JPS59100583A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS59100583A JPS59100583A JP20941982A JP20941982A JPS59100583A JP S59100583 A JPS59100583 A JP S59100583A JP 20941982 A JP20941982 A JP 20941982A JP 20941982 A JP20941982 A JP 20941982A JP S59100583 A JPS59100583 A JP S59100583A
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- semiconductor layer
- substrate
- laser device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4068—Edge-emitting structures with lateral coupling by axially offset or by merging waveguides, e.g. Y-couplers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体レーザに関するもので、とシわけ位相
のそろった大出力レーザを１回の結晶成長で容易に作製
できる新たな構造に関するものである。
のそろった大出力レーザを１回の結晶成長で容易に作製
できる新たな構造に関するものである。
半導体レーザは、光通信、光ディスク等の分野で実用化
が進められているが、今後応用分野を拡大するためには
レーザ光出力の向上が不可欠である。
が進められているが、今後応用分野を拡大するためには
レーザ光出力の向上が不可欠である。
従来、多数の独立なレーザを集積化することによシ高出
力化がなされているが、この場合者レーザは独立に動作
しておシ位相がランダムなため微少スポットに集光でき
ない等の難点がある。この点を改善するため、複数個の
レーザを相互に光学的に結合するように近接させて配置
した、位相のそろったフェーズド・アレイ・レーザ（ｐ
ｂｌｓｅｄａｒｒＦＩＹ １ａｓｅｒ）が考えられてい
る。
力化がなされているが、この場合者レーザは独立に動作
しておシ位相がランダムなため微少スポットに集光でき
ない等の難点がある。この点を改善するため、複数個の
レーザを相互に光学的に結合するように近接させて配置
した、位相のそろったフェーズド・アレイ・レーザ（ｐ
ｂｌｓｅｄａｒｒＦＩＹ １ａｓｅｒ）が考えられてい
る。
本発明の目的は、作製が容易で、特に、分子線エピタキ
シー法（ＭＢＥ法）や、ＭＯ−ＣＶＤ法などの結晶成長
法に適した構造の７エーズド・アレイ・レーザ全および
その製造方法を提供することにある。
シー法（ＭＢＥ法）や、ＭＯ−ＣＶＤ法などの結晶成長
法に適した構造の７エーズド・アレイ・レーザ全および
その製造方法を提供することにある。
本発明においては、レーザ用基板結晶１の表面に、第１
図（ａ）に示した如く互いを連結させる部分３を有する
凸型のストライプ２、あるいは、第１図（ｂ）に示した
如くやはシ互いを連結させる部分３′を有する凹型のス
トライプ２′を作製しておくことを特徴とする。ストラ
イプの形成は通常のリソグラフィ技術で十分である。こ
の場合、ストライプ溝２′又は凸ＭｔＶ、２０幅Ｗは、
２〜３μｍ程贋と狭くシ、ストライプ間の間隔ｔは３〜
６μｍ程匿とするのが良い。また、溝の深さあるいは凸
部の高さｄは５００〜２００ＯＡが艮い。このような基
板を用いて、ＭＢＥ法、あるいはＭＯ−ＣＶＤ（Ｍｅｔ
ａｌ−Ｑｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕ
ｒ ｄｅｐｏｓｉ −ｔｉｏｎ） 法、或いはＶａｐ
ｏｕｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔＢｘｙ（ＶＰＥ法）等に
よシ通常のダブルへテロ構造のレーザをこの基板上に成
長すると、基板の溝又は凸部の形状がそのまま活性層に
写しとられ、第２図および第３図に示したような断面構
造のレーザとなる。第２図は凸ストライプ型の７エーズ
ド・アレイ・レーザのレーザ光の進行方向に垂直な面で
の断面図、第３図は凹ストライプ型のそれである。活性
層３１にできる段差は、基板の凸凹高さｄよシやや小さ
くなる。クラッド層２１．４１を各１．５μｍ位成艮す
ると、キャンプ層５１を成長したあとの結晶表面はほと
んど平坦となる。ここで、ストライプ領域を励起するよ
うな７．ｎ拡散電極領域６１を設けておくと、レーザ光
は活性層３１０段差によシ生じる実効屈折率差によって
安定に導波され、かつ第１図の符号３として示した分岐
連結部分を通して隣接したストライプのレーザ光の一部
が互いにまじシあうことによシ、非線形相互作用が生じ
て、すべてのストライプでのレーザ光の位相が同期した
フェーズド・プレイ・レーザとなる。
図（ａ）に示した如く互いを連結させる部分３を有する
凸型のストライプ２、あるいは、第１図（ｂ）に示した
如くやはシ互いを連結させる部分３′を有する凹型のス
トライプ２′を作製しておくことを特徴とする。ストラ
イプの形成は通常のリソグラフィ技術で十分である。こ
の場合、ストライプ溝２′又は凸ＭｔＶ、２０幅Ｗは、
２〜３μｍ程贋と狭くシ、ストライプ間の間隔ｔは３〜
６μｍ程匿とするのが良い。また、溝の深さあるいは凸
部の高さｄは５００〜２００ＯＡが艮い。このような基
板を用いて、ＭＢＥ法、あるいはＭＯ−ＣＶＤ（Ｍｅｔ
ａｌ−Ｑｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕ
ｒ ｄｅｐｏｓｉ −ｔｉｏｎ） 法、或いはＶａｐ
ｏｕｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔＢｘｙ（ＶＰＥ法）等に
よシ通常のダブルへテロ構造のレーザをこの基板上に成
長すると、基板の溝又は凸部の形状がそのまま活性層に
写しとられ、第２図および第３図に示したような断面構
造のレーザとなる。第２図は凸ストライプ型の７エーズ
ド・アレイ・レーザのレーザ光の進行方向に垂直な面で
の断面図、第３図は凹ストライプ型のそれである。活性
層３１にできる段差は、基板の凸凹高さｄよシやや小さ
くなる。クラッド層２１．４１を各１．５μｍ位成艮す
ると、キャンプ層５１を成長したあとの結晶表面はほと
んど平坦となる。ここで、ストライプ領域を励起するよ
うな７．ｎ拡散電極領域６１を設けておくと、レーザ光
は活性層３１０段差によシ生じる実効屈折率差によって
安定に導波され、かつ第１図の符号３として示した分岐
連結部分を通して隣接したストライプのレーザ光の一部
が互いにまじシあうことによシ、非線形相互作用が生じ
て、すべてのストライプでのレーザ光の位相が同期した
フェーズド・プレイ・レーザとなる。
なお、前述のＭＯ−ＣＶＤ法の場合、減圧しておくのが
好ましい。本明細書においてＭＯ−ＣＶＤ法或い１ｄＶ
ＰＥ法等気相よシ結晶成長せしめる方法を気相成長法と
称する。
好ましい。本明細書においてＭＯ−ＣＶＤ法或い１ｄＶ
ＰＥ法等気相よシ結晶成長せしめる方法を気相成長法と
称する。
なお、半導体基板に少なくとも一ノ脅の半導体層を成長
させておき、この半導体層或いはこの半導体層と基板双
方を用いて前述のストライプ状凸状部或いは凹状部を形
成することも出来る。こうして準備した基体も当然、本
明細書における半導体基板とみなしうる。
させておき、この半導体層或いはこの半導体層と基板双
方を用いて前述のストライプ状凸状部或いは凹状部を形
成することも出来る。こうして準備した基体も当然、本
明細書における半導体基板とみなしうる。
以下、実施例に基づき詳細に説明する。ここでは、波長
７８０ ｎｍの可視Ｇ ａ ＡｔＡ ｓ半導体レーザを
、ＧａＡｓ基板上にＭＢＥ法で成長した例を示す。
７８０ ｎｍの可視Ｇ ａ ＡｔＡ ｓ半導体レーザを
、ＧａＡｓ基板上にＭＢＥ法で成長した例を示す。
Ｓｉドープのｎ ＧａＡｓ基板（１１〜ｌＸ１０”ω−
５）ｌ上に、通常のホトリソグラフィ工程にょシ、第１
図（ａ）或いは第１図（ｂ）に示したストライプ・パタ
ーンを持つレジスト膜を形成し、２０ｃに保ったＨ２Ｓ
Ｏ４： Ｈ２Ｏ２：Ｈ２０＝ ５ ： １ ： １ （
体積比）のエツチング液で５〜２０秒エツチングするこ
とによシ、溝深さあるいは凸部高さが５００゜１０００
．１５００．２０００ 人の４種類の基板をそれぞれ作
製し７ｂ０ストライプ部分２の横幅Ｗは、基本モードの
みを伝搬させるように、２〜３μｍと狭くシ、かつ、ス
トライプの間隔ｔは、３〜６μｍとした。隣接ストライ
プを連結する光導波路としては、第４図（ａ）、 （ｂ
）に示したような、ストライプから滑らかに分岐して、
隣接ストライプに滑らかに接続する曲線であればよい。
５）ｌ上に、通常のホトリソグラフィ工程にょシ、第１
図（ａ）或いは第１図（ｂ）に示したストライプ・パタ
ーンを持つレジスト膜を形成し、２０ｃに保ったＨ２Ｓ
Ｏ４： Ｈ２Ｏ２：Ｈ２０＝ ５ ： １ ： １ （
体積比）のエツチング液で５〜２０秒エツチングするこ
とによシ、溝深さあるいは凸部高さが５００゜１０００
．１５００．２０００ 人の４種類の基板をそれぞれ作
製し７ｂ０ストライプ部分２の横幅Ｗは、基本モードの
みを伝搬させるように、２〜３μｍと狭くシ、かつ、ス
トライプの間隔ｔは、３〜６μｍとした。隣接ストライ
プを連結する光導波路としては、第４図（ａ）、 （ｂ
）に示したような、ストライプから滑らかに分岐して、
隣接ストライプに滑らかに接続する曲線であればよい。
別の例としては、第４図（Ｃ）に示した如く、ストライ
プをへき開面に対して角度θ傾けておき、へき開面での
反射によシ＠接ストライプにレーザ光が入射するように
してもよい。上記のパターンを形成した基板を、トリク
レン、アルコール、純水で十分超音波洗浄した。ｏち、
Ｈ２ＳＯ４： Ｈｚ０２ ： Ｈ２０＝ ５ ： １
： １（体積比）の２００の液で５秒間エツチングし、
流水につけ、スピンナー乾燥させる。これを、Ｉｎを用
いてＭｏｙｆｌｊのヒートブロックにはシっけ、直ちに
ＭＢＥ成長装置の試料変換室にセットする。
プをへき開面に対して角度θ傾けておき、へき開面での
反射によシ＠接ストライプにレーザ光が入射するように
してもよい。上記のパターンを形成した基板を、トリク
レン、アルコール、純水で十分超音波洗浄した。ｏち、
Ｈ２ＳＯ４： Ｈｚ０２ ： Ｈ２０＝ ５ ： １
： １（体積比）の２００の液で５秒間エツチングし、
流水につけ、スピンナー乾燥させる。これを、Ｉｎを用
いてＭｏｙｆｌｊのヒートブロックにはシっけ、直ちに
ＭＢＥ成長装置の試料変換室にセットする。
１Ｏ−６Ｔｏｒｒまで排気ののち、１０−”ｌ’ｏｒｒ
以下に保たれた成長室に導入し、ＡＳの分子源をあてな
がら、５６０Ｃで３０分間アニールして、表面に付着し
た酸化物を除去する。成長時は、基板温度を６８０Ｃと
し、Ｇａ、 Ａｔ、 Ａｓ、 Ｓ ｎ、 Ｂ ｅの分子
線源を用いて、通常のダブルへテロ構造レーザを成長さ
せた。この例の装置断面図を第２図および第３図に示す
。第２図、第３図の構造では２１は混晶比Ｘ〜０．４５
のｎ−Ｇａ１．、ｘＡムＡｓクランド層（Ｓｎドープ、
ｎ−１Ｘ １０ ”ｃｍ−” ）、３１は、Ｘ〜０．１
４（波長７８０ ｎｍに対応）のアンドープＧａＡｔＡ
ｓ 活性層、４１はＸ〜０．４５のｐ−クランド層（Ｂ
ｅドープ、ｐ〜Ｉ Ｘ １０” ｃｎｔ−” ）、５１
ｕｎ−ＧａＡｓキャンプ層（Ｓｎドープ、ｎｍ１×１０
”ｃｔｎ−” ）である。ｎ＋ ｐクラッド層はそれ
ぞれ１．５μｍとし、キャンプ層は０．５μｍ成長した
。
以下に保たれた成長室に導入し、ＡＳの分子源をあてな
がら、５６０Ｃで３０分間アニールして、表面に付着し
た酸化物を除去する。成長時は、基板温度を６８０Ｃと
し、Ｇａ、 Ａｔ、 Ａｓ、 Ｓ ｎ、 Ｂ ｅの分子
線源を用いて、通常のダブルへテロ構造レーザを成長さ
せた。この例の装置断面図を第２図および第３図に示す
。第２図、第３図の構造では２１は混晶比Ｘ〜０．４５
のｎ−Ｇａ１．、ｘＡムＡｓクランド層（Ｓｎドープ、
ｎ−１Ｘ １０ ”ｃｍ−” ）、３１は、Ｘ〜０．１
４（波長７８０ ｎｍに対応）のアンドープＧａＡｔＡ
ｓ 活性層、４１はＸ〜０．４５のｐ−クランド層（Ｂ
ｅドープ、ｐ〜Ｉ Ｘ １０” ｃｎｔ−” ）、５１
ｕｎ−ＧａＡｓキャンプ層（Ｓｎドープ、ｎｍ１×１０
”ｃｔｎ−” ）である。ｎ＋ ｐクラッド層はそれ
ぞれ１．５μｍとし、キャンプ層は０．５μｍ成長した
。
活性層の厚さは０．０５〜０．１μｍとした。
ＭＢＥ成長直前の到達真空度はｌＸｌ０−”Ｔｏｒｒ。
成長中の真空度はＩ Ｘ １０”’Ｔｏｒｒで、主要成
分はＡ Ｓ ４ であった。残留不純物ガスはＣｏ
、 Ｈ２０であった。ソース材料のＧａ、Ａｔ、Ａｓ、
Ｓｎはいずれも６Ｎで、Ｂｅは３Ｎであった。
分はＡ Ｓ ４ であった。残留不純物ガスはＣｏ
、 Ｈ２０であった。ソース材料のＧａ、Ａｔ、Ａｓ、
Ｓｎはいずれも６Ｎで、Ｂｅは３Ｎであった。
成長終了後のウェハは、ＩｎをとかしてＭＯブロックか
らはずしたのち、ＨＣｔで裏面のＩｎを溶かして除去す
る。このあと、第１図のパターンの形成に用いたのと同
じマスクパターンを用いて、Ｚｎ拡散を行なう。従って
、この不純物領域６１は基板に設けたストライプ状の凸
状部或いは凹状部の形状と同様の平面形状となる。拡散
マスクには、ＡＺ２０３膜を用いた。Ｚｎ拡散のフロン
トは、ｎ−キャンプ層をつきぬけて、ｐ−クラッド層の
内側０．５μｍｔで入った所で停止するように制御した
。こののち、ｐ側電極６．２、ｎ１ｌｊｌ電極６３を蒸
着して、へき開し共振器を構成し半導体レーザ素子を作
製した。各電極は通常のＧａＡｓ ＧａＡｔＡｓ系の半
導体レーザのそれで良い。電極６２の形状は、基板に設
けたストライプ状の凸状部或いは凹状部の形状に設ける
ｔようが好ましい。全面電極としても用いることも可能
ではある。素子の全長は２００〜３００μｍとし、第４
図（ａ）、 （ｂ）に示したパターン例では、ストライ
プ間の連結部が丁度素子の中央に来るようにへき関した
。第４図（Ｃ）の例では、隣接ストライプが合流してい
る部分で丁度へき開する必要がある。
らはずしたのち、ＨＣｔで裏面のＩｎを溶かして除去す
る。このあと、第１図のパターンの形成に用いたのと同
じマスクパターンを用いて、Ｚｎ拡散を行なう。従って
、この不純物領域６１は基板に設けたストライプ状の凸
状部或いは凹状部の形状と同様の平面形状となる。拡散
マスクには、ＡＺ２０３膜を用いた。Ｚｎ拡散のフロン
トは、ｎ−キャンプ層をつきぬけて、ｐ−クラッド層の
内側０．５μｍｔで入った所で停止するように制御した
。こののち、ｐ側電極６．２、ｎ１ｌｊｌ電極６３を蒸
着して、へき開し共振器を構成し半導体レーザ素子を作
製した。各電極は通常のＧａＡｓ ＧａＡｔＡｓ系の半
導体レーザのそれで良い。電極６２の形状は、基板に設
けたストライプ状の凸状部或いは凹状部の形状に設ける
ｔようが好ましい。全面電極としても用いることも可能
ではある。素子の全長は２００〜３００μｍとし、第４
図（ａ）、 （ｂ）に示したパターン例では、ストライ
プ間の連結部が丁度素子の中央に来るようにへき関した
。第４図（Ｃ）の例では、隣接ストライプが合流してい
る部分で丁度へき開する必要がある。
以上の水子とは別に、第５図に示したような、基板表面
に等間隔で、幅Ｗ＝２〜３μｍ１凸凹部高さｄ＝５００
〜１５００人の全面ストライプを形成して、同様の成長
を行ない第６図のような全面電極型７エーズドアレイも
作製した。この場合、キャンプＧ ａ Ａ ｓ層５１は
Ｉ）−ＧａＡｓ （Ｂｅドープ、ｐ＝２Ｘ１０”ｃｒｎ
’″Ｓ）で、全面にＺｎ拡散を浅く行なって接触抵抗を
下げたのち、全面に電極６４を蒸着した。６３は基板側
の電極である。こうした例においてもストライプ間隔が
小さい場合、ストライプ相互に非線形相互作用（ｏｐｔ
ｉｃａｌ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）が生じ、これまでの例と
同等の効果を得ることができる。
に等間隔で、幅Ｗ＝２〜３μｍ１凸凹部高さｄ＝５００
〜１５００人の全面ストライプを形成して、同様の成長
を行ない第６図のような全面電極型７エーズドアレイも
作製した。この場合、キャンプＧ ａ Ａ ｓ層５１は
Ｉ）−ＧａＡｓ （Ｂｅドープ、ｐ＝２Ｘ１０”ｃｒｎ
’″Ｓ）で、全面にＺｎ拡散を浅く行なって接触抵抗を
下げたのち、全面に電極６４を蒸着した。６３は基板側
の電極である。こうした例においてもストライプ間隔が
小さい場合、ストライプ相互に非線形相互作用（ｏｐｔ
ｉｃａｌ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）が生じ、これまでの例と
同等の効果を得ることができる。
以上の各側は、Ｇ ａ ＡｔＡ ｓ 系材料のレーザが
、結晶成長をＭＢＥ法で成長した場合の例をのべたが、
ＭＯ−ＣＶＤ法による成長においても本質的な違いはな
かった。また、本発明の素子構造は、■−■族化合物半
導体等を用いた半導体レーザたＩｎＧａＡｓ を活性層
とする波長１．２〜１．６帯の半へ 導体にも適用でき、同様な犬山カフニーズドアレイを得
た。また、ＧａＡｓ基板（ＧａＡｓＰ基板含む）上のＩ
ｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｔＰを活性層とする０、６〜０．
７μｍ帯の可視レーザにおいても全く同様に適用できた
。
、結晶成長をＭＢＥ法で成長した場合の例をのべたが、
ＭＯ−ＣＶＤ法による成長においても本質的な違いはな
かった。また、本発明の素子構造は、■−■族化合物半
導体等を用いた半導体レーザたＩｎＧａＡｓ を活性層
とする波長１．２〜１．６帯の半へ 導体にも適用でき、同様な犬山カフニーズドアレイを得
た。また、ＧａＡｓ基板（ＧａＡｓＰ基板含む）上のＩ
ｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｔＰを活性層とする０、６〜０．
７μｍ帯の可視レーザにおいても全く同様に適用できた
。
以上のようにして作成した７エーズド・プレイ・レーザ
装置の電流対光出力特性の例を第７図に示した。第１図
（ａ）、（ｂ）に示したパター２光連結導波路のパター
ンの差をふくむ）、第５図のパターンによる差は余シみ
られなかった。又第４図（、）〜（Ｃ）として示した光
連結導波路バダーンの差も本質的な特性の相違は生じな
かった。基本的特性を第７図に示す。室温ＣＷ動作で、
Ａは２０本のストライプのアレイの例、Ｂは４０本の例
である。
装置の電流対光出力特性の例を第７図に示した。第１図
（ａ）、（ｂ）に示したパター２光連結導波路のパター
ンの差をふくむ）、第５図のパターンによる差は余シみ
られなかった。又第４図（、）〜（Ｃ）として示した光
連結導波路バダーンの差も本質的な特性の相違は生じな
かった。基本的特性を第７図に示す。室温ＣＷ動作で、
Ａは２０本のストライプのアレイの例、Ｂは４０本の例
である。
４０本のストライプのアレイのＢ例では最高１．７Ｗの
出力を得た。
出力を得た。
従来報告されている７エーズドアレイでは、活性層に安
定な屈折率導波機構をもたないために、第８図（ａ）に
示した如く、活性層に平行方向の遠視野像は、モードの
不均一を反映した、不規則なものである。一方、本発明
の素子は、いずれも各スポットの光出力が均一であるた
めに、第８図（ｂ）に示した如くきわめて規則的であっ
た。
定な屈折率導波機構をもたないために、第８図（ａ）に
示した如く、活性層に平行方向の遠視野像は、モードの
不均一を反映した、不規則なものである。一方、本発明
の素子は、いずれも各スポットの光出力が均一であるた
めに、第８図（ｂ）に示した如くきわめて規則的であっ
た。
以上のべてきたように、本発明の７エーズド・アレイ・
レーザは、基板結晶表面にリングラフィでパターンを形
成することによシ、１回の結晶成長で再現性良く素子作
製でき、実用上の効果はきわめて太きい。
レーザは、基板結晶表面にリングラフィでパターンを形
成することによシ、１回の結晶成長で再現性良く素子作
製でき、実用上の効果はきわめて太きい。
第１図は本発明のフェーズド・アレイ・レーザ用の基板
の例を示す斜視図、第２図は凸ストライプを有する基板
に形成した本発明の７エーズド・プレイ・レーザの断面
図であシ、第３図は凹スト′ライプを有する基板に形成
したものの断面図である。第４図は基板パターンの例を
示す平面図、第５図は別な基板パターンの例を示す斜視
図、第６図は第５図に示した基板を用いたフエー、ズド
・アレイ・レーザの断面図、第７図は本発明のフェーズ
ド・アレイ・レーザの電流対光出力特性を示す図、第８
図は従来例と本発明の例における遠視野１象を比較した
図である。 １・・・基板、２・・・ストライプ領域、３・・・隣」
妾したストライプを連絡する導波路、２１．４１・・・
クランド層、３１・・・活性層、５１・・・キャンプ層
、７・・・発光領域、６１・・・電極領域、６２．６３
・・・電極、第 １ 図 （ｏ−２ （ｂ） ３′ ２′ 算Ｚ図 第 ３ 図 第 ４ 図 （α〕 （ｂン ＜Ｃ） 築 ５ 図 ｔ′Ｉ”１ｌＬＪ ’ｆ、ｇ ３ （久２ θ （ｂ）
の例を示す斜視図、第２図は凸ストライプを有する基板
に形成した本発明の７エーズド・プレイ・レーザの断面
図であシ、第３図は凹スト′ライプを有する基板に形成
したものの断面図である。第４図は基板パターンの例を
示す平面図、第５図は別な基板パターンの例を示す斜視
図、第６図は第５図に示した基板を用いたフエー、ズド
・アレイ・レーザの断面図、第７図は本発明のフェーズ
ド・アレイ・レーザの電流対光出力特性を示す図、第８
図は従来例と本発明の例における遠視野１象を比較した
図である。 １・・・基板、２・・・ストライプ領域、３・・・隣」
妾したストライプを連絡する導波路、２１．４１・・・
クランド層、３１・・・活性層、５１・・・キャンプ層
、７・・・発光領域、６１・・・電極領域、６２．６３
・・・電極、第 １ 図 （ｏ−２ （ｂ） ３′ ２′ 算Ｚ図 第 ３ 図 第 ４ 図 （α〕 （ｂン ＜Ｃ） 築 ５ 図 ｔ′Ｉ”１ｌＬＪ ’ｆ、ｇ ３ （久２ θ （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板表面にストライプ状の凸状部又は凹状部
を複数本隣接して設け、且つこれら隣接する凸状部相互
又は凹状部相互はこれらをなめらかに連結する凸状部又
は凹状部で連結され、当該基板上部に少なくとも第１の
半導体層、第２の半導体層および第３の半導体層が各半
導体層表面が前記半導体基板表面の複数のストライプ状
の凸状部又は凹状部形状を実質的に再現する様に積層さ
れ、前記第１および第３の半導体層は前記第２の半導体
層よシ屈折率においてよυ小さく、禁制帯幅において大
であシ且つ互いに反対導電型を有する半導体層であるこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。 ２ 前記凸状部又は凹状部の段差が５Ｑｎｍ〜２００ｎ
ｍなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
導体レーザ装置。 ３、前記半導体積層上に設けられる電極が前記ストライ
プ状の凸状部又は凹状部およびこれら隣接する凸状部又
は凹状部を連結する凸状部又は凹状部のパターン対応し
た形状に設けられてなることを特徴とする特許請求の範
囲第１項又は第２項記載の半導体レーザ装置。 ４、 前記第１．第２および第３の半導体層が分子線エ
ピタキシャル法或いは気相成長法で形成されてなること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ
装置。 ５、半導体基板表面にストライプ状の凸状部又は凹状部
を値数本隣接して設け、当該基板上部に少なくとも第１
の半導体層、第２の半導体層および第３の半導体層が各
半導体層表面が前記半導体基板表面の複数のストライプ
状の凸状部又は凹状部形状を実質的に再現するように積
層され、前記第１および第３の半導体ノーは前記第２の
半導体層よシ屈折率において小さく、禁制帯幅において
大であシ且つ互いに反対導電型を有し、前記半導体基板
および当該半導体基板上に積層した半導体積層上の全面
に電極を有すること全特徴とする半導体レーザ装置。 ６． 前記ストライプ状の凸状部又は凹状部の段差が５
Ｑｎｍ〜１５０ ｎｍなることを特徴とする特許請求の
範囲第３項記載の半導体レーザ装置。 ７、 前記第１．第２および第３の半導体層が分子線エ
ピタキシャル法或いは気相成長法で形成されてなること
を特徴とする特許請求の範囲第５項記載の半導体レーザ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20941982A JPS59100583A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20941982A JPS59100583A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59100583A true JPS59100583A (ja) | 1984-06-09 |
Family
ID=16572560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20941982A Pending JPS59100583A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59100583A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6118187A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| JPS6129190A (ja) * | 1984-07-19 | 1986-02-10 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JPS6130090A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-12 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS6142986A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
| EP0193404A2 (en) * | 1985-02-28 | 1986-09-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser array device |
| US5692001A (en) * | 1994-09-06 | 1997-11-25 | U.S. Philips Corporation | Optoelectronic semiconductor device with a semiconductor diode laser |
| JP2001284732A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多波長レーザ発光装置、当該装置に用いられる半導体レーザアレイ素子及び当該半導体レーザアレイ素子の製造方法 |
-
1982
- 1982-12-01 JP JP20941982A patent/JPS59100583A/ja active Pending
Cited By (9)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS6367351B2 (ja) * | 1984-07-19 | 1988-12-26 | Rohm Kk | |
| JPS6130090A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-12 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
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| US4750185A (en) * | 1985-02-28 | 1988-06-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array device |
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| JP2001284732A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多波長レーザ発光装置、当該装置に用いられる半導体レーザアレイ素子及び当該半導体レーザアレイ素子の製造方法 |
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