JPH01183182A - 半導体レーザ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光デイスク用ピックアップ等に応用する半導体
レーザ素子に関する。

〔従来の技術〕

従来の半導体レーザ素子は、共振器の軸方向には特別な
構造を持たないのが一般的であった。これに対し、半導
体レーザの低雑音化をはかるための一構造として、第３
４回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集６２春３，
２８Ｐ−ＺＨ−９゜ｐ、７１５　（１９８７）に記載さ
れているような、軸方向に構造をもった半導体レーザ素
子の提案がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術は、素子の作製方法や再現性に関しては配
慮がなされておらず、作製工程におけるホトリソグラフ
ィでマスクの合わせずれ等の問題が発生し、素子の性能
が低下する恐れがある等の問題があった。

本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、ホト
リソグラフィ工程におけるマスク合わせずれ等の悪影響
を生じず、かつ、低ノイズ特性を達成する半導体レーザ
素子を提供することにある。

更に第２の目的は次の通りである。

上記従来技術は、半導体基板表面に設けた溝と、液相結
晶成長法の性質を巧みに利用して、低収差かつ低雑音で
動作する半導体レーザ素子を作製している。比較的近年
になって、高均一、大面積の結晶成長が可能な、有機金
属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）が開発されているが、本
ＭＯＣＶＤ法では、従来の液相成長とは結晶成長の様子
等が異な＝４− るため、上記従来構造の半導体レーザを作製することが
困難であった。

本発明の第２の目的は、大面積、高均一の結晶成長が可
能な、ＭＯＣＶＤ法で作製することができ、かつ再現性
が良好な、低収差低雑音半導体レーザ素子を作製するこ
とにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記第１の目的を達成するための、本発明は以下に示す
半導体レーザ素子を提供する。

本発明では、第■導電型の半導体基板上に、第１導電型
の第１半導体クラッド層、第２半導体活性層、第■導電
型の第３半導体クラッド層を少なくとも形成し、該第３
半導体クラッド層上にストライプ状の二酸化ケイ素（Ｓ
ｉｎ２）膜、リンガラス（ＰＳＧ）膜、窒化ケイ素（Ｓ
　ｉＮ　ｘ　）膜等の誘電体膜を形成し、これをマスク
として、該第３半導体クラッド層をエツチングする。次
に、素子の端面部を除く部分に、該ストライプ幅よりも
十分広いエツチングマスク（例えばホトレジスト等）を
形成し、再度エツチングを行って、素子の端面近傍のス
トライプ外部の第３半導体クラッド層の厚さが０．５μ
ｍ以下になるまで加工を行い、共振器軸に沿ったメサ構
造を作製する（この工程により素子の端面付近以外の第
３半導体クラッド層の厚さは、端面付近よりも厚くなる
）。つぎに、前記素子中央部に設けたエツチングマスク
を除去し、ストライプ状誘電体マスクのみを残し、該ス
トライプ部以外の部分に第■導電型の第４半導体電流狭
搾層を形成する。次に前記ストライプ状誘電体マスクを
除去し、第■導電型の第５半導体埋込み層を形成する。

上記第２の目的を達成するため、本発明は以下に示すよ
うな半導体レーザ素子を提供する。

本発明の半導体レーザ素子の構造は、第１導電型の半導
体基板上に第１導電型の第１半導体クラッド層、第２半
導体クラッド層、第■導電型の第３半導体クラッド層を
少なくとも形成し、該第３半導体クラッド層に、光が導
波される共振器軸方向に沿ってほぼ同一の幅を有するス
トライプ状メサ構造を形成し、かつ、該メサの外側にお
ける、前記第３半導体クラッド層の厚さを、素子の少な
くとも一方の端面近傍では、素子の中央部等、端面近傍
以外の部分よりも薄くなるような構造とする。また、第
３半導体クラッド層上には第■導電型の第４半導体電流
狭搾層を形成し、該第４半導体電流狭搾層の中央部には
共振器軸方向に沿って、電流注入用ストライプ状開口部
を設け、さらにこの上に第■導電型第５半導体埋込層を
少なくとも形成する。

なお、具体的作製方法については次のとおりである。

まず、第１導電型の半導体基板上に、第■導電型の第１
半導体クラッド層、第２半導体活性層、第■導電型の第
３半導体クラッド層を少なくとも形成し、該第３半導体
クラッド層上にストライプ状の二酸化ケイ素（ＳｉＯ２
）膜、リンガラス（ＰＳＧ）膜、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ
）膜等の誘電体膜を形成し、これをマスクとして、該第
３半導体クラッド層をエツチングする。次に、素子の少
なくとも一方の端面近傍部を除く部分に、前記ストライ
プ幅よりも充分幅が広く、かつ材質の異なる（例えばホ
トレジスト等）エツチングマスクを形成し、再度エツチ
ングを行って、素子の少なくとも一方の端面近傍の、ス
トライプ外部第３半導体クラッド層の厚さが０．５μｍ
以下になるまで加工を行う。以上の工程により、半導体
活性層に対して、半導体基板と反対側に位置する、第３
半導体クラッド層に、光導波用メサ構造が作製できる。

また少なくとも一方の端面近傍では、該ストライプ状メ
サの外側の第３半導体クラッド層の厚さを０．５μｍ以
下とし、かつ、共振器軸方向における他の部分では、ス
トライプ状メサ外部の第３半導体クラッド層の厚さを、
前記端面部近傍と異なった値とすることができる。

つぎに、前記ストライプ状誘電体マスクのみを残して、
他のエツチングマスクを除去した後、該ストライプ状マ
スク部以外の領域に、第３半導体クラッド層と反対導電
型の第４半導体電流狭搾層を選択的に形成する。本工程
により、メサの上部に電流注入用ストライプ状開口部が
自己整合的に作製できる。

〔作用〕

本第１の発明によれば、第３半導体層上に設けたストラ
イプ状誘電体マスクが、光導波用メサの形成のマスクお
よび、第４半導体電流狭搾層選択結晶成長用のマスクの
両方の働きをするため、両者を自己整合的に作製するこ
とが可能になる。従ってホトリソグラフィにおけるマス
クずれの問題がなくなる。また、素子の端面近傍は内部
とは独立に屈折率導波型とすることができるため、非点
収差を小さくできる。また、活性層に水平方向における
ビーム広がり角も、素子端面近傍のメサの幅によって制
御できる。また、素子の内部は半導体レーザの低ノイズ
化に有利なパルセーション現象が有効に生ずるよう、ス
トライプ外側領域における第３半導体クラッド層の厚さ
を任意に設定できる。従って、低ノイズ、低収差の半導
体レーザ素子が制御性、再現性良く作製できる。

〔作用〕

本第２の発明によれば、ストライプ状誘電体マスフによ
るエツチング、および、これに重ねた前記ストライプ状
マスクとは異なる材料のマスクとを並用して行ったエツ
チング、によって、活性層に対して基板と反対側に位置
する第３半導体クラッド層に光導波用メサ形状を作製す
ることが可能になる。また、該メサの外側部第３半導体
クラッド層の厚さは、共振器軸方向に沿って厚さを変え
ることが可能になる。これにより、少なくとも一方の素
子端面近傍の該クラッド層厚さを０．５μｍ以下の比較
的強い屈折率導波型とすることが可能になり、そこから
出射されるレーザビームの広がり角を小さくできる。ま
た、非点収差も小さくすることができる。また、該端面
近傍部以外の前記第３クラッド層の厚さは、端面近傍部
とは独立に設定することができる。従って半導体レーザ
の低ノイズ化に有利なパルセーション現象が効率よく発
生するよう、該ストライプ外側領域における第３半導体
クラッド層の厚さを任意に設定することが可能となる。

また、前記ストライプ状誘電体マスクを用いた第４半導
体電流狭搾層の選択的形成によって、光導波用メサ構造
と電流流入用開口部を自己整合的に形成できるため、作
製プロセスの簡略化、精度の向上、再現性の向上等が可
能になる。

また、本構造の半導体レーザでは、従来の液相成長法の
ような溝を平坦に埋める結晶成長技術が不要であるため
、大面積、高均一結晶成長が可能なＭＯＣＶＤ法を応用
することが可能になり、量産化等にも展開できる。

〔実施例〕

以下、本発明の詳細な説明する。

実施例１゜ 本発明の第１の実施例を第１図、第２図を用いて説明す
る。第１図は本発明の半導体レーザの素子作製の途中工
程を示す概略図である。まず、ｎ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板
１１００）面、Ｓｉドープ、ｎ−Ｉ　Ｘ　１０　”ｃｍ
−３）　　１上に有機金属熱分解気相成長法（ＭＯ−Ｃ
ＶＤ法）によって、ｎ型 Ｇａｏ、　５ａ　Ａ　Ｑ　ｏ、　４７　Ａｓクラッド層
２（Ｓ’ｅドープ、ｎ−１，２Ｘ　１０−ｃｍ−３、厚
さ１．５μｍ）、１ｌ− Ｇａｏ、　Ｂ　Ｂ　Ａ　Ｑ　（１，１４Ａｓ活性層３（
アンドープ、厚さ０．０７μｍ）、ｐ型 ＧａＯ，５３Ａ　Ｑｏ、　４７　Ａｓクラッド層４　　
（Ｚｎドープ、Ｐ　−８Ｘ　１０　”ｃｍ−”、厚さ１
．３ｐｍ）を形成し、次に表面にＣＶＤ法、ホトリソグ
ラフィによって、ストライプ状５ｉ０２、マスク５を形
成した。ストライプの幅は約５μｍとした。次にこれを
マスクとして、Ｐ型Ｇａ□、　ｓ　ａ　Ａ　Ｑ　ｏ、　
ａ　７　Ａｓクラッド層４を約０．７μｍエツチングし
、浅いストライプ状メサを形成した。次に素子の中央付
近に前記ストライプ５の幅よりも充分広いホトレジスト
マスク６を形成し、再度ｐ型 Ｇａｏ、５３Ａｌｏ、４フＡｓクラッド層４をエツチン
グし、メサ外部のクラッド層７の厚さを０．４μ口とし
た。なお、素子中央付近８のクラッド層厚は約０．６μ
ｍとなっている。次に前記ホトレジストマスク６のみを
除去し、ストライプ状５ｉ０２マスク５以外の領域にｎ
型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ電流狭搾層（第２図、９Ｓｅドープ、
　ｎ−４Ｘｉ　０１８ｃ＋ｎ−３を厚さ〜０．７μｍ）
を選択的に形成した。つぎに第一１２＝ ２図に示すように、前記ストライプ状５ｉｎ２マスクを
除去した後、全域にわたってｐ型Ｑ　ａ□、６３　Ａ　
Ｑ　ｏ、　４７　Ａ　ｓ埋込層１０（Ｚｎドープ、ｐ〜
２×１０１１１０１１−３．厚さ約１−＋　５μｍ）　
−ｐ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓキャップ層１１（Ｚｎドープ、ｐ
−５Ｘ１０１９ｃｍ−３，厚さ１μｍ）を形成し、Ｐ側
電極１２、ｎ側電極１３を形成した後、へき開。

スクライビングを行って半導体レーザ素子を作製した。

本半導体レーザ素子は、しきい電流値的６０ｍＡで発振
し、相対雑音強度 〜５Ｘ１０−′Ｈｚ−１程度の良好な低ノイズ特性が得
られた。また、本レーザでは、素子の端面近傍を比較的
強い屈折率導波構造とすることが可能になり、非点収差
を５μｍ以下と小さくすることができた。また、水平方
向ビーム族がり角は１０゜程度で単峰性の良好な特性が
得られた。

本発明のレーザでは、光導波用メサとｎ型Ｇ　ａ　Ａ　
ｓ電流狭搾層の形成を自己整合的に行うことが可能とな
ったため、ホトリソグラフィ工程におけるマスクずれの
問題が生じず、素子の制御性。

再現性が著るしく向上した。

なお、前記ストライプ状誘電体膜の材質としてリンガラ
ス、５ｉＮｚ等を用いた場合にも同様の半導体レーザ素
子作製が可能であることが判った。

実施例２゜ 前記第１の実施例と同様の構造において、ｐ型Ｇａ（１
，５３Ａｌ（、，４７Ａｓクラッド層の上部にさらに、
ｐ型Ｇａ０１Ｂ　Ａ　ｎ　０．２　Ａｓ層（Ｚｎドープ
、Ｐ〜８×１０１ｇｃｍ−３、厚さ０．２μｍ）を形成
した構造のものを作製した。Ａ　Ｏ，Ａ　ｓ混晶比の高
いＧａ−Ａｌ−Ａｓは酸化性が強くなるため、本実施例
のように結晶成長が不連続となる表面に低Ａｌ組成のＧ
ａＡｌＡｓ層を形成しておくことにより、素子作製プロ
セスをさらに安定に行うことが可能になった。試作した
半導体レーザ素子の特性は、実施例１と同様のものが得
られた。

以下、第２の本発明の詳細な説明する。

実施例３゜ 本発明の第３の実施例を第１図、第２図を用いて説明す
る。第３図は本発明の半導体レーザの素子作製の途中工
程を示す概略図である。まず、ｎ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板
（（１００）面、Ｓｉドープ　ｎ−１Ｘ　１０１１１ｃ
ｍ−”）　１上に有機金属熱分解気相成長法（ＭＯ−Ｃ
ＶＤ法）によッテ、ｎ型 Ｇａｏ、　ｓ　ａ　Ａ　Ｑ　０．４７　Ａｓクラッド層
２（Ｓｅドープ、ｎ−１，２×１０１ＢｃＩ１１−３、
厚さ１．５μｍ）、Ｑａ□、　Ｂ　Ｂ　Ａ　Ｑ　（３，
１４Ａｓ活性層３（アンドープ。

厚さ０．０７μｍ）、ｐ型Ｇａｏ、　ｓ　３Ａ　Ｑ　ｏ
、　４７Ａｓクラッド層４　（Ｚｎドープ、ｐ〜８×１
０１７ｃｍ−３゜厚さ１．３μｍ）を形成し、次に表面
にＣＶＤ法。

ホトリソグラフィによって、ストライプ状Ｓｉｏ２マス
ク５を形成した。ストライプの幅は約５μｍとした。次
にこれをマスクとして、Ｐ型Ｇａ（、、６３Ａ　Ｑ　（
１，４７Ａｓクラッド層４を約０．７μｍエツチングし
、浅いストライプ状メサを形成した。次に素子の中央付
近に前記ストライプ５の幅よりも充分広いホトレジスト
マスク６を形成し、再度ｐ型Ｇａｏ、５３ＡＩｌｏ、４
７Ａｓクラッド層４をエツチングし、メサ外部のクラッ
ド層７の厚さを０．４μｍとした。なお、素子中央付近
８のクラッド層厚は約０．６μｍとなっている。次に前
記ホトレジストマスク６のみを除去し、ストライプ状Ｓ
ｉＯ２マスク５以外の領域にｎ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ電流狭
搾層（第２図、９Ｓｅドープ。

ｎ〜４×１０ｉｌｌｃ１１−３．厚さ−０，７μｍ）を
選択的に形成した。つぎに第２図に示すように、前記ス
トライプ状ＳｉＯ２マスクを除去した後、全域にわたっ
てｐ型Ｇａ、）、　ｓ　ａ　Ａ　Ｑ　ｏ、　４７　Ａｓ
埋込層１０（Ｚｎドープ＋　Ｐ〜２Ｘ　１０−ｃｍ−３
，厚さ約１．５μｍ）、ｐ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓキャップ層
１１（Ｚｎドープ、ｐ〜５×１０１ｊ］ｃ＋１−３．厚
さ１μｍ）を形成し、Ｐ側電極１２．ｎ側電極１３を形
成した後、へき開、スクライビングを行って半導体レー
ザ素子を作製した。

本半導体レーザ素子は、しきい電流値約６０ｍＡで発振
し、相対雑音強度〜５　Ｘ　１０１４Ｈｚ　””程度の
良好な低ノイズ特性が得られた。また、本レーザでは、
素子の端面近傍を比較的強い屈折率導波構造とすること
が可能になり、非点収差を５μｍ以下と小さくすること
ができた。また、水平方向ビーム族がり角は１０°程度
で単峰性の良好な特性が得られた。

本発明のレーザでは、光導波用メサとｎ型Ｇ　ａ　Ａ　
ｓ電流狭搾層の形成を自己整合的に行うことが可能とな
ったため、ホトリソグラフィ工程におけるマスクずれの
問題が生じず、素子の制御性。

再現性が著るしく向上した。

なお、前記ストライプ状誘電体膜の材質としてリンガラ
ス、５ｉＮＸ等を用いた場合にも同様の半導体レーザ素
子作製が可能であることが判った。

また、メサ形状外側部Ｐ型 Ｇａｏ、６３　Ａ　Ｑ　０．４７　Ａｓクラッド層の厚
さは、０．５μｍ程度以下より屈折率導波型的効果が顕
著になることが判った。

実施例４゜ 前記第３の実施例と同様の構造において、ｐ型ＧＢ□、
　５３　Ａ　Ｑ　ｏ、　４７　Ａｓクラッド層の上部に
さらに、Ｐ型Ｇａｏ、　、　Ａ　Ｑ　ｏ、　２Ａｓ層（
Ｚｎドープ、ｐ〜８　Ｘ　１０−ｃ＋ａ−３，厚さ０．
２μｍ）を形成した構造のものを作製した。Ａ　ｎ　Ａ
　ｓ混晶比の高いＧ　ａ　−Ａ　ｎ　−Ａ　ｓは酸化性
が強くなるため、本実施例のように結晶成長が不連続と
なる表面に低Ａｌ組成のＧａＡｌＡｓ層を形成しておく
ことにより、素子作製プロセスをさらに安定に行うこと
が可能になった。試作した半導体レーザ素子の特性は、
実施例１と同様のものが得られた。

〔発明の効果〕

以上述べたように、第１の本発明によれば、共振器軸方
向に異なった構造を有する半導体レーザ素子において、
光導波用メサ構造を形成するエツチングマスクを再度用
いて、電流狭搾層の選択結晶成長を行うため、自己整合
的に作製することが可能になる。そのため、ホトリソグ
ラフィ工程における合わせずれの問題等が生じず、制御
性、再現性を著るしく向上できた。

また、素子の端面近傍は、中央付近とは独立に比較的強
い屈折率導波構造とすることができるため、非点収差を
小さくすることができ、同時にビーム形状も良好なもの
が得られるようになる。また、素子の中央付近は、低ノ
イズ化に有利なパルセーション現象を有効に発生するよ
う、ｐ型クラッド層の厚さを任意に設定できるため、半
導体レーザの応用面で要求される良好な低ノイズ特性が
得られるようになった。

なお、本発明はＧａＡｒＡｓ系のみならず、ＩｎＧａＡ
ｓＰ系等、他の材料系の半導体レーザ素子にも適用可能
で、その技術的効果は非常に大である。

〔発明の効果〕

更に、第２の本発明によれば共振器軸方向に、はぼ同一
の幅を有する光導波用メサ構造を形成でき、かつ、該メ
サ外側のクラッド層の厚さが共振器軸方向で２値以上に
異なるような半導体レーザ構造を形成できる。従って、
素子の端面近傍を比較的強い屈折率導波型として、非点
収差を小さくすることや、出射されるレーザビームの広
がり角を比較的小さく、かつ、再現性良く制御すること
が可能になる。また、素子の端面近傍部以外の部分につ
いては、低ノイズ化に有利なパルセーション現象が有効
に発生するよう、前記クラッド層の厚さを任意に設定で
き、半導体レーザの応用面で要求される、低ノイズ特性
を達成することができる。

また、光導波用メサ構造を形成するエツチングマスクを
再度用いて、電□流狭搾層の選択結晶成長を行うため、
両者を自己整合的に作製することが可能になる。そのた
め、ホトリソグラフィ工程における合わせずれの問題等
が生じず、プロセスの簡略化、制御性再現性の向上、が
可能になった。

また、本発明の半導体レーザ素子においては、従来構造
のような、溝を平坦に埋める結晶成長が不要となり、大
面積高積−結晶成長が可能な、ＭＯＣＶＤ法を用いるこ
とが可能になった。従っ゛て量産化等への展開も非常に
有利となった。

なお、本発明はＧａＡｒＡｓ系のみならず。

ＩｎＧａＡｓＰ系等、他の材料系の半導体レーザ素子に
も適用可能で、その技術的効果は非常に大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例１の半導体レーザ素子作製工程
途中を示す、構造概要斜視図である。 第２図は本発明の実施例１の半導体レーザ素子構造図で
ある。 １・・・ｎ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板 ２−　ｎ型Ｇａ□、５３Ａｌ（１，４７Ａｓクラッド層
３・・・Ｇａｏ、８６Ａｌｏ、１４Ａｓ活性層４１１．
ｐ型Ｇａ□、５ａ　Ａ　Ｑ　ｏ、　ａ　７　Ａｓクラッ
ド層５・・・ストライプ状５ｉ０２マスク

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、第 I 導電型の半導体基板上に、第 I 導電型の第１
   半導体クラッド層、第２半導体活性層、第II導電型の第
   ３半導体クラッド層を少なくとも形成し、該第３半導体
   クラッド層上にストライプ状の誘電体膜を形成し、該ス
   トライプ状誘電体膜を用いて、素子の端面側は、ストラ
   イプ両側部の前記第３半導体クラッド層の厚さが ０．５μｍ以下になるように、エッチングを行ってメサ
   形状を形成し、素子の中央付近においては、前記ストラ
   イプ状マスクに、異種の材料でかつ幅の広いマスクを重
   ねてエッチングを阻止することによりストライプ両側部
   の前記第３半導体クラッド層の厚さが、前記素子端面側
   よりも厚くなる構造とし、つぎに前記ストライプ状誘電
   体膜を除く外側領域に、第 I 導電型第４半導体電流狭
   搾層を選択的に形成し、つぎに前記ストライプ状誘電体
   膜を除去した後、第II導電型第５半導体埋込層を少なく
   とも形成して、自己整合的に作製したことを特徴とする
   半導体レーザ素子。 ２、前記第３半導体クラッド層がＡｌを含む化合物半導
   体よりなる半導体レーザ素子において、該第３半導体ク
   ラッド層をＡｌを多く含む半導体層と、それよりもＡｌ
   の組成の小さい半導体層の少なくとも２層より構成し、
   前記第２半導体活性層より離れた側に低いＡｌ組成の半
   導体層を設置することを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の半導体レーザ素子。 ３、半導体基板上に第１半導体クラッド層、第２半導体
   活性層、第３半導体クラッド層を少なくとも有し、該第
   ２半導体活性層に対して、半導体基板とは逆の側の第３
   半導体クラッド層に、光が導波される共振器軸方向に沿
   ってほぼ同一の幅を有するストライプ状メサ形状を有し
   、かつ、該メサの外側における、前記第３半導体クラッ
   ド層の厚さを、素子の共振器軸方向において少なくとも
   ２値以上に変化させたことを特徴とする半導体レーザ素
   子。 ４、第３半導体クラッド層上に、該第３半導体層とは反
   対導電型の第４半導体電流狭搾層が形成されており、該
   第４半導体電流狭搾層には、共振器軸方向に沿って、電
   流注入用ストライプ状開口部が設けられている特許請求
   の範囲第１項記載の半導体レーザ素子。 ５、前記第３半導体クラッド層に設けた、ストライプ状
   メサ形状を、二酸化ケイ素（ＳｉＯ＿２）、リンガラス
   （ＰＳＧ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ＿ｘ）等の誘電体膜を
   マスクとして形成し、かつ、該ストライプ状誘電体膜を
   用いて、前記第４半導体電流狭搾層を選択的にストライ
   プ部以外に形成する、自己整合方式により作製した特許
   請求の範囲第３項記載の半導体レーザ素子。 ６、少なくとも素子の一方の端面近傍における、前記第
   ３半導体層のメサ形状の外側部の厚さが、０．５μｍ以
   下であり、共振器軸方向における、他の部分の厚さはこ
   れよりも厚くなっている特許請求の範囲第５項記載の半
   導体レーザ素子。 ７、前記第３半導体クラッド層がＡｌを含む化合物半導
   体よりなる半導体レーザ素子において、該第３半導体ク
   ラッド層をＡｌを多く含む半導体クラッド層をＡｌを多
   く含む半導体層と、それよりもＡｌの組成の小さい層の
   少なくとも２層より構成し、前記第２半導体活性層より
   離れた側に低いＡｌ組成の半導体層を設置する特許請求
   の範囲第３項記載の半導体レーザ素子。