JPH0362585A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0362585A JPH0362585A JP19760789A JP19760789A JPH0362585A JP H0362585 A JPH0362585 A JP H0362585A JP 19760789 A JP19760789 A JP 19760789A JP 19760789 A JP19760789 A JP 19760789A JP H0362585 A JPH0362585 A JP H0362585A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 78
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 101150054880 NASP gene Proteins 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/173—The laser chip comprising special buffer layers, e.g. dislocation prevention or reduction
Landscapes
- Weting (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＰＯＳ、ＦＡシステム等のバーコードリーダー
用および光計測等の光源に用いられる半導体レーザ装置
に関し、特に横モード制御が可能であり、発振波長が６
８０ｎｍ以下のＡｊ７ＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ
装置の構造に関する。
用および光計測等の光源に用いられる半導体レーザ装置
に関し、特に横モード制御が可能であり、発振波長が６
８０ｎｍ以下のＡｊ７ＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザ
装置の構造に関する。
第４図は従来の利得ガイド型のＡＪ２ＧａＩｎＰ系可視
光半導体レーザ装置の構造を示す断面図である（例えば
、昭和６１年度電子通信学会予稿集、Ｐ、４−９２）。
光半導体レーザ装置の構造を示す断面図である（例えば
、昭和６１年度電子通信学会予稿集、Ｐ、４−９２）。
図中１はｎ−ＧａＡｓ基板であり、この基板１上にはｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓバッファー層２が形成されている。
−Ｇ ａ Ａ ｓバッファー層２が形成されている。
バッファー層２上にはｎ−ＡＡ’ＧａＩｎＰＡｌ２ａＩ
ｎＰクラツドＰ活性層４．ｐ−、Ａｌ２０ａＩｎＰクラ
ッド層５．ｐ−Ｇａ ＩｎＰ工ｙチング停止層６．ｎ−
ＧａＡｓ電流阻止層７及びｐ−Ｇ ａ Ａ ｓコンタク
ト層８からなるダブルヘテロ接合構造が形成されている
。
ｎＰクラツドＰ活性層４．ｐ−、Ａｌ２０ａＩｎＰクラ
ッド層５．ｐ−Ｇａ ＩｎＰ工ｙチング停止層６．ｎ−
ＧａＡｓ電流阻止層７及びｐ−Ｇ ａ Ａ ｓコンタク
ト層８からなるダブルヘテロ接合構造が形成されている
。
この構造を有する半導体レーザ装置は通常ＭＯＶＰＥ法
又はＭＢＥ法によって製造されるが、ここでは量産性に
優れたＭＯＶＰＥ法を用いた場合について述べる。
又はＭＢＥ法によって製造されるが、ここでは量産性に
優れたＭＯＶＰＥ法を用いた場合について述べる。
先ず、１回目のＭＯＶＰＥ戒長によってｎ−ＧａＡｓバ
ッファー層２からｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７までの６層
構造を順次形成し、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７の一部に
ｐ−ＧａＩｎＰエツチング停止層６が露出するストライ
プ状の溝９を形成する。
ッファー層２からｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７までの６層
構造を順次形成し、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７の一部に
ｐ−ＧａＩｎＰエツチング停止層６が露出するストライ
プ状の溝９を形成する。
続いて２回目のＭＯＶＰＥ戒長によって溝９を含むｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓ電流阻止層７上にｐ−ＧａＡｓコンタ
クト層８が形成されている。その後、コンタクト層８の
上面にｐ側電極１０が被着され、基板ｌの下面にはｎ側
電極１１が被着されている。
−Ｇ ａ Ａ ｓ電流阻止層７上にｐ−ＧａＡｓコンタ
クト層８が形成されている。その後、コンタクト層８の
上面にｐ側電極１０が被着され、基板ｌの下面にはｎ側
電極１１が被着されている。
この構造では、電流狭窄はｐ −Ｇ ａ Ａ ｓコンタ
クト層８とｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７により行なわれる
。また、ｐ−ＧａＩｎＰエツチング停止層６はストライ
プ状の溝９を形成する際にｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７だ
けが化学エツチングされるためのエツチング停止の役目
をしており、またｐ−ＡＡＧａＩｎＰクラッド層５とｐ
−ＧａＡｓ：Ｉフタ２１層８との間の電気抵抗低減を目
的とするものである。このようにして利得ガイド型の半
導体レーザ装置が構成される。
クト層８とｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７により行なわれる
。また、ｐ−ＧａＩｎＰエツチング停止層６はストライ
プ状の溝９を形成する際にｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７だ
けが化学エツチングされるためのエツチング停止の役目
をしており、またｐ−ＡＡＧａＩｎＰクラッド層５とｐ
−ＧａＡｓ：Ｉフタ２１層８との間の電気抵抗低減を目
的とするものである。このようにして利得ガイド型の半
導体レーザ装置が構成される。
しかしながら、このような利得ガイド型半導体レーザ装
置では、横モードが不安定で、発振しきい値も高く、非
点隔差が４０〜５０μｍと大きいため、レーザ光を微小
スポットに絞りにくい欠点がある。よって、近年、基本
横モードで発振し、低発振しきい値で低非点隔差を有す
る屈折率ガイド型の半導体レーザ装置の要求が高まって
いる。
置では、横モードが不安定で、発振しきい値も高く、非
点隔差が４０〜５０μｍと大きいため、レーザ光を微小
スポットに絞りにくい欠点がある。よって、近年、基本
横モードで発振し、低発振しきい値で低非点隔差を有す
る屈折率ガイド型の半導体レーザ装置の要求が高まって
いる。
上述した従来の利得ガイド型の構造で、活性層４に平行
な方向に作りつけの実効屈折率差を形成し、横モード制
御を可能とした半導体レーザ装置としては、ＡＡＧａＡ
ｓ系の半導体レーザ装置が良く知られている。第４図に
おいてｐ −Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層７の屈折率ｎ
１とｐ−クラッド層５（ＡＡＧａＡｓ系の場合はｐ−Ａ
ｕＧａＡｓクラッド層）屈折率ｎ２とがｎ１≦ｎ２の関
係になるように、すなわち溝９部をｐ−クラッド層５と
同じり ＡＡＧａＡｓ系で埋め込むことによって、屈
折率ガイド型の半導体レーザ装置が構成される。
な方向に作りつけの実効屈折率差を形成し、横モード制
御を可能とした半導体レーザ装置としては、ＡＡＧａＡ
ｓ系の半導体レーザ装置が良く知られている。第４図に
おいてｐ −Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層７の屈折率ｎ
１とｐ−クラッド層５（ＡＡＧａＡｓ系の場合はｐ−Ａ
ｕＧａＡｓクラッド層）屈折率ｎ２とがｎ１≦ｎ２の関
係になるように、すなわち溝９部をｐ−クラッド層５と
同じり ＡＡＧａＡｓ系で埋め込むことによって、屈
折率ガイド型の半導体レーザ装置が構成される。
しかしながら、このような構造をＡｆＧａＩｎＰ系の化
合物半導体に適用した場合、以下に述べるような結晶成
長上の問題点が起きる。
合物半導体に適用した場合、以下に述べるような結晶成
長上の問題点が起きる。
すなわち、Ａ１７ＧａＩｎＰ系の化合物半導体をＭＯＶ
ＰＥ法によって結晶成長する場合、下地結晶の面方位に
よってその上に成長されるＡＡＧａＩｎＰ層の結晶構造
が異なることが報告されている（例えば、昭和６３年度
秋季応用物理学会予稿集、Ｐ、２７７）。
ＰＥ法によって結晶成長する場合、下地結晶の面方位に
よってその上に成長されるＡＡＧａＩｎＰ層の結晶構造
が異なることが報告されている（例えば、昭和６３年度
秋季応用物理学会予稿集、Ｐ、２７７）。
例えば、第５図に示すように溝９を含むｐ −Ｇ ａ
Ａ ｓ電流阻止層Ｔ上に２回目のＭＯＶＰＥ成長でｐ−
Ａ１７ＧａＩｎＰクラッド層５と同一組成のｐ−ＡＡＧ
ａＩｎＰＡＡａＩｎＰ層ると、溝９の底面（１００）面
（図中Ａで示す）上には（１１１１超格子が形成され、
溝９の両側面（１１１）面。
Ａ ｓ電流阻止層Ｔ上に２回目のＭＯＶＰＥ成長でｐ−
Ａ１７ＧａＩｎＰクラッド層５と同一組成のｐ−ＡＡＧ
ａＩｎＰＡＡａＩｎＰ層ると、溝９の底面（１００）面
（図中Ａで示す）上には（１１１１超格子が形成され、
溝９の両側面（１１１）面。
（１１１） 面（図中Ｂ、Ｂ”１？示ス） 上Ｅ＆！
［：１１１）超格子が形成されない性質があるため、こ
の溝９部を埋め込むｐ−Ａｊ２ＧａＩｎＰ層１２には、
結晶構造の異なる成長層が混在し、良好な結晶性を有す
る半導体層の形成が極めて難しいという問題点がある。
［：１１１）超格子が形成されない性質があるため、こ
の溝９部を埋め込むｐ−Ａｊ２ＧａＩｎＰ層１２には、
結晶構造の異なる成長層が混在し、良好な結晶性を有す
る半導体層の形成が極めて難しいという問題点がある。
本発明は、このような問題点を解決し良好な結晶性を有
し、横モード制御が可能なＡＡＧａＩｎＰ系可視光半導
体レーザ装置を提供するものである。
し、横モード制御が可能なＡＡＧａＩｎＰ系可視光半導
体レーザ装置を提供するものである。
本発明の半導体レーザ装置は、ＡｆｆｌＧａＩｎＰ系半
導体レーザ装置において、電流阻止層を貫通し電流通路
となる溝部の内面が（１００）または（００１）結晶面
を含まない面指数を有する結晶面からなっており、この
溝内部および電流阻止層の全上面に光の閉じ込め層とな
るＡＡＧａＩｎＰ層を形成した構造を有している。
導体レーザ装置において、電流阻止層を貫通し電流通路
となる溝部の内面が（１００）または（００１）結晶面
を含まない面指数を有する結晶面からなっており、この
溝内部および電流阻止層の全上面に光の閉じ込め層とな
るＡＡＧａＩｎＰ層を形成した構造を有している。
〔実施例１〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の半導体レーザ装置の構造を
示す横断面図である。
示す横断面図である。
まず、原料としてメタル系■族有機金属（トリメチルイ
ンジウム、トリエチルガリウム、トリメチルアルミニウ
ム）と、Ｖ族水素化物（ＰＨ３゜ＡｓＨｓ）とを用いた
減圧下でのＭＯＶＰＥ法により、面方位（１００）のｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓ基板１３（ｎ濃度２ Ｘ １０ ”
ｃｍ−’）上に厚さ０．５ ｐ ｍのｎ−Ｇ ａ Ａ
ｓバッファー層１４（ｎ濃度ｌＸｌ０”（ｍ−３）、厚
さ１．ｕｍのｎ （ＡｎｗｓＧａｃＬ４）ｏ、１Ｉｎ
ａｓＰクラッド層１５（ｎ濃度５ ｘ ｌ Ｏ”ｃｍ−
’） 、厚さ０．０６μｍのＧａａｓＩｎ。、ｓＰ活性
層１６．厚さ０、３ ｐ ｍのｐ（Ａｊ７ｏ、ａＧａｗ
＊） ｃｓ Ｉ ｎａ、ｓＰクラッド層１７（ｐ濃度３
Ｘ １０ ”ｃｍ−”）及び厚さ０、６ ｐ ｍのｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓ電流阻止層１８（ｎ濃度Ｉ Ｘ １
０ ”ｃｍ−”）を順次成長してダブルヘテロウェハー
を形成する。続いて、Ｓｉｎ、膜または、フォトレジス
ト膜をマスクとして用い、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層１８
とｐ（Ａｊ２ａ、ａＧ＆ａ、ｇ）ａ、ｓＩｎ。Ｐクラッ
ド層１７の一部をＨＣｌとＣＨｓＯＨの混合液で数分間
エツチングすることにより、電流阻止層１８を貫通しｐ
−（Ａ ＩＩ ａ、ｅ Ｇ ａ ａ４） ｃｃｓＩｎａ
、ｓＰクラッド層１７が露出し、内側面が（１１１）結
晶面（図中、Ｂで示ｆ） と（１１１）Ｍ晶面（図中、
Ｂ′で示す）からなるストライプ状の溝１９を形成する
。
ンジウム、トリエチルガリウム、トリメチルアルミニウ
ム）と、Ｖ族水素化物（ＰＨ３゜ＡｓＨｓ）とを用いた
減圧下でのＭＯＶＰＥ法により、面方位（１００）のｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓ基板１３（ｎ濃度２ Ｘ １０ ”
ｃｍ−’）上に厚さ０．５ ｐ ｍのｎ−Ｇ ａ Ａ
ｓバッファー層１４（ｎ濃度ｌＸｌ０”（ｍ−３）、厚
さ１．ｕｍのｎ （ＡｎｗｓＧａｃＬ４）ｏ、１Ｉｎ
ａｓＰクラッド層１５（ｎ濃度５ ｘ ｌ Ｏ”ｃｍ−
’） 、厚さ０．０６μｍのＧａａｓＩｎ。、ｓＰ活性
層１６．厚さ０、３ ｐ ｍのｐ（Ａｊ７ｏ、ａＧａｗ
＊） ｃｓ Ｉ ｎａ、ｓＰクラッド層１７（ｐ濃度３
Ｘ １０ ”ｃｍ−”）及び厚さ０、６ ｐ ｍのｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓ電流阻止層１８（ｎ濃度Ｉ Ｘ １
０ ”ｃｍ−”）を順次成長してダブルヘテロウェハー
を形成する。続いて、Ｓｉｎ、膜または、フォトレジス
ト膜をマスクとして用い、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層１８
とｐ（Ａｊ２ａ、ａＧ＆ａ、ｇ）ａ、ｓＩｎ。Ｐクラッ
ド層１７の一部をＨＣｌとＣＨｓＯＨの混合液で数分間
エツチングすることにより、電流阻止層１８を貫通しｐ
−（Ａ ＩＩ ａ、ｅ Ｇ ａ ａ４） ｃｃｓＩｎａ
、ｓＰクラッド層１７が露出し、内側面が（１１１）結
晶面（図中、Ｂで示ｆ） と（１１１）Ｍ晶面（図中、
Ｂ′で示す）からなるストライプ状の溝１９を形成する
。
次いで、２回目のＭＯＶＰＥ法により、第１図に示す如
く厚さ５０人のｐ−ＧａａｓＩｎ。Ｐ保護膜２０（Ｐ濃
度Ｉ Ｘ １０ ”ａｍ−”）、厚さ１μｍ（平坦部）
のｐ−（ＡＡｗｓＧａ＋ｕ）ｗｓＩｎＬｓＰ埋め込み層
２１（Ｐ濃度５ Ｘ １０ ”ｃｍ ”）、厚さ１．ｕ
ｍのｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ コンタクト、層２２（Ｐ濃
度５×１０ ”ａｎ−’）を順次形成する。その後、コ
ンタクト層２２上にｐ側電極２３．基板１３の下面にｎ
側電極２４を形成することによって、第１図に示す構造
の半導体レーザ装置が完成する。
く厚さ５０人のｐ−ＧａａｓＩｎ。Ｐ保護膜２０（Ｐ濃
度Ｉ Ｘ １０ ”ａｍ−”）、厚さ１μｍ（平坦部）
のｐ−（ＡＡｗｓＧａ＋ｕ）ｗｓＩｎＬｓＰ埋め込み層
２１（Ｐ濃度５ Ｘ １０ ”ｃｍ ”）、厚さ１．ｕ
ｍのｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ コンタクト、層２２（Ｐ濃
度５×１０ ”ａｎ−’）を順次形成する。その後、コ
ンタクト層２２上にｐ側電極２３．基板１３の下面にｎ
側電極２４を形成することによって、第１図に示す構造
の半導体レーザ装置が完成する。
これによって、溝１９部の両側にｎ ＧａＡｓ電流阻
止層１８が配置されているため、効率的な電流注入がな
され発振光に対し吸収層として働らくため、溝１９部と
その両側とで作りつけの実効屈折率差が生じ、低発振し
きい値でかつ屈折率ガイド型の横モード制御が可能とな
る。ここで、基本横モード光出力を大きく、またモード
の安定性を考慮し溝１９部の電流注入幅は４〜５μｍと
している。
止層１８が配置されているため、効率的な電流注入がな
され発振光に対し吸収層として働らくため、溝１９部と
その両側とで作りつけの実効屈折率差が生じ、低発振し
きい値でかつ屈折率ガイド型の横モード制御が可能とな
る。ここで、基本横モード光出力を大きく、またモード
の安定性を考慮し溝１９部の電流注入幅は４〜５μｍと
している。
〔実施例２〕
第２図は本発明の実施例２の横断面図である。
第１図で説明したと同様に、ＭＯＶＰＥ法によって面方
位（１００）のｎ ＧａＡｓ基板１３上にバッファー
層１４．ｎ−クラッド層１５．活性層１６、ｐ−クラッ
ド層１７．電流阻止層１８を順次形成する。その後、第
１図と同様に電流阻止層１８を貫通しｐ （ＡＡ’＋ｕ
Ｇａａｔ）ａ、ａＩｎｗｉＰクラッド層１７を露出させ
たストライプ状の溝２５を形成する。ここでは、この溝
２５を形成するエツチング液としてＨＣｌ１とＨ２０２
の混合液を用いることによって、第２図に示すように溝
２５の内側面が（２１１）結晶面（図中、Ｃで示す）と
（２１１）結晶面（図中、Ｃ′で示す）とからなるよう
に形成される。次いで、２回目のＭＯＶＰＥ法によって
、第１図と同様、保護層２０．埋め込み層２１．コンタ
クト層２２を順次形成し、その後電極２３．２４を形成
して半導体レーザ装置が完成する。この実施例では、溝
２５の内側面（２１１）、 （２１１）結晶面の（１０
０）結晶面となす角度が３５°と第１図の（１１１）、
（１１１）結晶面の場合の５４．７°に比べゆるやか
なため、同じ厚さの電流阻止層１８と同じ幅の電流注入
幅の場合、第２図で示す実施例の方が溝２５の底部の深
さが浅く、言いかえれば溝１９下のｐ （ＡＡａ、
ａＧＩＬｕ）ｃｍＩｎＱ、ｓＰクラッド層１７の厚さを
太き目にできるため、これが保護層となり２回目のＭＯ
ｖＰＥ法による再成長の際に活性層１６が受ける熱的劣
化を軽減できる利点がある。
位（１００）のｎ ＧａＡｓ基板１３上にバッファー
層１４．ｎ−クラッド層１５．活性層１６、ｐ−クラッ
ド層１７．電流阻止層１８を順次形成する。その後、第
１図と同様に電流阻止層１８を貫通しｐ （ＡＡ’＋ｕ
Ｇａａｔ）ａ、ａＩｎｗｉＰクラッド層１７を露出させ
たストライプ状の溝２５を形成する。ここでは、この溝
２５を形成するエツチング液としてＨＣｌ１とＨ２０２
の混合液を用いることによって、第２図に示すように溝
２５の内側面が（２１１）結晶面（図中、Ｃで示す）と
（２１１）結晶面（図中、Ｃ′で示す）とからなるよう
に形成される。次いで、２回目のＭＯＶＰＥ法によって
、第１図と同様、保護層２０．埋め込み層２１．コンタ
クト層２２を順次形成し、その後電極２３．２４を形成
して半導体レーザ装置が完成する。この実施例では、溝
２５の内側面（２１１）、 （２１１）結晶面の（１０
０）結晶面となす角度が３５°と第１図の（１１１）、
（１１１）結晶面の場合の５４．７°に比べゆるやか
なため、同じ厚さの電流阻止層１８と同じ幅の電流注入
幅の場合、第２図で示す実施例の方が溝２５の底部の深
さが浅く、言いかえれば溝１９下のｐ （ＡＡａ、
ａＧＩＬｕ）ｃｍＩｎＱ、ｓＰクラッド層１７の厚さを
太き目にできるため、これが保護層となり２回目のＭＯ
ｖＰＥ法による再成長の際に活性層１６が受ける熱的劣
化を軽減できる利点がある。
〔実施例３〕
第３図は本発明の実施例３の横断面図である。
ＭＯＶＰＥ法によるダブルヘテロ構造の成長は前述の実
施例と同じ方法で行なう。
施例と同じ方法で行なう。
ここでは、電流阻止層１８を貫通し、クラッド層１７を
露出させたストライプ状の溝２６の内側面が電流阻止層
１８部で（０１１）、 （０１１）結晶面（図中、Ｄ、
Ｄ’で示す）、クラツド層１７内部で（１１１）、 （
１１１）結晶面（図中、Ｂ、Ｂ’で示す）からなるよう
に形成されている。（０１１）。
露出させたストライプ状の溝２６の内側面が電流阻止層
１８部で（０１１）、 （０１１）結晶面（図中、Ｄ、
Ｄ’で示す）、クラツド層１７内部で（１１１）、 （
１１１）結晶面（図中、Ｂ、Ｂ’で示す）からなるよう
に形成されている。（０１１）。
（０１１）結晶面はＨＣｌ２とＨ＊ Ｐ Ｏｔの混合液
、（１１１）、 （１１１）結晶面は前述同様のＨ（１
とＣＨ，ＯＨの混合液を用いたエツチングによって露呈
される。この実施例では、電流阻止層１８の厚さが溝２
６側面部まで同じであるため、電流集中が溝２６幅に相
当する領域に効果的に行なえることから、低発振しきい
値で高効率な横モード制御が可能な半導体レーザ装置を
実現できる。
、（１１１）、 （１１１）結晶面は前述同様のＨ（１
とＣＨ，ＯＨの混合液を用いたエツチングによって露呈
される。この実施例では、電流阻止層１８の厚さが溝２
６側面部まで同じであるため、電流集中が溝２６幅に相
当する領域に効果的に行なえることから、低発振しきい
値で高効率な横モード制御が可能な半導体レーザ装置を
実現できる。
以上説明したように本発明によれば、ｎ−ＧａＡｓ電流
阻止層１８の一部に形成した電流通路となる溝１９，２
５．２６の内面が（１００）結晶面を含まない面指数を
有する結晶面からなっているために、この上にＭＯＶＰ
Ｅ法で成長するｐ−（ＡＡｗｓＧ＆ａ＊）ＱＪＩｎａｓ
Ｐ埋め込み層２１は１：１１ ｌＥ超格子構造とはなら
ず正常な屈折率（バンドギャップ）を有する良好な結晶
層を形成できる。
阻止層１８の一部に形成した電流通路となる溝１９，２
５．２６の内面が（１００）結晶面を含まない面指数を
有する結晶面からなっているために、この上にＭＯＶＰ
Ｅ法で成長するｐ−（ＡＡｗｓＧ＆ａ＊）ＱＪＩｎａｓ
Ｐ埋め込み層２１は１：１１ ｌＥ超格子構造とはなら
ず正常な屈折率（バンドギャップ）を有する良好な結晶
層を形成できる。
従って、本発明によってＡＡＧａＩｎＰ系の化合物半導
体においてもＡ ＡＪ Ｇ ａ Ａ ｓ系と同様な屈折
率ガイド型構造を実現できる。
体においてもＡ ＡＪ Ｇ ａ Ａ ｓ系と同様な屈折
率ガイド型構造を実現できる。
第１図、第２図、第３図は本発明の実施例を示すＡＡＧ
ａｌｎＰ系半導体レーザ装置の横断面図、第４図は従来
技術により得られるＡＩＩＧａＩｎＰ系半導体レーザ装
置の横断面図、第５図は従来技術で得られる屈折率ガイ
ド型のＡｎＧａＩｎＰｎＧａＩｎ−ザ装置の問題点を説
明するための横断面図を示す。 図において、 １．１３−ｎ−ＧａＡｓ基板、２，１４・・・・・・ｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓバッファー層、３．１５−−ｎ−（
ＡＡａａＧａｃＬａ） ａｓＩ ｎａｓＰクラッド層、
４゜１６・・・・・・ＧａａｓＩｎ。Ｐ活性層、５，１
７・・・・・・ｐ（ＡｍｆａｓＧ ６ｗ４） ａｓ Ｉ
ｎａ、ｓＰクラッド層、６・・・・・・ｐ Ｇａ１ｓ
Ｉｎ。Ｐエツチング停止層、７゜１８・・・・・・ｎ−
ＧａＡｓ電流阻止層、８，２２・・・・・・ｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層、９，１９，２５．２６・・・・・・溝
、１０．２３・・・・・・Ｐ側電極、１１．２４・・・
”’ｎ側電極、１２−ｐ−ＡＡＧａＩｎＰ系、２０””
ｐ Ｇａｏ、５ＩｎａｓＰ保護層、２１− ｐＣＡｕｌ
ｌＬｇＧａｗ＊） ＩＩＬｓＩ ｎ１ＬｓＰ埋め込み層
、Ａ・・・・・・＜１００＞ 、Ｂ・・・・・・＜１１
１＞ 、Ｂ’・・・・・・＜１１１＞、Ｃ・・・・・・
＜２１１＞、Ｃ′・・・・・・＜２１１＞、Ｄ・・・・
・・＜０１１＞、Ｄ′・・・・・・（０１１＞を示す。
ａｌｎＰ系半導体レーザ装置の横断面図、第４図は従来
技術により得られるＡＩＩＧａＩｎＰ系半導体レーザ装
置の横断面図、第５図は従来技術で得られる屈折率ガイ
ド型のＡｎＧａＩｎＰｎＧａＩｎ−ザ装置の問題点を説
明するための横断面図を示す。 図において、 １．１３−ｎ−ＧａＡｓ基板、２，１４・・・・・・ｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓバッファー層、３．１５−−ｎ−（
ＡＡａａＧａｃＬａ） ａｓＩ ｎａｓＰクラッド層、
４゜１６・・・・・・ＧａａｓＩｎ。Ｐ活性層、５，１
７・・・・・・ｐ（ＡｍｆａｓＧ ６ｗ４） ａｓ Ｉ
ｎａ、ｓＰクラッド層、６・・・・・・ｐ Ｇａ１ｓ
Ｉｎ。Ｐエツチング停止層、７゜１８・・・・・・ｎ−
ＧａＡｓ電流阻止層、８，２２・・・・・・ｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層、９，１９，２５．２６・・・・・・溝
、１０．２３・・・・・・Ｐ側電極、１１．２４・・・
”’ｎ側電極、１２−ｐ−ＡＡＧａＩｎＰ系、２０””
ｐ Ｇａｏ、５ＩｎａｓＰ保護層、２１− ｐＣＡｕｌ
ｌＬｇＧａｗ＊） ＩＩＬｓＩ ｎ１ＬｓＰ埋め込み層
、Ａ・・・・・・＜１００＞ 、Ｂ・・・・・・＜１１
１＞ 、Ｂ’・・・・・・＜１１１＞、Ｃ・・・・・・
＜２１１＞、Ｃ′・・・・・・＜２１１＞、Ｄ・・・・
・・＜０１１＞、Ｄ′・・・・・・（０１１＞を示す。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成したダブルヘテロ接合構造部が（Ａ
ｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿
５Ｐ（０≦ｘ≦１）で成り、このダブルヘテロ接合構造
部の上に電流阻止層を具備した半導体レーザ装置におい
て、電流阻止層を貫通し電流通路となる溝部の内面が（
１００）または（００１）結晶面を含まない面指数を有
する結晶面からなっており、この溝内部および電流阻止
層の全上面に（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿ｘ）＿０＿．＿５Ｉ
ｎ＿０＿．＿５（０≦ｘ≦１）層を少なくとも１層設け
たことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19760789A JPH0362585A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19760789A JPH0362585A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362585A true JPH0362585A (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=16377286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19760789A Pending JPH0362585A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0362585A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5577062A (en) * | 1993-12-22 | 1996-11-19 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor laser diode apparatus and method of producing the same |
| EP0828302A3 (en) * | 1996-09-06 | 1998-12-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gallium nitride group compound semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP19760789A patent/JPH0362585A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5577062A (en) * | 1993-12-22 | 1996-11-19 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor laser diode apparatus and method of producing the same |
| EP0828302A3 (en) * | 1996-09-06 | 1998-12-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gallium nitride group compound semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same |
| US6111275A (en) * | 1996-09-06 | 2000-08-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gallium nitride group compound semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same |
| US6284559B1 (en) | 1996-09-06 | 2001-09-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gallium nitride group compound semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same |
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