JPH09214058A

JPH09214058A - 半導体レーザ素子

Info

Publication number: JPH09214058A
Application number: JP2144996A
Authority: JP
Inventors: Kentaro Tani; 健太郎谷
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1996-02-07
Filing date: 1996-02-07
Publication date: 1997-08-15

Abstract

(57)【要約】【課題】戻り光雑音を防ぐと共に閾値電流の増大を防
ぐことができ、横モードが安定で信頼性および高温での
特性に優れた半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１
４、ＧａＩｎＰ活性層１５およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第
２クラッド層１６がこの順に積層され、その上方にスト
ライプ状リッジ部を有するｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第３クラ
ッド層１８が形成されている。活性層１５の近傍にはＧ
ａＩｎＰ可飽和吸収層１７が形成されている。電流ブロ
ック層は、活性層から出射されるレーザ光を吸収しない
ｎ型Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓ層５１とｎ型ＧａＡｓ層５２と
からなり、活性層１５に近い側にレーザ光を吸収しない
層５１が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光ディスク
システムなどの光記憶装置などに用いられる半導体レー
ザ素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、情報関連分野の様々な装置におい
て光記憶装置が用いられており、その発展に伴って記憶
容量の増大や書き込み・読み出し速度の向上が求められ
ている。例えば、光ディスク装置の記憶容量の増大や書
き込み・読み出し速度の向上のためには、半導体レーザ
素子の光ディスク面などからの戻り光雑音の低減が必要
である。そのため、従来より、高周波重畳法による方法
や自励発振現象を利用する方法の２つのアプローチ方法
が考えられている。高周波重畳法による方法は、比較的
容易に半導体レーザ素子の戻り光雑音を低減できるが、
外部に高周波重畳用の駆動ユニットを設ける必要があ
り、コストやサイズの増大を招いていた。一方、自励発
振現象を利用する方法としては、半導体レーザ素子の活
性層の一部領域としてまたは活性層の近傍位置に、可飽
和吸収層と称されるレーザ光を吸収する層を設けること
により、半導体レーザ素子の注入キャリア密度−利得特
性を時間的に変化させて戻り光雑音を低減する方法があ
る。

【０００３】以下に、従来の半導体レーザ素子の注入キ
ャリア密度−利得特性に対する可飽和吸収層の働きにつ
いて説明する。

【０００４】図１５に示すように、注入キャリア密度が
発振閾値利得を越えることにより活性層からレーザ発振
が生じる。

【０００５】図１６に示すように、活性層から出射した
光を可飽和吸収層が吸収して発振閾値利得が下がる。そ
の後、図１７に示すように、キャリアを大量に放出する
ので、注入キャリア密度が下がると共に、可飽和吸収層
のキャリアが光や熱に変わって減少し、全体の閾値利得
が元に戻ってレーザ発振が停止する。この繰り返しによ
って、半導体レーザ素子の注入キャリア密度−利得特性
を時間的に変化させて、光ディスク面などからの戻り光
による雑音を低減させることができる。

【０００６】このような可飽和吸収層を用いた自励発振
する半導体レーザ素子は、特開平６−２６０７１６号公
報「半導体レーザ」や、特開平５−１６０５０３号公報
「半導体レーザ装置」などに開示されている。この自励
発振する半導体レーザ素子によれば、高周波重畳ユニッ
トなどが不要であり、光ピックアップのサイズやコスト
の増大を防ぐことができるので、非常に有用である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の可飽和吸収層を用いた自励発振する半導体レーザ素
子では、可飽和吸収層で光損失が生じるので、半導体レ
ーザ素子の内部損失が増大して、発振閾値電流の増加を
招いたりしていた。

【０００８】このような内部損失の増大による閾値電流
の増加を防ぐには、特開平５−１６０５０３号公報「半
導体レーザ装置」に開示されているように、電流ブロッ
ク層をクラッド層よりもバンドギャップが大きく屈折率
の小さい層で構成して実屈折率構造とする方法が考えら
れる。この方法によれば、電流ブロック層での光吸収を
減らして内部損失の増加を抑えることができる。しか
し、電流ブロック層がレーザ光を吸収しないので、横方
向への光の閉じ込めが弱いために、レーザ光の横モード
が不安定になり、光−電流特性にキンクが発生して動作
電流が増大するという問題があった。また、クラッド層
としてＡｌ混晶比が高い半導体層を用いた時には、電流
ブロック層としてクラッド層よりもさらにＡｌ混晶比が
高い半導体層を用いなければならない。このため、電流
ブロック層の結晶性が悪くなり、結晶の欠陥などの非発
光中心が発生して動作電流が増大するなど、半導体レー
ザ素子の特性や信頼性に大きな影響を及ぼしていた。

【０００９】また、図１８に示すような半導体レーザ素
子には、以下のような問題があった。

【００１０】図１８において、レーザ光を出射する活性
層１の上下位置に第１導電型の第１クラッド層２および
第２導電型の第２クラッド層３が形成されており、この
第２クラッド層３上にエッチングストップ層４が設けら
れている。このエッチングストップ層４上の中央部分に
エッチングストップ層４に接した第２導電型の第３クラ
ッド層６を有する電流狭窄部としてのストライプ状リッ
ジ部５が形成されている。また、エッチングストップ層
４上でこのストライプ状リッジ部５の側面は第１導電型
の電流ブロック層７で埋め込まれている。ここで、光が
広がっている光分布領域Ｅ内で、電流が注入されている
ほぼストライプ幅Ｗ内の電流注入領域の外側に位置する
活性層１の一部領域に、レーザ光を吸収する可飽和吸収
領域１ａが存在している。なお、８，９は電極であり、
これらの電極８，９に駆動電圧が印加される。

【００１１】このように構成した従来の半導体レーザ素
子においては、可飽和吸収領域１ａに電流を分布させず
に光のみをある程度以上分布させるためには、レーザ光
を出射する活性層１から、光が閉じ込められる電流ブロ
ック層７までの距離ｈや、ストライプ状リッジ部５のス
トライプ幅Ｗの大きさを変えて横方向への光の閉じ込め
を弱くする必要がある。このため、レーザ光の横モード
が不安定になり、光−電流特性に折れ曲がり（キンク）
が発生して動作電流が増大するなど、半導体レーザ素子
の特性や信頼性に大きな影響を及ぼしていた。

【００１２】また、可飽和吸収領域１ａに電流を分布さ
せずに光のみをある程度以上分布させるためには、電流
拡がりを制限する必要がある。このため、ｐ型クラッド
層のｐ型不純物濃度を高くすることができず、半導体レ
ーザ素子の高温での特性に悪影響を及ぼしていた。

【００１３】本発明は、上記従来の問題を解決するもの
で、戻り光雑音を低減できると共に、閾値電流の増大を
防ぐことができ、横モードが安定で素子特性や信頼性も
良好であり、高温での特性にも優れた半導体レーザ素子
を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ素
子は、少なくとも第１導電型の第１クラッド層、活性層
および第２導電型の第２クラッド層がこの順に積層され
て設けられ、該第２クラッド層上に電流狭窄用のストラ
イプ状リッジ部における第２導電型の第３クラッド層が
設けられ、該活性層の一部領域としてまたは該活性層近
傍位置に、該活性層から出射されるレーザ光を吸収する
可飽和吸収領域が設けられ、該ストライプ状リッジ部の
両側面を埋め込んで第１導電型の電流ブロック層が設け
られ、該電流ブロック層は該レーザ光を吸収する層と吸
収しない層とからなり、かつ該活性層に近い側に該レー
ザ光を吸収しない層が設けられているものであり、その
ことにより上記目的が達成される。

【００１５】また、本発明の半導体レーザ素子は、少な
くとも第１導電型の第１クラッド層、活性層および第２
導電型の第２クラッド層がこの順に積層されて設けら
れ、該第２クラッド層上方に電流狭窄用のストライプ状
溝部を有する第１導電型の電流ブロック層が設けられ、
該第２クラッド層上方の該電流狭窄用のストライプ状溝
部内に第２導電型の第３クラッド層が設けられ、該活性
層の一部領域としてまたは該活性層近傍位置に、該活性
層から出射されるレーザ光を吸収する可飽和吸収領域が
設けられ、該電流ブロック層は該レーザ光を吸収する層
と吸収しない層とからなり、かつ該活性層に近い側に該
レーザ光を吸収しない層が設けられているものであり、
そのことにより上記目的が達成される。

【００１６】さらに、好ましくは、本発明の半導体レー
ザ素子における活性層近傍位置の可飽和吸収領域は、第
１クラッド層、第２クラッド層および第３クラッド層の
うち少なくとも何れかの層中に設けられているか、また
は、該第２クラッド層と第３クラッド層の間に設けられ
ている。

【００１７】さらに、好ましくは、本発明の半導体レー
ザ素子における第１クラッド層、第２クラッド層および
第３クラッド層のうち、ｐ型クラッド層のｐ型不純物濃
度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上である。

【００１８】さらに、好ましくは、本発明の半導体レー
ザ素子の電流ブロック層において、活性層から出射され
るレーザ光を吸収しない層の厚みは１５０ｎｍ以下であ
る。

【００１９】以下、本発明の作用について説明する。

【００２０】本発明においては、電流ブロック層は活性
層から出射されるレーザ光を吸収する層と吸収しない層
との２層からなっており、活性層に近い側に活性層から
出射されるレーザ光を吸収しない層を形成している。可
飽和吸収領域での光損失により半導体レーザ素子の閾値
電流は増加するが、レーザ光を吸収しない層を活性層に
近い側に形成することにより、電流ブロック層での光損
失が抑えられる。また、電流ブロック層として、レーザ
光を吸収しない層の上に、レーザ光を吸収する層が形成
されているので、ロスガイド構造となって横モードが安
定する。

【００２１】また、活性層から出射されるレーザ光を吸
収しない層の厚みが０〜１５０ｎｍでは閾値電流が減少
するが、これを１５０ｎｍ以上の厚みにしても閾値電流
は殆ど変わらない。したがって、これを１５０ｎｍ以下
の厚みにすれば、Ａｌ混晶比の高い層を用いても結晶性
の悪化などによる悪影響が少ない。

【００２２】さらに、活性層から近い側に、レーザ光を
吸収しない層を形成しているので、光の拡がりと電流の
拡がりとを独立して制御できて、ｐ型クラッド層のｐ型
不純物濃度を１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上に設定可能となる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。

【００２４】（実施形態１）本実施形態１では、活性層
から出射されるレーザ光を吸収する可飽和吸収領域が可
飽和吸収層として活性層近傍位置である第２クラッド層
と第３クラッド層の間に設けられている場合である。

【００２５】図１は本発明の実施形態１の半導体レーザ
素子の積層構造を示す断面図である。

【００２６】図１において、ｎ型ＧａＡｓ基板１１上
に、ｎ型ＧａＡｓ層１２、ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層１
３、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１４、ＧａＩｎ
Ｐ活性層１５さらにｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層
１６が順次設けられている。このｐ型第２クラッド層１
６上には、活性層から出射されるレーザ光を吸収するＧ
ａＩｎＰ可飽和吸収層１７が設けられ、その上にｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰ第３クラッド層１８、ｐ型ＧａＩｎＰ中間
層１９さらにｐ型ＧａＡｓコンタクト層２０が設けられ
てストライプ状リッジ部２１を形成している。このスト
ライプ状リッジ部２１の側面を埋め込むように、ｎ型Ａ
ｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓ電流ブロック層２２さらにｎ型ＧａＡ
ｓ電流ブロック層２３が設けられている。これらのｐ型
コンタクト層２０、ｎ型Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓ電流ブロッ
ク層２２およびｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層２３上にｐ
型電極２４が設けられ、また、ｎ型基板１１のｎ型Ｇａ
Ａｓ層１２側とは反対側の面にｎ型電極２５が設けられ
ている。

【００２７】この電流ブロック層内において、活性層１
５から近い側のｎ型Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓ電流ブロック層
２２は、Ａｌ混晶比が０．６であり、活性層１５から出
射されるレーザ光（発振波長６７０ｎｍ）を吸収しな
い。また、活性層１５から遠い側のｎ型ＧａＡｓ電流ブ
ロック層２３は、活性層１５から出射されるレーザ光を
吸収する。さらに、可飽和吸収層１７上のＡｌ_0.6Ｇａ
_0.4Ａｓ電流ブロック層２２の厚みは１００ｎｍであ
り、ｐ型第２クラッド層１６のｐ型不純物であるＢｅ濃
度は１．２×１０¹⁸ｃｍ^-3である。以上により本実施形
態１の半導体レーザ素子２６が構成されている。

【００２８】この本実施形態１の半導体レーザ素子２６
は、以下のようにして作製することができる。

【００２９】まず、図２に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基
板１１上に、分子線エピタキシー法（以下ＭＢＥ法とい
う）によりｎ型ＧａＡｓ層１２、ｎ型ＧａＩｎＰバッフ
ァ層１３、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１４、Ｇ
ａＩｎＰ活性層１５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド
層１６、ＧａＩｎＰ可飽和吸収層１７、ｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰ第３クラッド層１８、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１９さ
らにｐ型ＧａＡｓコンタクト層２０を順次成長させて積
層し、その上に電子ビーム蒸着法によりＡｌ₂Ｏ₃層２７
を成膜する。

【００３０】次に、図３に示すように、Ａｌ₂Ｏ₃層２７
上にフォトリソグラフィー法によりエッチングマスク２
８を作製し、これを用いて硫酸系、塩素系または臭素系
のエッチング液によりｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第３クラッド
層１８、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１９およびｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層２０をエッチングして、図４に示すような
ストライプ状リッジ部２１を形成する。

【００３１】続いて、図５に示すように、エッチングマ
スク２８を有機溶媒により除去した後、このストライプ
状リッジ部２１の側面を埋め込むように、ＭＢＥ法によ
りｎ型Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓ電流ブロック層２２さらにｎ
型ＧａＡｓ電流ブロック層２３を順次成長させる。この
とき、ｐ型コンタクト層２０上のＡｌ₂Ｏ₃層２７上には
ｎ型Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓポリ層２９さらにｎ型ＧａＡｓ
ポリ層３０が形成されている。

【００３２】その後、図６に示すように、エッチングや
リフトオフ法によりｐ型コンタクト層２０上のＡｌ₂Ｏ₃
層２７、ｎ型Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓポリ層２９およびｎ型
ＧａＡｓポリ層３０を除去する。

【００３３】最後に、真空蒸着法によりｐ型コンタクト
層２０および電流ブロック層２２，２３上にｐ型電極２
４を形成し、また、ｎ型基板１１側にｎ型電極２５を形
成することにより、図１の半導体レーザ素子２６が完成
する。

【００３４】以上により、本実施形態１の半導体レーザ
素子２６は、閾値電流が３５ｍＡであり、レーザ光（発
振波長６７０ｎｍ）を吸収しないｎ型Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａ
ｓ電流ブロック層２２が形成されていない従来の半導体
レーザ素子と比較して、閾値電流を４０％低減すること
ができた。また、レーザ光の横モードも安定しており、
１５ｍＷまでキンクフリーの良好な光−電流特性が得ら
れた。さらに、戻り光雑音については、戻り光１０％で
相対雑音強度１４０ｄＢ／ＨＺ以下の低い雑音レベルに
することができた。

【００３５】また、ｎ型Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓ電流ブロッ
ク層２２により光の拡がりを制御できるので、ｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰ第２クラッド層１６のｐ型不純物であるＢｅ
濃度を１．２×１０¹⁸ｃｍ^-3と高くすることができ、最
高発振温度１００℃以上の良好な高温特性が得られた。

【００３６】さらに、ｎ型Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓ電流ブロ
ック層２２のＡｌ混晶比は０．６と比較的高いにも拘ら
ず、厚みが１００ｎｍと薄いので欠陥などの非発光中心
の発生を小さくすることができ、６０℃、５ｍＷの条件
で２０００時間以上安定駆動させることができ、高い信
頼性を得ることができた。

【００３７】（実施形態２）本実施形態２においては、
活性層１５の近傍位置に可飽和吸収層１７を設ける代わ
りに、図７のように、活性層１５のうち電流注入されて
いない領域を可飽和吸収層として用いて、自励発振する
半導体レーザ素子とした場合である。

【００３８】この場合、この可飽和吸収層に光のみをあ
る程度以上分布させるためには、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第
１クラッド層１６とエッチングストップ層７ａとｎ型Ａ
ｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓ電流ブロック層２２との厚みｈ、およ
びリッジ部のストライプ幅Ｗを適切な値にすることが必
要であり、本実施形態２では例えばｈ＝０．３μｍ、Ｗ
＝４μｍにしている。

【００３９】例えば、ｎ型ＧａＡｓ層のようにレーザ光
を吸収する層のみで電流ブロック層を構成した従来の半
導体レーザ素子では、横方向に光を拡げるためにｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１６の厚みを厚くする必要
があったが、そのために電流の拡がりも大きくなって閾
値電流を上昇させてしまう。一方、本実施形態２の半導
体レーザ素子では、レーザ光を吸収しない層２２と吸収
する層２３との２層で電流ブロック層が構成されてお
り、ｎ型Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓ電流ブロック層２２がレー
ザ光を吸収しないので、光の分布を拡げることと電流の
ブロックとを同時に行うことができる。このように、光
の拡がりと電流の拡がりとを独立して制御できるので、
素子設計の自由度が向上し、閾値電流を上昇させたり横
モードを不安定にするようなことはなく、自励発振する
半導体レーザ素子を実現することができた。

【００４０】また、従来の半導体レーザ素子では、電流
拡がりを抑えるために、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッ
ド層１６のｐ型不純物であるＢｅ濃度を４．０×１０¹⁷
ｃｍ^-3までしか上げることができなかった。このため、
最高発振温度が５０℃と低く、実用に耐えるものではな
かった。一方、本実施形態２の半導体レーザ素子では、
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１６のｐ型不純物で
あるＢｅ濃度を１．２×１０¹⁸ｃｍ^-3まで高くしても電
流の拡がりを抑えることができるので、最高発振温度１
００℃以上の良好な高温特性が得られた。

【００４１】さらに、本実施形態２の半導体レーザ素子
の他の特性は、閾値電流が３０ｍＡであり、レーザ光を
吸収しないｎ型Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓ電流ブロック層２２
が形成されていない半導体レーザ素子と比較して閾値電
流を低減することができた。また、６０℃、５ｍＷの条
件で２０００時間以上安定駆動させることができ、高い
信頼性を得ることができた。さらに、戻り光雑音につい
ても、戻り光１０％で相対雑音強度１４０ｄＢ／ＨＺ以
下の低い雑音レベルにすることができた。

【００４２】以上のように、活性層の電流注入されてい
ない領域を可飽和吸収層とする場合でも、活性層から出
射されるレーザ光を吸収しない層により光の分布を拡げ
ることができる。よって、活性層からレーザ光を吸収す
る層までの距離ｈやリッジ部のストライプ幅Ｗを適切な
値にして、半導体レーザ素子の横モードを安定化させる
ことができる。

【００４３】（実施形態３）図８は本発明の実施形態３
における半導体レーザ素子の積層構造を示す断面図であ
る。

【００４４】図８において、ｎ型ＧａＡｓ基板４１上
に、ｎ型ＧａＡｓ層４２、ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層４
３、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層４４、ＧａＩｎ
Ｐ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層４５さらにｐ型
ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層４６が設けられている。
このｐ型第２クラッド層４６上にはＧａＩｎＰ可飽和吸
収層４７が形成され、その上に平坦部とストライプ状リ
ッジ部とを有するｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第３クラッド層４
８、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層４９、ｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層５０が設けられている。このストライプ状リッジ部
の側面を埋め込むように、ｎ型（Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7）_0.5
Ｉｎ_0.5Ｐ電流ブロック層５１さらにｎ型ＧａＡｓ電流
ブロック層５２が設けられている。これらのｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層５０、ｐ型コンタクト層５１およびｎ型
電流ブロック層５２上にｐ型電極５３が設けられ、ま
た、ｎ型基板４１側にｎ型電極５４が設けられている。

【００４５】これらの電流ブロック層５１，５２のう
ち、多重量子井戸活性層４５から近い側のｎ型（Ａｌ
_0.3Ｇａ_0.7）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ電流ブロック層５１はＡｌ混
晶比が０．３で、多重量子井戸活性層４５から出射され
るレーザ光（発振波長６３５ｎｍ）を吸収しない。ま
た、多重量子井戸活性層４５から遠い側のｎ型ＧａＡｓ
層５２は活性層４５から出射されるレーザ光を吸収す
る。さらに、この可飽和吸収層４７上方の（Ａｌ_0.3Ｇ
ａ_0.7）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ電流ブロック層５１の厚みは１５
０ｎｍであり、ｐ型第２クラッド層４６のｐ型不純物で
あるＢｅ濃度は１．２×１０¹⁸ｃｍ^-3である。以上によ
り、本実施形態３の半導体レーザ素子５５が構成され
る。

【００４６】この本実施形態３の半導体レーザ素子５５
は、以下のようにして作製することができる。

【００４７】まず、図９に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基
板４１上に、ＭＢＥ法によりｎ型ＧａＡｓ層４２、ｎ型
ＧａＩｎＰバッファ層４３、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１ク
ラッド層４４、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井
戸活性層４５およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層
４６、ＧａＩｎＰ可飽和吸収層４７、ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐ第３クラッド層４８、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層４９さら
にｐ型ＧａＡｓコンタクト層５０を順次膜成長させ、そ
の上に電子ビーム蒸着法によりＡｌ₂Ｏ₃層５６を成膜す
る。

【００４８】次に、図１０に示すように、Ａｌ₂Ｏ₃層５
６上にフォトリソグラフィー法によりエッチングマスク
５７を成膜し、これを用いて硫酸系、塩素系または臭素
系のエッチング液によりｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第３クラッ
ド層４８の途中まで、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層４９および
ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５０をエッチングして、図１
１に示すようなストライプ状リッジ部を形成する。

【００４９】続いて、図１２に示すように、エッチング
マスク５７を有機溶媒により除去した後、ＭＢＥ法によ
りｎ型（Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ電流ブロック層
５１さらにｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層５２を成長させ
る。このとき、ｐ型コンタクト層５０上のＡｌ₂Ｏ₃層５
６上にはｎ型（Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐポリ層５
８およびｎ型ＧａＡｓポリ層５９が形成される。

【００５０】その後、図１３に示すように、エッチング
やリフトオフ法によりｐ型コンタクト層５０上のＡｌ₂
Ｏ₃層５６、ｎ型（Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐポリ
層５８およびｎ型ＧａＡｓポリ層５９を除去する。

【００５１】最後に、図８に示すように、真空蒸着法に
よりｐ型コンタクト層５０および電流ブロック層５１，
５２上にｐ型電極５３を形成し、ｎ型基板４１側にｎ型
電極５４を形成することにより、図８の半導体レーザ素
子５５が完成する。

【００５２】このように、本実施形態３の半導体レーザ
素子５５は、閾値電流が３０ｍＡであり、ｎ型（Ａｌ
_0.3Ｇａ_0.7）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ電流ブロック層５１が形成さ
れていない従来の半導体レーザ素子と比較して閾値電流
を５０％低減することができた。

【００５３】また、電流ブロック層としてレーザ光を吸
収しない層であるｎ型ＡｌＩｎＰ層のみを用いた半導体
レーザ素子と比べた場合、閾値電流はほぼ同様である
が、横モードは本実施形態３の半導体レーザ素子５５の
方が安定していた。電流ブロック層として、ｎ型ＡｌＩ
ｎＰ層を用いた半導体レーザ素子は８ｍＷで光−電流特
性にキンクが発生したが、本実施形態３の半導体レーザ
素子では、１５ｍＷまでキンクフリーの良好な光−電流
特性が得られた。

【００５４】さらに、信頼性についても、６０℃、５ｍ
Ｗの条件で、電流ブロック層としてｎ型ＡｌＩｎＰ層を
用いた半導体レーザ素子と比べて３倍以上の５０００時
間以上安定駆動させることができ、高い信頼性を得るこ
とができた。これは、Ａｌの混晶比が高い層は一般的に
結晶性が悪いので、光がＡｌの混晶比の高い層に入ると
欠陥などによる非発光中心が増加して素子特性を劣化さ
せるためと考えられる。また、Ａｌ混晶比が高い層は熱
伝導率も低いので、厚い層を形成すると高温での素子特
性も劣化する。ｎ型（Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ電
流ブロック層５１は、その厚みが１５０ｎｍ程度であれ
ば閾値電流を低減する効果は十分であり、逆に、その厚
み１５０ｎｍ以上では素子特性を劣化させる欠陥などの
悪影響や熱伝導率の影響が出るので望ましくない。

【００５５】さらに、ｎ型（Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7）_0.5Ｉｎ
_0.5Ｐ電流ブロック層５１により電流の拡がりを制御で
きるので、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層４６のｐ
型不純物であるＢｅ濃度を１．２×１０¹⁸ｃｍ^-3と高く
することができ、最高発振温度１００℃以上の良好な高
温特性が得られた。

【００５６】さらに、戻り光雑音についても、戻り光１
０％で相対雑音強度１４０ｄＢ／ＨＺ以下の低い雑音レ
ベルにすることができた。

【００５７】（実施形態４）上記実施形態１〜３のよう
にストライプ状リッジ部を有する第３クラッド層の側面
を埋め込んで電流ブロック層を形成してもよいが、本実
施形態４では、ストライプ状溝部を有する電流ブロック
層の溝部に第３クラッド層を形成した場合である。ただ
し、上記実施形態１〜３の方が、再成長界面が活性領域
から離れているので歩留りが良好である。また、可飽和
吸収領域は、活性層近傍位置に設けられ、第１クラッド
層および第２クラッド層中に設けられている場合であ
る。

【００５８】図２３は本発明の実施形態４の半導体レー
ザ素子の積層構造を示す断面図である。

【００５９】図２３において、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１
上にｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ型ＧａＩｎＰバ
ッファ層１０３、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０
４、レーザ光を吸収するＧａＩｎＰ可飽和吸収層１０
５、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０６、ＧａＩｎＰ
／ＡｌＧａＩｎＰ歪多重量子井戸活性層１０７、ｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層（ｐ型不純物Ｂｅ濃度１．２×
１０¹⁸ｃｍ^-3）１０８、レーザ光を吸収するＧａＩｎＰ
可飽和吸収層１０９、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
１０さらにＧａＩｎＰエッチングストップ層１１１が順
次設けられている。このように、活性層１０７の下方位
置に、第１導電型第１クラッド層（クラッド層１０４お
よびクラッド層１０６）が設けられており、また、活性
層１０７の上方位置に、第２導電型第２クラッド層（ク
ラッド層１０８およびクラッド層１１０）が設けられて
いる。また、可飽和吸収層１０５はクラッド層１０４と
クラッド層１０６間の第１クラッド層中の活性層１０７
の近傍位置に設けられており、また、可飽和吸収層１０
９はクラッド層１０８とクラッド層１１０間の第２クラ
ッド層中の活性層１０７の近傍位置に設けられている。

【００６０】このＧａＩｎＰエッチングストップ層１１
１上には、電流狭窄用のストライプ状溝部を有する電流
ブロック層が設けられており、この電流ブロック層はｎ
型（Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7）_0.5ＩｎＰ電流ブロック層１１２
とｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１１３とからなり、か
つ、活性層１０７から近い側に活性層１０７から出射さ
れるレーザ光を吸収しない電流ブロック層１１２が設け
られ、また、活性層１０７から遠い側に活性層１０７か
ら出射されるレーザ光を吸収する電流ブロック層１１３
が設けられている。また、エッチングストップ層１１１
上の電流狭窄用ストライプ状溝部内にｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐ第３クラッド層１１６さらにｐ型ＧａＩｎＰ中間層１
１７が順次設けられている。

【００６１】これらの中間層１１７および電流ブロック
層１１３上にｐ型ＧａＡｓコンタクト層１２０さらにｐ
型電極１２１が設けられている。また、ｎ型ＧａＡｓ基
板１０１側にｎ型電極１２２が設けられている。以上に
より本実施形態４の半導体レーザ素子１２３が構成され
ている。

【００６２】この本実施形態４の半導体レーザ素子１２
３は、以下のようにして作製することができる。

【００６３】まず、図１９に示すように、ｎ型ＧａＡｓ
基板１０１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ型Ｇ
ａＩｎＰバッファ層１０３、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層１０４、ＧａＩｎＰ可飽和吸収層１０５、ｎ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層１０６、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩ
ｎＰ歪多重量子井戸活性層１０７、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層（ｐ型不純物Ｂｅ濃度１．２×１０¹⁸ｃ
ｍ^-3）１０８、ＧａＩｎＰ可飽和吸収層１０９、ｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層１１０、ＧａＩｎＰエッチング
ストップ層１１１、ｎ型（Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7）_0.5ＩｎＰ
電流ブロック層１１２、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１
１３を順次ＭＢＥ法で形成する。この一連の膜成長の
後、Ａｌ₂Ｏ₃層１１４をｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１
１３上に電子ビーム蒸着法で作製する。このとき、ｎ型
（Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7）_0.5ＩｎＰ電流ブロック層１１２の
層厚はＧａＩｎＰエッチストップ層１１１上で１５０ｎ
ｍである。また、このｎ型（Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7）_0.5Ｉｎ
Ｐ電流ブロック層１１２のＡｌ混晶比は０．３であり、
これは本実施形態４のレーザの活性層から出る光（発振
波長６３５ｎｍ）を吸収しない。

【００６４】次に、図２０に示すように、Ａｌ₂Ｏ₃層１
１４上にホトリソグラフィー法によってエッチングマス
ク１１５を作製した後、このエッチングマスク１１５を
利用してエッチングストップ層１１１までのｎ型（Ａｌ
_0.3Ｇａ_0.7）_0.5ＩｎＰ電流ブロック層１１２およびｎ
型ＧａＡｓ電流ブロック層１１３の各層の中央部分を硫
酸系、塩素系、臭素系などのエッチング液でストライプ
溝状にエッチング除去する。

【００６５】さらに、図２１に示すように、このエッチ
ングマスク１１５を有機溶媒によって除去した後、ｐ型
ＡｌＧａＩｎＰ第３クラッド層１１６さらにｐ型ＧａＩ
ｎＰ中間層１１７を有機金属気相成長法（以下ＭＯＣＶ
Ｄ法という）により膜成長させる。

【００６６】さらに、図２２に示すように、ｎ型ＧａＡ
ｓ電流ブロック層１１３上のＡｌ₂Ｏ₃層１１４、ｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰポリ層１１８さらにｐ型ＧａＩｎＰポリ層
１１９をエッチングやリフトオフ法によって除去する。
これらのｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１１３およびｐ型
ＧａＩｎＰ中間層１１７上にｐ型ＧａＡｓコンタクト層
１２０をＭＢＥ法で作製する。

【００６７】さらに、図２３に示すように、真空蒸着法
により、このｐ型ＧａＡｓコンタクト層１２０上にｐ型
電極１２１を形成し、また、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の
反対面側にｎ型電極１２２を形成して、本実施形態４の
半導体レーザ素子１２３が完成する。

【００６８】以上のような本実施形態４の半導体レーザ
素子では、活性層１０７からのレーザ光を吸収しないｎ
型（Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7）_0.5ＩｎＰ電流ブロック層１１２
がない素子と比較して、閾値電流が５５ｍＡ〜３０ｍＡ
とほぼ５０パーセント程度低減できた。また、戻り光雑
音についても、本実施形態４の半導体レーザ素子１２３
では、戻り光１０パーセントで相対雑音強度−１４０ｄ
Ｂ／ＨＺ以下と良好であった。

【００６９】したがって、以上の本実施形態１〜４の半
導体レーザ素子を含む本発明の半導体レーザ素子におい
ては、活性層の一部領域としてまたは活性層近傍位置に
可飽和吸収層が形成され、電流ブロック層が活性層から
出射されるレーザ光を吸収する層と吸収しない層からな
り、活性層に近い側にレーザ光を吸収しない層を設けて
いる。

【００７０】このように、活性層から出射されるレーザ
光を吸収しない層を活性層に近い側に形成するのは、光
の分布を拡げて可飽和吸収層に光のみある程度以上分布
させるためであり、これにより光の拡がりと電流の拡り
とを独立して制御することができる。また、上記活性層
から出射されるレーザ光を吸収する層を活性層から遠い
側に形成するのは、ロスガイド構造により横方向への光
の閉じ込めを良好にして横モードを安定化させるためで
ある。

【００７１】また、可飽和吸収層での光損失により半導
体レーザ素子の閾値電流は３０％以上増加するが、活性
層から出射されるレーザ光を吸収しない層を活性層に近
い側に形成することにより、電流ブロック層での光損失
を低減させて閾値電流を減少させることができる。

【００７２】図１４に、活性層から出射されるレーザ光
を吸収しない電流ブロック層の厚みと半導体レーザ素子
の閾値電流との関係を示している。なお、この場合、活
性層としてはＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰの多重量子井
戸（発振閾値６３５ｎｍ）層を用いた。リッジ部の側面
を埋め込む電流ブロック層のうち、活性層から出射され
るレーザ光を吸収しない層としてはｎ型Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4
Ａｓ層（Ａｌ混晶比０．６）、活性層から出射されるレ
ーザ光を吸収する層としてはｎ型ＧａＡｓ層を用いた。

【００７３】図１４に示すように、活性層から出射され
るレーザ光を吸収しない層の厚みを厚くすることにより
閾値電流が減少することが解る。この厚みを１５０ｎｍ
にすることにより閾値電流は５０％以上減少させること
ができるが、この厚みを１５０ｎｍ以上厚くしてもその
効果は殆ど変わらなかった。また、この厚みを厚くし過
ぎると、実屈折率導波構造に近付いて横モードが不安定
になる恐れがある。よって、活性層から出射されるレー
ザ光を吸収しない層の厚みは１５０ｎｍ以下にするのが
望ましい。

【００７４】上記活性層から出射されるレーザ光を吸収
しない層は、Ａｌ混晶比の比較的低い層を用いることが
でき、例えば、クラッド層と同じ材料系を用いる場合に
は、クラッド層に比べてＡｌ混晶比の低い層を用いるこ
とができる。よって、結晶性を良好にすることができ、
欠陥などによる非発光中心が生じない。また、Ａｌ混晶
比が比較的高い層を用いても、１５０ｎｍ以下の厚みで
は結晶性の悪化による影響が小さいので、欠陥などによ
る非発光中心の発生を少なくできる。このように、欠陥
などの少ない層が活性層に近い側に形成されているの
で、動作電流が増大するようなことがなく、半導体レー
ザ素子の特性および信頼性を良好にすることができる。

【００７５】上記活性層から出射されるレーザ光を吸収
しない層が活性層に近い側に形成されているので、可飽
和吸収層に光のみを分布させるために電流の拡がりを制
限する必要がない。よって、ｐ型クラッド層のｐ型不純
物濃度を１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上にすることができ、高温
での特性を良好にすることができる。

【００７６】なお、本発明の半導体レーザ素子を構成す
る半導体材料としては、特に限定されず、ＡｌＧａＩｎ
Ｐ系、ＡｌＧａＡｓ系など、種々の材料を用いることが
できる。各半導体層の導電型は、第１導電型をｎ型、第
２導電型をｐ型にしてもよく、各々を反対の導電型にし
てもよい。ｐ型クラッド層のｐ型不純物としては、Ｂ
ｅ、ＺｎまたはＴｅなどを用いることができる。

【００７７】また、半導体層の成長方法も特に限定され
ず、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法など、種々の方
法を用いることができる。

【００７８】さらに、上記実施形態１では、活性層から
出射されるレーザ光を吸収する可飽和吸収領域が可飽和
吸収層として活性層近傍位置である第２クラッド層と第
３クラッド層の間に設けられ、また、上記実施形態２で
は、実施形態１のように活性層近傍位置に可飽和吸収層
を設ける代わりに、電流が注入されていない活性層の領
域を可飽和吸収領域とし、さらに、上記実施形態４で
は、活性層の上下位置の各第１クラッド層および第２ク
ラッド層中にそれぞれ可飽和吸収層が設けられている場
合について説明したが、これらの他に、活性層近傍位置
の可飽和吸収領域は、第１クラッド層、第２クラッド層
および第３クラッド層のうち少なくとも何れかの層中に
設けられていても、上記実施形態１〜４と同様の効果を
奏することができる。

【００７９】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、電流ブロ
ック層が活性層から出射されるレーザ光を吸収しない層
と吸収する層からなり、活性層に近い側にレーザ光を吸
収しない層が形成されているので、可飽和吸収層による
内部損失から生じる閾値電流の増大を低減することがで
きる。

【００８０】また、電流ブロック層を活性層から出射さ
れるレーザ光を吸収しない層のみで構成した場合に比べ
て、レーザ光の横モードが安定性に優れ、光−電流特性
の折れ曲がり（キンク）が起こり難く、高出力動作時で
も低電流駆動を行うことができる。

【００８１】さらに、可飽和吸収層への光の分布と活性
層への電流注入幅とを独立して制御することができるの
で、自励発振可能な半導体レーザ素子の設計が容易であ
る。また、ｐ型クラッド層のｐ型不純物であるＢｅ、Ｚ
ｎまたはＴｅなどのドーピング濃度を高くできるので、
従来の半導体レーザ素子に比べて高温動作時の特性が良
好であり、十分低い動作電流により単一横モードの良好
な自励発振が得られる。

【００８２】さらに、活性層から出射される光を吸収し
ない層は、Ａｌ混晶比を高くする必要がなく、クラッド
層と同じ材料系であればＡｌ混晶比をクラッド層よりも
低くすることができるので、結晶欠陥が少なく熱伝導率
も比較的高い層とすることができる。よって、素子特性
が低下せず、信頼性が高い半導体レーザ素子が得られ
る。また、活性層から出射される光を吸収しない層のＡ
ｌ混晶比を高くしても１５０ｎｍ以下の厚みであれば、
素子特性を劣化させる欠陥などや低い熱伝導率の悪影響
が出ず、信頼性が良好である。

【００８３】このように、本発明の半導体レーザ素子
は、戻り光雑音が低く、光学系が容易で低コストに作製
でき、低動作電流で信頼性および高温動作時の特性が良
好であるので、光ディスクシステムなどの光記憶装置に
幅広く用いることができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１の半導体レーザ素子の積層
構造を示す断面図である。

【図２】図１の半導体レーザ素子の積層工程を示す断面
図である。

【図３】図１の半導体レーザ素子のエッチングマスク形
成工程を示す断面図である。

【図４】図１の半導体レーザ素子のリッジ部作製工程を
示す断面図である。

【図５】図１の半導体レーザ素子の電流ブロック層積層
工程を示す断面図である。

【図６】図１の半導体レーザ素子のポリ層除去工程を示
す断面図である。

【図７】本発明の実施形態２の半導体レーザ素子の積層
構造を示す断面図である。

【図８】本発明の実施形態３の半導体レーザ素子の積層
構造を示す断面図である。

【図９】図８の半導体レーザ素子の積層工程を示す断面
図である。

【図１０】図８の半導体レーザ素子のエッチングマスク
形成工程を示す断面図である。

【図１１】図８の半導体レーザ素子のリッジ部作製工程
を示す断面図である。

【図１２】図８の半導体レーザ素子の電流ブロック層積
層工程を示す断面図である。

【図１３】図８の半導体レーザ素子のポリ層除去工程を
示す断面図である。

【図１４】活性層から出射されるレーザ光を吸収しない
層の厚みと半導体レーザ素子の閾値電流との関係を示す
図である。

【図１５】半導体レーザ素子の注入キャリア密度−利得
特性に対する可飽和吸収層の働きを示す図であって、レ
ーザ発振時の説明図である。

【図１６】半導体レーザ素子の注入キャリア密度−利得
特性に対する可飽和吸収層の働きを示す図であって、発
振閾値利得低下時の説明図である。

【図１７】半導体レーザ素子の注入キャリア密度−利得
特性に対する可飽和吸収層の働きを示す図であって、レ
ーザ発振停止時の説明図である。

【図１８】従来の半導体レーザ素子の積層構造を示す断
面図である。

【図１９】図２３の半導体レーザ素子の積層工程を示す
断面図である。

【図２０】図２３の半導体レーザ素子のストライプ溝部
作製工程を示す断面図である。

【図２１】図２３の半導体レーザ素子の第３クラッド層
および中間層積層工程を示す断面図である。

【図２２】図２３の半導体レーザ素子のコンタクト層積
層工程を示す断面図である。

【図２３】本発明の実施形態４の半導体レーザ素子の積
層構造を示す断面図である。

【符号の説明】

１１，４１，１０１ｎ型ＧａＡｓ基板１２，４２，１０２ｎ型ＧａＡｓ層１３，４３，１０３ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層１４，４４ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１５ＧａＩｎＰ活性層１６，４６ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１７，４７，１０５，１０９ＧａＩｎＰ可飽和吸収
層１８，４８，１１６ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第３クラッ
ド層１９，４９，１１７ｐ型ＧａＩｎＰ中間層２０，５０，１２０ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２１ストライプ状リッジ部２２ｎ型Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓ電流ブロック層２３，５２，１１３ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層２４，５３，１２１ｐ型電極２５，５４，１２２ｎ型電極２６，５５，１２３半導体レーザ素子４５ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性
層５１ｎ型（Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ電流ブロ
ック層１０４，１０６ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（第
１クラッド層）１０７ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ歪多重量子井戸
活性層１０８，１１０ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（第
２クラッド層）１１１ＧａＩｎＰエッチングストップ層１１２ｎ型（Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7）_0.5ＩｎＰ電流ブロ
ック層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも第１導電型の第１クラッド
層、活性層および第２導電型の第２クラッド層がこの順
に積層されて設けられ、該第２クラッド層上に電流狭窄
用のストライプ状リッジ部における第２導電型の第３ク
ラッド層が設けられ、該活性層の一部領域としてまたは
該活性層近傍位置に、該活性層から出射されるレーザ光
を吸収する可飽和吸収領域が設けられ、該ストライプ状
リッジ部の両側面を埋め込んで第１導電型の電流ブロッ
ク層が設けられ、該電流ブロック層は該レーザ光を吸収
する層と吸収しない層とからなり、かつ該活性層に近い
側に該レーザ光を吸収しない層が設けられている半導体
レーザ素子。
【請求項２】少なくとも第１導電型の第１クラッド
層、活性層および第２導電型の第２クラッド層がこの順
に積層されて設けられ、該第２クラッド層上方に電流狭
窄用のストライプ状溝部を有する第１導電型の電流ブロ
ック層が設けられ、該第２クラッド層上方の該電流狭窄
用のストライプ状溝部内に第２導電型の第３クラッド層
が設けられ、該活性層の一部領域としてまたは該活性層
近傍位置に、該活性層から出射されるレーザ光を吸収す
る可飽和吸収領域が設けられ、該電流ブロック層は該レ
ーザ光を吸収する層と吸収しない層とからなり、かつ該
活性層に近い側に該レーザ光を吸収しない層が設けられ
ている半導体レーザ素子。
【請求項３】前記活性層近傍位置の可飽和吸収領域
は、前記第１クラッド層、第２クラッド層および第３ク
ラッド層のうち少なくとも何れかの層中に設けられてい
るか、または該第２クラッド層と第３クラッド層の間に
設けられている請求項１または２記載の半導体レーザ素
子。
【請求項４】前記第１クラッド層、第２クラッド層お
よび第３クラッド層のうち、ｐ型クラッド層のｐ型不純
物濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上である請求項１または２
記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】前記活性層から出射されるレーザ光を吸
収しない層の厚みが１５０ｎｍ以下である請求項１また
は２記載の半導体レーザ素子。