JPS6384971U - - Google Patents

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JPS6384971U
JPS6384971U JP17973986U JP17973986U JPS6384971U JP S6384971 U JPS6384971 U JP S6384971U JP 17973986 U JP17973986 U JP 17973986U JP 17973986 U JP17973986 U JP 17973986U JP S6384971 U JPS6384971 U JP S6384971U
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semiconductor laser
laser wafer
semiconductor
support
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JP17973986U
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案の一実施例の構成を示す全体
斜視図、第２図Ａ及びＢはスペーサの一構成例を
示す全体斜視図、第３図は半導体レーザウエハを
相隣接するスペーサ間に配置した状態を示す斜視
図、第４図は第１図における―線に沿つて取
つて示した要部断面図、第５図Ａ及びＢは半導体
レーザウエハの説明図、第６図は従来の治具の全
体を示す斜視図、第７図は従来の治具におけるシ
ヨート防止の説明に供する要部断面図である。 ４１，４１１，４１２……スペーサ、４３，４
３１……（スペーサの）溝、４５，４５２……突
出部、４７……枠体、４９……押圧部、５３……
（側枠の）溝、５５ａ，５５ｂ……側枠、５５ｃ
……連結枠、５７……ねじ取付部材、５９……ね
じ、６１……板ばね。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体レーザウエハや押え込むためのスペ
    ーサと、該スペーサを支持するための支持部と、
    前記スペーサを押圧するための押圧部とを具え、 前記スペーサは半導体レーザウエハの一方の電
    極層側を嵌め込み活性層端面が現われる深さの溝
    と、隣接するスペーサに嵌め込まれた半導体レー
    ザウエハの他方の電極層側を押圧しキヤビテイ長
    より短い幅を有する突出部とを具えて成る ことを特徴とする半導体端面処理用治具。 (2) 前記支持部を、前記スペーサの両端部をそ
    れぞれ案内支持する溝がそれぞれ形成された左右
    の側枠を有する枠体としたことを特徴とする実用
    新案登録請求の範囲第１項に記載の半導体端面処
    理用治具。
JP17973986U 1986-11-25 1986-11-25 Pending JPS6384971U (ja)

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JP17973986U JPS6384971U (ja) 1986-11-25 1986-11-25

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JPS6384971U true JPS6384971U (ja) 1988-06-03

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JP17973986U Pending JPS6384971U (ja) 1986-11-25 1986-11-25

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0897496A (ja) * 1994-09-21 1996-04-12 Nippondenso Co Ltd 半導体レーザ及びその製造方法
JPH1056232A (ja) * 1996-05-09 1998-02-24 Lucent Technol Inc レーザバーファセットのコーティング方法とその固定装置
JP2000133871A (ja) * 1998-10-27 2000-05-12 Sharp Corp 半導体レーザ素子の製造方法
JP2005322698A (ja) * 2004-05-06 2005-11-17 Denso Corp 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2016189391A (ja) * 2015-03-30 2016-11-04 日亜化学工業株式会社 半導体素子の製造方法

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