JPH03227088A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH03227088A JPH03227088A JP2023483A JP2348390A JPH03227088A JP H03227088 A JPH03227088 A JP H03227088A JP 2023483 A JP2023483 A JP 2023483A JP 2348390 A JP2348390 A JP 2348390A JP H03227088 A JPH03227088 A JP H03227088A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
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- H01S5/2206—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on III-V materials
- H01S5/221—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on III-V materials containing aluminium
-
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- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＰＯ３，ＦＡシステム等のバーコードリーダ用
およびレーザプリンタ等の光源に用いられる半導体レー
ザに関し、特に高出力で横モード制御が可能であり、発
振波長が６８０ｎｍ以下のＡＡＧａＩｎＰ系可視光半導
体レーザに関する。
およびレーザプリンタ等の光源に用いられる半導体レー
ザに関し、特に高出力で横モード制御が可能であり、発
振波長が６８０ｎｍ以下のＡＡＧａＩｎＰ系可視光半導
体レーザに関する。
第３図は従来の横モード制御型のＡｆｌＧａＩｎＰ系可
視光半導体レーザの構造を示す断面図である（昭和６１
年秋季応用物理学会予稿集Ｐ、１６５）。
視光半導体レーザの構造を示す断面図である（昭和６１
年秋季応用物理学会予稿集Ｐ、１６５）。
図中１はｎ−ＧａＡｓ基板であり、この基板１上にはｎ
−ＧａＡｓバッファ層２が形成されている。バッファ層
２上にはｎ−ＡρＧａＩｎＰクラッド層３．ＧａＩｎＰ
活性層４．ｐ Ａ１７ＧａＩｎＰクラッド層５．ｐ−Ｇ
ａＩｎＰキャップ層６、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７及び
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８からなるダブルへテロ接合
構造が形成されている。
−ＧａＡｓバッファ層２が形成されている。バッファ層
２上にはｎ−ＡρＧａＩｎＰクラッド層３．ＧａＩｎＰ
活性層４．ｐ Ａ１７ＧａＩｎＰクラッド層５．ｐ−Ｇ
ａＩｎＰキャップ層６、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７及び
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８からなるダブルへテロ接合
構造が形成されている。
この構造を有する半導体レーザは通常ＭＯＶＰＥ法によ
って製造されるが、段差を形成した基板上にＡｌＧａ
ＩｎＰを積層することは技術的に困難なため、第３図に
示すようにＧａＩｎＰ活性層４上に段差を有したｐ−Ａ
ｊ７ＧａＩｎＰクラッド層５を形成し、この段差部にｎ
ＧａＡｓ電流阻止層７を形成することにより、自己整
合的に電流狭窄と光導波作用がなされる。
って製造されるが、段差を形成した基板上にＡｌＧａ
ＩｎＰを積層することは技術的に困難なため、第３図に
示すようにＧａＩｎＰ活性層４上に段差を有したｐ−Ａ
ｊ７ＧａＩｎＰクラッド層５を形成し、この段差部にｎ
ＧａＡｓ電流阻止層７を形成することにより、自己整
合的に電流狭窄と光導波作用がなされる。
ここで、第３図の従来構造について製造工程を簡単に述
べる。先ず、１回目のＭＯＶＰＥ成長によってｎ −Ｇ
ａ Ａ ｓバラフッ層２からｐ−ＧａＩｎＰキャップ
層６までの５層構造を順次形成する。続いて、キャップ
層６上に写真蝕刻により幅５μｍの５ｊＯ２膜を用いた
ストライプ状マスクを形成し、ｐ−ＡｌＧａ Ｉ ｎＰ
クラッド層５を途中までエツチングして、ストライプ状
のメサを形成する。
べる。先ず、１回目のＭＯＶＰＥ成長によってｎ −Ｇ
ａ Ａ ｓバラフッ層２からｐ−ＧａＩｎＰキャップ
層６までの５層構造を順次形成する。続いて、キャップ
層６上に写真蝕刻により幅５μｍの５ｊＯ２膜を用いた
ストライプ状マスクを形成し、ｐ−ＡｌＧａ Ｉ ｎＰ
クラッド層５を途中までエツチングして、ストライプ状
のメサを形成する。
次いで２回目のＭＯＶＰＥ成長によってストライプ状の
５ｉＣｈ膜マスクを除くメサ部にｎ−ＧａＡｓ電流阻止
層７を選択的に形成する。その後５１０２膜マスクを除
去した後、３回目のＭＯＶＰＥ成長によって全面にｐ
−Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層８を成長形成し、コンタ
クト層８上にｐ側電極９． ｎＧ ａ Ａ ｓ基板１
上にｎ側電極１０を形成することにより、第３図に示す
構造の半導体レーザが完成される。
５ｉＣｈ膜マスクを除くメサ部にｎ−ＧａＡｓ電流阻止
層７を選択的に形成する。その後５１０２膜マスクを除
去した後、３回目のＭＯＶＰＥ成長によって全面にｐ
−Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層８を成長形成し、コンタ
クト層８上にｐ側電極９． ｎＧ ａ Ａ ｓ基板１
上にｎ側電極１０を形成することにより、第３図に示す
構造の半導体レーザが完成される。
この構造では、電流狭窄はｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７に
より行なわれる。また、ｐ−ＧａＩｎＰキャップ層６は
ｐ −Ａｎ Ｇ ａ Ｉ ｎ Ｐクラッド層５トｐ −
Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層８とのバンド不連続により
生ずる電気抵抗の増大を防ぐ役割を有している（例えば
、昭和６２年度秋季応用物理学会予稿集Ｐ、７６５講演
番号１９ａ−ＺＲ−６）。
より行なわれる。また、ｐ−ＧａＩｎＰキャップ層６は
ｐ −Ａｎ Ｇ ａ Ｉ ｎ Ｐクラッド層５トｐ −
Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層８とのバンド不連続により
生ずる電気抵抗の増大を防ぐ役割を有している（例えば
、昭和６２年度秋季応用物理学会予稿集Ｐ、７６５講演
番号１９ａ−ＺＲ−６）。
一方、横モード制御は、段差を有したｐ−Ａｌ２ＧａＩ
ｎＰクラッド層５のメサ両側部でｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ
電流阻止層７により光吸収ロスを生じるためメサ両側に
屈折率分布が形成されることにより行なわれる。
ｎＰクラッド層５のメサ両側部でｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ
電流阻止層７により光吸収ロスを生じるためメサ両側に
屈折率分布が形成されることにより行なわれる。
近年、基本横モードで発振し、低発振しきい値で低非点
融差を有する屈折率ガイド型の半導体レーザの要求が高
まっている。
融差を有する屈折率ガイド型の半導体レーザの要求が高
まっている。
しかしながら、前述のような従来の屈折率ガイド型半導
体レーザでは、活性層４に平行な方向の作りつけの実効
屈折率差をｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７による光吸収ロス
によって形成しているために、発振しきい値が大きく、
さらに非点融差が１０〜１３μｍと比較的大きくレーザ
光を微少スポットに絞りにくいという欠点がある。
体レーザでは、活性層４に平行な方向の作りつけの実効
屈折率差をｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７による光吸収ロス
によって形成しているために、発振しきい値が大きく、
さらに非点融差が１０〜１３μｍと比較的大きくレーザ
光を微少スポットに絞りにくいという欠点がある。
また、基本横モード制御に必要な実効屈折率差を形成す
るために、メサ両側のｐ−ＡｕＧａＩｎＰクラッド層５
を０．２〜０．３μｍと薄くする必要があることから、
２回目のＭＯＶＰＥ成長によりｎ−ＧａＡｓ電流阻止層
７の成長形成する際にメサ両側の活性層４が熱的損傷を
受け、半導体レーザの寿命の点において問題となる。
るために、メサ両側のｐ−ＡｕＧａＩｎＰクラッド層５
を０．２〜０．３μｍと薄くする必要があることから、
２回目のＭＯＶＰＥ成長によりｎ−ＧａＡｓ電流阻止層
７の成長形成する際にメサ両側の活性層４が熱的損傷を
受け、半導体レーザの寿命の点において問題となる。
本発明は、このような問題点を解決し良好な特性を有し
、高信頼な横モード制御が可能なＡｌＧａＩｎＰｌＧａ
Ｉｎ溝体レーザを提供するものである。
、高信頼な横モード制御が可能なＡｌＧａＩｎＰｌＧａ
Ｉｎ溝体レーザを提供するものである。
本発明の半導体レーザは、従来の横モード制御型のＡ、
ｆｆＧａ１ｎＰ系半導体レーザにおける活性層に平行方
向の作りつけの屈折率分布を発振光の吸収ロスによって
形成するのではなく、活性層にストライプ状メサ形状を
有した光ガイド層を隣接させ、光ガイド層の厚さ変化に
より屈折率分布を形成させることに特徴を有している。
ｆｆＧａ１ｎＰ系半導体レーザにおける活性層に平行方
向の作りつけの屈折率分布を発振光の吸収ロスによって
形成するのではなく、活性層にストライプ状メサ形状を
有した光ガイド層を隣接させ、光ガイド層の厚さ変化に
より屈折率分布を形成させることに特徴を有している。
また、メサ側部に形成する電流阻止層は発振光に対して
吸収ロスを受けず、結晶成長も容易なＡｌＸＧ ａ １
−ＸＡ Ｓ層を採用している。
吸収ロスを受けず、結晶成長も容易なＡｌＸＧ ａ １
−ＸＡ Ｓ層を採用している。
〔実施例１〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の半導体レーザの構造を示す
横断面図である。
横断面図である。
まず、原料としてメタル系■族有機金属（トリメチルイ
ンジウム、トリエチルガリウム、トリメチルアルミニウ
ム）とＶ放水素化物（ＰＨ３，ＡＳＨ３）とを用いた減
圧下でのＭＯＶＰＥ法により、面方位（１００）のｎ−
ＧａＡｓ基板１）（ｎ濃度２ｘ １０． ”ｃｍ−３）
上に厚さ０．５ ｐ ｍのｎ −Ｇ ａ Ａ ｓバフフ
ッ層１２（ｎ濃度Ｉ Ｘ １０ ｕｃｍ−３） 、厚さ
１μｍのｎ （Ａｆｆｏ、ａＧａｏ、＋）ｏ５Ｉ ｎ
ｏ、ｓＰクラット層１３（ｎ濃度５ ｘ ｌ Ｏ１７ｃ
ｍ−３） 、厚さ０．０６μｍのＧ ａ ０．５ Ｉ
ｎ ｏ、ｓＰ活性層１４．厚さ１μｍのｐ（ＡｌＺ、Ｇ
ａ１− ｏ、＋Ｇ ａｏ、ａ）ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓＰ
光カイト層１５（ｐ濃度３ Ｘ １０ ”ｃｍ−３）
、厚さ０１μｍのｐ−（Ａ ｎ Ｏ，８Ｇ ａ Ｏ，４
） ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐクラッド層１６（ｐ濃
度３ Ｘ １０１７ｃｍ”−３） 、厚さ０．０５μｍ
のｐ−Ｇ ａｏ５Ｉ ｎｏ、ｓＰキーｔ”ツブ層１７（
ｐ濃度１×１０ ”ｃｍ”−３）を順次成長してダブル
へテロウェハーを形成する。続いて、キャップ層１７上
に写真蝕刻により幅５μｍのストライプ状の８１０２膜
マスクを形成する。
ンジウム、トリエチルガリウム、トリメチルアルミニウ
ム）とＶ放水素化物（ＰＨ３，ＡＳＨ３）とを用いた減
圧下でのＭＯＶＰＥ法により、面方位（１００）のｎ−
ＧａＡｓ基板１）（ｎ濃度２ｘ １０． ”ｃｍ−３）
上に厚さ０．５ ｐ ｍのｎ −Ｇ ａ Ａ ｓバフフ
ッ層１２（ｎ濃度Ｉ Ｘ １０ ｕｃｍ−３） 、厚さ
１μｍのｎ （Ａｆｆｏ、ａＧａｏ、＋）ｏ５Ｉ ｎ
ｏ、ｓＰクラット層１３（ｎ濃度５ ｘ ｌ Ｏ１７ｃ
ｍ−３） 、厚さ０．０６μｍのＧ ａ ０．５ Ｉ
ｎ ｏ、ｓＰ活性層１４．厚さ１μｍのｐ（ＡｌＺ、Ｇ
ａ１− ｏ、＋Ｇ ａｏ、ａ）ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓＰ
光カイト層１５（ｐ濃度３ Ｘ １０ ”ｃｍ−３）
、厚さ０１μｍのｐ−（Ａ ｎ Ｏ，８Ｇ ａ Ｏ，４
） ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐクラッド層１６（ｐ濃
度３ Ｘ １０１７ｃｍ”−３） 、厚さ０．０５μｍ
のｐ−Ｇ ａｏ５Ｉ ｎｏ、ｓＰキーｔ”ツブ層１７（
ｐ濃度１×１０ ”ｃｍ”−３）を順次成長してダブル
へテロウェハーを形成する。続いて、キャップ層１７上
に写真蝕刻により幅５μｍのストライプ状の８１０２膜
マスクを形成する。
次イテ、第１図に示すように、Ｈ３Ｐ０１．Ｈ２Ｏ２゜
Ｈ２０の混合液およびＨ２Ｓ Ｏ４のエツチング液を用
いて、光カイＦ層１５の途中までエツチングし、ストラ
イプ状メサ部の両側の光力イト層１５の厚さを０．３〜
０．４μｍとなるように制御する。
Ｈ２０の混合液およびＨ２Ｓ Ｏ４のエツチング液を用
いて、光カイＦ層１５の途中までエツチングし、ストラ
イプ状メサ部の両側の光力イト層１５の厚さを０．３〜
０．４μｍとなるように制御する。
次いで、２回目のＭＯＶＰＥ成長によってストライプ状
のＳｉＯ２膜マスクを除くメサ部に厚さ０．６μｍ（平
坦部）のｎ−Ａρｏ、ｒ Ｇ ａ Ｏ，３Ａ ｓ電流阻
止層１８（ｎ濃度Ｉ Ｘ １０ ”ｃｍ−”）を選択的
に成長形成する。その後ＳｉＯ□膜マスクを除去した後
、３回目のＭＯＶＰＥ成長によって全面に厚さ３μｍの
ｐ−ＧａＡｓ：Ｉンタクト層１９（ｐ濃度５ Ｘ １０
”ｃｍ−３）を成長形成し、コンタクト層１９上にｐ
側電極２０、ｎ−ＧａＡｓ基板１）上にｎ側電極２１を
形成し、襞間により反射端面を形成することによって、
本発明の半導体レーザが完成する。
のＳｉＯ２膜マスクを除くメサ部に厚さ０．６μｍ（平
坦部）のｎ−Ａρｏ、ｒ Ｇ ａ Ｏ，３Ａ ｓ電流阻
止層１８（ｎ濃度Ｉ Ｘ １０ ”ｃｍ−”）を選択的
に成長形成する。その後ＳｉＯ□膜マスクを除去した後
、３回目のＭＯＶＰＥ成長によって全面に厚さ３μｍの
ｐ−ＧａＡｓ：Ｉンタクト層１９（ｐ濃度５ Ｘ １０
”ｃｍ−３）を成長形成し、コンタクト層１９上にｐ
側電極２０、ｎ−ＧａＡｓ基板１）上にｎ側電極２１を
形成し、襞間により反射端面を形成することによって、
本発明の半導体レーザが完成する。
ここで、ｎ Ａ １２ ｏ、ｙ Ｇ ｌｉＬ Ｏ，３
Ａ Ｓ電流阻止層１８の屈折率はｎｌはｐ（ＡｌＺ、Ｇ
ａ１−ｃ、５Ｇａｏ、ｔ）ｏ、ｓＩ ｎｏ、ｓＰクラッ
ド層１６の屈折率ｎ２とはｎ＋ｚｎｚで同等となるよう
に組成調整しており、発振光に対して透明であり吸収体
として作用しない。
Ａ Ｓ電流阻止層１８の屈折率はｎｌはｐ（ＡｌＺ、Ｇ
ａ１−ｃ、５Ｇａｏ、ｔ）ｏ、ｓＩ ｎｏ、ｓＰクラッ
ド層１６の屈折率ｎ２とはｎ＋ｚｎｚで同等となるよう
に組成調整しており、発振光に対して透明であり吸収体
として作用しない。
従って、ｎＡ ｆ２ ｏ、ｒ Ｇ ａ Ｏ，３Ａ ｓ電
流阻止層１８は主に電流狭窄として作用し、ストライブ
状メサ部に効率的な電流注入を行なうためのものである
。
流阻止層１８は主に電流狭窄として作用し、ストライブ
状メサ部に効率的な電流注入を行なうためのものである
。
また、活性層１４に平行方向の作りつけの実効屈折率差
は、メサ部とその両側での光ガイド層１５の厚さ変化に
より形成されるため、吸収ロスのない実数成分の実効屈
折率差分布が得られる。
は、メサ部とその両側での光ガイド層１５の厚さ変化に
より形成されるため、吸収ロスのない実数成分の実効屈
折率差分布が得られる。
よって、低発振しきい値でかつ低非点融差を有した屈折
率カイＦ型の横モード制御が可能となる。
率カイＦ型の横モード制御が可能となる。
〔実施例２〕
第２図は本発明の実施例２の横断面図である。
ＭＯＶＰＥ法によるダブルへテロ構造の成長は前述の実
施例と同じ方法で行なう。
施例と同じ方法で行なう。
ここでは、１回目のＭＯＶＰＥ法により、活性層１４上
に厚さ０．３〜０．４ μｍのｐ （ＡｌＹＧａ１−
。、４Ｇａｏ、ａ）。ｓＩｎ。５Ｐ光ガイド層１５を成
長形成した後、厚さ４０人のｐ Ｇ ａ ｏ、ｓ Ｉ
ｎ ｏ、ｓＰ エッチンク停止層２２（ｐ濃度３ Ｘ
１０１７ｃ＋ｎ””）を成長形成し、さらに前記光ガ
イド層１５を厚さ０．７μｍ形成している点が前述の実
施例１と異なる。この他は実施例１と同じである。
に厚さ０．３〜０．４ μｍのｐ （ＡｌＹＧａ１−
。、４Ｇａｏ、ａ）。ｓＩｎ。５Ｐ光ガイド層１５を成
長形成した後、厚さ４０人のｐ Ｇ ａ ｏ、ｓ Ｉ
ｎ ｏ、ｓＰ エッチンク停止層２２（ｐ濃度３ Ｘ
１０１７ｃ＋ｎ””）を成長形成し、さらに前記光ガ
イド層１５を厚さ０．７μｍ形成している点が前述の実
施例１と異なる。この他は実施例１と同じである。
この実施例では、エッチンク停止層２２が形成されてい
ることにより、ストライブ状メサ部の両側の光ガイド層
１５の厚さをエツチングにより制御性良くできる利点を
有している。
ることにより、ストライブ状メサ部の両側の光ガイド層
１５の厚さをエツチングにより制御性良くできる利点を
有している。
ここで、エツチング停止層２２の厚さは発振光に対して
吸収を受けないようにするために４０人と薄く形成して
いる。
吸収を受けないようにするために４０人と薄く形成して
いる。
以上説明したように本発明によれば、活性層１４に平行
方向の作りつけの実効屈折率差がメサ部とその両側での
光ガイド層１５の厚さ変化により得られるため、吸収ロ
スのない実数成分の屈折率分布が得られる。よって、低
発振しきい値で低非点融差を有し、基本横モード発振す
る横モード制御型半導体レーザを実現できる。
方向の作りつけの実効屈折率差がメサ部とその両側での
光ガイド層１５の厚さ変化により得られるため、吸収ロ
スのない実数成分の屈折率分布が得られる。よって、低
発振しきい値で低非点融差を有し、基本横モード発振す
る横モード制御型半導体レーザを実現できる。
また、メサ部両側の光ガイド層１５の厚さが０．３〜０
．４μｍと従来と比較して厚目に設計できるため、２回
目のＭＯＶＰＥ成長による電流阻止層１８の成長の際に
受ける活性層１４の熱的損傷も軽減され、高信頼な半導
体レーザを形成できる。
．４μｍと従来と比較して厚目に設計できるため、２回
目のＭＯＶＰＥ成長による電流阻止層１８の成長の際に
受ける活性層１４の熱的損傷も軽減され、高信頼な半導
体レーザを形成できる。
第１図、第２図は本発明の実施例を示すＡＡＧａＩｎＰ
系半導体レーザの横断面図、第３図は従来の半導体レー
ザの横断面図を示す。 図において、 １．１）−ｎ−ＧａＡｓ基板、２． １２・・・−ｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓバッファ層、３−＝ｎ−ＡＡＧａＩｎ
Ｐクラッド層、４・・・・・・ＧａＩｎＰ活性層、５−
・・・ｐ−Ａ、１２ＧａＩｎＰクラッド層、６−−ｐ−
Ｇａ Ｉ ｎＰキャップ層、７・・・・・・ｎ−ＧａＡ
ｓ電流阻止層、８゜１９・・・・・・ｐ−ＧａＡｓコン
タクト層、９．２０−・・・・ｐ側電極、１０．２１・
・・・・・ｎ側電極、１３・・・・・・ｎ （ＡｌＺ
、Ｇａ１−ａ、５Ｇａｏ、ｉ）ｏ、ｓＩ ｎｏ、ｓＰク
ラッド層、１４−−−・・−Ｑａｏ５Ｉ ｎｏｓＰ活性
層、１５−−− ｐ −（ＡｌＹＧａ１−ｏ４Ｇａｏ、
ａ）ｏ、５Ｉｎｏ５Ｐ光ガイド層、１６・−・・’９
（Ａｆｆｌｏ、ｓＧ ａｏ４）ｏ、ｓ 工ｎｏ、ｓＰ
クラッド層、１７ ・・＝・・１） Ｇ ａ ｏ、ｓ
Ｉ １０５Ｆキャップ層、１８・ｎ Ａ Ｒｏ、ｔ
Ｇ ａ ｏ３Ａ ｓ電流阻止層を示す。
系半導体レーザの横断面図、第３図は従来の半導体レー
ザの横断面図を示す。 図において、 １．１）−ｎ−ＧａＡｓ基板、２． １２・・・−ｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓバッファ層、３−＝ｎ−ＡＡＧａＩｎ
Ｐクラッド層、４・・・・・・ＧａＩｎＰ活性層、５−
・・・ｐ−Ａ、１２ＧａＩｎＰクラッド層、６−−ｐ−
Ｇａ Ｉ ｎＰキャップ層、７・・・・・・ｎ−ＧａＡ
ｓ電流阻止層、８゜１９・・・・・・ｐ−ＧａＡｓコン
タクト層、９．２０−・・・・ｐ側電極、１０．２１・
・・・・・ｎ側電極、１３・・・・・・ｎ （ＡｌＺ
、Ｇａ１−ａ、５Ｇａｏ、ｉ）ｏ、ｓＩ ｎｏ、ｓＰク
ラッド層、１４−−−・・−Ｑａｏ５Ｉ ｎｏｓＰ活性
層、１５−−− ｐ −（ＡｌＹＧａ１−ｏ４Ｇａｏ、
ａ）ｏ、５Ｉｎｏ５Ｐ光ガイド層、１６・−・・’９
（Ａｆｆｌｏ、ｓＧ ａｏ４）ｏ、ｓ 工ｎｏ、ｓＰ
クラッド層、１７ ・・＝・・１） Ｇ ａ ｏ、ｓ
Ｉ １０５Ｆキャップ層、１８・ｎ Ａ Ｒｏ、ｔ
Ｇ ａ ｏ３Ａ ｓ電流阻止層を示す。
Claims (2)
- （１）半導体基板上に、少なくとも活性層が第１導電型
クラッド層と第２導電型のストライプ状メサ形状を有し
た光ガイド層とで狭まれた積層構造と、前記ストライプ
状メサ側部および外部に第１導電型のＡｌ×Ｇａ＿１＿
−＿ＸＡｓ（Ｘ≧０．７）層とを具備してなることを特
徴とする半導体レーザ。 - （２）請求項１記載の半導体レーザにおいて、前記半導
体基板がＧａＡｓ、前記活性層が（Ａｌ＿ＹＧａ＿１＿
−＿Ｙ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐ（０≦Ｙ≦１
）、前記第１導電型クラッド層が（Ａｌ＿Ｚ、Ｇａ＿１
＿−＿Ｚ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐ（０≦Ｚ≦
１）、前記第２導電型の光ガイド層が（Ａｌ＿ＷＧａ＿
１＿−＿Ｗ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５（０≦Ｗ≦
１）であり、組成Ｚ＞Ｗ＞Ｙの関係から成ることを特徴
とする半導体レーザ。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP2023483A JP2778178B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 半導体レーザ |
| DE69109141T DE69109141T2 (de) | 1990-01-31 | 1991-01-31 | Laserdiode mit stabilisiertem Transversal-Mode. |
| EP91300759A EP0440471B1 (en) | 1990-01-31 | 1991-01-31 | Transverse-mode stabilized laser diode |
| US07/648,854 US5065402A (en) | 1990-01-31 | 1991-01-31 | Transverse-mode stabilized laser diode |
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|---|---|---|---|
| JP2023483A JP2778178B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 半導体レーザ |
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|---|---|
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| JP2778178B2 JP2778178B2 (ja) | 1998-07-23 |
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Cited By (1)
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| JPH01286479A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置 |
Family Cites Families (4)
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| JPH01102982A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-20 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
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-
1990
- 1990-01-31 JP JP2023483A patent/JP2778178B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-01-31 US US07/648,854 patent/US5065402A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-31 EP EP91300759A patent/EP0440471B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-31 DE DE69109141T patent/DE69109141T2/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0440471B1 (en) | 1995-04-26 |
| US5065402A (en) | 1991-11-12 |
| EP0440471A3 (en) | 1992-01-22 |
| EP0440471A2 (en) | 1991-08-07 |
| DE69109141T2 (de) | 1995-08-31 |
| JP2778178B2 (ja) | 1998-07-23 |
| DE69109141D1 (de) | 1995-06-01 |
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