JPS60140780A - 半導体表面処理用治具 - Google Patents
半導体表面処理用治具Info
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- JPS60140780A JPS60140780A JP25161283A JP25161283A JPS60140780A JP S60140780 A JPS60140780 A JP S60140780A JP 25161283 A JP25161283 A JP 25161283A JP 25161283 A JP25161283 A JP 25161283A JP S60140780 A JPS60140780 A JP S60140780A
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- semiconductor laser
- jig
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体表面処理用治具に関する。
従来例の構成とその問題点
半導体素子の製造工程においては半導体の表面を選択的
に処理しなければならないことがある。
に処理しなければならないことがある。
例えば（ＧａＡ７ ）Ａｓ系の半導体レーザーでは、光
が出射する端面の劣化を防ぐため、この光出射面を誘電
体膜で多層被覆する処理が行なわれる。この被膜処理に
当っては、第１図に示すように半導体Ｌ／−ｆ−９エバ
ー（１）をパー状に分割シ、スパッタリング法あるいは
ＥＢ蒸着法によってＡ／２０ａや５ｉＯｚの膜を何回も
付着させて多層膜に対する方法が用いられるが、この被
膜処理はパー状の半導体レーザークエハー（１）の光出
射面（１ａ）にのみ行なわれ、これらに隣接する正電極
面（１ｂ）および負電極面（１ｃ）が被膜されないよう
にしなければならない。
が出射する端面の劣化を防ぐため、この光出射面を誘電
体膜で多層被覆する処理が行なわれる。この被膜処理に
当っては、第１図に示すように半導体Ｌ／−ｆ−９エバ
ー（１）をパー状に分割シ、スパッタリング法あるいは
ＥＢ蒸着法によってＡ／２０ａや５ｉＯｚの膜を何回も
付着させて多層膜に対する方法が用いられるが、この被
膜処理はパー状の半導体レーザークエハー（１）の光出
射面（１ａ）にのみ行なわれ、これらに隣接する正電極
面（１ｂ）および負電極面（１ｃ）が被膜されないよう
にしなければならない。
図中点線は各素子の境界を示す。こｔのため従来は、第
２図および第３図に示すように、固定治具（２）の基板
（至）上の一対の挟持部材（１４１間に、一方の光出射
面（１ａ）を上側に向けた半導体レーザークエハー（１
）と直方体状の介装材０５とを上面が面一になるように
交互に並置して何方から抑圧挟持し、被膜処理をし、次
いで他方の光出射面（１ａ）を被膜していた。
２図および第３図に示すように、固定治具（２）の基板
（至）上の一対の挟持部材（１４１間に、一方の光出射
面（１ａ）を上側に向けた半導体レーザークエハー（１
）と直方体状の介装材０５とを上面が面一になるように
交互に並置して何方から抑圧挟持し、被膜処理をし、次
いで他方の光出射面（１ａ）を被膜していた。
被膜は半導体レーザーにおいて３０％の反射率を保つた
めにλ／２（λ：波長）の膜厚が必要であるが、半導体
レーザーの出力を向上して更に高反射率を得るために、
Ａ／２０３やＳｉＯ２などのＭ電体を一層だけ付着させ
た後、ＡｕやＡ／などの金属材料の被膜をすることがあ
る。然し前記の半導体表面処理治具で光出射面（１ａ）
に誘電体の被膜を施し、そのまま次工程で金属材料の被
膜をすると、光出射面（１ａ）全体に金属材料が何着し
光出射面（１ａ）の両側に連続する正電極面（１ｂ）と
負電極面（１ｃ）との間でショートすることになる。
めにλ／２（λ：波長）の膜厚が必要であるが、半導体
レーザーの出力を向上して更に高反射率を得るために、
Ａ／２０３やＳｉＯ２などのＭ電体を一層だけ付着させ
た後、ＡｕやＡ／などの金属材料の被膜をすることがあ
る。然し前記の半導体表面処理治具で光出射面（１ａ）
に誘電体の被膜を施し、そのまま次工程で金属材料の被
膜をすると、光出射面（１ａ）全体に金属材料が何着し
光出射面（１ａ）の両側に連続する正電極面（１ｂ）と
負電極面（１ｃ）との間でショートすることになる。
発明の目的
本発明は、このような欠点を解消して、半導体の誘電被
膜を施した光出射面の一部のみに金属材料の表面処理を
施、せる半導体表面処理用治具を提供しようとするもの
である。
膜を施した光出射面の一部のみに金属材料の表面処理を
施、せる半導体表面処理用治具を提供しようとするもの
である。
発明の構成
本発明の半導体表面処理用治具は、前記目的を達成する
ために、金属被膜を施す光出射面を同じ方向に露呈せし
めて隣接並置した半導体を挟持する固定治具と、この半
導体の間に介装する複数の介装部材とで構成し、介装部
材にはそれぞれ半導体の電極面と当接する側面の側縁に
この光出射面の一側辺を嵌合遮蔽する段部を形成して、
光出射面の金属被膜時に遮蔽された一側辺が被膜されず
に残り、光出射面両側の正負の電極面がショートするの
を防止できるようにしたものである。
ために、金属被膜を施す光出射面を同じ方向に露呈せし
めて隣接並置した半導体を挟持する固定治具と、この半
導体の間に介装する複数の介装部材とで構成し、介装部
材にはそれぞれ半導体の電極面と当接する側面の側縁に
この光出射面の一側辺を嵌合遮蔽する段部を形成して、
光出射面の金属被膜時に遮蔽された一側辺が被膜されず
に残り、光出射面両側の正負の電極面がショートするの
を防止できるようにしたものである。
実施例の説明
以下に本発明の実施例を図面に基いて説明する。
第４図において（１）は第１図に示したものと同様のバ
ー状半導体し−ザークエハーであって、第２図および第
３図に示す表面処理治具０望等により並行する両党出射
面（１ａ）だけがＡｌ２Ｏ３あるいはＳ ｉ０２などの
＠電体被膜を施されており、２本１対ずつ同一電極面（
１ｂ）どうしを接して固定治具（２）の基板（３）上の
一対の挟持部（４）間に、一方の光出射面（１ａ）を上
側に露呈して一定間隔を隔てて並行に配置されている。
ー状半導体し−ザークエハーであって、第２図および第
３図に示す表面処理治具０望等により並行する両党出射
面（１ａ）だけがＡｌ２Ｏ３あるいはＳ ｉ０２などの
＠電体被膜を施されており、２本１対ずつ同一電極面（
１ｂ）どうしを接して固定治具（２）の基板（３）上の
一対の挟持部（４）間に、一方の光出射面（１ａ）を上
側に露呈して一定間隔を隔てて並行に配置されている。
（５）は複数対の半導体レーザーウェハー（１）相互間
に介装され、他方の電極面（１ｃ）に接する側面の一側
縁にそれぞれ＠倭の光出射面（１ａ）の−側辺を嵌合遮
蔽する段部（５ａ）を形成した断面Ｔ型の介装材、（６
）は両側の挟持部（４）と両側の半導体レーザーウェハ
ー（１）との間に介装きれ一側の側縁にだけ段部（６ａ
）を有する断面り型の介装材である。前記挟持部（４）
の一方は基板（３）の一端側に同定され、他の一方（４
）は図示しないが基板（３）上を固定された挟持部（４
）側へばねやねじにより接近押圧および離間可能に構成
されている。
に介装され、他方の電極面（１ｃ）に接する側面の一側
縁にそれぞれ＠倭の光出射面（１ａ）の−側辺を嵌合遮
蔽する段部（５ａ）を形成した断面Ｔ型の介装材、（６
）は両側の挟持部（４）と両側の半導体レーザーウェハ
ー（１）との間に介装きれ一側の側縁にだけ段部（６ａ
）を有する断面り型の介装材である。前記挟持部（４）
の一方は基板（３）の一端側に同定され、他の一方（４
）は図示しないが基板（３）上を固定された挟持部（４
）側へばねやねじにより接近押圧および離間可能に構成
されている。
前記Ｔ型の介装材（５）は、第５図に示すように直方体
素材の巾方向の両側縁を残して中間部の両側面をエツチ
ングもしくは研磨によって長手方向に斜線で示すように
えぐり取り、中方向の両側に連続する一対のＴｆｆ介装
材（５）を形成し、中方向の中央でＡ−Ａ線方向に切断
すれば、第６図に示すようなＴ型介装材（５）２本を得
られる。段部（５ａ）の深さは半導体レーザーウェハー
（１）の光出射面（１ａ）横巾の約半分（５０ｔｔｍ程
度）にする。第７図に示すＬ型介装材（６）はＴ型介装
材（５）を長手方向に沿って分割することにより得られ
る。Ｔ型乃至り型介装材の直方体素材には単結晶ＧａＡ
ｓクエハーあるいはシリコンクエバーをへき開したもの
を用いる。
素材の巾方向の両側縁を残して中間部の両側面をエツチ
ングもしくは研磨によって長手方向に斜線で示すように
えぐり取り、中方向の両側に連続する一対のＴｆｆ介装
材（５）を形成し、中方向の中央でＡ−Ａ線方向に切断
すれば、第６図に示すようなＴ型介装材（５）２本を得
られる。段部（５ａ）の深さは半導体レーザーウェハー
（１）の光出射面（１ａ）横巾の約半分（５０ｔｔｍ程
度）にする。第７図に示すＬ型介装材（６）はＴ型介装
材（５）を長手方向に沿って分割することにより得られ
る。Ｔ型乃至り型介装材の直方体素材には単結晶ＧａＡ
ｓクエハーあるいはシリコンクエバーをへき開したもの
を用いる。
以上の構成において、第４図に示すように半導体レーザ
ーウェハー（１）を同一電極面を接し光出射面（１ａ）
を介装材（５） （６）の段部（５ａ）（６ａ）の間か
ら一部上側に露呈せしめて半導体表面処理治具に保持せ
しめ、上側から金属層の被膜処理をした後、切断して得
られた半導体レーザー素子（１）を第８図に示す。本発
明の治具により光出射面を容易に高反射率化でき、而も
再現性が極めて良好となった。図中（７）は半導体レー
ザー素子（１）の両方の光出射面に形成された保護用の
誘電体被膜、（８）は一方の光出射面（］、ａ）上の一
側辺を残して他側辺に形成された金属材料の被膜を示す
。このような半導体レーザー素子（１）では、一つの反
射端面すなわち光出射面（１ａ）が高反射率のためしき
い値が低下し、かつ高出力が実現できる。金属材料の被
膜（８）に金を１μｍ以上用いたものでは反射率は９５
％以上にも達し、発振しきい値電流は４０％も減少した
。史に７０ｍＷ以上の高出力レーザー素子が再現性よく
得られた。
ーウェハー（１）を同一電極面を接し光出射面（１ａ）
を介装材（５） （６）の段部（５ａ）（６ａ）の間か
ら一部上側に露呈せしめて半導体表面処理治具に保持せ
しめ、上側から金属層の被膜処理をした後、切断して得
られた半導体レーザー素子（１）を第８図に示す。本発
明の治具により光出射面を容易に高反射率化でき、而も
再現性が極めて良好となった。図中（７）は半導体レー
ザー素子（１）の両方の光出射面に形成された保護用の
誘電体被膜、（８）は一方の光出射面（］、ａ）上の一
側辺を残して他側辺に形成された金属材料の被膜を示す
。このような半導体レーザー素子（１）では、一つの反
射端面すなわち光出射面（１ａ）が高反射率のためしき
い値が低下し、かつ高出力が実現できる。金属材料の被
膜（８）に金を１μｍ以上用いたものでは反射率は９５
％以上にも達し、発振しきい値電流は４０％も減少した
。史に７０ｍＷ以上の高出力レーザー素子が再現性よく
得られた。
なお半導体レーザーウェハー（１）の電極面（１ｂＸ］
ｃ）の横巾が不揃いのため、上側の光出射面（１ａ）の
−側辺が正確に介装材（５） （６）の段部Ｃ５ａ ）
＜６ａ ）に嵌合遮蔽され難いときは、半導体レーザー
ウェハー（１）を装着した治具（２）を上下反転して挟
持を緩め、半導体レーザーウェハー（１）を段部（５ａ
）（６ａ）に密着嵌合せしめて強く挟持し、治具（２）
を元通り反転すればよい。
ｃ）の横巾が不揃いのため、上側の光出射面（１ａ）の
−側辺が正確に介装材（５） （６）の段部Ｃ５ａ ）
＜６ａ ）に嵌合遮蔽され難いときは、半導体レーザー
ウェハー（１）を装着した治具（２）を上下反転して挟
持を緩め、半導体レーザーウェハー（１）を段部（５ａ
）（６ａ）に密着嵌合せしめて強く挟持し、治具（２）
を元通り反転すればよい。
発明の効果
本発明の半導体表面処理用治具によれば、半導体の露呈
せしめて金属被膜を施す光出射面の一側辺を、隣接並置
する半導体の間に介装する介装部材の段部により嵌合遮
蔽するようにしたので、半導体の光出射面に金属被膜を
する表面処理に当って、この遮蔽された一側辺に被膜用
の金属が付着して光出射面両側の正負の電極面がショー
トを起すおそれが全くなく、との−側辺に隣接して露呈
する光出射面にのみ正画で均一の金属被膜を形成でき、
良質の半導体が得られる。
せしめて金属被膜を施す光出射面の一側辺を、隣接並置
する半導体の間に介装する介装部材の段部により嵌合遮
蔽するようにしたので、半導体の光出射面に金属被膜を
する表面処理に当って、この遮蔽された一側辺に被膜用
の金属が付着して光出射面両側の正負の電極面がショー
トを起すおそれが全くなく、との−側辺に隣接して露呈
する光出射面にのみ正画で均一の金属被膜を形成でき、
良質の半導体が得られる。
第１図はバー状の半導体レーザークエハーの斜視図、第
２図は従来例の斜視図、第３図は第２図の側面図、第４
図は本発明の実施例を示す側面図、第５図は部材の作成
方法を示す平面図、第６図、第７図は部材の斜視図、第
８図は本発明の治具を用いて製作した半導体レーザー素
子の斜視図であ（１）・・・半導体レーザーウェハー、
（１ａ）・・・光出射面、（Ｉｂ）（ｌｃ） −電極面
、（２）−・・固定治具、（３）−・・基板、（４）・
・・挟持部、（５） （６）・・・介装材、（５ａ）（
６ａ）・・・段部代理人 森 本 義 弘 第４図 第Ｃ図 第７図 θ 第ｅ図
２図は従来例の斜視図、第３図は第２図の側面図、第４
図は本発明の実施例を示す側面図、第５図は部材の作成
方法を示す平面図、第６図、第７図は部材の斜視図、第
８図は本発明の治具を用いて製作した半導体レーザー素
子の斜視図であ（１）・・・半導体レーザーウェハー、
（１ａ）・・・光出射面、（Ｉｂ）（ｌｃ） −電極面
、（２）−・・固定治具、（３）−・・基板、（４）・
・・挟持部、（５） （６）・・・介装材、（５ａ）（
６ａ）・・・段部代理人 森 本 義 弘 第４図 第Ｃ図 第７図 θ 第ｅ図
Claims (1)
- １ 金属被膜を施す光出射面を同じ方向に露呈せしめて
隣接並置した半導体を挟持する固定治具と、この半導体
の間に介装する複数の介装部材とからな夛、介装部材に
はそれぞれ半導体の！極面と当接する側面の側縁にこの
光出射面の一側辺を嵌合遮蔽する段部を形成した半導体
表面処理用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25161283A JPS60140780A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 半導体表面処理用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25161283A JPS60140780A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 半導体表面処理用治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140780A true JPS60140780A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17225404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25161283A Pending JPS60140780A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 半導体表面処理用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140780A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0897496A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-12 | Nippondenso Co Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| JPH1056232A (ja) * | 1996-05-09 | 1998-02-24 | Lucent Technol Inc | レーザバーファセットのコーティング方法とその固定装置 |
| JP2000133871A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP2005101457A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子とその製造方法 |
| JP2010141017A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Sharp Corp | 発光素子、チップ及び発光素子の製造方法 |
| JP2016189391A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| JP2019004106A (ja) * | 2017-06-19 | 2019-01-10 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ、発光装置、半導体レーザを作製する方法 |
| JP2019004105A (ja) * | 2017-06-19 | 2019-01-10 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ、発光装置、半導体レーザを作製する方法 |
| JP2019009225A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP25161283A patent/JPS60140780A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0897496A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-12 | Nippondenso Co Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| JPH1056232A (ja) * | 1996-05-09 | 1998-02-24 | Lucent Technol Inc | レーザバーファセットのコーティング方法とその固定装置 |
| JP2000133871A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP2005101457A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子とその製造方法 |
| JP2010141017A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Sharp Corp | 発光素子、チップ及び発光素子の製造方法 |
| JP2016189391A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| JP2019004106A (ja) * | 2017-06-19 | 2019-01-10 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ、発光装置、半導体レーザを作製する方法 |
| JP2019004105A (ja) * | 2017-06-19 | 2019-01-10 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ、発光装置、半導体レーザを作製する方法 |
| JP2019009225A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ |
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