JP2677901B2 - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JP2677901B2 JP2677901B2 JP2286529A JP28652990A JP2677901B2 JP 2677901 B2 JP2677901 B2 JP 2677901B2 JP 2286529 A JP2286529 A JP 2286529A JP 28652990 A JP28652990 A JP 28652990A JP 2677901 B2 JP2677901 B2 JP 2677901B2
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- etching
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- stop signal
- semiconductor laser
- film thickness
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は特性のばらつきの小さな半導体レーザの製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
第４図〜第６図は従来の半導体レーザのエツチング工
程を示す断面図である。図において、（１）はｎ型のAl
0.5Ga0.5As下クラツド層、（２）はｐ型のAl0.15Ga0.85
As活性層、（３）はｐ型のAl0.5Ga0.5As上クラツド層
で、d1＝0.35μｍである。（13）はｐ型のAl0.5Ga0.5As
上クラツド層（３）でd3＝1.0μｍである。（４）はス
トライプ状のマスク、（11）は残すべき上クラツド厚d1
の上に形成された厚さd2のAl0.15Ga0.85Asのエツチング
ストツプシグナル層で、d2＝0.05mμｍである。
程を示す断面図である。図において、（１）はｎ型のAl
0.5Ga0.5As下クラツド層、（２）はｐ型のAl0.15Ga0.85
As活性層、（３）はｐ型のAl0.5Ga0.5As上クラツド層
で、d1＝0.35μｍである。（13）はｐ型のAl0.5Ga0.5As
上クラツド層（３）でd3＝1.0μｍである。（４）はス
トライプ状のマスク、（11）は残すべき上クラツド厚d1
の上に形成された厚さd2のAl0.15Ga0.85Asのエツチング
ストツプシグナル層で、d2＝0.05mμｍである。
第４図に示す半導体レーザがエツチングされて行く工
程を第５図、第６図に示す。エツチング液（７）により
（13）の下クラツド層がエツチングされ、（11）のエツ
チングストツプシグナル層と上クラツド層（13）の表面
で反射される光の光路差のため、d4膜厚が0.4μｍ以下
になると、徐々に干渉じまが発生する。この干渉光は徐
々に強くなり、エツチングストツプシグナル層（11）が
エツチングされてしまうと消滅する。また、この時残す
べき上クラツド層（３）の表面と活性層（２）により干
渉光（５）が発生するが、先のエツチングストツプシグ
ナル層（11）とエツチングストツプシグナル層の上部の
上クラツド層（13）により生ずる干渉光（18）の方が強
度が強いため、エツチングストツプシグナル層（11）の
消滅は明瞭に判定でき、ここでエツチングを停止すると
上クラツド層（13）としては結晶成長により設定した膜
厚d1の部分のみが残る。
程を第５図、第６図に示す。エツチング液（７）により
（13）の下クラツド層がエツチングされ、（11）のエツ
チングストツプシグナル層と上クラツド層（13）の表面
で反射される光の光路差のため、d4膜厚が0.4μｍ以下
になると、徐々に干渉じまが発生する。この干渉光は徐
々に強くなり、エツチングストツプシグナル層（11）が
エツチングされてしまうと消滅する。また、この時残す
べき上クラツド層（３）の表面と活性層（２）により干
渉光（５）が発生するが、先のエツチングストツプシグ
ナル層（11）とエツチングストツプシグナル層の上部の
上クラツド層（13）により生ずる干渉光（18）の方が強
度が強いため、エツチングストツプシグナル層（11）の
消滅は明瞭に判定でき、ここでエツチングを停止すると
上クラツド層（13）としては結晶成長により設定した膜
厚d1の部分のみが残る。
この後、第２回目および第３回目の成長をして半導体
レーザーを形成する。
レーザーを形成する。
この構成においては発光領域の中にエツチングストツ
プシグナル層（11）が残るため、レーザ特性の遠視野像
の形状が悪くなり、実用上に問題が生ずる等の欠点があ
つた。
プシグナル層（11）が残るため、レーザ特性の遠視野像
の形状が悪くなり、実用上に問題が生ずる等の欠点があ
つた。
従来の半導体レーザは以上のように形成されていたの
で、発光領域中にエツチングストツプシグナル層が残
り、レーザ特性が悪くなるという問題点があつた。
で、発光領域中にエツチングストツプシグナル層が残
り、レーザ特性が悪くなるという問題点があつた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、自励発振を得るための膜厚ｄを制御性よく
残そうとするものである。
れたもので、自励発振を得るための膜厚ｄを制御性よく
残そうとするものである。
この発明に係る半導体レーザの製造方法は、第１の導
電型を有するGaAs半導体基板と、この半導体基板上に順
次積層された第１の導電型を有するAlxGa1-xAs下クラッ
ド層、AlyGa1-yAs活性層、第２の導電型を有する膜厚d1
のAlzGa1-zAs上クラッド層を有し、上記上クラッド層を
ストライプ状の凸部を残して選択的に膜厚d1を残してエ
ッチングする半導体レーザの製造方法において、エッチ
ングする際に膜厚d1より0.2〜0.5μｍ上方に上クラッド
層とAl組成の異なる1000Å以下の厚みをもつエッチング
ストップシグナル層を設け、エッチング時にエッチング
ストップシグナル層がエッチングにより消滅し、この消
滅したのを確認後、同一エッチング液にて所定の追加エ
ッチングを行うことによりd1の膜厚を得るように構成し
たものである。
電型を有するGaAs半導体基板と、この半導体基板上に順
次積層された第１の導電型を有するAlxGa1-xAs下クラッ
ド層、AlyGa1-yAs活性層、第２の導電型を有する膜厚d1
のAlzGa1-zAs上クラッド層を有し、上記上クラッド層を
ストライプ状の凸部を残して選択的に膜厚d1を残してエ
ッチングする半導体レーザの製造方法において、エッチ
ングする際に膜厚d1より0.2〜0.5μｍ上方に上クラッド
層とAl組成の異なる1000Å以下の厚みをもつエッチング
ストップシグナル層を設け、エッチング時にエッチング
ストップシグナル層がエッチングにより消滅し、この消
滅したのを確認後、同一エッチング液にて所定の追加エ
ッチングを行うことによりd1の膜厚を得るように構成し
たものである。
この発明における半導体レーザの製造方法において
は、上記のような構成としたので、最終的に構成される
半導体レーザの発光領域内に屈折率の異なるエッチング
ストップシグナル層を含まないため、レーザ素子として
の特性に問題が生じない。
は、上記のような構成としたので、最終的に構成される
半導体レーザの発光領域内に屈折率の異なるエッチング
ストップシグナル層を含まないため、レーザ素子として
の特性に問題が生じない。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図〜第３図はこの発明の一実施例である半導体レ
ーザの製造工程を示す断面図で、図中符号は前記従来の
ものと同一につきその説明は省略する。図において、エ
ツチングストツプシグナル層（11）は活性層（２）との
距離d11を残すべき膜厚d1＋0.3μｍに設定してある。そ
してエツチングを実施してエツチングストツプシグナル
層（11）が消滅した後、0.3μm/エツチヤントのエツチ
ングレート（μm/秒） 秒追加エツチングすることによ
り、所望の膜厚d1を得ることができる。
ーザの製造工程を示す断面図で、図中符号は前記従来の
ものと同一につきその説明は省略する。図において、エ
ツチングストツプシグナル層（11）は活性層（２）との
距離d11を残すべき膜厚d1＋0.3μｍに設定してある。そ
してエツチングを実施してエツチングストツプシグナル
層（11）が消滅した後、0.3μm/エツチヤントのエツチ
ングレート（μm/秒） 秒追加エツチングすることによ
り、所望の膜厚d1を得ることができる。
この発明に係る半導体レーザの製造方法によれば、第
１の導電型を有するGaAs半導体基板と、この半導体基板
上に順次積層された第１の導電型を有するAlxGa1-xAs下
クラッド層、AlyGa1-yAs活性層、第２の導電型を有する
膜厚d1のAlzGa1-zAs上クラッド層を有し、上記上クラッ
ド層をストライプ状の凸部を残して選択的に膜厚d1を残
してエッチングする半導体レーザの製造方法において、
エッチングする際に膜厚d1より0.2〜0.5μｍ上方に上ク
ラッド層とAl組成の異なる1000Å以下の厚みをもつエッ
チングストップシグナル層を設け、エッチング時にエッ
チングストップシグナル層がエッチングにより消滅し、
この消滅したのを確認後、同一エッチング液にて所定の
追加エッチングを行うことによりd1の膜厚を得るように
構成したので、エッチングストップシグナル層を活性層
からの光のしみ出しの届かない領域を設け、かつエッチ
ングストップシグナル層でエッチング層をエッチング中
にチェックでき、これにより、エッチングストップシグ
ナル層が発光領域にない半導体レーザを、上クラッド厚
の制御性良く、作ることができるという効果がある。
１の導電型を有するGaAs半導体基板と、この半導体基板
上に順次積層された第１の導電型を有するAlxGa1-xAs下
クラッド層、AlyGa1-yAs活性層、第２の導電型を有する
膜厚d1のAlzGa1-zAs上クラッド層を有し、上記上クラッ
ド層をストライプ状の凸部を残して選択的に膜厚d1を残
してエッチングする半導体レーザの製造方法において、
エッチングする際に膜厚d1より0.2〜0.5μｍ上方に上ク
ラッド層とAl組成の異なる1000Å以下の厚みをもつエッ
チングストップシグナル層を設け、エッチング時にエッ
チングストップシグナル層がエッチングにより消滅し、
この消滅したのを確認後、同一エッチング液にて所定の
追加エッチングを行うことによりd1の膜厚を得るように
構成したので、エッチングストップシグナル層を活性層
からの光のしみ出しの届かない領域を設け、かつエッチ
ングストップシグナル層でエッチング層をエッチング中
にチェックでき、これにより、エッチングストップシグ
ナル層が発光領域にない半導体レーザを、上クラッド厚
の制御性良く、作ることができるという効果がある。
第１図〜第３図はこの発明の一実施例である半導体レー
ザの製造工程を示す断面図、第４図〜第６図は従来の半
導体レーザの製造工程を示す断面図である。 図において、（１）はn Al0.5Ga0.5As下クラツド層、
（２）はp Al0.15Ga0.85As活性層、（３）はp Al0.5Ga
0.5As上クラツド層、（４）は選択エツチングを行うた
めのストライプ状マスク、（５）は活性層と上クラツド
層の反射により発生する干渉光、（６）はエツチングさ
れる上クラツド層、（７）はエツチヤント、（11）はp
Al0.15Ga0.85Asエツチングストツプシグナル層、（13）
はエツチングストツプシグナル層より上部のAl0.5Ga0.5
Asの上クラツド層、（15）はエツチングストツプシグナ
ル層とその上部にある上クラツド層の反射により発生す
る干渉光を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
ザの製造工程を示す断面図、第４図〜第６図は従来の半
導体レーザの製造工程を示す断面図である。 図において、（１）はn Al0.5Ga0.5As下クラツド層、
（２）はp Al0.15Ga0.85As活性層、（３）はp Al0.5Ga
0.5As上クラツド層、（４）は選択エツチングを行うた
めのストライプ状マスク、（５）は活性層と上クラツド
層の反射により発生する干渉光、（６）はエツチングさ
れる上クラツド層、（７）はエツチヤント、（11）はp
Al0.15Ga0.85Asエツチングストツプシグナル層、（13）
はエツチングストツプシグナル層より上部のAl0.5Ga0.5
Asの上クラツド層、（15）はエツチングストツプシグナ
ル層とその上部にある上クラツド層の反射により発生す
る干渉光を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】第１の導電型を有するGaAs半導体基板と、
この半導体基板上に順次積層された第１の導電型を有す
るAlxGa1-xAs下クラッド層、AlyGa1-yAs活性層、第２の
導電型を有する膜厚d1のAlzGa1-zAs上クラッド層を有
し、上記上クラッド層をストライプ状の凸部を残して選
択的に膜厚d1を残してエッチングする半導体レーザの製
造方法において、 エッチングをする際に膜厚d1より0.2〜0.5μｍ上方に上
クラッド層とAl組成の異なる1000Å以下の厚みをもつエ
ッチングストップシグナル層を設け、エッチング時にエ
ッチングストップシグナル層がエッチングにより消滅
し、この消滅したのを確認後、同一エッチング液にて所
定の追加エッチングを行うことによりd1の膜厚を得るこ
とを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2286529A JP2677901B2 (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2286529A JP2677901B2 (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04159790A JPH04159790A (ja) | 1992-06-02 |
| JP2677901B2 true JP2677901B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=17705591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2286529A Expired - Lifetime JP2677901B2 (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2677901B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE202008008709U1 (de) * | 2008-06-28 | 2009-11-19 | Moser, Helmut | Tisch sowie Tischplatte eines Tisches |
| JP5790336B2 (ja) * | 2011-09-01 | 2015-10-07 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光集積素子 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60164383A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-27 | Nec Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JP2807250B2 (ja) * | 1989-02-22 | 1998-10-08 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ装置 |
-
1990
- 1990-10-23 JP JP2286529A patent/JP2677901B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04159790A (ja) | 1992-06-02 |
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