JPS6130090A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS6130090A JPS6130090A JP59150589A JP15058984A JPS6130090A JP S6130090 A JPS6130090 A JP S6130090A JP 59150589 A JP59150589 A JP 59150589A JP 15058984 A JP15058984 A JP 15058984A JP S6130090 A JPS6130090 A JP S6130090A
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- JP
- Japan
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- region
- regions
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- striped
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4068—Edge-emitting structures with lateral coupling by axially offset or by merging waveguides, e.g. Y-couplers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、コヒーレントな低放射角大出力ビームの得ら
れる半導体レーザに関するものである。
れる半導体レーザに関するものである。
（従来技術とその問題点）
半導体レーザにおいて、コヒーレントな低放射角大出力
ビームを得るために、発振領域を複数のストライプ状発
振領域に分割したレーザ構造が用いられている。この種
の半導体レーザをその複数のストライプ状発振領域にお
ける光の導波手段で分別すると、大きく分けて、利得導
波形のレーザ（その−例は、エレクトロニクス・レター
ズ（Ｅｌｅｅｔｒｏｎ、Ｌｅｔｔ、） 、 １９巻１
９８３年１６９ページに報告されている）と、屈折率導
波形のレーザ（その−例は、アブ２イド・フィジックス
・レターズ（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、） ４
３巻１９８３年１０９６ページに報告されている）が存
在する。
ビームを得るために、発振領域を複数のストライプ状発
振領域に分割したレーザ構造が用いられている。この種
の半導体レーザをその複数のストライプ状発振領域にお
ける光の導波手段で分別すると、大きく分けて、利得導
波形のレーザ（その−例は、エレクトロニクス・レター
ズ（Ｅｌｅｅｔｒｏｎ、Ｌｅｔｔ、） 、 １９巻１
９８３年１６９ページに報告されている）と、屈折率導
波形のレーザ（その−例は、アブ２イド・フィジックス
・レターズ（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、） ４
３巻１９８３年１０９６ページに報告されている）が存
在する。
しかし、この２つの形それぞれには一長一短があシ、利
得導波形では、ストライプ状発振領域間で光の位相が同
期され九コヒーレントな出力は得られやすいが、安定し
た空間モードは得られにくく、屈折率導波形では、個々
のストライプ状発振領域での空間モードは安定するが、
個々のストライプ状発振領域間の位相の同期は得られに
くい。
得導波形では、ストライプ状発振領域間で光の位相が同
期され九コヒーレントな出力は得られやすいが、安定し
た空間モードは得られにくく、屈折率導波形では、個々
のストライプ状発振領域での空間モードは安定するが、
個々のストライプ状発振領域間の位相の同期は得られに
くい。
（発明の目的）
本発明の目的は、空間モードの安定したコヒーレントな
出力が得られやすい構造の、複数のストライブ状発振領
域を有する半導体レーザを提供する事にある。
出力が得られやすい構造の、複数のストライブ状発振領
域を有する半導体レーザを提供する事にある。
（発明の構成）
本発明は、多層ヘテロ構造を備え、積層面と平行な一平
面上に互いに平行に隣接して設けた複数のストライプ状
発振領域を有する半導体レーザにおいて、複数のストラ
イプ状発振領域ナベでに交し 差％、複数のストライプ状発振領域とほぼ等しい屈折率
を持つストライプ状領域を有することに特徴がある。複
数のストライプ状発振領域に集中して電流を注入できる
電流狭窄構造を有すると、効果はさらに増大する。
面上に互いに平行に隣接して設けた複数のストライプ状
発振領域を有する半導体レーザにおいて、複数のストラ
イプ状発振領域ナベでに交し 差％、複数のストライプ状発振領域とほぼ等しい屈折率
を持つストライプ状領域を有することに特徴がある。複
数のストライプ状発振領域に集中して電流を注入できる
電流狭窄構造を有すると、効果はさらに増大する。
（本発明の作用、原理）
図面を用いて本発明の原理を以下に説明する。
第１図は、複数のストライプ状発振領域を含む平面で本
発明による半導体レーザ曇ミ鼻を切った時の斜視図であ
る。この時、複数のストライプ状発振領域１１と同一平
面上に、これらと同じ屈折率を持つ領域１２が交差して
存在している。この構造では、屈折率導波の領域１３で
は、光はストライプ状発振領域と、そのまわルの領域の
屈折率の差、つｔｂは複素誘電率の実部の差、によって
決定されるモードで伝搬する。そして、領域１２では、
ストライプ状発振領域とその外部との屈折率の差がない
ため、光はこの部分で回折によシ広がる。通常の屈折率
導波形の、複数のストライプ状発振領域を有する半導体
レーザでは、光学的な結合は、ストライプ状発振領域を
しみ出した光でしか行なわれない。そのため、従来はス
トライプ状発振領域間の光学的な結合が不十分で、各々
のストライプ状領域を伝播するレーザ光の間の位相の同
期が得られにくかった。本発明では、ストライプ状発振
領域間での光学的な結合を強化するために、光が回折に
よシ拡がる領域、すなわち、ストライプ状発振領域と同
じ屈折率を持つ領域１２を加えたため、ストライプ状発
振領域間の光学的な結合が領域１２で、非常に効率的に
行なわれる。
発明による半導体レーザ曇ミ鼻を切った時の斜視図であ
る。この時、複数のストライプ状発振領域１１と同一平
面上に、これらと同じ屈折率を持つ領域１２が交差して
存在している。この構造では、屈折率導波の領域１３で
は、光はストライプ状発振領域と、そのまわルの領域の
屈折率の差、つｔｂは複素誘電率の実部の差、によって
決定されるモードで伝搬する。そして、領域１２では、
ストライプ状発振領域とその外部との屈折率の差がない
ため、光はこの部分で回折によシ広がる。通常の屈折率
導波形の、複数のストライプ状発振領域を有する半導体
レーザでは、光学的な結合は、ストライプ状発振領域を
しみ出した光でしか行なわれない。そのため、従来はス
トライプ状発振領域間の光学的な結合が不十分で、各々
のストライプ状領域を伝播するレーザ光の間の位相の同
期が得られにくかった。本発明では、ストライプ状発振
領域間での光学的な結合を強化するために、光が回折に
よシ拡がる領域、すなわち、ストライプ状発振領域と同
じ屈折率を持つ領域１２を加えたため、ストライプ状発
振領域間の光学的な結合が領域１２で、非常に効率的に
行なわれる。
なおかつ、領域１２で光学的に結合した光は、ストライ
プ状発振領域の他の部分では、通常の屈折率導波形のレ
ーザと同じ導波が行なわれるため、安定した空間モード
で、端面よ多出力光がとシ出せ、空間モードの変化によ
る不安定性が生じることもない。
プ状発振領域の他の部分では、通常の屈折率導波形のレ
ーザと同じ導波が行なわれるため、安定した空間モード
で、端面よ多出力光がとシ出せ、空間モードの変化によ
る不安定性が生じることもない。
また、上述の構造に加え、ストライプ状発振領域にのみ
電流が注入される構造を採用すると、第１図の領域１２
において、ストライプ状発振領域と交差している部分に
のみ電流が注入されるため、ストライプ状発振領域で、
領域１２の部分は、利得によシ導波される形になる。こ
の利得による導波は強いものでなく、一般に光は広がっ
て導波される。この電流注入の構造が表い場合、領域１
２の幅が広すぎると、光は回折によシ拡がシすぎてうま
く発振しなくなる事があるが、電流注入の構造があると
、利得による弱い導波のため、領域１２０幅が多少広め
でもよく、素子作製上の困難さが減少される。
電流が注入される構造を採用すると、第１図の領域１２
において、ストライプ状発振領域と交差している部分に
のみ電流が注入されるため、ストライプ状発振領域で、
領域１２の部分は、利得によシ導波される形になる。こ
の利得による導波は強いものでなく、一般に光は広がっ
て導波される。この電流注入の構造が表い場合、領域１
２の幅が広すぎると、光は回折によシ拡がシすぎてうま
く発振しなくなる事があるが、電流注入の構造があると
、利得による弱い導波のため、領域１２０幅が多少広め
でもよく、素子作製上の困難さが減少される。
以上の説明ではストライプ状発振領域に交叉する領域に
は各発振領域に対しそれぞれ１つであったが、複数あっ
ても本質的には変ら々い（第４図（ｂ））。又、第４図
（ａ） 、 （ｂｌに示す如く領域１２が発振領域を完
全に横ぎることなく途中で跡切れていてもよい。
は各発振領域に対しそれぞれ１つであったが、複数あっ
ても本質的には変ら々い（第４図（ｂ））。又、第４図
（ａ） 、 （ｂｌに示す如く領域１２が発振領域を完
全に横ぎることなく途中で跡切れていてもよい。
（実施例）
第２図に本発明の第１の実施例の半導体レーザの断面図
を示す。これは、ストライプ状発振領域と、第１図にお
ける領域１２の両方の構造がわかるような２つの断面を
選んだものである。この半導体レーザは、Ｓドープｎ型
のニー基板２１上にＳドープｎ型ＩｎＰのバッファ一層
２２ノンドープのバンドギャップ０．９７・ＶのＩｎＧ
ａＡｓＰの活性層２３、Ｚｎ ドープｐ型ＩｎＰクラッ
ド層２４をそれぞれ結晶成長によシ作製し、次に、通常
のフォトリソグラフィー法で、発振領域となる１、５μ
ｍの幅のストライプ２５をｚＯμｍ間幅で１０本残し、
かつ、１０本のストライプすべてに交差するように、光
学的結合をおこす１．５μｍ幅のストライプ２６をも残
し、その上にＺｎ ドープト型、ＩｎＰ層２７、Ｓドー
プｎ型ＩｎＰ層２８、Ｚｎドープｐ型ＩｎＰ層２９、Ｚ
ｎ ドープト型ＩｎＧａＡａＰのキャップ層２Ａ、そ
して、１０本のストライプすべてにかかる広い電極２Ｂ
を作製したものである。この時、ストライプをフォトリ
ソグラフィー法で作製した後にｐ型ＩｎＰ ２７とｎ型
ＩｎＰ ２８とを結晶成長する際には、成長時間を選ぶ
事によシ１．５μｍの幅のストライプの上にはこれら２
層を積層させない事ができる。この事によ、り、１．５
μｍ幅のストライプ、つまり１０本のストライプ状発振
領域２５と、これらすべてと交差する１本のストライプ
２６すべでの上にこれら２層２８．２９を積層させない
様にした。
を示す。これは、ストライプ状発振領域と、第１図にお
ける領域１２の両方の構造がわかるような２つの断面を
選んだものである。この半導体レーザは、Ｓドープｎ型
のニー基板２１上にＳドープｎ型ＩｎＰのバッファ一層
２２ノンドープのバンドギャップ０．９７・ＶのＩｎＧ
ａＡｓＰの活性層２３、Ｚｎ ドープｐ型ＩｎＰクラッ
ド層２４をそれぞれ結晶成長によシ作製し、次に、通常
のフォトリソグラフィー法で、発振領域となる１、５μ
ｍの幅のストライプ２５をｚＯμｍ間幅で１０本残し、
かつ、１０本のストライプすべてに交差するように、光
学的結合をおこす１．５μｍ幅のストライプ２６をも残
し、その上にＺｎ ドープト型、ＩｎＰ層２７、Ｓドー
プｎ型ＩｎＰ層２８、Ｚｎドープｐ型ＩｎＰ層２９、Ｚ
ｎ ドープト型ＩｎＧａＡａＰのキャップ層２Ａ、そ
して、１０本のストライプすべてにかかる広い電極２Ｂ
を作製したものである。この時、ストライプをフォトリ
ソグラフィー法で作製した後にｐ型ＩｎＰ ２７とｎ型
ＩｎＰ ２８とを結晶成長する際には、成長時間を選ぶ
事によシ１．５μｍの幅のストライプの上にはこれら２
層を積層させない事ができる。この事によ、り、１．５
μｍ幅のストライプ、つまり１０本のストライプ状発振
領域２５と、これらすべてと交差する１本のストライプ
２６すべでの上にこれら２層２８．２９を積層させない
様にした。
その結果、ストライプ以外の領域は、基板から考えてｎ
−ｐ−ｎ−ｐ となシ、電流は流れず、ストライプの
領域２５及び２６にのみ電流が注入される。
−ｐ−ｎ−ｐ となシ、電流は流れず、ストライプの
領域２５及び２６にのみ電流が注入される。
この半導体レーザにおいては、複数のストライプ状発振
領域２５及びストライプ状の領域２６に集中して注入電
流が流れるので、広い電極２Ｂを用いても、よい発振特
性が得られた。そして、端面よシの発振光の出力は、通
常のストライプ状発振領域が１つの半導体レーザよシの
出力のハホ１０倍で、かつ発振光のモードも、空間的に
安定なものであっ九。そして、ストライプ状発振領域間
で光の位相が同期されたコヒーレントな発振光であるた
め、平面方向の出力光の半値全角もおよそ６０と非常に
小さい値をとった。
領域２５及びストライプ状の領域２６に集中して注入電
流が流れるので、広い電極２Ｂを用いても、よい発振特
性が得られた。そして、端面よシの発振光の出力は、通
常のストライプ状発振領域が１つの半導体レーザよシの
出力のハホ１０倍で、かつ発振光のモードも、空間的に
安定なものであっ九。そして、ストライプ状発振領域間
で光の位相が同期されたコヒーレントな発振光であるた
め、平面方向の出力光の半値全角もおよそ６０と非常に
小さい値をとった。
次に、本発明筒２の実施例を、第３図を用いて説明する
。第３図はＳドーグｎ型ＩｎＰ基板３１上に、幅３μｍ
、深さ１μｍの溝３２を１０本、２μｍ間隔でストライ
プ状発振領域に対応するものとして作製し、かつ、これ
ら１０本の溝に交差するように、幅２μｍ、深さ１μｍ
の溝３３を作製し、これらの上に、バンドギャップ１．
１＠ＶのＳドープｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層３４．
バンドギャップ０．９７ｅＶのノンドープＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層３５をそれぞれ０，２μｍ、 Ｑ、１μｍの厚
さで結晶成長によシ作製し、その上にＺｎドープｐ型Ｉ
ｎＰのクラッド層３６、Ｚｎ ドープｐ型ＩｎＧａＡ
ｓＰのキ’ｒｙプ層３７、そして、１０本の溝すべてに
かかる広い電極３８を作製したものの断面図である。本
実施例においては、活性層３５平面内にあられな屈折率
の差はないが、活性層３５平面と、基板３１との間の距
離が、基板に溝を作製した上部の所だけ大きいので、活
性層３５平面内で溝の上部の所だけ実効的に屈折率が大
きい状態となる。よって、この本実施例においても、第
１の実施例と同じ効果が得られた。
。第３図はＳドーグｎ型ＩｎＰ基板３１上に、幅３μｍ
、深さ１μｍの溝３２を１０本、２μｍ間隔でストライ
プ状発振領域に対応するものとして作製し、かつ、これ
ら１０本の溝に交差するように、幅２μｍ、深さ１μｍ
の溝３３を作製し、これらの上に、バンドギャップ１．
１＠ＶのＳドープｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層３４．
バンドギャップ０．９７ｅＶのノンドープＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層３５をそれぞれ０，２μｍ、 Ｑ、１μｍの厚
さで結晶成長によシ作製し、その上にＺｎドープｐ型Ｉ
ｎＰのクラッド層３６、Ｚｎ ドープｐ型ＩｎＧａＡ
ｓＰのキ’ｒｙプ層３７、そして、１０本の溝すべてに
かかる広い電極３８を作製したものの断面図である。本
実施例においては、活性層３５平面内にあられな屈折率
の差はないが、活性層３５平面と、基板３１との間の距
離が、基板に溝を作製した上部の所だけ大きいので、活
性層３５平面内で溝の上部の所だけ実効的に屈折率が大
きい状態となる。よって、この本実施例においても、第
１の実施例と同じ効果が得られた。
次に、第３の実施例として作製した、複数のストライプ
状発振領域にのみ電流が注入される構造の半導体レーザ
について説明する。これは第１の実施例と同様な手順、
構成で作製した。ただし、第２図におけるストライプ２
６の幅を４μｍとした。
状発振領域にのみ電流が注入される構造の半導体レーザ
について説明する。これは第１の実施例と同様な手順、
構成で作製した。ただし、第２図におけるストライプ２
６の幅を４μｍとした。
実際の作製の順序方法も同じであるが、ストライプ２６
の幅がかなシ広いため、電流をブロックするためのｐ型
ＩｎＰ ２７とｎ型ＩｎＰ ２８は、ストライプ２６の
上に、ストライプ２６とストライプ２５が交差する所以
外は結晶成長した。このため、１０本のストライプ２５
の所だけに電流が注入される。１本のストライプ２６は
、活性層平面内で活性層と同じ屈折率は持つが、電流は
ストライプ２６の中では、ストライプ２５と交差する所
にだけ注入される。
の幅がかなシ広いため、電流をブロックするためのｐ型
ＩｎＰ ２７とｎ型ＩｎＰ ２８は、ストライプ２６の
上に、ストライプ２６とストライプ２５が交差する所以
外は結晶成長した。このため、１０本のストライプ２５
の所だけに電流が注入される。１本のストライプ２６は
、活性層平面内で活性層と同じ屈折率は持つが、電流は
ストライプ２６の中では、ストライプ２５と交差する所
にだけ注入される。
本実施例では、ストライプ２６の幅の誤差がかなシ許さ
れ、かつ、第１の実施例で得ら九た効果も再現性よく得
られた。
れ、かつ、第１の実施例で得ら九た効果も再現性よく得
られた。
ここでは３つの実施例について述べたが、本発明は、複
数のストライプ状発振領域と同じ屈折率を持ツ領域が、
複数のストライプ状発振領域と交差して存在する事が本
質であシ、製造法、材料等に限定されないのは明らかで
ある。
数のストライプ状発振領域と同じ屈折率を持ツ領域が、
複数のストライプ状発振領域と交差して存在する事が本
質であシ、製造法、材料等に限定されないのは明らかで
ある。
（発明の効果）
このような半導体レーザは、大出力でかつ出力光の安定
した空間モードが得られやすく、ストライプ状発振領域
間で光の位相が同期されたコヒーレントな発振光も得ら
れやすいという特徴を有する。
した空間モードが得られやすく、ストライプ状発振領域
間で光の位相が同期されたコヒーレントな発振光も得ら
れやすいという特徴を有する。
第１図は、本発明による半導体レーザを、複数のストラ
イプ状発振領域を含む平面で切った時の斜視図。第２図
は、第１の実施例の半導体レーザの断面図。第３図は、
第２の実施例の半導体レーザの断面図である。第４図（
ａ） 、 （ｂｌは本発明の変形例を示す図である。 図において、 １１−・・ストライプ状発振領域 １２・−ストライプ状発振領域と同じ屈折率を持つ領域
１３・−屈折率導波の領域 ２１−Ｓドープｎ ｍ ＩｎＰ基板 ２２−Ｓドープｎ ｆＪ ＩｎＰバッファ一層２３−・
・バンドギャップ０．９７ｅＶのノンドープＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層 ２４・−Ｚｎ ドープｐ型ＩｎＰクラッド層２５−・・
発振領域である１、５μｍ幅のストライプ２６・・・光
学的な結合をおこす１．５μｍ幅のストライプ２７−＝
Ｚｎドープｐ型ＩｎＰ層 ２８−Ｓドープｎ型ＩｎＰ層 ２９＝Ｚｎド一プｐ型ＩｎＰ層 ２ＡＺｎ ドープｐ型ＩｎＧａＡｓＰキａｒｙプ層２
Ｂ・−広い電極 ３１ ・・・基板３２ ・・・
幅３μｍ、深さ１μｍの溝３３−幅２ｔｔｍ、Ｒさｌｔ
ｔｍの溝 ３４ ・・・光ガイド層 ３５・・・活性層
。 ３６−り２ラド層 ３７・・・キャップ層３８・・
・広い電極 である。 第１図 第４図
イプ状発振領域を含む平面で切った時の斜視図。第２図
は、第１の実施例の半導体レーザの断面図。第３図は、
第２の実施例の半導体レーザの断面図である。第４図（
ａ） 、 （ｂｌは本発明の変形例を示す図である。 図において、 １１−・・ストライプ状発振領域 １２・−ストライプ状発振領域と同じ屈折率を持つ領域
１３・−屈折率導波の領域 ２１−Ｓドープｎ ｍ ＩｎＰ基板 ２２−Ｓドープｎ ｆＪ ＩｎＰバッファ一層２３−・
・バンドギャップ０．９７ｅＶのノンドープＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層 ２４・−Ｚｎ ドープｐ型ＩｎＰクラッド層２５−・・
発振領域である１、５μｍ幅のストライプ２６・・・光
学的な結合をおこす１．５μｍ幅のストライプ２７−＝
Ｚｎドープｐ型ＩｎＰ層 ２８−Ｓドープｎ型ＩｎＰ層 ２９＝Ｚｎド一プｐ型ＩｎＰ層 ２ＡＺｎ ドープｐ型ＩｎＧａＡｓＰキａｒｙプ層２
Ｂ・−広い電極 ３１ ・・・基板３２ ・・・
幅３μｍ、深さ１μｍの溝３３−幅２ｔｔｍ、Ｒさｌｔ
ｔｍの溝 ３４ ・・・光ガイド層 ３５・・・活性層
。 ３６−り２ラド層 ３７・・・キャップ層３８・・
・広い電極 である。 第１図 第４図
Claims (1)
- 多層ヘテロ構造を備え、積層面と平行な一平面上に互い
に平行に隣接して設けた複数のストライプ状発振領域を
有する半導体レーザにおいて、複数のストライプ状発振
領域に交差し、かつ複数のストライプ状発振領域とほぼ
等しい屈折率を持つストライプ状領域を有することを特
徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59150589A JPS6130090A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59150589A JPS6130090A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130090A true JPS6130090A (ja) | 1986-02-12 |
Family
ID=15500187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59150589A Pending JPS6130090A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6130090A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6254989A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-10 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH04209206A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-30 | Nippon Steel Corp | アンカー基礎杭の造成方法 |
Citations (6)
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| JPS5561086A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-08 | Xerox Corp | Monolithic laser device |
| JPS5681993A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-04 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser element |
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| JPS57184274A (en) * | 1981-05-08 | 1982-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser and manufacture thereof |
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| JPS59100583A (ja) * | 1982-12-01 | 1984-06-09 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP59150589A patent/JPS6130090A/ja active Pending
Patent Citations (6)
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