JPH07193316A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH07193316A JPH07193316A JP5333572A JP33357293A JPH07193316A JP H07193316 A JPH07193316 A JP H07193316A JP 5333572 A JP5333572 A JP 5333572A JP 33357293 A JP33357293 A JP 33357293A JP H07193316 A JPH07193316 A JP H07193316A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 自励発振型半導体レーザすなわちいわゆるパ
ルセーション型半導体レーザにおいて、高出力化と低非
点隔差化をはかるものである。 【構成】 Ａｌを含むＩＩＩ−Ｖ族系半導体レーザにお
いて、第１導電型の第１のクラッド層２２と、活性層２
３と、第２導電型の第２のクラッド層２４とが順次エピ
タキシーされ、第２のクラッド層２４の電流通路部を挟
んでその両側に凹部２５が形成され、この凹部２５内の
第２のクラッド層２４の表面に活性層２３と同組成の過
飽和吸収体層２６がエピタキシーされ、この過飽和吸収
体層２６を介して電流ブロック層２７がエピタキシーさ
れ、電流ブロック層２７のＡｌの含有量を第２のクラッ
ド層２４のＡｌの含有量に比し大に選定した構成とす
る。
ルセーション型半導体レーザにおいて、高出力化と低非
点隔差化をはかるものである。 【構成】 Ａｌを含むＩＩＩ−Ｖ族系半導体レーザにお
いて、第１導電型の第１のクラッド層２２と、活性層２
３と、第２導電型の第２のクラッド層２４とが順次エピ
タキシーされ、第２のクラッド層２４の電流通路部を挟
んでその両側に凹部２５が形成され、この凹部２５内の
第２のクラッド層２４の表面に活性層２３と同組成の過
飽和吸収体層２６がエピタキシーされ、この過飽和吸収
体層２６を介して電流ブロック層２７がエピタキシーさ
れ、電流ブロック層２７のＡｌの含有量を第２のクラッ
ド層２４のＡｌの含有量に比し大に選定した構成とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ特に自励
発振型半導体レーザいわゆるパルセーションレーザに係
わる。
発振型半導体レーザいわゆるパルセーションレーザに係
わる。
【０００２】
【従来の技術】従来、自励発振型低ノイズレーザを設計
する場合は、一般に活性層のストライプ状共振器部の外
側においてその活性層の一部を過飽和吸収体としてい
る。図４は、この種の従来の半導体レーザの概略的断面
図で、この場合例えばｎ型のＧａＡｓ基板による基体１
上にｎ型のＡｌＧａＡｓによる第１のクラッド層２、Ｇ
ａＡｓによる活性層３、ｐ型のＡｌＧａＡｓによる第２
のクラッド層４、ｐ型のＧａＡｓによるキャップ層５が
形成され、ストライプ状の共振器構成部上の電流通路を
挟んでその両側に電流ブロック層６が形成されて成る。
する場合は、一般に活性層のストライプ状共振器部の外
側においてその活性層の一部を過飽和吸収体としてい
る。図４は、この種の従来の半導体レーザの概略的断面
図で、この場合例えばｎ型のＧａＡｓ基板による基体１
上にｎ型のＡｌＧａＡｓによる第１のクラッド層２、Ｇ
ａＡｓによる活性層３、ｐ型のＡｌＧａＡｓによる第２
のクラッド層４、ｐ型のＧａＡｓによるキャップ層５が
形成され、ストライプ状の共振器構成部上の電流通路を
挟んでその両側に電流ブロック層６が形成されて成る。
【０００３】この構成において、活性層３の両側に斜線
を付して示すように、過飽和吸収体領域Ｋが形成される
ようになされている。この場合、過飽和吸収体領域Ｋま
で光を広げて、故意に光を吸収させないと自励発振が生
じない。したがって、そのストライプ部の内外の屈折率
差Δｎをできるだけ小さく例えばΔｎ＜３×１０-3にす
る必要があり、このためインデックス性が弱まり、非点
隔差が大となる。
を付して示すように、過飽和吸収体領域Ｋが形成される
ようになされている。この場合、過飽和吸収体領域Ｋま
で光を広げて、故意に光を吸収させないと自励発振が生
じない。したがって、そのストライプ部の内外の屈折率
差Δｎをできるだけ小さく例えばΔｎ＜３×１０-3にす
る必要があり、このためインデックス性が弱まり、非点
隔差が大となる。
【０００４】一方、例えば光磁気記録の記録用光源とし
て半導体レーザを用いる場合、例えば３０〜４０ｍＷと
いう高出力の半導体レーザが必要とされているが、この
ように高出力領域で動作させる場合、低出力の場合に比
し、光子数の増え方がかなり速いために過飽和吸収体領
域Ｋはすぐに飽和してしまい、一度は吸収損失が減りし
きいキャリア密度は下がるが、光子数が余り多いと定常
的に過飽和吸収体領域Ｋが過飽和状態を保持してしまう
ために、再び吸収損失が増えることがなくなって発振が
停止せずパルセーションが起こりにくくなるという問題
が生じる。
て半導体レーザを用いる場合、例えば３０〜４０ｍＷと
いう高出力の半導体レーザが必要とされているが、この
ように高出力領域で動作させる場合、低出力の場合に比
し、光子数の増え方がかなり速いために過飽和吸収体領
域Ｋはすぐに飽和してしまい、一度は吸収損失が減りし
きいキャリア密度は下がるが、光子数が余り多いと定常
的に過飽和吸収体領域Ｋが過飽和状態を保持してしまう
ために、再び吸収損失が増えることがなくなって発振が
停止せずパルセーションが起こりにくくなるという問題
が生じる。
【０００５】このように、通常一般の自励発振型の半導
体レーザでは、高出力化および低非点隔差化が困難であ
るという問題があった。
体レーザでは、高出力化および低非点隔差化が困難であ
るという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、自励発振型
半導体レーザすなわちいわゆるパルセーション型半導体
レーザにおいて、高出力化と低非点隔差化の問題の解決
をはかるものである。
半導体レーザすなわちいわゆるパルセーション型半導体
レーザにおいて、高出力化と低非点隔差化の問題の解決
をはかるものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の本発明は、ＩＩ−
ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族系半導体レーザにおいて、図１に
その一例の概略断面図を示すように、第１導電型の第１
のクラッド層２２と、活性層２３と、第２導電型の第２
のクラッド層２４とが順次エピタキシーされ、第２のク
ラッド層２４の電流通路部を挟んでその両側に凹部２５
が形成され、この凹部２５内の第２のクラッド層２４の
表面に活性層２３と同組成の過飽和吸収体層２６がエピ
タキシーされ、この過飽和吸収体層２６を介して電流ブ
ロック層２７がエピタキシーされ、電流ブロック層２７
の屈折率を第２のクラッド層２４の屈折率に比し小に選
定した構成とする。
ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族系半導体レーザにおいて、図１に
その一例の概略断面図を示すように、第１導電型の第１
のクラッド層２２と、活性層２３と、第２導電型の第２
のクラッド層２４とが順次エピタキシーされ、第２のク
ラッド層２４の電流通路部を挟んでその両側に凹部２５
が形成され、この凹部２５内の第２のクラッド層２４の
表面に活性層２３と同組成の過飽和吸収体層２６がエピ
タキシーされ、この過飽和吸収体層２６を介して電流ブ
ロック層２７がエピタキシーされ、電流ブロック層２７
の屈折率を第２のクラッド層２４の屈折率に比し小に選
定した構成とする。
【０００８】第２の本発明は、Ａｌ（アルミニウム）を
含むＩＩＩ−Ｖ族系半導体レーザにおいて、図１にその
一例の概略断面図を示すように、第１導電型の第１のク
ラッド層２２と、活性層２３と、第２導電型の第２のク
ラッド層２４とが順次エピタキシーされ、第２のクラッ
ド層２４の電流通路部を挟んでその両側に凹部２５が形
成され、この凹部２５内の第２のクラッド層２４の表面
に活性層２３と同組成の過飽和吸収体層２６がエピタキ
シーされ、この過飽和吸収体層２６を介して電流ブロッ
ク層２７がエピタキシーされ、電流ブロック層２７のＡ
ｌの含有量を第２のクラッド層２４のＡｌの含有量に比
し大に選定した構成とする。
含むＩＩＩ−Ｖ族系半導体レーザにおいて、図１にその
一例の概略断面図を示すように、第１導電型の第１のク
ラッド層２２と、活性層２３と、第２導電型の第２のク
ラッド層２４とが順次エピタキシーされ、第２のクラッ
ド層２４の電流通路部を挟んでその両側に凹部２５が形
成され、この凹部２５内の第２のクラッド層２４の表面
に活性層２３と同組成の過飽和吸収体層２６がエピタキ
シーされ、この過飽和吸収体層２６を介して電流ブロッ
ク層２７がエピタキシーされ、電流ブロック層２７のＡ
ｌの含有量を第２のクラッド層２４のＡｌの含有量に比
し大に選定した構成とする。
【０００９】第３の本発明は、Ａｌを含むＩＩＩ−Ｖ族
４元系半導体レーザにおいて、第１導電型の第１のクラ
ッド層２２と、活性層２３と、第２導電型の第２のクラ
ッド層２４とが順次エピタキシーされ、第２のクラッド
層２４の電流通路部を挟んでその両側に凹部２５が形成
され、この凹部２５内の第２のクラッド層２４の表面に
活性層２３と同組成のノンドープの過飽和吸収体層２６
がエピタキシーされ、この過飽和吸収体層２６を介して
電流ブロック層２７がエピタキシーされ電流ブロック層
２７のＡｌの含有量を第２のクラッド層２４のＡｌの含
有量に比し大に選定した構成とする。
４元系半導体レーザにおいて、第１導電型の第１のクラ
ッド層２２と、活性層２３と、第２導電型の第２のクラ
ッド層２４とが順次エピタキシーされ、第２のクラッド
層２４の電流通路部を挟んでその両側に凹部２５が形成
され、この凹部２５内の第２のクラッド層２４の表面に
活性層２３と同組成のノンドープの過飽和吸収体層２６
がエピタキシーされ、この過飽和吸収体層２６を介して
電流ブロック層２７がエピタキシーされ電流ブロック層
２７のＡｌの含有量を第２のクラッド層２４のＡｌの含
有量に比し大に選定した構成とする。
【００１０】
【作用】上述の本発明によれば、凹部２５内にすなわち
活性層２３に極く近接してこの活性層２３と同組成の過
飽和吸収体層２６を設けたので、実質的に過飽和吸収体
領域を増加させた効果が生じることにより、高出力化に
おいても自励発振が可能となる。
活性層２３に極く近接してこの活性層２３と同組成の過
飽和吸収体層２６を設けたので、実質的に過飽和吸収体
領域を増加させた効果が生じることにより、高出力化に
おいても自励発振が可能となる。
【００１１】また、上述の本発明構成によれば、電流ブ
ロック層２７によって過飽和吸収体層２６へのキャリア
の注入が阻止されることにより、この過飽和吸収体層２
６におけるキャリア注入による光の吸収の低下を回避で
きる。
ロック層２７によって過飽和吸収体層２６へのキャリア
の注入が阻止されることにより、この過飽和吸収体層２
６におけるキャリア注入による光の吸収の低下を回避で
きる。
【００１２】すなわち、図２にキャリア密度と利得の関
係を示したように、過飽和吸収体において、キャリアが
注入されてこれがいわゆるしきいキャリア密度Ｎth以上
に注入された状態では、過飽和吸収体において光の吸
収、放出によるキャリア密度の増減（横軸に示す変化
ａ）は、単に利得の増減（縦軸に示す変化ａ）として表
れるに過ぎず、レーザ発振停止というパルセーションに
不可欠な要素と関係のない領域となる。一方、しきいキ
ャリア密度Ｎth以下であってもキャリア密度が比較的高
い領域では、図２に変化ｂで示すように損失の増減が余
り生じないことからレーザ発振の停止および自励発振に
は余り有効ではない。したがって有効にパルセーション
が生じるようにするには、図２に変化ｃで示すように、
でるだけキャリア密度の低い領域で変化させることが必
要である。
係を示したように、過飽和吸収体において、キャリアが
注入されてこれがいわゆるしきいキャリア密度Ｎth以上
に注入された状態では、過飽和吸収体において光の吸
収、放出によるキャリア密度の増減（横軸に示す変化
ａ）は、単に利得の増減（縦軸に示す変化ａ）として表
れるに過ぎず、レーザ発振停止というパルセーションに
不可欠な要素と関係のない領域となる。一方、しきいキ
ャリア密度Ｎth以下であってもキャリア密度が比較的高
い領域では、図２に変化ｂで示すように損失の増減が余
り生じないことからレーザ発振の停止および自励発振に
は余り有効ではない。したがって有効にパルセーション
が生じるようにするには、図２に変化ｃで示すように、
でるだけキャリア密度の低い領域で変化させることが必
要である。
【００１３】これに対し、本発明構成では、過飽和吸収
体層２６上に電流ブロック層２７が形成されていること
により、この過飽和吸収体層２６へのキャリアの注入が
阻止されていることから、キャリア密度が低い状態で光
の吸収、放出によるキャリア密度の増減が生じることか
ら、確実なパルセーション動作を行わせることができ
る。
体層２６上に電流ブロック層２７が形成されていること
により、この過飽和吸収体層２６へのキャリアの注入が
阻止されていることから、キャリア密度が低い状態で光
の吸収、放出によるキャリア密度の増減が生じることか
ら、確実なパルセーション動作を行わせることができ
る。
【００１４】更に、本発明構成では、活性層２３に対向
してその面方向に両側に第２のクラッド層２４に比して
Ａｌ量を大にした電流ブロック層２７が配置された構成
とされるので、作りつけの屈折率差が生じることにより
非点隔差の改善がはかられる。
してその面方向に両側に第２のクラッド層２４に比して
Ａｌ量を大にした電流ブロック層２７が配置された構成
とされるので、作りつけの屈折率差が生じることにより
非点隔差の改善がはかられる。
【００１５】
【実施例】本発明による半導体レーザは、ＩＩ−ＶＩ
族、ＩＩＩ−Ｖ族等の化合物半導体構成による。図１を
参照して本発明による半導体レーザの一実施例を説明す
るが、その理解を容易にするために、Ａｌを含むＩＩＩ
−Ｖ族半導体の例を図３の工程図を参照してその製造方
法の一例とともに説明する。
族、ＩＩＩ−Ｖ族等の化合物半導体構成による。図１を
参照して本発明による半導体レーザの一実施例を説明す
るが、その理解を容易にするために、Ａｌを含むＩＩＩ
−Ｖ族半導体の例を図３の工程図を参照してその製造方
法の一例とともに説明する。
【００１６】図３Ａに示すように、第１導電型の例えば
ｎ型のＧａＡｓ化合物半導体基板よりなる半導体基体２
０上に、それぞれこれと同導電型のＡｌＧａＡｓよりな
るバッファ層２１と、第１のＡｌＧａＡｓよりなるクラ
ッド層２２をエピタキシーし、続いてこれの上にノンド
ープあるいは低不純物濃度の例えばＧａＡｓもしくはク
ラッド層２２に比してＡｌの含有量が小さいＡｌＧａＡ
ｓによる活性層２３と、更にこれの上に第２導電型の例
えばｐ型のＡｌＧａＡｓによる第２のクラッド層２４を
順次エピタキシーする。
ｎ型のＧａＡｓ化合物半導体基板よりなる半導体基体２
０上に、それぞれこれと同導電型のＡｌＧａＡｓよりな
るバッファ層２１と、第１のＡｌＧａＡｓよりなるクラ
ッド層２２をエピタキシーし、続いてこれの上にノンド
ープあるいは低不純物濃度の例えばＧａＡｓもしくはク
ラッド層２２に比してＡｌの含有量が小さいＡｌＧａＡ
ｓによる活性層２３と、更にこれの上に第２導電型の例
えばｐ型のＡｌＧａＡｓによる第２のクラッド層２４を
順次エピタキシーする。
【００１７】図３Ｂに示すように、第２のクラッド層２
４上に例えば図３Ｂの紙面と直交する方向に延びるスト
ライプ状の例えばＳｉＮ、ＳｉＯ2 等よりなるマスク層
３０フォトリソグラフィによって形成し、化学的エッチ
ングあるいはＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のド
ライエッチングを第２のクラッド層２４の表面側から行
ってストライプ状にリッジ３１を残してその両側に凹部
２５を形成する。
４上に例えば図３Ｂの紙面と直交する方向に延びるスト
ライプ状の例えばＳｉＮ、ＳｉＯ2 等よりなるマスク層
３０フォトリソグラフィによって形成し、化学的エッチ
ングあるいはＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のド
ライエッチングを第２のクラッド層２４の表面側から行
ってストライプ状にリッジ３１を残してその両側に凹部
２５を形成する。
【００１８】そして、凹部２５内に活性層２３と同組成
で低不純物濃度もしくはノンドープのＧａＡｓもしくは
ＡｌＧａＡｓよりなる両側面に過飽和吸収体層２６と、
これの上に第１導電型のｎ型の電流ブロック層すなわち
電流阻止層２７をエピタキシーする。
で低不純物濃度もしくはノンドープのＧａＡｓもしくは
ＡｌＧａＡｓよりなる両側面に過飽和吸収体層２６と、
これの上に第１導電型のｎ型の電流ブロック層すなわち
電流阻止層２７をエピタキシーする。
【００１９】その後、マスク層３０を除去し、全面的に
第２導電型のｐ型の例えばＧａＡｓよりなるキャップ層
をエピタキシーする。
第２導電型のｐ型の例えばＧａＡｓよりなるキャップ層
をエピタキシーする。
【００２０】この構成において、第１および第２のクラ
ッド層は、ＡｌY Ｇａ1-Y Ａｓによって構成し、電流ブ
ロック層２７は、ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓとし、ｘ＞ｙとす
る。つまり、電流ブロック層２７のＡｌ量を大とする。
ｙ値は、０．３≦ｙ≦０．６の例えばｙ＝０．５とし、
ｘ値は０．４≦ｘ≦１．０の例えばｘ＝０．７に選定す
る。
ッド層は、ＡｌY Ｇａ1-Y Ａｓによって構成し、電流ブ
ロック層２７は、ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓとし、ｘ＞ｙとす
る。つまり、電流ブロック層２７のＡｌ量を大とする。
ｙ値は、０．３≦ｙ≦０．６の例えばｙ＝０．５とし、
ｘ値は０．４≦ｘ≦１．０の例えばｘ＝０．７に選定す
る。
【００２１】活性層２３の厚さは、例えば３０ｎｍに選
定され、活性層２３とこれと対向する過飽和吸収体層２
６との間隔ｄは、ｄ＜２００ｎｍ好ましくは１０ｎｍ〜
３００ｎｍ例えばｄ＝５０ｎｍに選定する。また、過飽
和吸収体層２６の厚さは例えば３０ｎｍに選定される。
定され、活性層２３とこれと対向する過飽和吸収体層２
６との間隔ｄは、ｄ＜２００ｎｍ好ましくは１０ｎｍ〜
３００ｎｍ例えばｄ＝５０ｎｍに選定する。また、過飽
和吸収体層２６の厚さは例えば３０ｎｍに選定される。
【００２２】この構成による半導体レーザによれば、活
性層２３のストライプ状の共振器を構成する部分すなわ
ち電流ブロック層２７が存在しないストライプ状の主た
る電流供給部の外側に小なる間隔ｄをもって対向する過
飽和吸収体層２６が存在し、しかもこの過飽和吸収体層
２６上には電流ブロック層２７が形成されていることか
らこの過飽和吸収体層２６へのキャリアの注入が抑制さ
れ、図２で説明したキャリア密度の低い領域でのキャリ
アの増減がなされることから高出力化においても自励発
振が確実に行われる。
性層２３のストライプ状の共振器を構成する部分すなわ
ち電流ブロック層２７が存在しないストライプ状の主た
る電流供給部の外側に小なる間隔ｄをもって対向する過
飽和吸収体層２６が存在し、しかもこの過飽和吸収体層
２６上には電流ブロック層２７が形成されていることか
らこの過飽和吸収体層２６へのキャリアの注入が抑制さ
れ、図２で説明したキャリア密度の低い領域でのキャリ
アの増減がなされることから高出力化においても自励発
振が確実に行われる。
【００２３】また、この構成による場合、電流ブロック
層２７のＡｌの含有量を、第２のクラッド層２４のそれ
より大にしたことから、ストライプ部の内外の屈折率差
は大となり実屈折率差を作り付けで設定することがで
き、低非点隔差を実現できる。
層２７のＡｌの含有量を、第２のクラッド層２４のそれ
より大にしたことから、ストライプ部の内外の屈折率差
は大となり実屈折率差を作り付けで設定することがで
き、低非点隔差を実現できる。
【００２４】上述した例では、ＡｌＧａＡｓ系の半導体
レーザを構成した場合であるが、ＡｌＧａＩｎＰ４元系
可視光半導体レーザを構成することもできる。この場合
においては、半導体基体としてＧａＡｓ基板を用い、第
１および第２のクラッド層２２および２４がそれぞれ第
１導電型および第２導電型のＡｌY Ｇａ1-Y ＩｎＰによ
って構成し、電流ブロック層２７は、ＡｌX Ｇａ1-X Ｉ
ｎＰとし、ｘ＞ｙとする。この場合、ｙ値は０．３≦ｙ
≦０．８の例えばｙ＝０．６に選定し、ｘ値は０．４≦
ｘ≦１．０の例えばｘ＝０．７に選定する。そして、活
性層２３と過飽和吸収体層２６は同組成の例えばＧａＩ
ｎＰによって構成するが、この４元系においては、不純
物ドーピングによってそのバンドギャップが大となり光
吸収体として動作しなくなるおそれがあることから過飽
和吸収体層２６においてもノンドープとする。
レーザを構成した場合であるが、ＡｌＧａＩｎＰ４元系
可視光半導体レーザを構成することもできる。この場合
においては、半導体基体としてＧａＡｓ基板を用い、第
１および第２のクラッド層２２および２４がそれぞれ第
１導電型および第２導電型のＡｌY Ｇａ1-Y ＩｎＰによ
って構成し、電流ブロック層２７は、ＡｌX Ｇａ1-X Ｉ
ｎＰとし、ｘ＞ｙとする。この場合、ｙ値は０．３≦ｙ
≦０．８の例えばｙ＝０．６に選定し、ｘ値は０．４≦
ｘ≦１．０の例えばｘ＝０．７に選定する。そして、活
性層２３と過飽和吸収体層２６は同組成の例えばＧａＩ
ｎＰによって構成するが、この４元系においては、不純
物ドーピングによってそのバンドギャップが大となり光
吸収体として動作しなくなるおそれがあることから過飽
和吸収体層２６においてもノンドープとする。
【００２５】また、本発明による半導体レーザは上述し
た構成に限られるものではなく、例えばＳＣＨ（Separa
te Confinement Heterostructure) ＭＱＷ（Multi-Quan
tum Well) 構造の半導体レーザを構成する場合は、その
活性層をこれに対応したＳＣＨＭＱＷ構成とし、これを
挟んでガイド層を設ける構造とし、過飽和吸収体層２６
においても同様のＳＣＨＭＱＷ構成とする。
た構成に限られるものではなく、例えばＳＣＨ（Separa
te Confinement Heterostructure) ＭＱＷ（Multi-Quan
tum Well) 構造の半導体レーザを構成する場合は、その
活性層をこれに対応したＳＣＨＭＱＷ構成とし、これを
挟んでガイド層を設ける構造とし、過飽和吸収体層２６
においても同様のＳＣＨＭＱＷ構成とする。
【００２６】尚、上述した例では、第１導電型がｎ型
で、第２導電型がｐ型とした場合であるが、互いに逆導
電型とすることもできる。
で、第２導電型がｐ型とした場合であるが、互いに逆導
電型とすることもできる。
【００２７】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、大出
力化においても確実に自励発振動作が行われ、また非点
隔差の増大を回避できる。したがって、本発明による半
導体レーザを光記録媒体の高パワーによる記録用光源と
して用いて、確実にその記録を行うことができ、非点隔
差の小さいしたがってスポット歪の小さい光スポットを
得ることができることから高密度記録に好適であるなど
多くの利益をもたらす。
力化においても確実に自励発振動作が行われ、また非点
隔差の増大を回避できる。したがって、本発明による半
導体レーザを光記録媒体の高パワーによる記録用光源と
して用いて、確実にその記録を行うことができ、非点隔
差の小さいしたがってスポット歪の小さい光スポットを
得ることができることから高密度記録に好適であるなど
多くの利益をもたらす。
【図１】本発明による半導体レーザの一例の概略的断面
図である。
図である。
【図２】本発明の説明に供する利得のキャリア密度依存
性を示す図である。
性を示す図である。
【図３】本発明による半導体レーザの一例の一製造方法
を示す工程図である。Ａはその一工程図である。Ｂはそ
の一工程図である。
を示す工程図である。Ａはその一工程図である。Ｂはそ
の一工程図である。
【図４】従来の半導体レーザの断面図である。
２０ 半導体基体 ２１ バッファ層 ２２ 第１のクラッド層 ２３ 活性層 ２４ 第２のクラッド層 ２５ 凹部 ２６ 過飽和吸収体層 ２７ 電流ブロック層 ２８ キャップ層
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体レーザにおいて、 第１導電型の第１のクラッド層と、活性層と、第２導電
型の第２のクラッド層とが順次エピタキシーされ、 上記第２のクラッド層の電流通路部を挟んでその両側に
凹部が形成され、 該凹部内の上記第２のクラッド層表面に上記活性層と同
組成の過飽和吸収体層がエピタキシーされ、 該過飽和吸収体層を介して電流ブロック層がエピタキシ
ーされ、 上記電流ブロック層の屈折率が上記第２のクラッド層の
屈折率に比し小に選定したことを特徴とする半導体レー
ザ。 - 【請求項２】 Ａｌを含むＩＩＩ−Ｖ族系半導体レーザ
において、 第１導電型の第１のクラッド層と、活性層と、第２導電
型の第２のクラッド層とが順次エピタキシーされ、 上記第２のクラッド層の電流通路部を挟んでその両側に
凹部が形成され、 該凹部内の上記第２のクラッド層表面に上記活性層と同
組成の過飽和吸収体層がエピタキシーされ、 該過飽和吸収体層を介して電流ブロック層がエピタキシ
ーされ、 上記電流ブロック層の屈折率が上記第２のクラッド層の
屈折率に比し小に選定したことを特徴とする半導体レー
ザ。 - 【請求項３】 Ａｌを含むＩＩＩ−Ｖ族４元系半導体レ
ーザにおいて、 第１導電型の第１のクラッド層と、活性層と、第２導電
型の第２のクラッド層とが順次エピタキシーされ、 上記第２のクラッド層の電流通路部を挟んでその両側に
凹部が形成され、 該凹部内の上記第２のクラッド層表面に上記活性層と同
組成のノンドープの過飽和吸収体層がエピタキシーさ
れ、 該過飽和吸収体層を介して電流ブロック層がエピタキシ
ーされ、 上記電流ブロック層のＡｌの含有量を上記第２のクラッ
ド層のＡｌの含有量に比し大に選定したことを特徴とす
る半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33357293A JP3341425B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33357293A JP3341425B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193316A true JPH07193316A (ja) | 1995-07-28 |
| JP3341425B2 JP3341425B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=18267547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33357293A Expired - Fee Related JP3341425B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3341425B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002701A (en) * | 1995-12-26 | 1999-12-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Self-pulsation type semiconductor laser device |
| US6055255A (en) * | 1996-02-01 | 2000-04-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method for producing the same |
| US7092422B2 (en) | 2002-11-14 | 2006-08-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Self-pulsation type semiconductor laser |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP33357293A patent/JP3341425B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002701A (en) * | 1995-12-26 | 1999-12-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Self-pulsation type semiconductor laser device |
| KR100262291B1 (ko) * | 1995-12-26 | 2000-07-15 | 마찌다 가쯔히꼬 | 자려발진형 반도체 레이저장치 |
| US6055255A (en) * | 1996-02-01 | 2000-04-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method for producing the same |
| US7092422B2 (en) | 2002-11-14 | 2006-08-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Self-pulsation type semiconductor laser |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3341425B2 (ja) | 2002-11-05 |
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