエ
ーテル、アニソール、フェネトール、フェニルエーテル
、ベンジルエーテル、フェニルベンジルエーテル、ナフ
チルエーテル、酸化エチレン、酸化プロピレン、酸化ト
リメチレン、テトラヒドロ7ラン、テトラヒドロピラン
、ジオキサン等が用いられる。
チルエーテル、エチルエーテル、プロピルエーテル、ブ
チルエーテル、アミルエーテル、エチルメチルエーテル
、メチルプロピルエーテル、メチルブチルエーテル、メ
チルアミルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチル
ブチルエーテル、エチルアミルエーテル、ビニルエーテ
ル、アリルエーテル、メチルビニルエーテル、メチルア
リルエーテル、エチルビニルエーテル、エチルアリルエ
ーテル、アニソール、フェネトール、フェニルエーテル
、ベンジルエーテル、フェニルベンジルエーテル、ナフ
チルエーテル、酸化エチレン、酸化プロピレン、酸化ト
リメチレン、テトラヒドロ7ラン、テトラヒドロピラン
、ジオキサン等が用いられる。
エステル結合を有する有機化合物としては、例えば、ギ
酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ
酸アミル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢
酸ブチル、酢酸アミル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸ブチ
ル、プロピオン酸アミル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪
酸プロピル、酪酸ブチノ呟酪酸アミル、吉草酸メチル、
吉草酸エチル、吉草酸プロピル、吉草酸ブチル、吉草酸
アミル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、ケイ皮酸メ
チル、ケイ皮酸エチル、ケイ皮酸プロピル、サリチル酸
メチル、サリチル酸エチル、サリチル酸プロピル、サリ
チル酸ブチノ呟サリチル酸アミル、アントラニル酸メチ
ル、アントラニル酸エチル、アントラニル酸ブチル、ア
ントラニル酸アミル、フタル酸メチル、フタル酸エチル
、フタル酸ブチル等が用いられる。
酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ
酸アミル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢
酸ブチル、酢酸アミル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸ブチ
ル、プロピオン酸アミル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪
酸プロピル、酪酸ブチノ呟酪酸アミル、吉草酸メチル、
吉草酸エチル、吉草酸プロピル、吉草酸ブチル、吉草酸
アミル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、ケイ皮酸メ
チル、ケイ皮酸エチル、ケイ皮酸プロピル、サリチル酸
メチル、サリチル酸エチル、サリチル酸プロピル、サリ
チル酸ブチノ呟サリチル酸アミル、アントラニル酸メチ
ル、アントラニル酸エチル、アントラニル酸ブチル、ア
ントラニル酸アミル、フタル酸メチル、フタル酸エチル
、フタル酸ブチル等が用いられる。
酸素を含む複素環化合物としては、フラン、オキサゾー
ル、フラザン、ピラン、オキサジン、モルホリン、ベン
ゾフラン、ベンゾオキサゾール、クロメン、クロマン、
ジベンゾフラン、キサンチン、フェノキサジン、オキソ
ラン、ジオキソラン、オキサチオラン、オキサジアジン
、ベンゾイソオキサゾール等が用いられる。
ル、フラザン、ピラン、オキサジン、モルホリン、ベン
ゾフラン、ベンゾオキサゾール、クロメン、クロマン、
ジベンゾフラン、キサンチン、フェノキサジン、オキソ
ラン、ジオキソラン、オキサチオラン、オキサジアジン
、ベンゾイソオキサゾール等が用いられる。
本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述
の酸素化合物ガスの導入量を増減する事により制御する
事が可能である。酸素化合物ガスの導入量を増大させれ
ば、本発明によるa−C膜中への酸素原子の添加量を高
くする事が可能であり、逆に酸素化合物の導入量を減少
させれば、本発明によるa−C膜中への酸素原子の添加
量を低くする事が可能である。
子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述
の酸素化合物ガスの導入量を増減する事により制御する
事が可能である。酸素化合物ガスの導入量を増大させれ
ば、本発明によるa−C膜中への酸素原子の添加量を高
くする事が可能であり、逆に酸素化合物の導入量を減少
させれば、本発明によるa−C膜中への酸素原子の添加
量を低くする事が可能である。
本発明において、その酸素原子含有量は、0.1原子%
以上であればよく、最大含有量は特に制限はないがa−
C層の構造及びグロー放電という製造面から必然的に定
まる。
以上であればよく、最大含有量は特に制限はないがa−
C層の構造及びグロー放電という製造面から必然的に定
まる。
また、例えば、本発明においては炭化水素ガスの他に、
a−C膜中に少なくともアルカリ金属原子を添加するた
めにアルカリ金属化合物ガスが使用される。ここでアル
カリ金属原子とは、リチウム原子、カリウム原子、ナト
リウム原子、ルビジウム原子、及びセシウム原子を云う
。
a−C膜中に少なくともアルカリ金属原子を添加するた
めにアルカリ金属化合物ガスが使用される。ここでアル
カリ金属原子とは、リチウム原子、カリウム原子、ナト
リウム原子、ルビジウム原子、及びセシウム原子を云う
。
該アルカリ金属化合物ガスにおける相状態は常温常圧に
おいて必ずしも気相で有る必要は無く、むしろ気相状態
の化合物は少ないため、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
おいて必ずしも気相で有る必要は無く、むしろ気相状態
の化合物は少ないため、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
アルカリ金属化合物としては、例えば、金属アルコラー
ド、金属アクリル酸、金属メタクリル酸、或は、金属フ
タロシアニン等が用いられる。
ド、金属アクリル酸、金属メタクリル酸、或は、金属フ
タロシアニン等が用いられる。
本発明において化学的修飾物質として含有されるアルカ
リ金属原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室
への前述のアルカリ金属化合物ガスの導入量を増減する
事により制御する事が可能である。アルカリ金属化合物
ガスの導入量を増大させれば、本発明によるa−C膜中
へのアルカリ金属原子の添加量を高くする事が可能であ
り、逆にアルカリ金属化合物の導入量を減少させれば、
本発明によるa−C膜中へのアルカリ金属原子の添加量
を低くする事が可能である。
リ金属原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室
への前述のアルカリ金属化合物ガスの導入量を増減する
事により制御する事が可能である。アルカリ金属化合物
ガスの導入量を増大させれば、本発明によるa−C膜中
へのアルカリ金属原子の添加量を高くする事が可能であ
り、逆にアルカリ金属化合物の導入量を減少させれば、
本発明によるa−C膜中へのアルカリ金属原子の添加量
を低くする事が可能である。
本発明において、そのアルカリ金属原子含有量は、0.
lji[千%以上であればよく、最大含有量は特に制限
はないが表面保護層の構造及びグロー放電という製造面
から必然的に定まる。
lji[千%以上であればよく、最大含有量は特に制限
はないが表面保護層の構造及びグロー放電という製造面
から必然的に定まる。
更に、また、例えば、本発明においては炭化水素ガスの
他に、a−C膜中に少なくとも金属原子を添加するため
に金属化合物ガスが使用される。
他に、a−C膜中に少なくとも金属原子を添加するため
に金属化合物ガスが使用される。
ここで、金属原子とは、na族、■a族、IVa族、V
a族、VIa族、■a族、■族、Ib族、nb族の各元
素およびSn、Pb、Fm、Md、No等を示す。
a族、VIa族、■a族、■族、Ib族、nb族の各元
素およびSn、Pb、Fm、Md、No等を示す。
特に本発明の目的のために好ましい金属原子としては、
Bes Mg%Ca1Tis Vs Mns F es
Co5Ni1Cu1ZnSSr、y、Zr、Mo、T
c、Ru。
Bes Mg%Ca1Tis Vs Mns F es
Co5Ni1Cu1ZnSSr、y、Zr、Mo、T
c、Ru。
Rh、Pds Ag、Cd、Snであり、特に好ましい
ものは、Ca、Ti、Fes Cu、Zn、Ag、Sn
等である。このような金属原子の添加は帯電防止、即ち
、感光体との摩擦帯電によるブレードがチャージアップ
し、リーク時に感光体に悪影響を及ぼすのを防止できる
。金属原子添加により、電気抵抗値を調整し、上記問題
点を解決するのに有効である。
ものは、Ca、Ti、Fes Cu、Zn、Ag、Sn
等である。このような金属原子の添加は帯電防止、即ち
、感光体との摩擦帯電によるブレードがチャージアップ
し、リーク時に感光体に悪影響を及ぼすのを防止できる
。金属原子添加により、電気抵抗値を調整し、上記問題
点を解決するのに有効である。
該金属化合物ガスにおける相状態は常温常圧において必
ずしも気相で有る必要は無く、また、むしろ気相状態の
化合物は少ないため、加熱或は減圧等により溶融、蒸発
、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固相
でも使用可能である。
ずしも気相で有る必要は無く、また、むしろ気相状態の
化合物は少ないため、加熱或は減圧等により溶融、蒸発
、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固相
でも使用可能である。
金属化合物としては、例えば、金属アルコラード、金属
アクリル酸、金属メタクリル酸、或は、金属フタロシア
ニン(有機金属ガス)等が用いられる。 ・ 本発明において化学的修飾物質として含有される金属原
子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述
の金属化合物ガスの導入量を増減する事により制御する
事が可能である。金属化合物ガスの導入量を増大させれ
ば、本発明によるa−C膜中への金属原子の添加量を高
くする事が可能であり、逆に金属化合物の導入量を減少
させれば、本発明によるa−C膜中への金属原子の添加
量を低くする事が可能である。
アクリル酸、金属メタクリル酸、或は、金属フタロシア
ニン(有機金属ガス)等が用いられる。 ・ 本発明において化学的修飾物質として含有される金属原
子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述
の金属化合物ガスの導入量を増減する事により制御する
事が可能である。金属化合物ガスの導入量を増大させれ
ば、本発明によるa−C膜中への金属原子の添加量を高
くする事が可能であり、逆に金属化合物の導入量を減少
させれば、本発明によるa−C膜中への金属原子の添加
量を低くする事が可能である。
本発明において、その金属原子含有量は、0.1原子%
以上であればよく、最大含有量は特に制限はないが表面
保護層の構造及びグロー放電という製造面から必然的に
定まる。
以上であればよく、最大含有量は特に制限はないが表面
保護層の構造及びグロー放電という製造面から必然的に
定まる。
更に、化学的修飾物質として、a−C膜中に少なくとも
周期律表第mb族凍原子添加するために、周期律第mb
b元素化合物ガスが使用される。
周期律表第mb族凍原子添加するために、周期律第mb
b元素化合物ガスが使用される。
上記化合物における相状態は常温常圧において必ずしも
気相で有る必要は無く、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
気相で有る必要は無く、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
周期律第mbb元素を含む化合物としては、例えば、B
、H,、BCI、、BBr、、BF、、B(QCzHs
)s、AlCl、、A l(Oi C3H?)3、(
CH3)3Al% (C2H6)3Al、(i−CaH
a)sAl、GaC15、GaBr、、Ga(Oi−C
3H7)3、(c H5)sGas (c、Hs)、G
as In(Oi−C3H?)!、(C*Hs)s
I n等を用いることができる。
、H,、BCI、、BBr、、BF、、B(QCzHs
)s、AlCl、、A l(Oi C3H?)3、(
CH3)3Al% (C2H6)3Al、(i−CaH
a)sAl、GaC15、GaBr、、Ga(Oi−C
3H7)3、(c H5)sGas (c、Hs)、G
as In(Oi−C3H?)!、(C*Hs)s
I n等を用いることができる。
上記a−C膜中に含まれる周期律表第mbb元素の量は
、プラズマ重合反応に用いる少なくとも周期律表第■族
元素を含む分子の量を増減することにより調整すること
ができる。
、プラズマ重合反応に用いる少なくとも周期律表第■族
元素を含む分子の量を増減することにより調整すること
ができる。
更に、a−C膜中に、少なくとも周期律表第vbb元素
を添加するために、周期律表第vbb元素を含む化合物
(窒素を含む化合物については前述した)が使用される
。
を添加するために、周期律表第vbb元素を含む化合物
(窒素を含む化合物については前述した)が使用される
。
上記化合物における相状態は常温常圧において必ずしも
気相で有る必要は無く、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
気相で有る必要は無く、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
上記化合物としては、例えばPH3、PF、、PF6、
Pct、F、PC12F3、Pct、、PBrl、PO
(OCHs)s、P(C!HJ3、P OC1,、As
H,、AsC1,、AsBr、、AsF、、AsF、、
AsCl、、5bHs、SbF、、5bC1s、5b(
OCzHs)s等を用いることができる。
Pct、F、PC12F3、Pct、、PBrl、PO
(OCHs)s、P(C!HJ3、P OC1,、As
H,、AsC1,、AsBr、、AsF、、AsF、、
AsCl、、5bHs、SbF、、5bC1s、5b(
OCzHs)s等を用いることができる。
上記a−C膜中に含まれる周期律表第vb族元素の量は
、プラズマ重合反応に用いる少なくとも周期律表第V族
元素を含む分子の量を増減することにより調整すること
ができる。
、プラズマ重合反応に用いる少なくとも周期律表第V族
元素を含む分子の量を増減することにより調整すること
ができる。
更に、a−C膜中に少なくともカルコゲン原子を添加す
るためにカルコゲン原子化合物が使用される。ここでカ
ルコゲン原子とは、イオウ、セレン、テルルをいう。
るためにカルコゲン原子化合物が使用される。ここでカ
ルコゲン原子とは、イオウ、セレン、テルルをいう。
上記化合物における相状態は常温常圧において必ずしも
気相で有る必要は無く、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
気相で有る必要は無く、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
カルコゲン原子を含む化合物としては具体的には、例え
ば、H,S、cH3(ci−is)4s(CHx)ac
H3、CH,悶CHCH,5CHICH−CH,、C2
Hs S C! Hs、c、H,SCH,、チオフェン
、HよSe、(C,H6)ISe、H,Te等を用いる
ことができる。
ば、H,S、cH3(ci−is)4s(CHx)ac
H3、CH,悶CHCH,5CHICH−CH,、C2
Hs S C! Hs、c、H,SCH,、チオフェン
、HよSe、(C,H6)ISe、H,Te等を用いる
ことができる。
上記a−C膜中に含まれるカルコゲン原子の量は、プラ
ズマ重合反応に用いる少なくともカルコゲン原子を含む
分子の量を増減することにより調整することができる。
ズマ重合反応に用いる少なくともカルコゲン原子を含む
分子の量を増減することにより調整することができる。
更に、a−C膜中に少なくとも周期律表第1Vb族元素
(Si%GLrJ:いう)を添加するために、周期律表
第1Vb族元素を含む化合物が使用される。
(Si%GLrJ:いう)を添加するために、周期律表
第1Vb族元素を含む化合物が使用される。
上記化合物における相状態は常温常圧において必ずしも
気相で有る必要は無く、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも同
相でも使用可能である。
気相で有る必要は無く、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも同
相でも使用可能である。
周期律表第1Vb族元素を含む化合物としては、具体的
には、例えば、SiHい5ilH,、(caHs)3S
iH,SiFい SiH,C1,、S iCl、% S
1(OCH3)4% S l(OC2HJ4.5i
(OCsHr)a、GeH4、GeCl、、GeF、、
Ge2H,、G e(OCx Hs )6、Ge(C!
Hs)い(CH3)asns (C*Hi)isnsS
nCl、等を用いることができる。
には、例えば、SiHい5ilH,、(caHs)3S
iH,SiFい SiH,C1,、S iCl、% S
1(OCH3)4% S l(OC2HJ4.5i
(OCsHr)a、GeH4、GeCl、、GeF、、
Ge2H,、G e(OCx Hs )6、Ge(C!
Hs)い(CH3)asns (C*Hi)isnsS
nCl、等を用いることができる。
上記a−C膜中に含まれる周期律表第1Vb族原子の量
は、プラズマ重合反応に用いる少なくとも周期律表第■
族原子を含む分子の量を増減することにより調整するこ
とができる。
は、プラズマ重合反応に用いる少なくとも周期律表第■
族原子を含む分子の量を増減することにより調整するこ
とができる。
第4図は本発明に係わるブレードクリーナー即ち、a−
C膜を形成するための製造装置を示し、図中(701)
〜(706)は常温において気相状態にある原料及びキ
ャリアガスを密封した第1乃至第6タンクで、各々のタ
ンクは第1乃至第6調節弁(707)〜(712)と第
1乃至第6流量制御器(713)〜(718)に接続さ
れている。図中(719)〜(721)は常温において
液相または固相状態にある原料を封入した第1乃至第3
容器で、夫々の容器は気化のため、第1乃至第3温調器
(722)〜(724)により与熱可能であり、さらに
夫々の容器は第7乃至第9調節弁(725)〜(727
)と第7乃至第9流量制御器(728)〜(730)に
接続されている。これらのガスは混合器(731)で混
合された後、主管(732)を介して反応室(733)
に送り込まれる。途中の配管は、常温において液相また
は固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中
で凝結しないように、適宜配置された配管加熱器(73
4)により、与熱可能とされている。反応室内には接地
電極(735)と電力印加電極(736)が対向して配
置され、夫々の電極は電極加熱器(737)により与熱
可能とされている。電力印加電極(736)には、高周
波電力用整合器(738)を介して高周波電源(739
)、低周波電力用整合器(740)を介して低周波電源
(741)、ローパスフィルタ(742)を介して直流
電源(743)が接続されており、接続選択スイッチ(
744)により周波数の異なる電力が印加可能とされて
いる。反応室(733’)内の圧力は圧力制御弁(74
5)により調整可能であり、反応室(733)内の減圧
は、排気系選択弁(746)を介して、拡散ポンプ(7
47)、油回転ポンプ(748)、或は、冷却除外装置
(749)、メカニカルブースターポンプ(750)、
油回転ポンプ(748)により行なわれる。排ガスにつ
いては、さらに適当な除外装置(753)により安全無
害化した後、大気中に排気される。これら排気系配管に
就いても、常温において液相または固相状態にあった原
料化合物が気化したガスが途中で凝結しない様に、適宜
配置された配管加熱器(734)により、与熱可能とさ
れている。反応室(733)も同様の理由から反応室加
熱器(751)により与熱可能とされ、内部に配された
電極上には、予め弾性体層が形成された熱伝導支持パイ
プ(752)が配置される。
C膜を形成するための製造装置を示し、図中(701)
〜(706)は常温において気相状態にある原料及びキ
ャリアガスを密封した第1乃至第6タンクで、各々のタ
ンクは第1乃至第6調節弁(707)〜(712)と第
1乃至第6流量制御器(713)〜(718)に接続さ
れている。図中(719)〜(721)は常温において
液相または固相状態にある原料を封入した第1乃至第3
容器で、夫々の容器は気化のため、第1乃至第3温調器
(722)〜(724)により与熱可能であり、さらに
夫々の容器は第7乃至第9調節弁(725)〜(727
)と第7乃至第9流量制御器(728)〜(730)に
接続されている。これらのガスは混合器(731)で混
合された後、主管(732)を介して反応室(733)
に送り込まれる。途中の配管は、常温において液相また
は固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中
で凝結しないように、適宜配置された配管加熱器(73
4)により、与熱可能とされている。反応室内には接地
電極(735)と電力印加電極(736)が対向して配
置され、夫々の電極は電極加熱器(737)により与熱
可能とされている。電力印加電極(736)には、高周
波電力用整合器(738)を介して高周波電源(739
)、低周波電力用整合器(740)を介して低周波電源
(741)、ローパスフィルタ(742)を介して直流
電源(743)が接続されており、接続選択スイッチ(
744)により周波数の異なる電力が印加可能とされて
いる。反応室(733’)内の圧力は圧力制御弁(74
5)により調整可能であり、反応室(733)内の減圧
は、排気系選択弁(746)を介して、拡散ポンプ(7
47)、油回転ポンプ(748)、或は、冷却除外装置
(749)、メカニカルブースターポンプ(750)、
油回転ポンプ(748)により行なわれる。排ガスにつ
いては、さらに適当な除外装置(753)により安全無
害化した後、大気中に排気される。これら排気系配管に
就いても、常温において液相または固相状態にあった原
料化合物が気化したガスが途中で凝結しない様に、適宜
配置された配管加熱器(734)により、与熱可能とさ
れている。反応室(733)も同様の理由から反応室加
熱器(751)により与熱可能とされ、内部に配された
電極上には、予め弾性体層が形成された熱伝導支持パイ
プ(752)が配置される。
反応室は、拡散ポンプにより予め10−’乃至lO−’
Torr程度にまで減圧し、真空度の確認と装置内部に
吸着したガスの脱着を行なう。同時に電極加熱器により
、電極並びに電極に固定して配されたクリーナーブレー
ド母材(有機弾性体からなり、本発明によりa−C膜の
必要な面以外は適当な手段により被覆されている)を、
必要に応じ、所定の温度まで昇温する。基板温度はヒー
ター(737)により、所望の基板温度に設定される。
Torr程度にまで減圧し、真空度の確認と装置内部に
吸着したガスの脱着を行なう。同時に電極加熱器により
、電極並びに電極に固定して配されたクリーナーブレー
ド母材(有機弾性体からなり、本発明によりa−C膜の
必要な面以外は適当な手段により被覆されている)を、
必要に応じ、所定の温度まで昇温する。基板温度はヒー
ター(737)により、所望の基板温度に設定される。
次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃至第3容器から
適宜炭化水素並びにドーピング用化合物よりなる原料ガ
スを第1乃至第9流量制御器を用いて定流量化しながら
反応室内に導入し、圧力調節弁により反応室内を一定の
減圧状態に保つ。ガス流量が安定化した後、接続選択ス
イッチにより、例えば高周波電源を選択し、電力印加電
極に高周波電力を投入する。両電極間には放電が開始さ
れ、時間と共に基板上に固相の膜が形成される。反応時
間により膜厚を制御し、所定の膜厚に達したところで放
電を停止し、所望の面にa−C膜が被覆された本発明の
クリーナーブレードを得る。
適宜炭化水素並びにドーピング用化合物よりなる原料ガ
スを第1乃至第9流量制御器を用いて定流量化しながら
反応室内に導入し、圧力調節弁により反応室内を一定の
減圧状態に保つ。ガス流量が安定化した後、接続選択ス
イッチにより、例えば高周波電源を選択し、電力印加電
極に高周波電力を投入する。両電極間には放電が開始さ
れ、時間と共に基板上に固相の膜が形成される。反応時
間により膜厚を制御し、所定の膜厚に達したところで放
電を停止し、所望の面にa−C膜が被覆された本発明の
クリーナーブレードを得る。
本発明に従いえられるクリーナーブレードは、公知のク
リーナーブレード表面上にa −C膜を形成したもので
あり、公知のクリーナーブレードの使用方法に従い適用
可能であり、小粒径のトナーをも効果的にクリーニング
する。本発明の効果をより有効に得るためには、a−C
膜により被服された面が、感光体とブレードとの圧接点
通過後の感光体表面と対向するように本発明のクリーナ
ーブレードを圧接することが好ましい。
リーナーブレード表面上にa −C膜を形成したもので
あり、公知のクリーナーブレードの使用方法に従い適用
可能であり、小粒径のトナーをも効果的にクリーニング
する。本発明の効果をより有効に得るためには、a−C
膜により被服された面が、感光体とブレードとの圧接点
通過後の感光体表面と対向するように本発明のクリーナ
ーブレードを圧接することが好ましい。
以下、実施例を挙げながら、本発明を説明する。
クリーニングブレード■の製造
本発明に係わる製造装置を用いて、第3図に示した如き
構成で、ゴム状弾性体上にa −C層を設けた本発明ク
リーナブレードを作製した。なおゴム状弾性体としては
ポリウレタン製クリーニングブレード(東海ゴム社製)
を使用した。
構成で、ゴム状弾性体上にa −C層を設けた本発明ク
リーナブレードを作製した。なおゴム状弾性体としては
ポリウレタン製クリーニングブレード(東海ゴム社製)
を使用した。
第4図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
室(733)の内部をI O−’Torr程度の高真空
にした後、第11第2調節弁(707,708)を解放
し、第1タンク(701)より水素ガス、第2タンク(
702)よりアセチレンガス(C2H2)を夫々出力圧
1.0 Kg/am2の下で、第11第2流量制御器(
713,714)内へ流入させた。
室(733)の内部をI O−’Torr程度の高真空
にした後、第11第2調節弁(707,708)を解放
し、第1タンク(701)より水素ガス、第2タンク(
702)よりアセチレンガス(C2H2)を夫々出力圧
1.0 Kg/am2の下で、第11第2流量制御器(
713,714)内へ流入させた。
そして各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量
を7Qsccm、アセチレンガスの流量を50secm
となるように設定して、途中混合器(731)を介して
、主管(732)より反応室(733)内へ流入した。
を7Qsccm、アセチレンガスの流量を50secm
となるように設定して、途中混合器(731)を介して
、主管(732)より反応室(733)内へ流入した。
夫々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が1.2Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、a−C膜を形成する面以外はテフロン
テープでマスキングしたクリーニングブレードを予め6
0℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、予め接続選択スイッチ(744)により接続してお
いた高周波電源(739)を投入し、電力印加電極(7
36)に100 Wattの電力を周波数3 M Hz
の下で印加して約15分間プラズマ重合反応を行ない弾
性体上の所望の面に厚さ5μmのa−C膜を形成した。
が1.2Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、a−C膜を形成する面以外はテフロン
テープでマスキングしたクリーニングブレードを予め6
0℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、予め接続選択スイッチ(744)により接続してお
いた高周波電源(739)を投入し、電力印加電極(7
36)に100 Wattの電力を周波数3 M Hz
の下で印加して約15分間プラズマ重合反応を行ない弾
性体上の所望の面に厚さ5μmのa−C膜を形成した。
成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応
室(733)内を充分に排気した後、真空を破りクリー
ニングブレード取り出した。
室(733)内を充分に排気した後、真空を破りクリー
ニングブレード取り出した。
以上のようにして得られたa−C膜につきCHN定量分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して約40原子%であった。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して約40原子%であった。
以上のようにして得られたクリーニングブレードをクリ
ーニングブレード■とする。
ーニングブレード■とする。
クリーニングブレード■の製造
クリーニングブレード■の製造において水素ガス、アセ
チレンガスの代わりに、ヘリウム、ブタジェン、テトラ
フルオロメタンの各ガスを使用し、それぞれの流量を7
0sccn+、 60secm、 55secmとした
以外はクリーニングブレードIの製造と同様に所望の面
に厚さ5μmのa−C膜を有するクリーニングブレード
を製造した。
チレンガスの代わりに、ヘリウム、ブタジェン、テトラ
フルオロメタンの各ガスを使用し、それぞれの流量を7
0sccn+、 60secm、 55secmとした
以外はクリーニングブレードIの製造と同様に所望の面
に厚さ5μmのa−C膜を有するクリーニングブレード
を製造した。
以上のようにして得られたa−C膜につきCHN定量分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は全構成
原子に対して約35i子%であった。また含有されるフ
ッ素π子の量はオージェ分析により全構成原子に対して
約2.1原子%であった。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は全構成
原子に対して約35i子%であった。また含有されるフ
ッ素π子の量はオージェ分析により全構成原子に対して
約2.1原子%であった。
本製造例で得られたクリーニングブレードをクリーニン
グブレード■とする。
グブレード■とする。
ゴム状弾性体を全くマスキングしなかった以外はクリー
ニングブレードIの製造と同様にa−C膜を製造した。
ニングブレードIの製造と同様にa−C膜を製造した。
ただし、この場合のa−C膜の厚さは第1図において頂
点abedで囲まれた面上のa−C膜の厚さは5μmで
あり、頂点aa’ b’ bで囲まれる面上のa−C膜
の厚さは3μmであった。
点abedで囲まれた面上のa−C膜の厚さは5μmで
あり、頂点aa’ b’ bで囲まれる面上のa−C膜
の厚さは3μmであった。
また 以上のようにしてそれらの両面に形成されたa−
C膜につきCHN定量分析を行なったところ、含有され
る水素原子の量は炭素原子と水素原子の総量に対して約
38原子%であった・スチレン−n−ブチル
100メタクリレート樹脂 (軟化点、132°C;ガラス転移点、60℃)・カー
ボンブラック 5(三菱化成社製
、MA#8) ・ニグロシン染料 3(オリエ
ント化学社製、ポントロンN−01)上記材料をボール
ミルで十分混合した後、140°Cに加熱した3本ロー
ル上で混練した。混練物を放置冷却後、フェザ−ミルを
用い粗粉砕し、さらにジェットミルで微粉砕した。つぎ
に、風力分級し、平均粒径13μmの微粉末を得た(ト
ナーA)。
C膜につきCHN定量分析を行なったところ、含有され
る水素原子の量は炭素原子と水素原子の総量に対して約
38原子%であった・スチレン−n−ブチル
100メタクリレート樹脂 (軟化点、132°C;ガラス転移点、60℃)・カー
ボンブラック 5(三菱化成社製
、MA#8) ・ニグロシン染料 3(オリエ
ント化学社製、ポントロンN−01)上記材料をボール
ミルで十分混合した後、140°Cに加熱した3本ロー
ル上で混練した。混練物を放置冷却後、フェザ−ミルを
用い粗粉砕し、さらにジェットミルで微粉砕した。つぎ
に、風力分級し、平均粒径13μmの微粉末を得た(ト
ナーA)。
トナーの製造例2[(−)帯電性トナー(トナーB)]
つぎの組成によりトナーの製造例1と同様の方法を用い
て平均粒径12μmのトナーBを製造しに。
つぎの組成によりトナーの製造例1と同様の方法を用い
て平均粒径12μmのトナーBを製造しに。
FLi fi象!・ポリ
エステル樹脂 100(軟化点、13
0°C;ガラス転移点、60°0SAV25.0HV3
8)・カーボンブラック 5(三
菱社製、MA#8) トナーの製造例3(懸濁重合型)[(−)帯電性トナー
(トナーC)] ・スチレン 60 重量部・n
−ブチルメタクリレート 35 重量部・メタ
クリル酸 5 重量部・2,2−
アゾビス−0,5重量部 (2,4,−ジメチルバレロニトリル)・低分子量酸化
型ポリプロピレン 3重量部「ビスコールTS−2
00J (三菱化成工業社製)・カーボンブラックMA
#8 8重量部(三菱化成工業社製) ・ニグロシンベースEX 3重ig(オ
リエント化学工業社製) 上記材料をサンドスターラーにより十分に混合して、重
合性組成物を調整した。この重合性組成物を濃度3重量
%のアラビアゴム水溶液中に撹拌機rT−にホモジナイ
ザー」(特殊工業社製)により回転数3000 rpm
で撹拌しながら、温度60°Cで6時間重合反応させ、
さらに温度を80°Cに上昇し重合反応させた。重合反
応終了後、反応系を冷却して5〜6回水洗後、濾過して
球状粒子を得た(トナーC)。
エステル樹脂 100(軟化点、13
0°C;ガラス転移点、60°0SAV25.0HV3
8)・カーボンブラック 5(三
菱社製、MA#8) トナーの製造例3(懸濁重合型)[(−)帯電性トナー
(トナーC)] ・スチレン 60 重量部・n
−ブチルメタクリレート 35 重量部・メタ
クリル酸 5 重量部・2,2−
アゾビス−0,5重量部 (2,4,−ジメチルバレロニトリル)・低分子量酸化
型ポリプロピレン 3重量部「ビスコールTS−2
00J (三菱化成工業社製)・カーボンブラックMA
#8 8重量部(三菱化成工業社製) ・ニグロシンベースEX 3重ig(オ
リエント化学工業社製) 上記材料をサンドスターラーにより十分に混合して、重
合性組成物を調整した。この重合性組成物を濃度3重量
%のアラビアゴム水溶液中に撹拌機rT−にホモジナイ
ザー」(特殊工業社製)により回転数3000 rpm
で撹拌しながら、温度60°Cで6時間重合反応させ、
さらに温度を80°Cに上昇し重合反応させた。重合反
応終了後、反応系を冷却して5〜6回水洗後、濾過して
球状粒子を得た(トナーC)。
得られた球状粒子の平均粒径はlOμm1軟化点(Tm
)は14ピC1ガラス転移点(Ts)は61’0であっ
た。
)は14ピC1ガラス転移点(Ts)は61’0であっ
た。
シード重合法により得られた単分散球状のスチレン系ポ
リマー(平均粒径7μm1軟化点128°Cガラス転移
点54℃)をポリマー粒子(A)とする。
リマー(平均粒径7μm1軟化点128°Cガラス転移
点54℃)をポリマー粒子(A)とする。
上記ポリマー粒子(A)100重量部とカーボンブラッ
ク(三菱化成工業社製MA#8)5重量部をヘンシェル
ミキサーに入れl 500rpm、 5分間混合撹拌し
、カーボンブラックで表面が被覆されたポリマー粒子(
B)を得た。
ク(三菱化成工業社製MA#8)5重量部をヘンシェル
ミキサーに入れl 500rpm、 5分間混合撹拌し
、カーボンブラックで表面が被覆されたポリマー粒子(
B)を得た。
次にこのポリマー粒子(B)100重量部と、ポリアク
リル酸ナトリウム5重量部を溶解した水2000重量部
とを混合撹拌し、中間粒子を水中に分散させた後、この
分散系にスチレン/n−ブチルメタアクリレート/2.
2.2−トリフルオロエチルアクリレート−75/15
/10の組成比の七ツマー100重量部、重合開始剤と
して化硫酸カリウム2重量部を添加し、系の温度を80
°Cに上昇させて6時間にわたり重合を行い、ポリマー
粒子(B)上に、さらに樹脂コート層を有するトナー粒
子りを得た。
リル酸ナトリウム5重量部を溶解した水2000重量部
とを混合撹拌し、中間粒子を水中に分散させた後、この
分散系にスチレン/n−ブチルメタアクリレート/2.
2.2−トリフルオロエチルアクリレート−75/15
/10の組成比の七ツマー100重量部、重合開始剤と
して化硫酸カリウム2重量部を添加し、系の温度を80
°Cに上昇させて6時間にわたり重合を行い、ポリマー
粒子(B)上に、さらに樹脂コート層を有するトナー粒
子りを得た。
トナー粒子りは平均粒径lOμmであった。
トナーの製造例5(粉体コートタイプ)、[(−)帯ポ
リマー粒子(A)の平均粒径を5μmとすること以外は
トナーの製造例4と同様にトナーを作製し、平均粒径7
μmのトナー粒子Eを得た。
リマー粒子(A)の平均粒径を5μmとすること以外は
トナーの製造例4と同様にトナーを作製し、平均粒径7
μmのトナー粒子Eを得た。
(実施例1)
ブレードIとトナーAを使用し、ミノルタカメラ社製E
P−4702で30.000枚の連続コピーを行った。
P−4702で30.000枚の連続コピーを行った。
ただし、ブレードはa−C膜によって被覆された面が感
光体とブレードとの圧接部通過後の感光体の面と対向す
るように用いた。この時、感光体とブレードの圧接部か
らは何の異音(鳴き)も発生しなかった。
光体とブレードとの圧接部通過後の感光体の面と対向す
るように用いた。この時、感光体とブレードの圧接部か
らは何の異音(鳴き)も発生しなかった。
更に20,000枚の連続コピーを行ったところ、小さ
な鳴きが発生した。
な鳴きが発生した。
また、ブレード通過前の感光体上残存トナーの平均付着
量0 、33 [g/cm”lに対し、ブレード通過後
の付着量は30,000枚までは0.02[g/cm”
3以下であり、クリーニング性は良好であった。
量0 、33 [g/cm”lに対し、ブレード通過後
の付着量は30,000枚までは0.02[g/cm”
3以下であり、クリーニング性は良好であった。
結果を表1に示した。なお、表1には1枚目、1.00
0枚目、5.000枚目、10.000枚目、30.0
00枚目、50.000枚目毎の鳴きの有無と通過後の
感光体上トナー付着量[g/cm’](Tl)を示した
。
0枚目、5.000枚目、10.000枚目、30.0
00枚目、50.000枚目毎の鳴きの有無と通過後の
感光体上トナー付着量[g/cm’](Tl)を示した
。
(実施例2〜5)
トナーB、C,D、E対し、ブレードIを使用し、ミノ
ルタカメラ社製EP−5702で(実施例1)と同様の
テストを行った。
ルタカメラ社製EP−5702で(実施例1)と同様の
テストを行った。
結果を表1に示した。
(実施例6)
トナーAに対し、ブレード■を用いて(実施例1)と同
様のテストを行った。
様のテストを行った。
結果を表1に示した。
(実施例7〜10)
トナーB、C,D%Eに対し、ブレード■を用いて(実
施例2)と同様のテストを行った。
施例2)と同様のテストを行った。
結果を表1に示した。
(比較例1)
トナーAに対し、ブレードmを用いて(実施例1)と同
様のテストを行った。
様のテストを行った。
結果を表1に示した。
(比較例2〜5)
トナーB、C,D、Eに対しブレード■を用いて(実施
例2)と同様のテストを行った。
例2)と同様のテストを行った。
結果を表1に示した。
(比較例6)
トナーAに対し、プラズマコートを施していないブレー
ド■を用いて(実施例1)と同様のテストを行った。
ド■を用いて(実施例1)と同様のテストを行った。
結果を表1に示した。
(比較例7〜10)
トナーB%C,D、Hに対し、プラズマコートを施して
いないブレード■を用いて(実施例2)と同様のテスト
を行った。
いないブレード■を用いて(実施例2)と同様のテスト
を行った。
結果を表1に示した。
発明の効果
本発明に従いクリーナーブレード上の有機弾性体層上に
、プラズマ重合膜を設けることにより、耐久性が向上し
、さらにトナーの離型性、クリーニング性が向上する。
、プラズマ重合膜を設けることにより、耐久性が向上し
、さらにトナーの離型性、クリーニング性が向上する。
第1図は、クリーナーブレードの概略斜視図である。
第2図は、第1図に示したクリーナーブレードのabe
d面上にa−C膜を形成したときのX−Y断面図である
。 第3図は、第1図に示したクリーナーブレードのaa’
bb’面上にa−C膜を形成したときのX−Y断面図で
ある。 第4図はグロー放電プラズマ重合製造装置の該略構成例
である。 (1)・・・ゴム状弾性体、 (2)・・・a−C膜(プラズマ重合膜)(701)〜
(706)・・・タンク、(707)〜(712)及び
(725)〜(727)・・・調節弁、 (713)〜(718)及び(728)〜(730)・
・・流を制御器(マスフローコントローラー)(719
)〜(721)・・・容器、 (722)〜(724)・・・温調器、(731)・・
・混合器、(732)・・・主管、(733)・・・反
応室、(734)・・・配管加熱器、(735)・・・
接地電極、(736)・・・電力印加電極、(737)
・・・電力加熱器、 (738)・・・高周波電力整合器、 (739)・・・高周波電源、 (740)・・・低周波電力用整合器、(741)・・
・低周波電源、 (742)・・・ローパスフィルタ、 (743)・・・直流電源、 (744)・・・接続選択スイッチ、 (745)・・・圧力制御弁、 (746)・・・排気系選択弁、□ (747)・・・拡散ポンプ、 (748)・・・油回転ポンプ、 (749)・・・冷却除外装置、 (750)・・・メカニカルブースタポンプ、(751
)・・・反応加熱器、 (752)・・・熱伝導支持パイプ基板、(753)・
・・除外装置 特許出願人 ミノルタカメラ株式会社 代 理 人 弁理士 青 山 葆 ほか2名第1図 第2図 第3図
d面上にa−C膜を形成したときのX−Y断面図である
。 第3図は、第1図に示したクリーナーブレードのaa’
bb’面上にa−C膜を形成したときのX−Y断面図で
ある。 第4図はグロー放電プラズマ重合製造装置の該略構成例
である。 (1)・・・ゴム状弾性体、 (2)・・・a−C膜(プラズマ重合膜)(701)〜
(706)・・・タンク、(707)〜(712)及び
(725)〜(727)・・・調節弁、 (713)〜(718)及び(728)〜(730)・
・・流を制御器(マスフローコントローラー)(719
)〜(721)・・・容器、 (722)〜(724)・・・温調器、(731)・・
・混合器、(732)・・・主管、(733)・・・反
応室、(734)・・・配管加熱器、(735)・・・
接地電極、(736)・・・電力印加電極、(737)
・・・電力加熱器、 (738)・・・高周波電力整合器、 (739)・・・高周波電源、 (740)・・・低周波電力用整合器、(741)・・
・低周波電源、 (742)・・・ローパスフィルタ、 (743)・・・直流電源、 (744)・・・接続選択スイッチ、 (745)・・・圧力制御弁、 (746)・・・排気系選択弁、□ (747)・・・拡散ポンプ、 (748)・・・油回転ポンプ、 (749)・・・冷却除外装置、 (750)・・・メカニカルブースタポンプ、(751
)・・・反応加熱器、 (752)・・・熱伝導支持パイプ基板、(753)・
・・除外装置 特許出願人 ミノルタカメラ株式会社 代 理 人 弁理士 青 山 葆 ほか2名第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 1、ゴム状弾性体を用いたシート状クリーナーブレード
において、感光体に圧接するエッジ部を含む面の一方が
、有機化合物のプラズマ重合膜によって被覆されている
ことを特徴とするクリーナープレート。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4016488A JPH01214891A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | クリーナーブレード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4016488A JPH01214891A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | クリーナーブレード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01214891A true JPH01214891A (ja) | 1989-08-29 |
Family
ID=12573125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4016488A Pending JPH01214891A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | クリーナーブレード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01214891A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09160457A (ja) * | 1995-12-07 | 1997-06-20 | Hokushin Ind Inc | 画像形成装置用ブレ−ドおよび摺擦部材 |
JP2009237158A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像形成装置用ブレード、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
JP2018072469A (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-10 | 富士ゼロックス株式会社 | 転写装置及び画像形成装置 |
JP2018072468A (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-10 | 富士ゼロックス株式会社 | クリーニングブレード及び画像形成装置 |
-
1988
- 1988-02-23 JP JP4016488A patent/JPH01214891A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09160457A (ja) * | 1995-12-07 | 1997-06-20 | Hokushin Ind Inc | 画像形成装置用ブレ−ドおよび摺擦部材 |
JP2009237158A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像形成装置用ブレード、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
JP2018072469A (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-10 | 富士ゼロックス株式会社 | 転写装置及び画像形成装置 |
JP2018072468A (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-10 | 富士ゼロックス株式会社 | クリーニングブレード及び画像形成装置 |
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