JP2002368332A - 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
窒化物半導体発光素子及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の窒化物半導体レーザで問題であった、
レーザ光の一部が基板により散乱され、遠視野像に干渉
縞が生じてしまうという現象を解決すること。 【解決手段】 基板として（０００１）面を主方位面と
するｎ型のＳｉＣを用い、有機金属気相成長法により、
窒化物半導体の多層薄膜を形成した。同一の基板２２上
に、窒化物半導体を用いた半導体レーザ２１と、反射鏡
２３とを組み合わせ、この組み合わせを一組以上集積す
る。反射鏡２３は、選択成長により基板に対して斜めに
成長した窒化物半導体のファセット面からなり、半導体
レーザ２１から発せられたレーザ光を反射することによ
り、レーザ光の出射方向を基板２２の主方位面に対して
上方向に変えるように構成されている。これにより、レ
ーザ光の遠視野像は楕円形の形状を維持し、従来の窒化
物半導体レーザで問題であった縞状の干渉を生じること
はない。
レーザ光の一部が基板により散乱され、遠視野像に干渉
縞が生じてしまうという現象を解決すること。 【解決手段】 基板として（０００１）面を主方位面と
するｎ型のＳｉＣを用い、有機金属気相成長法により、
窒化物半導体の多層薄膜を形成した。同一の基板２２上
に、窒化物半導体を用いた半導体レーザ２１と、反射鏡
２３とを組み合わせ、この組み合わせを一組以上集積す
る。反射鏡２３は、選択成長により基板に対して斜めに
成長した窒化物半導体のファセット面からなり、半導体
レーザ２１から発せられたレーザ光を反射することによ
り、レーザ光の出射方向を基板２２の主方位面に対して
上方向に変えるように構成されている。これにより、レ
ーザ光の遠視野像は楕円形の形状を維持し、従来の窒化
物半導体レーザで問題であった縞状の干渉を生じること
はない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化物半導体発光
素子及びその製造方法に関し、より詳細には、窒化物半
導体よりなる半導体レーザと、この半導体レーザが発し
たレーザ光を反射してレーザ光の出射方向を変える微小
な反射鏡とを同一の基板上に一組以上集積した発光素子
に関する。
素子及びその製造方法に関し、より詳細には、窒化物半
導体よりなる半導体レーザと、この半導体レーザが発し
たレーザ光を反射してレーザ光の出射方向を変える微小
な反射鏡とを同一の基板上に一組以上集積した発光素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、短波長系の半導体レーザの材料と
して非常に注目され、盛んに研究開発が行われている窒
化物半導体について、以下に説明する。
して非常に注目され、盛んに研究開発が行われている窒
化物半導体について、以下に説明する。
【０００３】窒化物半導体は、ＩＩＩ族元素であるＢ，
Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎのうち少なくとも一つと、窒素との化
合物であり、ＧａＮ，ＡｌＧａＮ，ＩｎＧａＮ，ＢＡＩ
Ｎ，ＡｌＩｎＧａＮ，あるいは、ＢＡｌＩｎＧａＮ等の
種類がある。これらの窒化物半導体は、琥珀色、緑色、
青色から近紫外領域の短波長帯の発光材料として、近
年、盛んに研究および技術開発が行われている。特に、
窒化物半導体を用いた半導体レーザ（以下、窒化物半導
体レーザという）は、波長４００ｎｍ前後の紫色での室
温連続発振が、研究レベルで達成されている（例えば、
（１）S.Nakamura, M.Senoh, S.Nagahama, N.Iwasa, T.
Yamada, T.Matsushita, Y.Sugimoto, andH.Kiyoku, App
l.Phys.Lett.69, 4056(1996).（２）M.Kuramoto, C.Sas
aoka, Y.Hisanaga, A.Kimura, A.Yamaguchi, H.Sunakaw
a, N.Kuroda, M.Nido, A.Usui andM.Mizuta, Jpn.J.App
l.Phys.Part2 38, L184(1999) ．（３）A.Kuramata, S.
Kubota, R.Soejima, K.Domen, K.Horino and T.Tanahas
hi, Jpn.J.Appl.Phys.Part2 37, L1373(1998) ．（４）
S.Nakamura, M.Senoh, S.Nagahama, N.Iwasa, T.Yamad
a, T.Matsushita, H.Kiyoku, and Y.Sugimoto, Jpn.J.A
ppl.Phys.Part2 35,L74(1996). 参照）。
Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎのうち少なくとも一つと、窒素との化
合物であり、ＧａＮ，ＡｌＧａＮ，ＩｎＧａＮ，ＢＡＩ
Ｎ，ＡｌＩｎＧａＮ，あるいは、ＢＡｌＩｎＧａＮ等の
種類がある。これらの窒化物半導体は、琥珀色、緑色、
青色から近紫外領域の短波長帯の発光材料として、近
年、盛んに研究および技術開発が行われている。特に、
窒化物半導体を用いた半導体レーザ（以下、窒化物半導
体レーザという）は、波長４００ｎｍ前後の紫色での室
温連続発振が、研究レベルで達成されている（例えば、
（１）S.Nakamura, M.Senoh, S.Nagahama, N.Iwasa, T.
Yamada, T.Matsushita, Y.Sugimoto, andH.Kiyoku, App
l.Phys.Lett.69, 4056(1996).（２）M.Kuramoto, C.Sas
aoka, Y.Hisanaga, A.Kimura, A.Yamaguchi, H.Sunakaw
a, N.Kuroda, M.Nido, A.Usui andM.Mizuta, Jpn.J.App
l.Phys.Part2 38, L184(1999) ．（３）A.Kuramata, S.
Kubota, R.Soejima, K.Domen, K.Horino and T.Tanahas
hi, Jpn.J.Appl.Phys.Part2 37, L1373(1998) ．（４）
S.Nakamura, M.Senoh, S.Nagahama, N.Iwasa, T.Yamad
a, T.Matsushita, H.Kiyoku, and Y.Sugimoto, Jpn.J.A
ppl.Phys.Part2 35,L74(1996). 参照）。
【０００４】ドライエッチングにより窒化物半導体レー
ザの共振器端面の反射鏡を作製する場合、半導体の表面
の一部をマスク材で覆い、真空槽に入れ、プラズマ等で
活性化したエッチングガスにさらし、マスク開口部分に
露出した半導体を除去し、その加工端面を反射鏡とす
る。この方法では、半導体レーザを小型化したり、集積
化することが容易であるという利点がある。
ザの共振器端面の反射鏡を作製する場合、半導体の表面
の一部をマスク材で覆い、真空槽に入れ、プラズマ等で
活性化したエッチングガスにさらし、マスク開口部分に
露出した半導体を除去し、その加工端面を反射鏡とす
る。この方法では、半導体レーザを小型化したり、集積
化することが容易であるという利点がある。
【０００５】従来、半導体レーザにおいて、レーザ光の
断面が楕円形であるため基板からの反射光との干渉が生
じ、遠視野像に干渉縞が現われるという問題があった。
この問題を解決すべく、半導体レーザの出射面の前面に
基板に対して斜めに成長させたミラーを作製し、レーザ
光が基板に反射することなくミラー面にレーザ光が全て
あたるようにして、干渉の発生を抑制する方法が知られ
ていた。しかしながら、この方法はＧａＡｓ系レーザに
限ったことであり、本発明にかかるような窒化物半導体
系レーザにおいては知られていなかった。またＧａＡｓ
で構成されるミラー面はドライエッチングによるもので
あり、ミラー面が粗くなってしまうという欠点があっ
た。さらにドライエッチングにより作製済みのデバイス
の劣化が危惧されるという問題もあった。
断面が楕円形であるため基板からの反射光との干渉が生
じ、遠視野像に干渉縞が現われるという問題があった。
この問題を解決すべく、半導体レーザの出射面の前面に
基板に対して斜めに成長させたミラーを作製し、レーザ
光が基板に反射することなくミラー面にレーザ光が全て
あたるようにして、干渉の発生を抑制する方法が知られ
ていた。しかしながら、この方法はＧａＡｓ系レーザに
限ったことであり、本発明にかかるような窒化物半導体
系レーザにおいては知られていなかった。またＧａＡｓ
で構成されるミラー面はドライエッチングによるもので
あり、ミラー面が粗くなってしまうという欠点があっ
た。さらにドライエッチングにより作製済みのデバイス
の劣化が危惧されるという問題もあった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図１（ａ）に示したよ
うに、ドライエッチングで反射鏡を作製した窒化物半導
体レーザ３１では、基板３２の主方位面に対して水平方
向にレーザ光は出射されるが、レーザ光の断面が楕円形
であるため、レーザ光の下側の一部が基板３２に当たっ
て散乱され、遠視野像に干渉による強度の強弱（干渉
縞）が発生してしまうという問題があった。
うに、ドライエッチングで反射鏡を作製した窒化物半導
体レーザ３１では、基板３２の主方位面に対して水平方
向にレーザ光は出射されるが、レーザ光の断面が楕円形
であるため、レーザ光の下側の一部が基板３２に当たっ
て散乱され、遠視野像に干渉による強度の強弱（干渉
縞）が発生してしまうという問題があった。
【０００７】この問題を解決するために、図１（ｂ）に
示したように、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）とアルミニウ
ムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）とからなる半導体レー
ザ３３に近接して微小な反射鏡３５を設けたものがあ
る。この微小な反射鏡３５はドライエッチングにより作
製され、その反射面が基板３４の主方位面に対して４５
度の角度を有しており、同レーザが発したレーザ光を基
板３４の主方位面に対して垂直方向に跳ね上げることに
より、上述した干渉縞の発生を防ぐことができる（参考
文献：S.S.Ou, J.J.Yang and M.Jansen, Appl.Phys.Let
t.60,689(1992)．）。
示したように、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）とアルミニウ
ムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）とからなる半導体レー
ザ３３に近接して微小な反射鏡３５を設けたものがあ
る。この微小な反射鏡３５はドライエッチングにより作
製され、その反射面が基板３４の主方位面に対して４５
度の角度を有しており、同レーザが発したレーザ光を基
板３４の主方位面に対して垂直方向に跳ね上げることに
より、上述した干渉縞の発生を防ぐことができる（参考
文献：S.S.Ou, J.J.Yang and M.Jansen, Appl.Phys.Let
t.60,689(1992)．）。
【０００８】ところが、ＧａＡｓやＡｌＧａＡｓと比較
して、窒化物半導体は非常に硬く、かつ化学的にも不活
性である。このため、ドライエッチングにより微小な反
射鏡を作製する際に、プラズマに大きなエネルギーを与
えて、いわば強引に窒化物半導体を削るため、微小な反
射鏡の表面が荒れてしまうという問題があった。すなわ
ち、ドライエッチングで作製された微小な反射鏡の表面
粗さは、平均二乗根（ＲＭＳ）粗さで、１００ｎｍ前後
もの大きな値であった。このような荒れた反射鏡では、
充分な反射率や断面が均一な楕円状のレーザ光を得るこ
とはできなかった。
して、窒化物半導体は非常に硬く、かつ化学的にも不活
性である。このため、ドライエッチングにより微小な反
射鏡を作製する際に、プラズマに大きなエネルギーを与
えて、いわば強引に窒化物半導体を削るため、微小な反
射鏡の表面が荒れてしまうという問題があった。すなわ
ち、ドライエッチングで作製された微小な反射鏡の表面
粗さは、平均二乗根（ＲＭＳ）粗さで、１００ｎｍ前後
もの大きな値であった。このような荒れた反射鏡では、
充分な反射率や断面が均一な楕円状のレーザ光を得るこ
とはできなかった。
【０００９】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、従来の窒化物半導
体レーザで問題であった、レーザ光の一部が基板により
散乱され、遠視野像に干渉縞が生じてしまうという現象
を解決するようにした窒化物半導体発光素子及びその製
造方法を提供することにある。
たもので、その目的とするところは、従来の窒化物半導
体レーザで問題であった、レーザ光の一部が基板により
散乱され、遠視野像に干渉縞が生じてしまうという現象
を解決するようにした窒化物半導体発光素子及びその製
造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、同一の
基板上に、窒化物半導体を用いた半導体レーザと、選択
成長により基板に対して斜めに成長した窒化物半導体の
ファセット面からなり、前記半導体レーザから発せられ
たレーザ光を反射することにより、該レーザ光の出射方
向を前記基板の主方位面に対して上方向に変える微小な
反射鏡とを組み合わせ、この組み合わせを一組以上集積
したことを特徴とする。
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、同一の
基板上に、窒化物半導体を用いた半導体レーザと、選択
成長により基板に対して斜めに成長した窒化物半導体の
ファセット面からなり、前記半導体レーザから発せられ
たレーザ光を反射することにより、該レーザ光の出射方
向を前記基板の主方位面に対して上方向に変える微小な
反射鏡とを組み合わせ、この組み合わせを一組以上集積
したことを特徴とする。
【００１１】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記ファセット面上に金属膜を
形成したことを特徴とする。
に記載の発明において、前記ファセット面上に金属膜を
形成したことを特徴とする。
【００１２】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記ファセット面上に誘電体膜
を形成したことを特徴とする。
に記載の発明において、前記ファセット面上に誘電体膜
を形成したことを特徴とする。
【００１３】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記ファセット面が、
に記載の発明において、前記ファセット面が、
【００１４】
【外５】
【００１５】の方位のファセット面であることを特徴と
する。
する。
【００１６】また、請求項５に記載の発明は、請求項４
に記載の発明において、前記ファセット面上に金属膜を
形成したことを特徴とする。
に記載の発明において、前記ファセット面上に金属膜を
形成したことを特徴とする。
【００１７】また、請求項６に記載の発明は、請求項４
に記載の発明において、前記ファセット面上に誘電体膜
を形成したことを特徴とする。
に記載の発明において、前記ファセット面上に誘電体膜
を形成したことを特徴とする。
【００１８】また、請求項７に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記ファセット面が、
に記載の発明において、前記ファセット面が、
【００１９】
【外６】
【００２０】の方位のファセット面であることを特徴と
する。
する。
【００２１】また、請求項８に記載の発明は、請求項７
に記載の発明において、前記ファセット面上に金属膜を
形成したことを特徴とする。
に記載の発明において、前記ファセット面上に金属膜を
形成したことを特徴とする。
【００２２】また、請求項９に記載の発明は、請求項７
に記載の発明において、前記ファセット面上に誘電体膜
を形成したことを特徴とする。
に記載の発明において、前記ファセット面上に誘電体膜
を形成したことを特徴とする。
【００２３】また、請求項１０に記載の発明は、請求項
１乃至９いずれかに記載の発明において、前記選択成長
により基板に対して斜めに成長した窒化物半導体が窒化
ガリウムであることを特徴とする。
１乃至９いずれかに記載の発明において、前記選択成長
により基板に対して斜めに成長した窒化物半導体が窒化
ガリウムであることを特徴とする。
【００２４】また、請求項１１に記載の発明は、請求項
２、５又は８に記載の発明において、前記金属膜がアル
ミニウム又は銀であることを特徴とする。
２、５又は８に記載の発明において、前記金属膜がアル
ミニウム又は銀であることを特徴とする。
【００２５】また、請求項１２に記載の発明は、請求項
３、６又は９に記載の発明において、前記誘電体膜が二
酸化シリコンと二酸化チタンを交互に積層した多層膜で
あることを特徴とする。
３、６又は９に記載の発明において、前記誘電体膜が二
酸化シリコンと二酸化チタンを交互に積層した多層膜で
あることを特徴とする。
【００２６】また、請求項１３に記載の発明は、請求項
１乃至１２いずれかに記載の発明において、前記基板が
（０００１）を主方位面とするＳｉＣであることを特徴
とする。
１乃至１２いずれかに記載の発明において、前記基板が
（０００１）を主方位面とするＳｉＣであることを特徴
とする。
【００２７】また、請求項１４に記載の発明は、請求項
１乃至１２いずれかに記載の発明において、前記基板が
（０００１）を主方位面とするサファイアであることを
特徴とする。
１乃至１２いずれかに記載の発明において、前記基板が
（０００１）を主方位面とするサファイアであることを
特徴とする。
【００２８】また、請求項１５に記載の発明は、請求項
１乃至１２いずれかに記載の発明において、前記基板が
（１１１）を主方位面とするシリコンであることを特徴
とする。
１乃至１２いずれかに記載の発明において、前記基板が
（１１１）を主方位面とするシリコンであることを特徴
とする。
【００２９】また、請求項１６に記載の発明は、基板上
に窒化物半導体を用いた半導体レーザを形成する工程
と、前記基板上に、選択成長により基板に対して斜めに
成長した窒化物半導体のファセット面からなり、前記半
導体レーザから発せられたレーザ光を反射することによ
り、該レーザ光の出射方向を前記基板の主方位面に対し
て上方向に変える微小な反射鏡と形成する工程とからな
り、前記半導体レーザと前記反射鏡とのを組み合わせ
を、少なくとも一組以上集積したことを特徴とする。
に窒化物半導体を用いた半導体レーザを形成する工程
と、前記基板上に、選択成長により基板に対して斜めに
成長した窒化物半導体のファセット面からなり、前記半
導体レーザから発せられたレーザ光を反射することによ
り、該レーザ光の出射方向を前記基板の主方位面に対し
て上方向に変える微小な反射鏡と形成する工程とからな
り、前記半導体レーザと前記反射鏡とのを組み合わせ
を、少なくとも一組以上集積したことを特徴とする。
【００３０】また、請求項１７に記載の発明は、請求項
１６に記載の発明において、前記ファセット面上に金属
膜又は誘電体膜を形成する工程を備えたことを特徴とす
る。
１６に記載の発明において、前記ファセット面上に金属
膜又は誘電体膜を形成する工程を備えたことを特徴とす
る。
【００３１】また、請求項１８に記載の発明は、請求項
１６に記載の発明において、前記ファセット面が、
１６に記載の発明において、前記ファセット面が、
【００３２】
【外７】
【００３３】の方位のファセット面又は
【００３４】
【外８】
【００３５】の方位のファセット面であることを特徴と
する。
する。
【００３６】このように本発明では、窒化物半導体レー
ザの共振器端面の近傍に、選択成長により窒化物半導体
の
ザの共振器端面の近傍に、選択成長により窒化物半導体
の
【００３７】
【外９】
【００３８】ないしは
【００３９】
【外１０】
【００４０】の方位のファセット面そのものか、あるい
は、これら
は、これら
【００４１】
【外１１】
【００４２】ないしは
【００４３】
【外１２】
【００４４】の方位のファセット面上に形成した金属膜
ないしは誘電体膜からなり、半導体レーザから発せられ
たレーザ光を反射することにより、レーザ光の出射方向
を基板の主方位面に対して上方向に変える微小な反射鏡
との組み合わせを作製する。この窒化物半導体の選択成
長により、表面の極めて滑らかで光の反射効率の高いフ
ァセットを得ることが可能である。これにより、レーザ
光を楕円形の遠視野像を保ったまま、縞状の干渉を生じ
ることなく、外部に取り出すことができる。また本発明
によれば、半導体レーザは通常のファブリ・ペロー型で
ありながら、面発光タイプとして、同一の基板上に一組
以上集積化することもできる。
ないしは誘電体膜からなり、半導体レーザから発せられ
たレーザ光を反射することにより、レーザ光の出射方向
を基板の主方位面に対して上方向に変える微小な反射鏡
との組み合わせを作製する。この窒化物半導体の選択成
長により、表面の極めて滑らかで光の反射効率の高いフ
ァセットを得ることが可能である。これにより、レーザ
光を楕円形の遠視野像を保ったまま、縞状の干渉を生じ
ることなく、外部に取り出すことができる。また本発明
によれば、半導体レーザは通常のファブリ・ペロー型で
ありながら、面発光タイプとして、同一の基板上に一組
以上集積化することもできる。
【００４５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例について説明する。 [実施例１]図２は、本発明による窒化物半導体発光素子
及びその遠視野像を示す図で、図中符号２１は窒化物半
導体レーザ、２２は基板、２３は微小な反射鏡である。
施例について説明する。 [実施例１]図２は、本発明による窒化物半導体発光素子
及びその遠視野像を示す図で、図中符号２１は窒化物半
導体レーザ、２２は基板、２３は微小な反射鏡である。
【００４６】基板として（０００１）面を主方位面とす
るｎ型のＳｉＣを用い、有機金属気相成長法（Metalorg
anic Chemical Vapor Deposition；ＭＯＣＶＤ）によ
り、窒化物半導体の多層薄膜を形成した。
るｎ型のＳｉＣを用い、有機金属気相成長法（Metalorg
anic Chemical Vapor Deposition；ＭＯＣＶＤ）によ
り、窒化物半導体の多層薄膜を形成した。
【００４７】同一の基板２２上に、窒化物半導体を用い
た半導体レーザ２１と、反射鏡２３とを組み合わせ、こ
の組み合わせを一組以上集積する。反射鏡２３は、選択
成長により基板に対して斜めに成長した窒化物半導体の
ファセット面からなり、半導体レーザ２１から発せられ
たレーザ光を反射することにより、レーザ光の出射方向
を基板２２の主方位面に対して上方向に変えるように構
成されている。
た半導体レーザ２１と、反射鏡２３とを組み合わせ、こ
の組み合わせを一組以上集積する。反射鏡２３は、選択
成長により基板に対して斜めに成長した窒化物半導体の
ファセット面からなり、半導体レーザ２１から発せられ
たレーザ光を反射することにより、レーザ光の出射方向
を基板２２の主方位面に対して上方向に変えるように構
成されている。
【００４８】図３（ａ），（ｂ）は、ＭＯＣＶＤにより
ＳＣＨのレーザ積層構造を作製した状態を示した図で、
図（ａ）は平面図、図（ｂ）は断面図である。この窒化
物半導体の多層薄膜は、分離閉じこめヘテロ構造型（Se
parate Confinement Heterostructure；ＳＣＨ）のレー
ザ積層構造に対応する。
ＳＣＨのレーザ積層構造を作製した状態を示した図で、
図（ａ）は平面図、図（ｂ）は断面図である。この窒化
物半導体の多層薄膜は、分離閉じこめヘテロ構造型（Se
parate Confinement Heterostructure；ＳＣＨ）のレー
ザ積層構造に対応する。
【００４９】すなわち、（０００１）面を主方位面とす
るｎ型のＳｉＣ基板１上に、Ｓｉがドープされた０．５
ミクロン厚のｎ型のＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層
２と、Ｓｉがドープされた０．１ミクロン厚のｎ型のＧ
ａＮ光ガイド層３と、５ｎｍ厚のＩｎ０．１５Ｇａ
０．８５Ｎ量子井戸層と１０ｎｍ厚のＩｎ０．０５Ｇａ
０ ．９５Ｎ障壁層の３周期からなる多重量子井戸活性層
４と、Ｍｇがドープされた２０ｎｍ厚のｐ型のＡｌ
０．２Ｇａ０．８Ｎ電子ブロック層５と、Ｍｇがドープ
された０．１ミクロン厚のｐ型のＧａＮ光ガイド層６
と、Ｍｇがドープされた０．４ミクロン厚のｐ型のＡｌ
０．０５Ｇａ０．９５Ｎクラッド層７と、Ｍｇがドープ
された０．０５ミクロン厚のｐ型のＧａＮコンタクト層
８からなる。
るｎ型のＳｉＣ基板１上に、Ｓｉがドープされた０．５
ミクロン厚のｎ型のＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層
２と、Ｓｉがドープされた０．１ミクロン厚のｎ型のＧ
ａＮ光ガイド層３と、５ｎｍ厚のＩｎ０．１５Ｇａ
０．８５Ｎ量子井戸層と１０ｎｍ厚のＩｎ０．０５Ｇａ
０ ．９５Ｎ障壁層の３周期からなる多重量子井戸活性層
４と、Ｍｇがドープされた２０ｎｍ厚のｐ型のＡｌ
０．２Ｇａ０．８Ｎ電子ブロック層５と、Ｍｇがドープ
された０．１ミクロン厚のｐ型のＧａＮ光ガイド層６
と、Ｍｇがドープされた０．４ミクロン厚のｐ型のＡｌ
０．０５Ｇａ０．９５Ｎクラッド層７と、Ｍｇがドープ
された０．０５ミクロン厚のｐ型のＧａＮコンタクト層
８からなる。
【００５０】次に、この窒化物半導体の多層薄膜の表
面、すなわち、Ｍｇがドープされた０．０５ミクロン厚
を有するｐ型のＧａＮコンタクト層８の表面に、フォト
レジストよりなるマスク材を塗布し、フォトリソグラフ
ィーにより、図４（ａ），（ｂ）に示したように、長方
形の形状をしたフォトレジストよりなるマスク材９を一
個以上形成した。長方形の寸法は、短辺が１から１０ミ
クロン程度、また、長辺が２００から１５００ミクロン
程度の範囲で設定できる。さらに、長方形の短辺が、
（０００１）面を主方位面とするＳｉＣ基板１の
面、すなわち、Ｍｇがドープされた０．０５ミクロン厚
を有するｐ型のＧａＮコンタクト層８の表面に、フォト
レジストよりなるマスク材を塗布し、フォトリソグラフ
ィーにより、図４（ａ），（ｂ）に示したように、長方
形の形状をしたフォトレジストよりなるマスク材９を一
個以上形成した。長方形の寸法は、短辺が１から１０ミ
クロン程度、また、長辺が２００から１５００ミクロン
程度の範囲で設定できる。さらに、長方形の短辺が、
（０００１）面を主方位面とするＳｉＣ基板１の
【００５１】
【外１３】
【００５２】方向に平行であるようにした。
【００５３】これを、ＥＣＲ（Electron cycrotron res
onance）ドライエッチング装置に挿入し、エッチングガ
スとして塩素ガスを用い、ドライエッチングを行った。
この時、長方形のフォトレジストよりなるマスク材９に
覆われた部分以外の窒化物半導体多層膜２から８と、
（０００１）面を主方位面とするｎ型のＳｉＣ基板１の
一部（深さ１ミクロン）とがエッチングされ、除去され
る。
onance）ドライエッチング装置に挿入し、エッチングガ
スとして塩素ガスを用い、ドライエッチングを行った。
この時、長方形のフォトレジストよりなるマスク材９に
覆われた部分以外の窒化物半導体多層膜２から８と、
（０００１）面を主方位面とするｎ型のＳｉＣ基板１の
一部（深さ１ミクロン）とがエッチングされ、除去され
る。
【００５４】これを、ＥＣＲドライエッチング装置より
取り出し、アセトンに浸して、フォトレジストよりなる
マスク材９を除去した。この段階の試料の模式図を図５
（ａ），（ｂ）に示した。リッジストライプ型の窒化物
半導体レーザが一個以上形成されている。この状態の試
料の表面に、スパッタ装置を用いて、二酸化シリコン薄
膜１０を１００ｎｍの厚さで形成した。次に、フォトリ
ソグラフィーにより、この窒化物半導体レーザの二枚の
反射鏡の内の任意の一枚から５ミクロン離れた位置に、
長方形の形状を有する穴を二酸化シリコン薄膜１０に開
けた。この長方形の長辺は（０００１）面を主方位面と
するＳｉＣ基板１の
取り出し、アセトンに浸して、フォトレジストよりなる
マスク材９を除去した。この段階の試料の模式図を図５
（ａ），（ｂ）に示した。リッジストライプ型の窒化物
半導体レーザが一個以上形成されている。この状態の試
料の表面に、スパッタ装置を用いて、二酸化シリコン薄
膜１０を１００ｎｍの厚さで形成した。次に、フォトリ
ソグラフィーにより、この窒化物半導体レーザの二枚の
反射鏡の内の任意の一枚から５ミクロン離れた位置に、
長方形の形状を有する穴を二酸化シリコン薄膜１０に開
けた。この長方形の長辺は（０００１）面を主方位面と
するＳｉＣ基板１の
【００５５】
【外１４】
【００５６】方向に平行であるようにした。長方形の寸
法は、短辺が６ミクロン以上、また、長辺が１０ミクロ
ン以上の範囲で設定できる。このことは図６（ａ），
（ｂ）に示されている。
法は、短辺が６ミクロン以上、また、長辺が１０ミクロ
ン以上の範囲で設定できる。このことは図６（ａ），
（ｂ）に示されている。
【００５７】この状態の試料を、再び、ＭＯＣＶＤ装置
に挿入し、窒化物半導体として、ＧａＮ層１１を３ミク
ロンの厚みで選択成長した。このとき、表面エネルギー
的に安定な、
に挿入し、窒化物半導体として、ＧａＮ層１１を３ミク
ロンの厚みで選択成長した。このとき、表面エネルギー
的に安定な、
【００５８】
【外１５】
【００５９】ファセットが二酸化シリコン薄膜に開けた
長方形の穴の長辺に沿って形成され、また、
長方形の穴の長辺に沿って形成され、また、
【００６０】
【外１６】
【００６１】ファセットが短辺に沿って形成された。こ
こで、結晶学的に
こで、結晶学的に
【００６２】
【外１７】
【００６３】ファセットの、ＳｉＣ基板の主方位面（０
００１）に対する角度は６２度である。この
００１）に対する角度は６２度である。この
【００６４】
【外１８】
【００６５】ファセット面の表面粗さを原子間力顕微鏡
で測定したところ、平均二乗根（ＲＭＳ）粗さで０．４
ｎｍであり、原子層レベルで平滑であることが分かっ
た。なお、二酸化シリコン薄膜の表面には、ＧａＮ層１
１は成長しなかった。このように、ＧａＮは、
で測定したところ、平均二乗根（ＲＭＳ）粗さで０．４
ｎｍであり、原子層レベルで平滑であることが分かっ
た。なお、二酸化シリコン薄膜の表面には、ＧａＮ層１
１は成長しなかった。このように、ＧａＮは、
【００６６】
【外１９】
【００６７】および
【００６８】
【外２０】
【００６９】ファセット面が現れやすく、かつ、優れた
選択性を有するため選択成長する窒化物半導体として優
れている。
選択性を有するため選択成長する窒化物半導体として優
れている。
【００７０】次に、この状態の試料を反応槽より取り出
し、フッ酸水溶液に浸して、二酸化シリコン薄膜１０を
全て除去した。さらに、窒化物半導体レーザのＭｇがド
ープされたｐ型のＧａＮコンタクト層８の表面に、Ｐｄ
／Ａｕ薄膜よりなる、ストライプ状のｐ型オーミックコ
ンタクト金属電極１２を形成し、（０００１）面を主方
位面とするｎ型のＳｉＣ基板の裏面に、Ｔｉ／Ａｕ薄膜
よりなる、ｎ型オーミックコンタクト金属電極１３を形
成した。最後に、選択成長により作製したＧａＮ層１１
の窒化物半導体レーザ側の
し、フッ酸水溶液に浸して、二酸化シリコン薄膜１０を
全て除去した。さらに、窒化物半導体レーザのＭｇがド
ープされたｐ型のＧａＮコンタクト層８の表面に、Ｐｄ
／Ａｕ薄膜よりなる、ストライプ状のｐ型オーミックコ
ンタクト金属電極１２を形成し、（０００１）面を主方
位面とするｎ型のＳｉＣ基板の裏面に、Ｔｉ／Ａｕ薄膜
よりなる、ｎ型オーミックコンタクト金属電極１３を形
成した。最後に、選択成長により作製したＧａＮ層１１
の窒化物半導体レーザ側の
【００７１】
【外２１】
【００７２】ファセットの表面にＡｌ薄膜１４を形成し
た。これらの金属薄膜の形成は、電子ビーム蒸着とフォ
トリソグラフィーにより行った。窒化物半導体レーザの
発するレーザ光の波長は、４００ｎｍであった。Ａｌ
は、波長が４００ｎｍ前後の光に対して非常に大きな反
射率を有しており、反射鏡として優れている。ここで、
銀も大きな反射率を示すので、Ａｌの代わりに、銀を用
いても同様の効果が得られた。さらに、Ａｌ膜の代わり
に、誘電体膜として、二酸化シリコンと二酸化チタンを
交互に積層した多層膜を用いても、反射率が非常に高い
ため、全く同様の効果が得られた。
た。これらの金属薄膜の形成は、電子ビーム蒸着とフォ
トリソグラフィーにより行った。窒化物半導体レーザの
発するレーザ光の波長は、４００ｎｍであった。Ａｌ
は、波長が４００ｎｍ前後の光に対して非常に大きな反
射率を有しており、反射鏡として優れている。ここで、
銀も大きな反射率を示すので、Ａｌの代わりに、銀を用
いても同様の効果が得られた。さらに、Ａｌ膜の代わり
に、誘電体膜として、二酸化シリコンと二酸化チタンを
交互に積層した多層膜を用いても、反射率が非常に高い
ため、全く同様の効果が得られた。
【００７３】以上の工程により、窒化物半導体レーザと
微小な反射鏡とを有する窒化物半導体発光素子が作製さ
れた。この窒化物半導体発光素子の模式図を図７
（ａ），（ｂ）に示した。この窒化物半導体レーザは、
室温で電流注入発振し、波長は４００ｎｍであった。こ
の窒化物半導体レーザから射出されたレーザ光は、近接
するＧａＮ層１１の
微小な反射鏡とを有する窒化物半導体発光素子が作製さ
れた。この窒化物半導体発光素子の模式図を図７
（ａ），（ｂ）に示した。この窒化物半導体レーザは、
室温で電流注入発振し、波長は４００ｎｍであった。こ
の窒化物半導体レーザから射出されたレーザ光は、近接
するＧａＮ層１１の
【００７４】
【外２２】
【００７５】の方位のファセット面上に形成したＡｌ膜
からなる微小な反射鏡により高い反射率で反射され、基
板の主方位面に対して上方向に向きを変えられる。ここ
で、図８に示したように、ＧａＮ層１１の
からなる微小な反射鏡により高い反射率で反射され、基
板の主方位面に対して上方向に向きを変えられる。ここ
で、図８に示したように、ＧａＮ層１１の
【００７６】
【外２３】
【００７７】の方位のファセット面の基板の主方位面に
対する角度は６２度であるので、反射されたレーザ光の
中心の進行方向は、基板の主方位面に対して５８度の角
度の斜め方向になる。このレーザ光の断面、すなわち遠
視野像は干渉縞の全くない楕円形であった。また、この
レーザ光の広がり角（半値全角）は、楕円の短軸および
長軸方向でそれぞれ、８および３０度であった。この反
射されたレーザ光の遠視野像は楕円形の形状を保ってお
り、従来の窒化物半導体レーザで問題であった縞状の干
渉を生じることはなかった。
対する角度は６２度であるので、反射されたレーザ光の
中心の進行方向は、基板の主方位面に対して５８度の角
度の斜め方向になる。このレーザ光の断面、すなわち遠
視野像は干渉縞の全くない楕円形であった。また、この
レーザ光の広がり角（半値全角）は、楕円の短軸および
長軸方向でそれぞれ、８および３０度であった。この反
射されたレーザ光の遠視野像は楕円形の形状を保ってお
り、従来の窒化物半導体レーザで問題であった縞状の干
渉を生じることはなかった。
【００７８】さらに、本発明で作製した窒化物半導体レ
ーザはファブリペロー型のリッジストライプレーザであ
りながら、面発光型である利点も有していることにな
る。さらに、この窒化物半導体レーザと微小な反射鏡を
組み合わせた発光素子は、同一の基板上に一組以上集積
することもできた。
ーザはファブリペロー型のリッジストライプレーザであ
りながら、面発光型である利点も有していることにな
る。さらに、この窒化物半導体レーザと微小な反射鏡を
組み合わせた発光素子は、同一の基板上に一組以上集積
することもできた。
【００７９】[実施例２]実施例１における、長方形のフ
ォトレジストよりなるマスク材９に関して、長方形の短
辺が、（０００１）面を主方位とするＳｉＣ基板１の
ォトレジストよりなるマスク材９に関して、長方形の短
辺が、（０００１）面を主方位とするＳｉＣ基板１の
【００８０】
【外２４】
【００８１】方向に平行であるようにした。さらに、二
酸化シリコン薄膜１０に開ける長方形の穴に関して、長
方形の長辺は（０００１）面を主方位とするＳｉＣ基板
１の
酸化シリコン薄膜１０に開ける長方形の穴に関して、長
方形の長辺は（０００１）面を主方位とするＳｉＣ基板
１の
【００８２】
【外２５】
【００８３】方向に平行であるようにした。この二つの
変更以外はすべて実施例１と同じ工程により、窒化物半
導体レーザと、ＧａＮの
変更以外はすべて実施例１と同じ工程により、窒化物半
導体レーザと、ＧａＮの
【００８４】
【外２６】
【００８５】の方位のファセット面上に形成したＡｌ膜
からなる微小な反射鏡との組み合わせを、一組以上集積
した窒化物半導体発光素子を作製することができた。こ
の場合も、レーザ光の遠視野像は楕円形の形状を保って
おり、従来の窒化物半導体レーザで問題であった縞状の
干渉を生じることはなかった。
からなる微小な反射鏡との組み合わせを、一組以上集積
した窒化物半導体発光素子を作製することができた。こ
の場合も、レーザ光の遠視野像は楕円形の形状を保って
おり、従来の窒化物半導体レーザで問題であった縞状の
干渉を生じることはなかった。
【００８６】[実施例３]実施例１または２において、
（０００１）面を主方位面とするＳｉＣ基板の代わり
に、（０００１）面を主方位面とするサファイア基板、
または、（１１１）面を主方位面とするシリコン基板を
用いても、全く同様の効果が得られた。
（０００１）面を主方位面とするＳｉＣ基板の代わり
に、（０００１）面を主方位面とするサファイア基板、
または、（１１１）面を主方位面とするシリコン基板を
用いても、全く同様の効果が得られた。
【００８７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、同
一の基板上に、窒化物半導体を用いた半導体レーザと、
選択成長により基板に対して斜めに成長した窒化物半導
体のファセット面からなり、半導体レーザから発せられ
たレーザ光を反射することにより、レーザ光の出射方向
を基板の主方位面に対して上方向に変える微小な反射鏡
とを組み合わせ、この組み合わせを一組以上集積したの
で、従来の窒化物半導体レーザで問題であった、レーザ
光の一部が基板により散乱され、遠視野像に干渉縞が生
じてしまうという現象を解決できた。さらに、本発明に
よれば、窒化物半導体レーザと微小な反射鏡を組み合わ
せた面発光型の発光素子を同一の基板上に一組以上集積
化することができた。
一の基板上に、窒化物半導体を用いた半導体レーザと、
選択成長により基板に対して斜めに成長した窒化物半導
体のファセット面からなり、半導体レーザから発せられ
たレーザ光を反射することにより、レーザ光の出射方向
を基板の主方位面に対して上方向に変える微小な反射鏡
とを組み合わせ、この組み合わせを一組以上集積したの
で、従来の窒化物半導体レーザで問題であった、レーザ
光の一部が基板により散乱され、遠視野像に干渉縞が生
じてしまうという現象を解決できた。さらに、本発明に
よれば、窒化物半導体レーザと微小な反射鏡を組み合わ
せた面発光型の発光素子を同一の基板上に一組以上集積
化することができた。
【図１】従来の半導体レーザ及びその遠視野像を示す図
で、（ａ）はドライエッチングで反射鏡を作製した窒化
物半導体レーザ及びその遠視野像を示す図、（ｂ）はド
ライエッチングで基板の主方位面に対して４５°の斜め
の反射鏡を併設したＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓレーザ及び
その遠視野像を示す図である。
で、（ａ）はドライエッチングで反射鏡を作製した窒化
物半導体レーザ及びその遠視野像を示す図、（ｂ）はド
ライエッチングで基板の主方位面に対して４５°の斜め
の反射鏡を併設したＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓレーザ及び
その遠視野像を示す図である。
【図２】本発明による窒化物半導体発光素子及びその遠
視野像を示す図である。
視野像を示す図である。
【図３】ＭＯＣＶＤによりＳＣＨのレーザ積層構造を作
製した状態を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面
図である。
製した状態を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面
図である。
【図４】長方形の形状をしたフォトレジストよりなるマ
スク材を一個以上形成した状態を示す図で、（ａ）は平
面図、（ｂ）は断面図である。
スク材を一個以上形成した状態を示す図で、（ａ）は平
面図、（ｂ）は断面図である。
【図５】ＥＣＲドライエッチングにより、リッジストラ
イプ型の窒化物半導体レーザを作製した状態を示す図
で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
イプ型の窒化物半導体レーザを作製した状態を示す図
で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図６】二酸化シリコン薄膜に長方形の穴を開けた状態
を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図７】本発明による窒化物半導体素子が完成した状態
を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図８】本発明による窒化物半導体素子のレーザ光の射
出方向を説明した図である。
出方向を説明した図である。
１ （０００１）面を主方位面とするｎ型のＳｉＣ基板 ２ Ｓｉがドープされた０．５ミクロン厚のｎ型Ａｌ
０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層 ３ Ｓｉがドープされた０．１ミクロン厚のｎ型ＧａＮ
光ガイド層 ４ ５ｎｍ厚のＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ量子井戸層
と１０ｎｍ厚のＩｎ０ ．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層の３
周期からなる多重量子井戸活性層 ５ Ｍｇがドープされた２０ｎｍ厚のｐ型Ａｌ０．２Ｇ
ａ０．８Ｎ電子ブロック層 ６ Ｍｇがドープされた０．１ミクロン厚のｐ型ＧａＮ
光ガイド層 ７ Ｍｇがドープされた０．４ミクロン厚のｐ型Ａｌ
０．０５Ｇａ０．９５Ｎクラッド層 ８ Ｍｇがドープされた０．０５ミクロン厚のｐ型Ｇａ
Ｎコンタクト層 ９ フォトレジストよりなるマスク材 １０ 二酸化シリコン薄膜 １１ 選択成長したＧａＮ １２ Ｐｄ／Ａｕ薄膜よりなる、ストライプ状のｐ型オ
ーミックコンタクト金属電極 １３ Ｔｉ／Ａｕ薄膜よりなるｎ型オーミックコンタク
ト金属電極 １４ Ａｌ薄膜 ２１ 窒化物半導体レーザ ２２ 基板 ２３ 微小な反射鏡 ３１ 窒化物半導体レーザ ３２，３４ 基板 ３３ ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ ３５ 微小な反射鏡
０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層 ３ Ｓｉがドープされた０．１ミクロン厚のｎ型ＧａＮ
光ガイド層 ４ ５ｎｍ厚のＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ量子井戸層
と１０ｎｍ厚のＩｎ０ ．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層の３
周期からなる多重量子井戸活性層 ５ Ｍｇがドープされた２０ｎｍ厚のｐ型Ａｌ０．２Ｇ
ａ０．８Ｎ電子ブロック層 ６ Ｍｇがドープされた０．１ミクロン厚のｐ型ＧａＮ
光ガイド層 ７ Ｍｇがドープされた０．４ミクロン厚のｐ型Ａｌ
０．０５Ｇａ０．９５Ｎクラッド層 ８ Ｍｇがドープされた０．０５ミクロン厚のｐ型Ｇａ
Ｎコンタクト層 ９ フォトレジストよりなるマスク材 １０ 二酸化シリコン薄膜 １１ 選択成長したＧａＮ １２ Ｐｄ／Ａｕ薄膜よりなる、ストライプ状のｐ型オ
ーミックコンタクト金属電極 １３ Ｔｉ／Ａｕ薄膜よりなるｎ型オーミックコンタク
ト金属電極 １４ Ａｌ薄膜 ２１ 窒化物半導体レーザ ２２ 基板 ２３ 微小な反射鏡 ３１ 窒化物半導体レーザ ３２，３４ 基板 ３３ ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ ３５ 微小な反射鏡
フロントページの続き (72)発明者 西田 敏夫 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 小林 直樹 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 5F045 AA04 AB14 AF02 AF13 AF20 CA12 DB02 5F073 AA14 AA46 AB19 CA04 CB05 CB22 DA05 DA24 EA18
Claims (18)
- 【請求項１】 同一の基板上に、窒化物半導体を用いた
半導体レーザと、選択成長により基板に対して斜めに成
長した窒化物半導体のファセット面からなり、前記半導
体レーザから発せられたレーザ光を反射することによ
り、該レーザ光の出射方向を前記基板の主方位面に対し
て上方向に変える微小な反射鏡とを組み合わせ、この組
み合わせを一組以上集積したことを特徴とする窒化物半
導体発光素子。 - 【請求項２】 前記ファセット面上に金属膜を形成した
ことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素
子。 - 【請求項３】 前記ファセット面上に誘電体膜を形成し
たことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光
素子。 - 【請求項４】 前記ファセット面が、 【外１】 の方位のファセット面であることを特徴とする請求項１
に記載の窒化物半導体発光素子。 - 【請求項５】 前記ファセット面上に金属膜を形成した
ことを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体発光素
子。 - 【請求項６】 前記ファセット面上に誘電体膜を形成し
たことを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体発光
素子。 - 【請求項７】 前記ファセット面が、 【外２】 の方位のファセット面であることを特徴とする請求項１
に記載の窒化物半導体発光素子。 - 【請求項８】 前記ファセット面上に金属膜を形成した
ことを特徴とする請求項７に記載の窒化物半導体発光素
子。 - 【請求項９】 前記ファセット面上に誘電体膜を形成し
たことを特徴とする請求項７に記載の窒化物半導体発光
素子。 - 【請求項１０】 前記選択成長により基板に対して斜め
に成長した窒化物半導体が窒化ガリウムであることを特
徴とする請求項１乃至９いずれかに記載の窒化物半導体
発光素子。 - 【請求項１１】 前記金属膜がアルミニウム又は銀であ
ることを特徴とする請求項２、５又は８に記載の窒化物
半導体発光素子。 - 【請求項１２】 前記誘電体膜が二酸化シリコンと二酸
化チタンを交互に積層した多層膜であることを特徴とす
る請求項３、６又は９に記載の窒化物半導体発光素子。 - 【請求項１３】 前記基板が（０００１）を主方位面と
するＳｉＣであることを特徴とする請求項１乃至１２い
ずれかに記載の窒化物半導体発光素子。 - 【請求項１４】 前記基板が（０００１）を主方位面と
するサファイアであることを特徴とする請求項１乃至１
２いずれかに記載の窒化物半導体発光素子。 - 【請求項１５】 前記基板が（１１１）を主方位面とす
るシリコンであることを特徴とする請求項１乃至１２い
ずれかに記載の窒化物半導体発光素子。 - 【請求項１６】 基板上に窒化物半導体を用いた半導体
レーザを形成する工程と、 前記基板上に、選択成長により基板に対して斜めに成長
した窒化物半導体のファセット面からなり、前記半導体
レーザから発せられたレーザ光を反射することにより、
該レーザ光の出射方向を前記基板の主方位面に対して上
方向に変える微小な反射鏡と形成する工程とからなり、
前記半導体レーザと前記反射鏡とのを組み合わせを、少
なくとも一組以上集積したことを特徴とする窒化物半導
体発光素子の製造方法。 - 【請求項１７】 前記ファセット面上に金属膜又は誘電
体膜を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項１
６記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１８】 前記ファセット面が、 【外３】 の方位のファセット面又は 【外４】 の方位のファセット面であることを特徴とする請求項１
６記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP2002368332A true JP2002368332A (ja) | 2002-12-20 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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