JPS60246690A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS60246690A JPS60246690A JP10330984A JP10330984A JPS60246690A JP S60246690 A JPS60246690 A JP S60246690A JP 10330984 A JP10330984 A JP 10330984A JP 10330984 A JP10330984 A JP 10330984A JP S60246690 A JPS60246690 A JP S60246690A
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- JP
- Japan
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- layer
- inp
- onto
- mesa
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、半導体レーザに関し、特にＰＢＨ（Ｐｌａ
ｎｅｒ Ｂｕｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏ ５ｔｒｕｃｔｕ
ｒｅ）型半導体レーザの改良に関する。
ｎｅｒ Ｂｕｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏ ５ｔｒｕｃｔｕ
ｒｅ）型半導体レーザの改良に関する。
（ロ）徒米技術
ＰＢＨ型半導体レーザは、漏洩電流の少ない、低電流駆
動の半導体レーザとして知られており、通常第２図に示
すように、ｎ−１ｎＰ基板２１の上にｊｌ「１次形成さ
れたｎ−１ｎＰ第１クランド層２２、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層２３およびｐ−ＩｎＰ第２クラット層２４とからな
るストライプ状メサ部２５と、このストライプ状メサ部
２５の幅方向両脇に形成、されたＰ−Ｉｎ１層２６およ
びｎ−１ｎＰ層２７の電流狭窄層と、このｎ−１ｎＰ電
流狭窄層２７わよびＦ記のストライプ状メサ部２５の」
−に順次形成されたｐｉｎＰ第２クラ、ト層２８とｐ−
１ｎＧａＡｓＰキャ７プ層２９とを有するという構造と
なっている。そして、このような構造のため、！Ｖ造歩
留りか低いという製造ｌ−の問題かあった。
動の半導体レーザとして知られており、通常第２図に示
すように、ｎ−１ｎＰ基板２１の上にｊｌ「１次形成さ
れたｎ−１ｎＰ第１クランド層２２、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層２３およびｐ−ＩｎＰ第２クラット層２４とからな
るストライプ状メサ部２５と、このストライプ状メサ部
２５の幅方向両脇に形成、されたＰ−Ｉｎ１層２６およ
びｎ−１ｎＰ層２７の電流狭窄層と、このｎ−１ｎＰ電
流狭窄層２７わよびＦ記のストライプ状メサ部２５の」
−に順次形成されたｐｉｎＰ第２クラ、ト層２８とｐ−
１ｎＧａＡｓＰキャ７プ層２９とを有するという構造と
なっている。そして、このような構造のため、！Ｖ造歩
留りか低いという製造ｌ−の問題かあった。
すなわち、（−記のような構造のＰＢＨ型半導体レーザ
を製造するには、ます、液相エピタキシャル成長によっ
て、ｎ−１ｎＰ基板２１の上にｎ−１ｎＰ第１クラット
層２２を形成した後、この第１クラット層２２のＴ１こ
ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３を厚さ０２ｐｍ程に形成し、
ざらにこの活性層２３のＬにρ−ＩｎＰ第２クラット層
を薄＜ （０，５〜１．Ｏｇｍ）形成して元ウェハを作
る。つぎにこの元ウェハのＬ面に一４〜６μｍ程のスト
ライプ状５１０２マスク（図示しない）を形成し、その
両脇をメサエッチングすることによって、ストライブ状
メサ部２５を形成する。そしてこのメサ部２５に最上部
にある５１０２マスクを除去し、第２回目の液相エピタ
キシャル成長を行ない、ｐ−１ｎＰ電流狭窄層２６、ｎ
−１ｎＰ電流狭窄層２７をメサ部２５の幅方向両脇に形
成しくこの際電流狭窄層２６．２７はメサ部２５の上に
は成長させない）、さらに、メサ部２５の上および１１
Ｌ流狭窄Ｎ２７の上にｐ−１ｎＰ第２クラツト層２８を
形成し、この第２グランド層２８の上にｐ−１ｎＧａＡ
ｓＰキヤツプＲ２９を形成する。
を製造するには、ます、液相エピタキシャル成長によっ
て、ｎ−１ｎＰ基板２１の上にｎ−１ｎＰ第１クラット
層２２を形成した後、この第１クラット層２２のＴ１こ
ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３を厚さ０２ｐｍ程に形成し、
ざらにこの活性層２３のＬにρ−ＩｎＰ第２クラット層
を薄＜ （０，５〜１．Ｏｇｍ）形成して元ウェハを作
る。つぎにこの元ウェハのＬ面に一４〜６μｍ程のスト
ライプ状５１０２マスク（図示しない）を形成し、その
両脇をメサエッチングすることによって、ストライブ状
メサ部２５を形成する。そしてこのメサ部２５に最上部
にある５１０２マスクを除去し、第２回目の液相エピタ
キシャル成長を行ない、ｐ−１ｎＰ電流狭窄層２６、ｎ
−１ｎＰ電流狭窄層２７をメサ部２５の幅方向両脇に形
成しくこの際電流狭窄層２６．２７はメサ部２５の上に
は成長させない）、さらに、メサ部２５の上および１１
Ｌ流狭窄Ｎ２７の上にｐ−１ｎＰ第２クラツト層２８を
形成し、この第２グランド層２８の上にｐ−１ｎＧａＡ
ｓＰキヤツプＲ２９を形成する。
したがって、第２回目の液相エピタキシャル成長では４
つの層２６〜２９を成長させなければならす、歩留りお
よびコストの点で不利なものとなっていた。さらに第２
クラット層２８はＩｎＰ層であるため成長時間か長くか
かり、結晶に悪影響か及ぼされかねない、また、この第
２クラッド層２８の１ｎＰＦｔの成長時にはメサ部２５
かわずかなから変形するので、第２クラット層２８゛を
速やかに成長させなければならないという問題もあ（ハ
）Ｈ的 この発明は、Ｃ）現性に優れ、高い歩留りで製造するこ
とかできる構造を有する半導体レーザを提供することを
目的とする。
つの層２６〜２９を成長させなければならす、歩留りお
よびコストの点で不利なものとなっていた。さらに第２
クラット層２８はＩｎＰ層であるため成長時間か長くか
かり、結晶に悪影響か及ぼされかねない、また、この第
２クラッド層２８の１ｎＰＦｔの成長時にはメサ部２５
かわずかなから変形するので、第２クラット層２８゛を
速やかに成長させなければならないという問題もあ（ハ
）Ｈ的 この発明は、Ｃ）現性に優れ、高い歩留りで製造するこ
とかできる構造を有する半導体レーザを提供することを
目的とする。
（ニ）構成
この発明による半導体レーザは、基板の一ヒに順次形成
された第１クラット層、活性層および第２クラ・ント層
とからなるストライプ状メサ部と、このストライプ状メ
サ部の輻方向両脇に形成された＊流狭窄層と、この電流
狭窄層および上記のストライプ状メサ部のｔに直接形成
されたキャップ層とを有する。
された第１クラット層、活性層および第２クラ・ント層
とからなるストライプ状メサ部と、このストライプ状メ
サ部の輻方向両脇に形成された＊流狭窄層と、この電流
狭窄層および上記のストライプ状メサ部のｔに直接形成
されたキャップ層とを有する。
（ホ）実施例
第１図はこの発明にかかる半導体レーザの一実施例の断
面の模式図である。この図に示すように、この発明にか
かる半導体レーザは、ｎ−１ｎＰ Ｘ１ｌｌの上に順次
形成されたｎ−１ｎＰ第１クラツト層工２、ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層１３およびｐ−１ｎＰ 第２クラ・ント層１
４とからなるストライプ状メサ部１５と、このストライ
プ状メサ部１５の一方向両脇に形成されたｐ−１ｎＰ
’ｌｊ、流狭窄層１６およびｎ−１ｎＰ電流狭窄層１７
と、このｎ−１ｎＰ電流狭窄層１７および上記のストラ
イプ状メサ部１５の第２クラッド層１４の上に直接形成
されたｐ−１ｎＧａＡｓＰキャップ層１８とを有すると
いう構造となっている。
面の模式図である。この図に示すように、この発明にか
かる半導体レーザは、ｎ−１ｎＰ Ｘ１ｌｌの上に順次
形成されたｎ−１ｎＰ第１クラツト層工２、ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層１３およびｐ−１ｎＰ 第２クラ・ント層１
４とからなるストライプ状メサ部１５と、このストライ
プ状メサ部１５の一方向両脇に形成されたｐ−１ｎＰ
’ｌｊ、流狭窄層１６およびｎ−１ｎＰ電流狭窄層１７
と、このｎ−１ｎＰ電流狭窄層１７および上記のストラ
イプ状メサ部１５の第２クラッド層１４の上に直接形成
されたｐ−１ｎＧａＡｓＰキャップ層１８とを有すると
いう構造となっている。
このような構造の半導体レーザは、つぎのようにして製
造できる。まず、液相エピタキシャル成長によって、ｎ
−１ｎＰ基板１１の上にｎ−１ｎＰ第１クラツド層１２
を形成した後、この第１クラッド層１２の上にＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層１３を厚さ０．２ ｇ ｍ程に形成し、さ
らにこの活性層１３の上にｐ−１ｎＰ第２クラツト層１
４を薄さ０．５層２ルｍ程に形成して元ウェハを作る。
造できる。まず、液相エピタキシャル成長によって、ｎ
−１ｎＰ基板１１の上にｎ−１ｎＰ第１クラツド層１２
を形成した後、この第１クラッド層１２の上にＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層１３を厚さ０．２ ｇ ｍ程に形成し、さ
らにこの活性層１３の上にｐ−１ｎＰ第２クラツト層１
４を薄さ０．５層２ルｍ程に形成して元ウェハを作る。
つきにこの元ウェハの上面に幅５〜６μｍ程のストライ
ブ状５１０２マスク（図示しない）を形成し、その両脇
をメサエッチングすることによって、ストライプ状メサ
部１５を形成する。そしてこのメサ部１５に最上部にあ
る５１０２マスクを除去し、第２回目の液相エピタキシ
ャル成長を行なう、この第２回目の液相エピタキシャル
成長により、ｐ−１ｎＰ 、ｎ−１ｎＰ ＊流狭窄屑１
６．１７をメサ部２５の幅方向両脇に形成しくこの際電
流狭窄Ｎ１６．１７はメサ部２５の−Ｌには成長させな
い）だ後、メサ部１５の最−ヒ部の第２クラット層１４
の上およびｎ−１ｎＰ １１Ｌ流狭窄層１７の上に直接
ｐ−１ｎＧａＡｓρキャップ層１８を形成する。
ブ状５１０２マスク（図示しない）を形成し、その両脇
をメサエッチングすることによって、ストライプ状メサ
部１５を形成する。そしてこのメサ部１５に最上部にあ
る５１０２マスクを除去し、第２回目の液相エピタキシ
ャル成長を行なう、この第２回目の液相エピタキシャル
成長により、ｐ−１ｎＰ 、ｎ−１ｎＰ ＊流狭窄屑１
６．１７をメサ部２５の幅方向両脇に形成しくこの際電
流狭窄Ｎ１６．１７はメサ部２５の−Ｌには成長させな
い）だ後、メサ部１５の最−ヒ部の第２クラット層１４
の上およびｎ−１ｎＰ １１Ｌ流狭窄層１７の上に直接
ｐ−１ｎＧａＡｓρキャップ層１８を形成する。
このように、１１Ｌ流狭窄層であるｐ−１ｎＰ層１６お
よびｎ−ＩｎＰ Ｍｌ ７を成長させた後、ｐ−１ｎＰ
１２クラ、ド層（第２図の２８）を形成することなしに
直接ｐ−１ｎＧａＡｓＰキャップ層１８を成長させるよ
うにしているので、第２回目の液相エピタキシャル成長
では３層のみ成長させるだけでよく、歩留りか向上する
。また、ｐ−１ｎＰ第２クラツド層（第２図の２８）を
成長させないので、そのための長い成長時間により結晶
に悪影響を与えたり、メサ部１５を変形させたりするこ
とを回避できる。しかも、ｐ−１１ＧａＡｓＰキ＋−／
プ＃１８はｐ−１ｎＰ層（第２図の２８）に比へて成長
速度が速く、またその表面を平担化させようとする傾向
が強いため、このｐ−１ｎＧａＡｓＰキャップ層１８を
厚めに成長させるのに時間がかかることがないとともに
、厚めに形成しておくことによってその後行なわれるダ
イポンディング工程に肴利で且つ熱による表面のガスエ
ツチングにも強い表面とすることができる。
よびｎ−ＩｎＰ Ｍｌ ７を成長させた後、ｐ−１ｎＰ
１２クラ、ド層（第２図の２８）を形成することなしに
直接ｐ−１ｎＧａＡｓＰキャップ層１８を成長させるよ
うにしているので、第２回目の液相エピタキシャル成長
では３層のみ成長させるだけでよく、歩留りか向上する
。また、ｐ−１ｎＰ第２クラツド層（第２図の２８）を
成長させないので、そのための長い成長時間により結晶
に悪影響を与えたり、メサ部１５を変形させたりするこ
とを回避できる。しかも、ｐ−１１ＧａＡｓＰキ＋−／
プ＃１８はｐ−１ｎＰ層（第２図の２８）に比へて成長
速度が速く、またその表面を平担化させようとする傾向
が強いため、このｐ−１ｎＧａＡｓＰキャップ層１８を
厚めに成長させるのに時間がかかることがないとともに
、厚めに形成しておくことによってその後行なわれるダ
イポンディング工程に肴利で且つ熱による表面のガスエ
ツチングにも強い表面とすることができる。
なお、各層の組成波長（＃Ｌｍ）は、発振すべきレーザ
光の波Ｉｊｃ（ｐｍ）に応してたとえばつぎの表のよう
にすることかできる。この表で光導波路層とは第１、第
２クラット層のことである。
光の波Ｉｊｃ（ｐｍ）に応してたとえばつぎの表のよう
にすることかできる。この表で光導波路層とは第１、第
２クラット層のことである。
また、上記ではｎ型基板を用いて形成したＰＢＨ型羊型
体導体レーザいて説明したが、本発明はｐ型基板やＧａ
Ａ ＩＡｓ／ＧａＡｓ系基板を用いてＰＢＨ型半導体レ
ーザを形成する場合にも適用できる。
体導体レーザいて説明したが、本発明はｐ型基板やＧａ
Ａ ＩＡｓ／ＧａＡｓ系基板を用いてＰＢＨ型半導体レ
ーザを形成する場合にも適用できる。
（へ）効果
この発明の半導体レーザの構造をとることによって、第
２回目の液相エピタキシャル成長における第２クラッド
層を形成する際の問題を除去でき、再現性良好で且つ優
秀な歩留りで半導体レーザｔ−製造することができる。
２回目の液相エピタキシャル成長における第２クラッド
層を形成する際の問題を除去でき、再現性良好で且つ優
秀な歩留りで半導体レーザｔ−製造することができる。
第１図はこの発明の一実施例にかかる半導体レーザの断
面模式図、第２図は従来例の半導体レーザの断面模式図
である。 １１．２１・・ｎ−１ｎＰ Ｘ板 １２．２２−ｎ−１ｎＰ第１クラット層１３．２３−Ｉ
ｎＧａＡｓρ活性層 １４．２４．２Ｂ−ｐ−１ｎＰ １４２クラット層１６
．２Ｂ−・−ｐ−１ｎＰ ７ｔ、流狭窄層１７．２７・
・・ｎ−１ｎＰ電ｔ＆狭窄層１８．２９・・・ｐ−１ｎ
ＧａＡｓＰキ＋’７プ層出願人 藤倉電線株式会社 イ’ｔＰ１人 弁□ ヶ藤４イＪ゛” １゛・、、１ 万 乃
面模式図、第２図は従来例の半導体レーザの断面模式図
である。 １１．２１・・ｎ−１ｎＰ Ｘ板 １２．２２−ｎ−１ｎＰ第１クラット層１３．２３−Ｉ
ｎＧａＡｓρ活性層 １４．２４．２Ｂ−ｐ−１ｎＰ １４２クラット層１６
．２Ｂ−・−ｐ−１ｎＰ ７ｔ、流狭窄層１７．２７・
・・ｎ−１ｎＰ電ｔ＆狭窄層１８．２９・・・ｐ−１ｎ
ＧａＡｓＰキ＋’７プ層出願人 藤倉電線株式会社 イ’ｔＰ１人 弁□ ヶ藤４イＪ゛” １゛・、、１ 万 乃
Claims (1)
- （１）基板の上に順次形成された第１クランド層、活性
層および第２クラット層とからなるストライプ状メサ部
と、このストライプ状メサ部の幅方向両脇に形成された
電流狭窄層と、この電流狭窄層および」二足のストライ
プ状メサ部の上に直接形成されたキャップ層とからなる
半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10330984A JPS60246690A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10330984A JPS60246690A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246690A true JPS60246690A (ja) | 1985-12-06 |
Family
ID=14350610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10330984A Pending JPS60246690A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246690A (ja) |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP10330984A patent/JPS60246690A/ja active Pending
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