JPH05121828A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH05121828A JPH05121828A JP29797191A JP29797191A JPH05121828A JP H05121828 A JPH05121828 A JP H05121828A JP 29797191 A JP29797191 A JP 29797191A JP 29797191 A JP29797191 A JP 29797191A JP H05121828 A JPH05121828 A JP H05121828A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2206—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on III-V materials
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- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 発振しきい値が低くかつ非点隔差の小さい、
基本横モードで発振するＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体
レーザを提供する。 【構成】 活性層１５をストライプ状メサ形状を有した
光ガイド層１６とＡｌ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ光反射層１４で挾
む。光ガイド層１６のメサ部の両側には、発振光を吸収
しない電流阻止層１９を設ける。 【効果】 活性層に平行方向の作り付けの実効屈折率差
がメサ部とその両側での光ガイド層の厚さ変化により得
られるため、低発振しきい値で低非点隔差を有した屈折
率ガイド型レーザが実現できる。また、活性層に隣接し
た光反射層により発振光が光ガイド層側にしみ出すた
め、発光スポットが大きくなり高出力の光ビームの放出
が可能となる。
基本横モードで発振するＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体
レーザを提供する。 【構成】 活性層１５をストライプ状メサ形状を有した
光ガイド層１６とＡｌ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ光反射層１４で挾
む。光ガイド層１６のメサ部の両側には、発振光を吸収
しない電流阻止層１９を設ける。 【効果】 活性層に平行方向の作り付けの実効屈折率差
がメサ部とその両側での光ガイド層の厚さ変化により得
られるため、低発振しきい値で低非点隔差を有した屈折
率ガイド型レーザが実現できる。また、活性層に隣接し
た光反射層により発振光が光ガイド層側にしみ出すた
め、発光スポットが大きくなり高出力の光ビームの放出
が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＰＯＳ、ＦＡシステム
等のバーコードリーダ用およびレーザプリンタ等の光源
に用いられる半導体レーザに関し、特にメサ型ストライ
プによって横モード制御がなされているＡｌＧａＩｎＰ
系可視光半導体レーザに関する。
等のバーコードリーダ用およびレーザプリンタ等の光源
に用いられる半導体レーザに関し、特にメサ型ストライ
プによって横モード制御がなされているＡｌＧａＩｎＰ
系可視光半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、この種用途に用いられている従
来の横モード制御型のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レ
ーザの構造を示す断面図である（例：昭和６１年秋季応
用物理学会予稿集、Ｐ．１６５）。
来の横モード制御型のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レ
ーザの構造を示す断面図である（例：昭和６１年秋季応
用物理学会予稿集、Ｐ．１６５）。
【０００３】この従来例は以下のようにして作製され
る。まず、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭＯＶＰＥ法によ
り、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層３、ＧａＩｎＰ活性層４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層５、ｐ−ＧａＩｎＰキャップ層６からなるダ
ブルヘテロ接合構造を形成し（第１回ＭＯＶＰＥ成
長）、さらにその上にＣＶＤ法によりＳｉＯ2 膜を形成
する。
る。まず、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭＯＶＰＥ法によ
り、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層３、ＧａＩｎＰ活性層４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層５、ｐ−ＧａＩｎＰキャップ層６からなるダ
ブルヘテロ接合構造を形成し（第１回ＭＯＶＰＥ成
長）、さらにその上にＣＶＤ法によりＳｉＯ2 膜を形成
する。
【０００４】次に、写真蝕刻法により、ＳｉＯ2 膜から
なる、５μｍ幅のストライプ状マスクを形成し、これを
マスクにｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５を途中までエ
ッチングして、ストライプ状のメサを形成する。次い
で、２回目のＭＯＶＰＥ成長によってストライプ状のＳ
ｉＯ2 膜マスクを除く部分にｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７
を選択的に形成する。
なる、５μｍ幅のストライプ状マスクを形成し、これを
マスクにｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５を途中までエ
ッチングして、ストライプ状のメサを形成する。次い
で、２回目のＭＯＶＰＥ成長によってストライプ状のＳ
ｉＯ2 膜マスクを除く部分にｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７
を選択的に形成する。
【０００５】その後、ＳｉＯ2 膜マスクを除去し、３回
目のＭＯＶＰＥ成長によって全面にｐ−ＧａＡｓコンタ
クト層８を形成し、コンタクト層８上にｐ側電極９、ｎ
−ＧａＡｓ基板１上にｎ側電極１０を形成することによ
り、図３に示す構造のレーザ素子が作製される。
目のＭＯＶＰＥ成長によって全面にｐ−ＧａＡｓコンタ
クト層８を形成し、コンタクト層８上にｐ側電極９、ｎ
−ＧａＡｓ基板１上にｎ側電極１０を形成することによ
り、図３に示す構造のレーザ素子が作製される。
【０００６】この構造では、電流狭窄はｎ−ＧａＡｓ電
流阻止層７により行われる。また、横モード制御はｎ−
ＧａＡｓ電流阻止層７に光吸収を行わせてクラッド層５
に屈折率分布を形成することにより達成される。
流阻止層７により行われる。また、横モード制御はｎ−
ＧａＡｓ電流阻止層７に光吸収を行わせてクラッド層５
に屈折率分布を形成することにより達成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】近年、基本横モードで
発振し、低発振しきい値で低非点隔差を有する屈折率ガ
イド型の半導体レーザの要求が高まっている。しかしな
がら、前述のような従来の屈折率ガイド型半導体レーザ
では、活性層４に平行な方向の作り付けの実効屈折率差
をｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７による光吸収によって形成
しているために、発振しきい値が大きく、さらに非点隔
差が１０〜１３μｍと比較的大きくレーザ光を微小スポ
ットに絞りにくいという欠点があった。
発振し、低発振しきい値で低非点隔差を有する屈折率ガ
イド型の半導体レーザの要求が高まっている。しかしな
がら、前述のような従来の屈折率ガイド型半導体レーザ
では、活性層４に平行な方向の作り付けの実効屈折率差
をｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７による光吸収によって形成
しているために、発振しきい値が大きく、さらに非点隔
差が１０〜１３μｍと比較的大きくレーザ光を微小スポ
ットに絞りにくいという欠点があった。
【０００８】また、従来例では基本横モード制御に必要
な実効屈折率差を形成するのにメサ部両側のｐ−ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層５を０．２〜０．３μｍと薄くする
必要があることから、２回目のＭＯＶＰＥ成長によりｎ
−ＧａＡｓ電流阻止層７を成長させる際にメサ部両側の
活性層４に熱的損傷を与え易く、そのため長寿命のレー
ザ素子の作製が困難であった。本発明は、このような問
題点を解決し、良好な特性を有し信頼性が高く横モード
制御が可能なＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザを提
供するものである。
な実効屈折率差を形成するのにメサ部両側のｐ−ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層５を０．２〜０．３μｍと薄くする
必要があることから、２回目のＭＯＶＰＥ成長によりｎ
−ＧａＡｓ電流阻止層７を成長させる際にメサ部両側の
活性層４に熱的損傷を与え易く、そのため長寿命のレー
ザ素子の作製が困難であった。本発明は、このような問
題点を解決し、良好な特性を有し信頼性が高く横モード
制御が可能なＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザを提
供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ
は、活性層にメサストライプ形状を有するガイド層を隣
接させ、光ガイド層の厚さ変化により屈折率分布を形成
させることに特徴を有している。そして、メサ側部に形
成される電流阻止層は、発振光を吸収することのない材
料によって形成される。具体的には活性層がＡｌＧａＩ
ｎＰであるとき、電流阻止層には結晶成長が容易なＡｌ
x Ｇａ1-x Ａｓ層が用いられる（ｘ≧０．７）。また、
活性層の、光ガイド層と接していない側の面には、光を
有効に光がガイド層へしみ出させるために、光反射層が
設けられる。
は、活性層にメサストライプ形状を有するガイド層を隣
接させ、光ガイド層の厚さ変化により屈折率分布を形成
させることに特徴を有している。そして、メサ側部に形
成される電流阻止層は、発振光を吸収することのない材
料によって形成される。具体的には活性層がＡｌＧａＩ
ｎＰであるとき、電流阻止層には結晶成長が容易なＡｌ
x Ｇａ1-x Ａｓ層が用いられる（ｘ≧０．７）。また、
活性層の、光ガイド層と接していない側の面には、光を
有効に光がガイド層へしみ出させるために、光反射層が
設けられる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の第１の実施例を示す断面図
である。
て説明する。図１は本発明の第１の実施例を示す断面図
である。
【００１１】本実施例の半導体レーザは以下のように作
製される。原料として、トリメチルアルミニウム［（Ｃ
Ｈ3 ）3 Ａｌ］、トリエチルガリウム［（Ｃ2 Ｈ5 ）3
Ｇａ］、トリメチルインジウム［（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ］、
フォスフィン（ＰＨ3 ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）を用
い、減圧下でのＭＯＶＰＥ法により、面方位（１００）
のｎ−ＧａＡｓ基板層１１（不純物濃度：２×１０18cm
-3）上に、厚さ０．５μｍのｎ−ＧａＡｓバッファ層１
２（不純物濃度：１×１０17cm-3）、厚さ１μｍのｎ−
（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層１３
（不純物濃度：５×１０17cm-3）、厚さ０．３μｍのｎ
−Ａｌ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ光反射層１４、厚さ０．０６μｍ
のＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層１５、厚さ１μｍのｐ−
（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ光ガイド層１６
（不純物濃度：３×１０17cm-3）、厚さ０．７μｍのｐ
−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層１７
（不純物濃度：３×１０17cm-3）、厚さ０．０５μｍの
ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐキャップ層１８（不純物濃度：
１×１０18cm-3）を順次成長させてダブルヘテロウェハ
を形成する。
製される。原料として、トリメチルアルミニウム［（Ｃ
Ｈ3 ）3 Ａｌ］、トリエチルガリウム［（Ｃ2 Ｈ5 ）3
Ｇａ］、トリメチルインジウム［（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ］、
フォスフィン（ＰＨ3 ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）を用
い、減圧下でのＭＯＶＰＥ法により、面方位（１００）
のｎ−ＧａＡｓ基板層１１（不純物濃度：２×１０18cm
-3）上に、厚さ０．５μｍのｎ−ＧａＡｓバッファ層１
２（不純物濃度：１×１０17cm-3）、厚さ１μｍのｎ−
（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層１３
（不純物濃度：５×１０17cm-3）、厚さ０．３μｍのｎ
−Ａｌ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ光反射層１４、厚さ０．０６μｍ
のＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層１５、厚さ１μｍのｐ−
（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ光ガイド層１６
（不純物濃度：３×１０17cm-3）、厚さ０．７μｍのｐ
−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層１７
（不純物濃度：３×１０17cm-3）、厚さ０．０５μｍの
ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐキャップ層１８（不純物濃度：
１×１０18cm-3）を順次成長させてダブルヘテロウェハ
を形成する。
【００１２】続いて、キャップ層１８上にＣＶＤ法によ
りＳｉＯ2 膜を形成し、これに写真蝕刻を施して幅５μ
ｍのストライプ状のＳｉＯ2 膜マスクを形成する。次い
で、Ｈ3 ＰＯ4 、Ｈ2 Ｏ2 、Ｈ2 Ｏの混合液およびＨ2
ＳＯ4 のエッチング液を用いて、光ガイド層１６の途中
までエッチングしメサ部の両側の光ガイド層１６の厚さ
を０．３〜０．４μｍとなるようにする。
りＳｉＯ2 膜を形成し、これに写真蝕刻を施して幅５μ
ｍのストライプ状のＳｉＯ2 膜マスクを形成する。次い
で、Ｈ3 ＰＯ4 、Ｈ2 Ｏ2 、Ｈ2 Ｏの混合液およびＨ2
ＳＯ4 のエッチング液を用いて、光ガイド層１６の途中
までエッチングしメサ部の両側の光ガイド層１６の厚さ
を０．３〜０．４μｍとなるようにする。
【００１３】ついで、２回目のＭＯＶＰＥ成長によって
ストライプ状のＳｉＯ2 膜マスクを除く部分に厚さ０．
６μｍ（平坦部）のｎ−Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓ電流阻止
層１９（不純物濃度：１×１０18cm-3）を選択的に成長
させる。その後、ＳｉＯ2 膜マスクを除去し、３回目の
ＭＯＶＰＥ成長によって全面に厚さ３μｍのｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層２０（不純物濃度：５×１０18cm-3）を
形成する。最後にコンタクト層２０上にｐ側電極２１、
ｎ−ＧａＡｓ基板１１上にｎ側電極２２を形成して本実
施例の半導体レーザの製作を完了する。
ストライプ状のＳｉＯ2 膜マスクを除く部分に厚さ０．
６μｍ（平坦部）のｎ−Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓ電流阻止
層１９（不純物濃度：１×１０18cm-3）を選択的に成長
させる。その後、ＳｉＯ2 膜マスクを除去し、３回目の
ＭＯＶＰＥ成長によって全面に厚さ３μｍのｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層２０（不純物濃度：５×１０18cm-3）を
形成する。最後にコンタクト層２０上にｐ側電極２１、
ｎ−ＧａＡｓ基板１１上にｎ側電極２２を形成して本実
施例の半導体レーザの製作を完了する。
【００１４】ここで、ｎ−Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓ電流阻
止層１９はその屈折率ｎ1 がｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層１７の屈折率ｎ2 に対して、
ｎ1≒ｎ2 となるように組成調整されており、発振光に
対して吸収体としては作用することはない。即ち、電流
阻止層１９は電流狭窄用領域としてのみ機能する。
止層１９はその屈折率ｎ1 がｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層１７の屈折率ｎ2 に対して、
ｎ1≒ｎ2 となるように組成調整されており、発振光に
対して吸収体としては作用することはない。即ち、電流
阻止層１９は電流狭窄用領域としてのみ機能する。
【００１５】また、活性層１５に平行方向の作り付けの
実効屈折率差はメサ部とその両側での光ガイド層１６の
厚さ変化により形成されるため、吸収ロスのない実数成
分の実効屈折率分布が得られる。従って、この光ガイド
層を用いた横モード制御によって、発振しきい値が低く
かつ非点隔差の小さい可視光半導体レーザを得ることが
できる。
実効屈折率差はメサ部とその両側での光ガイド層１６の
厚さ変化により形成されるため、吸収ロスのない実数成
分の実効屈折率分布が得られる。従って、この光ガイド
層を用いた横モード制御によって、発振しきい値が低く
かつ非点隔差の小さい可視光半導体レーザを得ることが
できる。
【００１６】さらに、ｎ−Ａｌ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ光反射層
１４が活性層１５に隣接しているため発振光が光ガイド
層１６側に有効にしみだし、発光スポット径が大きくな
り、高出力動作が可能となる。
１４が活性層１５に隣接しているため発振光が光ガイド
層１６側に有効にしみだし、発光スポット径が大きくな
り、高出力動作が可能となる。
【００１７】図２は本発明の第２の実施例を示す断面図
である。本実施例を作製する工程は、第１回目のＭＯＶ
ＰＥ成長法により活性層１５を形成するまでは、先の実
施例と同様である。本実施例を作製するには、活性層１
５を形成し、その上に厚さ０．３〜０．４μｍのｐ−
（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐ光ガイド層１６を
成長させた後、厚さ４０Åのｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5Ｐエ
ッチング停止層２３（不純物濃度：３×１０17cm-3）を
形成し、さらに前記と同一組成の光ガイド層１６を厚さ
０．７μｍに形成する。これ以降の工程は先の実施例と
同様である。
である。本実施例を作製する工程は、第１回目のＭＯＶ
ＰＥ成長法により活性層１５を形成するまでは、先の実
施例と同様である。本実施例を作製するには、活性層１
５を形成し、その上に厚さ０．３〜０．４μｍのｐ−
（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐ光ガイド層１６を
成長させた後、厚さ４０Åのｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5Ｐエ
ッチング停止層２３（不純物濃度：３×１０17cm-3）を
形成し、さらに前記と同一組成の光ガイド層１６を厚さ
０．７μｍに形成する。これ以降の工程は先の実施例と
同様である。
【００１８】この実施例では、エッチング停止層２３が
形成されていることにより、メサ部の両側の光ガイド層
１６の厚さを制御性よく形成できる利点がある。ここ
で、エッチング停止層２３の厚さは、発振光が実質的に
吸収を受けないようにするために４０Åと薄く形成され
ている。
形成されていることにより、メサ部の両側の光ガイド層
１６の厚さを制御性よく形成できる利点がある。ここ
で、エッチング停止層２３の厚さは、発振光が実質的に
吸収を受けないようにするために４０Åと薄く形成され
ている。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
活性層１５に平行方向の作り付けの実効屈折率差がメサ
部とその両側での光ガイド層１６の厚さ変化により得ら
れるため、吸収ロスのない実数成分の屈折率分布が得ら
れる。よって発振しきい値が低くかつ非点隔差の少ない
基本横モード発振する横モード制御型半導体レーザを実
現することができる。
活性層１５に平行方向の作り付けの実効屈折率差がメサ
部とその両側での光ガイド層１６の厚さ変化により得ら
れるため、吸収ロスのない実数成分の屈折率分布が得ら
れる。よって発振しきい値が低くかつ非点隔差の少ない
基本横モード発振する横モード制御型半導体レーザを実
現することができる。
【００２０】また、メサ部両側の光ガイド層１６の厚さ
が０．３〜０．４μｍと従来と比較して厚目に設計でき
るため、２回目のＭＯＶＰＥ成長による電流阻止層１９
の成長の際に受ける活性層１５の熱的損傷も軽減され、
信頼性の高い半導体レーザを形成できる。さらに、活性
層１５にｐ−Ａｌ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ光反射層１４が隣接し
ているため、高出力動作の半導体レーザを提供すること
ができる。
が０．３〜０．４μｍと従来と比較して厚目に設計でき
るため、２回目のＭＯＶＰＥ成長による電流阻止層１９
の成長の際に受ける活性層１５の熱的損傷も軽減され、
信頼性の高い半導体レーザを形成できる。さらに、活性
層１５にｐ−Ａｌ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ光反射層１４が隣接し
ているため、高出力動作の半導体レーザを提供すること
ができる。
【図１】 本発明の第１の実施例を示す断面図。
【図１】 本発明の第２の実施例を示す断面図。
【図３】 従来例の断面図。
１、１１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２、１２ ｎ−ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ４ ＧａＩｎＰ活性層 ５ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ６ ｐ−ＧａＩｎＰキャップ層 ７ ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層 ８、２０ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ９、２１ ｐ側電極 １０、２２ ｎ側電極 １３ ｎ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッ
ド層 １４ ｎ−Ａｌ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ光反射層 １５ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層 １６ ｐ−（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ光ガイ
ド層 １７ ｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッ
ド層 １８ ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐキャップ層 １９ ｎ−Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓ電流阻止層 ２３ ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチング停止層
ド層 １４ ｎ−Ａｌ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ光反射層 １５ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層 １６ ｐ−（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ光ガイ
ド層 １７ ｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッ
ド層 １８ ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐキャップ層 １９ ｎ−Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓ電流阻止層 ２３ ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチング停止層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１０月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施例を示す断面図。
【図２】 本発明の第２の実施例を示す断面図。
【図３】 従来例の断面図。
【符号の説明】 １、１１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２、１２ ｎ−ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ４ ＧａＩｎＰ活性層 ５ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ６ ｐ−ＧａＩｎＰキャップ層 ７ ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層 ８、２０ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ９、２１ ｐ側電極 １０、２２ ｎ側電極 １３ ｎ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッ
ド層 １４ ｎ−Ａｌ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ光反射層 １５ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層 １６ ｐ−（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ光ガイ
ド層 １７ ｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッ
ド層 １８ ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐキャップ層 １９ ｎ−Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓ電流阻止層 ２３ ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチング停止層
ド層 １４ ｎ−Ａｌ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ光反射層 １５ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層 １６ ｐ−（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ光ガイ
ド層 １７ ｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッ
ド層 １８ ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐキャップ層 １９ ｎ−Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓ電流阻止層 ２３ ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチング停止層
Claims (2)
- 【請求項１】 活性層と、前記活性層の第１の面に接し
ている第１導電型の光反射層と、前記活性層の第２の面
に接している第２導電型のメサストライプ形状の光ガイ
ド層と、前記光ガイド層のメサ部の両側に形成された、
活性層を構成する半導体材料のバンドギャップより広い
バンドギャップの材料からなる、第１導電型の電流阻止
層と、を具備する半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記活性層が（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐ（０≦ｘ≦１）であり、前記電流阻止層がＡｌ
y Ｇａ1-y Ａｓ（ｙ≧０．７）である請求項１記載の半
導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29797191A JPH05121828A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29797191A JPH05121828A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121828A true JPH05121828A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17853465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29797191A Pending JPH05121828A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121828A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0664592A1 (en) * | 1994-01-24 | 1995-07-26 | NEC Corporation | Semiconductor laser with AlInP or AlGaInP burying layer and fabrication method thereof |
| JP2004253776A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-09-09 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及び光学式情報記録装置 |
-
1991
- 1991-10-18 JP JP29797191A patent/JPH05121828A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0664592A1 (en) * | 1994-01-24 | 1995-07-26 | NEC Corporation | Semiconductor laser with AlInP or AlGaInP burying layer and fabrication method thereof |
| US5528617A (en) * | 1994-01-24 | 1996-06-18 | Nec Corporation | Semiconductor laser with alinp or algainp burying layer |
| JP2004253776A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-09-09 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及び光学式情報記録装置 |
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