JPS5911690A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS5911690A JPS5911690A JP11976882A JP11976882A JPS5911690A JP S5911690 A JPS5911690 A JP S5911690A JP 11976882 A JP11976882 A JP 11976882A JP 11976882 A JP11976882 A JP 11976882A JP S5911690 A JPS5911690 A JP S5911690A
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- semiconductor
- laser
- thickness
- laser device
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、軸モードをマルチ化した半導体レーザ装置に
関するものである。
関するものである。
半導体レーザ装置（１、周知のように優れた各種特徴を
有しており、光通信や光デイスク用ピックアップの光源
として実用化が進められている。
有しており、光通信や光デイスク用ピックアップの光源
として実用化が進められている。
従来の発撮横モードを制御てれた半導体レーザ装置は、
軸モードに関しては何ら積極的な制御をしていない（フ
ァプリーペロ形である）にもかかわらず、傾向としては
軸モードが単一になり易すがった。このような軸モード
単一のレーザ装置は、周囲温度の変動や外部からの反射
による更り光等の外乱により、発振波長や光出力が不安
定になって光ノイズが発生したり、空間的な光強度分布
の変動が生じやすい。このため光通信や光ディスクへの
応用上、大きな障害となることがあった。
軸モードに関しては何ら積極的な制御をしていない（フ
ァプリーペロ形である）にもかかわらず、傾向としては
軸モードが単一になり易すがった。このような軸モード
単一のレーザ装置は、周囲温度の変動や外部からの反射
による更り光等の外乱により、発振波長や光出力が不安
定になって光ノイズが発生したり、空間的な光強度分布
の変動が生じやすい。このため光通信や光ディスクへの
応用上、大きな障害となることがあった。
本発明は上記のような従来の半導体レーザ装置の問題点
を解決し、レーザ光の反射により戻り光等の外乱に対し
ても安定に動作する、マルチ軸モード半導体レーザ装置
全提供するものである。
を解決し、レーザ光の反射により戻り光等の外乱に対し
ても安定に動作する、マルチ軸モード半導体レーザ装置
全提供するものである。
上記目的’ｔ４成するために、本発明においては以下に
示す構造を用いる。
示す構造を用いる。
第１の半導体層をこの第１の半導体層に比して禁制帯幅
が広く且屈折率が小なる第２および第３の半導体層で挾
み込み、前記第１の半導体層に電流を注入し励起する半
導体レーザ装置において、前記第１及び第２の半導体層
のうちの小なくとも一方に厚での段差を設け、前記厚さ
に段差を設けた半導体層の厚きの薄い部分にはレーザ発
振光を吸収する吸収材料層を設け、さらに前記厚さに段
差を設けた半導体層の厚さの薄い部分の厚さを前記レー
ザ発振光が前記吸収材料層にしみ出し得る厚さとして前
記第１の半導体層内に実質的な光導波路を構成した半導
体レーザ装置であって、且前゛記光導波路をレーザ光の
進行方向に対し不均一性・、を有せしめるものである。
が広く且屈折率が小なる第２および第３の半導体層で挾
み込み、前記第１の半導体層に電流を注入し励起する半
導体レーザ装置において、前記第１及び第２の半導体層
のうちの小なくとも一方に厚での段差を設け、前記厚さ
に段差を設けた半導体層の厚きの薄い部分にはレーザ発
振光を吸収する吸収材料層を設け、さらに前記厚さに段
差を設けた半導体層の厚さの薄い部分の厚さを前記レー
ザ発振光が前記吸収材料層にしみ出し得る厚さとして前
記第１の半導体層内に実質的な光導波路を構成した半導
体レーザ装置であって、且前゛記光導波路をレーザ光の
進行方向に対し不均一性・、を有せしめるものである。
この光導波路の不均一性を持たせるには前記吸収材料層
に挾まれた第２或いは第３の半導体層の幅或いは厚ざの
いずれが一者を変化させることによって実現され目−こ
の幅或いは厚さの変化が完全に規則性−ｔｎさない如く
に構成する。
に挾まれた第２或いは第３の半導体層の幅或いは厚ざの
いずれが一者を変化させることによって実現され目−こ
の幅或いは厚さの変化が完全に規則性−ｔｎさない如く
に構成する。
ＱａＡｓ−（）ａＡｓ系半導体レーザを例にとって考え
る。ＱａＡｓ活性層’ｋＧａＡｔＡｓ 層ではさみこ
んだ構造のＤＨ（Ｄｏｕｂｌｅ Ｈｅｔｅｒｏ ）
ｖ−サでは発振時に元は層厚方向に活性層で最も強く、
両側の（）ａＡｔＡｓへ各々すそをもった滑らかな強度
分布をもって広がっている。ここで所足幅のストライプ
の両側でＧａＡｔＡｓ層の厚きを薄くして光のしみ出し
のすそが吸収層にかけるようにすれば、横方向での損失
が増大し横モードの広がりおよび高次モードの発振を防
止することができる。
る。ＱａＡｓ活性層’ｋＧａＡｔＡｓ 層ではさみこ
んだ構造のＤＨ（Ｄｏｕｂｌｅ Ｈｅｔｅｒｏ ）
ｖ−サでは発振時に元は層厚方向に活性層で最も強く、
両側の（）ａＡｔＡｓへ各々すそをもった滑らかな強度
分布をもって広がっている。ここで所足幅のストライプ
の両側でＧａＡｔＡｓ層の厚きを薄くして光のしみ出し
のすそが吸収層にかけるようにすれば、横方向での損失
が増大し横モードの広がりおよび高次モードの発振を防
止することができる。
この場合、レーザ発振を行なわしめるストライプ状領域
の幅を一定となす、或いはその深さを一足となした場合
、好都合にマルチモードの発振を行なわすことが困難で
ある。そこで前述した様にこのストライブ状領域、即ち
前記吸収材料層に挾まれた第２或いは第３の半導体層の
幅或いは厚をのいずれか一者を変化をせるのである。そ
して、その変化のさせ方はキャビティ全体にわたって完
全に規則性を持たない様に設計をなす必要がある。
の幅を一定となす、或いはその深さを一足となした場合
、好都合にマルチモードの発振を行なわすことが困難で
ある。そこで前述した様にこのストライブ状領域、即ち
前記吸収材料層に挾まれた第２或いは第３の半導体層の
幅或いは厚をのいずれか一者を変化をせるのである。そ
して、その変化のさせ方はキャビティ全体にわたって完
全に規則性を持たない様に設計をなす必要がある。
こうすることによって安定にマルチモード発振が可能と
なる。
なる。
なお、吸収材料層による吸収の程度は、吸収を受ける領
域を吸収を受けない領域における当該レーザ光に対する
実効屈折率の差（Ｚｎ）は一般に１０−３以上となして
いる。
域を吸収を受けない領域における当該レーザ光に対する
実効屈折率の差（Ｚｎ）は一般に１０−３以上となして
いる。
第１図および第２図は、各々本発明の実施例を示す半纏
体レーザ素子の半導体基板表面図、および完成したレー
ザ素子の光の進行方向に対し直角な方向の断面図である
。第１図に示すように第１の実施例においてｆｌ、ｎ形
ＱａＡｓ基板１ （ｓｉドープ＋ ｎ−Ｉ Ｘ １０”
ｃｍ−” 、 （１００）面）表面に幅３μｍ１および
４μｍの凹溝２７１０μｍ〜１５μｍの不規則なピッチ
で交互に且連続して形成した。凹溝の深さは１．３μｍ
とした。この凹溝２の幅は通常２μｍ〜７μｍの程度の
範囲で選択される。そして凹溝２の幅の差ＵＯ，５〜２
μｍ程度の差を持たせて、光の進行方向に変化でせるこ
ととなる。図示した如き矩形の変化を持たせる場合、変
化のピッチは１〜３０μｍ程度の範囲で選択する。次い
で通常の液相エピタキシャル成長法によって、ｎ形ｏａ
ｏ、ｆｆ１５ Ａｔ０，４５”Ａｓクラッド層３（Ｔｅ
ドープ、 ｊｌ〜５ Ｘ １０”ｃｒｎ−３，厚さ溝の
外側で０．３μｍ）、アンドープＧａｎ、ｓ、ｌＡ４．
，４Ａｓ活性層４（厚さ約０．０７．／ｊｍ）、ｐ形Ｇ
ａｏ、ｆｉ５Ａ ４．４！ｌ Ａ Ｓクラッド層５（
Ｚｎドープ、Ｐ〜３×１０”ｃｒｎ−”、厚さ１．６μ
ｍ ｌ ＋ ｐ−ＧａＡｓ キャップ層６ （Ｇｅ
ドープｐ〜５×１ｏ１７Ｃｒｎ−３，厚さ０．５μｍＪ
を連続的に形成した。積層の状態は第２図に示した通り
である。つき゛にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によってＳ ｉ Ｑ
、膜７を形成し、ホトリソグラフィによって中央にスト
ライプ状の開口を設け、表面にｐ電極８全形成した。半
導体基板の裏面は全体の厚さが約１００μｍになるまで
、研摩および化学エツチングした後、ｎ側を極９を形成
した。更に、共振器長３００μｍにへき開ぞ共振器の鏡
面を形成する。次いでスクライブを行ってレーザチップ
を作成した。
体レーザ素子の半導体基板表面図、および完成したレー
ザ素子の光の進行方向に対し直角な方向の断面図である
。第１図に示すように第１の実施例においてｆｌ、ｎ形
ＱａＡｓ基板１ （ｓｉドープ＋ ｎ−Ｉ Ｘ １０”
ｃｍ−” 、 （１００）面）表面に幅３μｍ１および
４μｍの凹溝２７１０μｍ〜１５μｍの不規則なピッチ
で交互に且連続して形成した。凹溝の深さは１．３μｍ
とした。この凹溝２の幅は通常２μｍ〜７μｍの程度の
範囲で選択される。そして凹溝２の幅の差ＵＯ，５〜２
μｍ程度の差を持たせて、光の進行方向に変化でせるこ
ととなる。図示した如き矩形の変化を持たせる場合、変
化のピッチは１〜３０μｍ程度の範囲で選択する。次い
で通常の液相エピタキシャル成長法によって、ｎ形ｏａ
ｏ、ｆｆ１５ Ａｔ０，４５”Ａｓクラッド層３（Ｔｅ
ドープ、 ｊｌ〜５ Ｘ １０”ｃｒｎ−３，厚さ溝の
外側で０．３μｍ）、アンドープＧａｎ、ｓ、ｌＡ４．
，４Ａｓ活性層４（厚さ約０．０７．／ｊｍ）、ｐ形Ｇ
ａｏ、ｆｉ５Ａ ４．４！ｌ Ａ Ｓクラッド層５（
Ｚｎドープ、Ｐ〜３×１０”ｃｒｎ−”、厚さ１．６μ
ｍ ｌ ＋ ｐ−ＧａＡｓ キャップ層６ （Ｇｅ
ドープｐ〜５×１ｏ１７Ｃｒｎ−３，厚さ０．５μｍＪ
を連続的に形成した。積層の状態は第２図に示した通り
である。つき゛にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によってＳ ｉ Ｑ
、膜７を形成し、ホトリソグラフィによって中央にスト
ライプ状の開口を設け、表面にｐ電極８全形成した。半
導体基板の裏面は全体の厚さが約１００μｍになるまで
、研摩および化学エツチングした後、ｎ側を極９を形成
した。更に、共振器長３００μｍにへき開ぞ共振器の鏡
面を形成する。次いでスクライブを行ってレーザチップ
を作成した。
本レーザ素子はしきい電流値約８０ｍＡ、波長約７８０
ｎｍで発振した。横モードは２０ｍＷまで基本モード
で安定に発振した。第３図は本レーザ素子の発振スペク
トルを示したものである。同図に示すように、本レーザ
素子は軸モードがマルチ化されており、通常４本〜１０
本穆度の複数本の発振線が観測された。本レーザ素子の
温度変化や外部からの反射による戻り光に対する安定性
を評価したところ、光出力変動によるノイズや、光強度
分布のゆらぎ等の少さい、非常に安定した特性であるこ
とが判った。また、非点収差は２μｍ以下であった。
ｎｍで発振した。横モードは２０ｍＷまで基本モード
で安定に発振した。第３図は本レーザ素子の発振スペク
トルを示したものである。同図に示すように、本レーザ
素子は軸モードがマルチ化されており、通常４本〜１０
本穆度の複数本の発振線が観測された。本レーザ素子の
温度変化や外部からの反射による戻り光に対する安定性
を評価したところ、光出力変動によるノイズや、光強度
分布のゆらぎ等の少さい、非常に安定した特性であるこ
とが判った。また、非点収差は２μｍ以下であった。
なお、クラッド層３，５の混晶比を非対象としても良い
ことはいうまでも力い。これは他の実施例についても同
様である。
ことはいうまでも力い。これは他の実施例についても同
様である。
第４図は別な実施例の半導体レーザ装置の半導体基板結
晶表面に形成した凹溝の平面形状を示すものである。本
実施例では、ｎ形ＧａＡＳ基板１表面に、幅３μｍ深さ
１．３μｍの凹溝を１０μｍ〜１５μｍの不規則なピッ
チで中心から左右に０．５μｍずつずらして形成し＋
１０ ）、直線性を乱す構造とした。凹溝の幅の変化の
させ方は前述の例を同様の考え方で良い。他の構成は第
１の実施例と同様である。本実施例の半導体レーザ素子
についても、前框１の実施例とほぼ同様の安定した特性
が得られた。
晶表面に形成した凹溝の平面形状を示すものである。本
実施例では、ｎ形ＧａＡＳ基板１表面に、幅３μｍ深さ
１．３μｍの凹溝を１０μｍ〜１５μｍの不規則なピッ
チで中心から左右に０．５μｍずつずらして形成し＋
１０ ）、直線性を乱す構造とした。凹溝の幅の変化の
させ方は前述の例を同様の考え方で良い。他の構成は第
１の実施例と同様である。本実施例の半導体レーザ素子
についても、前框１の実施例とほぼ同様の安定した特性
が得られた。
本発明の更に別な実施例を第５図に示す。第５図は、本
発明の半導体レーザ素子の光の進行方向に対して直角な
方向の断面′図である。１１ｉ’ｆｆｐ形ＧａＡｓ基板
（Ｚｎドープ＋ ｐ−ｔ Ｘ １０”、＞−”／）（１
００１面で、この上にまず、ｎ形ＱａＡｓ層１２ （Ｓ
ｎｎドープ ｎｍ５ Ｘ １０１７ｃｒｎ−” 、厚さ
０．８μｍ ） ｆ形成し、つぎにホトリソグランイに
よって、第１の実施例と同様の幅が不規則に変化した凹
溝を作製した（第１図参照）。つぎに、通常の液相成長
法によって、ｐ形Ｇ ａｏ、５５ Ａｔｏ、４６ Ａｓ
クラッド層１３（Ｚｎドープ＋ ｐ〜３Ｘ １０”Ｃｌ
ｎ−’ 。
発明の半導体レーザ素子の光の進行方向に対して直角な
方向の断面′図である。１１ｉ’ｆｆｐ形ＧａＡｓ基板
（Ｚｎドープ＋ ｐ−ｔ Ｘ １０”、＞−”／）（１
００１面で、この上にまず、ｎ形ＱａＡｓ層１２ （Ｓ
ｎｎドープ ｎｍ５ Ｘ １０１７ｃｒｎ−” 、厚さ
０．８μｍ ） ｆ形成し、つぎにホトリソグランイに
よって、第１の実施例と同様の幅が不規則に変化した凹
溝を作製した（第１図参照）。つぎに、通常の液相成長
法によって、ｐ形Ｇ ａｏ、５５ Ａｔｏ、４６ Ａｓ
クラッド層１３（Ｚｎドープ＋ ｐ〜３Ｘ １０”Ｃｌ
ｎ−’ 。
厚さ溝の外側で０．３μｍ）、アンドープＧａｏ４ｅＡ
ｌ−０，＋４ Ａｓ活性層１４（厚さ約０．０７μｍｌ
、ｎ形Ｑａ、、５５ Ａ／−ｏ、＋５Ａｓクラッド層１
ｊ（Ｔｅドープ、ｎｍ５ Ｘ １０”ｃｒｎ−” 、厚
さ２．０μｍ）、ｎ形０ａＡｓキャップ層１６（ｓｎド
ープ、ｎ−１Ｘ １０１１０ｌ８” 、厚さｌｌ１ｍ）
ｆ連続的に形成した。つぎに表面［ｎ電極１７、裏面に
ｐ電極１８全形成した。
ｌ−０，＋４ Ａｓ活性層１４（厚さ約０．０７μｍｌ
、ｎ形Ｑａ、、５５ Ａ／−ｏ、＋５Ａｓクラッド層１
ｊ（Ｔｅドープ、ｎｍ５ Ｘ １０”ｃｒｎ−” 、厚
さ２．０μｍ）、ｎ形０ａＡｓキャップ層１６（ｓｎド
ープ、ｎ−１Ｘ １０１１０ｌ８” 、厚さｌｌ１ｍ）
ｆ連続的に形成した。つぎに表面［ｎ電極１７、裏面に
ｐ電極１８全形成した。
本レーザ素子は、基板１１表面に形成したｎ形ＧａＡｓ
層１２によって、レーザ活性部に効率良く電流が狭搾さ
れるため、発振しきい値の低減が可能（（なった。本レ
ーザは発振しきい値約３０ｍＡ。
層１２によって、レーザ活性部に効率良く電流が狭搾さ
れるため、発振しきい値の低減が可能（（なった。本レ
ーザは発振しきい値約３０ｍＡ。
波長７８０ｎｍで発振し、２０ｍＷ４で横基本モードで
安定に発振した。また、発振スペクトルも第３図と同様
のマルチ軸モードが得られ、温度変動や戻り光に対して
も安定に動作し、光通信や光デイスク用光源として適し
ていることが判った。
安定に発振した。また、発振スペクトルも第３図と同様
のマルチ軸モードが得られ、温度変動や戻り光に対して
も安定に動作し、光通信や光デイスク用光源として適し
ていることが判った。
ま几、横モード制御のための光吸収材料層は第２爾又は
第５図におけるＧａＡｔｋｓ層５或いは１５に設けても
良い。この例を第６図に示す。第６図はレーザ光の進行
方向に対し垂直な面での断面図である。即ち、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板２１上に連続ＧａＡｓ層２３．１．５〜２．０
ｐ ｍのｐ型Ａ４．３Ｇａｏ、、Ａｓ層２４を形成し
、次に選択エツチングによりｐ型Ａｌｏ、 ａ Ｇ ａ
ｏ、ｔ Ａ ｓ層２４の所定１［６ＭＪ域以外の両側）
約０．５μｍの厚きに薄くしてｐ型Ｇａ、、、 ｏａ、
、、 Ａｓ 層２４に凸状構造を造る。この場合、凸
状構造の幅（レーザ光の進行方向に垂直な方向の幅）を
前述の基板における凹部の幅と同様に、幅３μｍおよび
４μｍの領域をピッチ１０μｍ〜１５μｍの不規則性を
持たせて交互に形成する。第６図の点線は幅の狭い凸状
領域を示している。
第５図におけるＧａＡｔｋｓ層５或いは１５に設けても
良い。この例を第６図に示す。第６図はレーザ光の進行
方向に対し垂直な面での断面図である。即ち、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板２１上に連続ＧａＡｓ層２３．１．５〜２．０
ｐ ｍのｐ型Ａ４．３Ｇａｏ、、Ａｓ層２４を形成し
、次に選択エツチングによりｐ型Ａｌｏ、 ａ Ｇ ａ
ｏ、ｔ Ａ ｓ層２４の所定１［６ＭＪ域以外の両側）
約０．５μｍの厚きに薄くしてｐ型Ｇａ、、、 ｏａ、
、、 Ａｓ 層２４に凸状構造を造る。この場合、凸
状構造の幅（レーザ光の進行方向に垂直な方向の幅）を
前述の基板における凹部の幅と同様に、幅３μｍおよび
４μｍの領域をピッチ１０μｍ〜１５μｍの不規則性を
持たせて交互に形成する。第６図の点線は幅の狭い凸状
領域を示している。
次に再び液相エピタキシャル法で１〜２μｍのｎ形Ｑａ
Ａｓ層２６を形成する。その後、Ｚｎの拡散により凸状
領域にｐ形ＧａＡｓ２５’に形成し、ｎ側およびｎ側の
電極２７および２８を形成して半導体レーザ装置を完成
する。
Ａｓ層２６を形成する。その後、Ｚｎの拡散により凸状
領域にｐ形ＧａＡｓ２５’に形成し、ｎ側およびｎ側の
電極２７および２８を形成して半導体レーザ装置を完成
する。
横モードの制御に関してはｎ形ＱａＡｓ層２６が凸状領
域の外側にしみ出した光に損失を与え、モードの制罷１
効果を奏すると共にその凸状領域の幅に不規則性が与え
られることによってマルチモードのレーザ発振が確保さ
れる。
域の外側にしみ出した光に損失を与え、モードの制罷１
効果を奏すると共にその凸状領域の幅に不規則性が与え
られることによってマルチモードのレーザ発振が確保さ
れる。
更に光導波路の不均一性は吸収効果に不規則性を与えて
も良い。たとえば、基板の凹部の両側の表面に更に段差
を与え、ここにおける吸収量に種種の差を与えても良い
。第７図はこうした例を示す半導体レーザ装置の断面図
である。
も良い。たとえば、基板の凹部の両側の表面に更に段差
を与え、ここにおける吸収量に種種の差を与えても良い
。第７図はこうした例を示す半導体レーザ装置の断面図
である。
半導体層の積ＩＭ ｌ１Ｉｎは第２図のそれと同様であ
る。
る。
第２図の例では凹部２の幅を変化させたが、第７図の例
でに四部２そのものの幅はストライプ状に一定とシ７、
他方凹部２の両側１１．１１’の吸収効果の生ずる部分
にも若干の凹部全形成し、半導体層３の領域１１，１１
．’の厚さに変化を持たせる。第７図の点線は基板の表
面の低い部分を示している。第９図は基板１の平面図で
第７図はＡＡ′断面の断面図である。第８図は第９図の
ＢＢ’断面の断面図である。凹部２の深きは実質的に吸
収量 を受けだい程度の深さとするが、０．０５μｆη〜０．
７μｍ程度の範囲で当該深さの変化をつける。
でに四部２そのものの幅はストライプ状に一定とシ７、
他方凹部２の両側１１．１１’の吸収効果の生ずる部分
にも若干の凹部全形成し、半導体層３の領域１１，１１
．’の厚さに変化を持たせる。第７図の点線は基板の表
面の低い部分を示している。第９図は基板１の平面図で
第７図はＡＡ′断面の断面図である。第８図は第９図の
ＢＢ’断面の断面図である。凹部２の深きは実質的に吸
収量 を受けだい程度の深さとするが、０．０５μｆη〜０．
７μｍ程度の範囲で当該深さの変化をつける。
深ざに変化をつけるピッチは１〜３０μｍ程度である。
以上の例ではＱａＡｓ−ＧａＡｔＡｓ系の半導体レーザ
に関して説明したが、Ｘが活性層Ｔｈｔ”ｔさむＡｔｘ
Ｑａｌ−ｘＡｓ層より小をいＡ、 ｔ ｘ Ｑ ａ １
− ｘ Ａ、 Ｂでも良いことはいう壕でもない。又Ｇ
ａＡｓ −Ｏａ ＡｔＡ ｓ系材料によらず、他の相料
、例えば■−■族化族化合物半導体日用半導体レーザに
も適用出来ることはいう寸でもない。
に関して説明したが、Ｘが活性層Ｔｈｔ”ｔさむＡｔｘ
Ｑａｌ−ｘＡｓ層より小をいＡ、 ｔ ｘ Ｑ ａ １
− ｘ Ａ、 Ｂでも良いことはいう壕でもない。又Ｇ
ａＡｓ −Ｏａ ＡｔＡ ｓ系材料によらず、他の相料
、例えば■−■族化族化合物半導体日用半導体レーザに
も適用出来ることはいう寸でもない。
以上述べてきたように、本発明によれば、温度変動や、
外部からの戻り光に対しても安定に動作し、ま念非点収
差が小さい、マルチ軸モードの半導体レーザ装置が得ら
れ、光通信や光デイスク用ピックアップ等への応用に非
常に適している光源が作製できるようになった。
外部からの戻り光に対しても安定に動作し、ま念非点収
差が小さい、マルチ軸モードの半導体レーザ装置が得ら
れ、光通信や光デイスク用ピックアップ等への応用に非
常に適している光源が作製できるようになった。
第１図は本発明の第１の実施例を示す半導体レーザ装置
にの半導体基板表面に形成した凹溝の形状を示す平面図
である。第２図は本発明の第１の実施例の半導体レーザ
装置の、光の進行方向に直角な方向の断面図、第３図は
半導体レーザ素子の発振スペクトルを示す。第４図は本
発明の別な実施例の半導体基板表面に形成した凹溝を示
す平面図である。第５図、第６図、第７図は各々本発明
の更に別な実施例を示す、半導体レーザ装置の断面図で
ある。第８図は半導体基板の断面図、第９図は半導体基
板の凹凸を示す平面図である。 １・・・ｎ形０ａＡＳ基板、２．１０・・・基板表面に
形成した凹溝、３，５・・・クラッド層、４・・・活性
層、８゜−嘔 第１図 第２図 第３１２１ ’７７８ ｍ ７８θ −）皮長 λ （７？砿〕 ４２１− ・〒６図 ？ど 第７図 ／Ｉ ど ／／”／ 第８図
にの半導体基板表面に形成した凹溝の形状を示す平面図
である。第２図は本発明の第１の実施例の半導体レーザ
装置の、光の進行方向に直角な方向の断面図、第３図は
半導体レーザ素子の発振スペクトルを示す。第４図は本
発明の別な実施例の半導体基板表面に形成した凹溝を示
す平面図である。第５図、第６図、第７図は各々本発明
の更に別な実施例を示す、半導体レーザ装置の断面図で
ある。第８図は半導体基板の断面図、第９図は半導体基
板の凹凸を示す平面図である。 １・・・ｎ形０ａＡＳ基板、２．１０・・・基板表面に
形成した凹溝、３，５・・・クラッド層、４・・・活性
層、８゜−嘔 第１図 第２図 第３１２１ ’７７８ ｍ ７８θ −）皮長 λ （７？砿〕 ４２１− ・〒６図 ？ど 第７図 ／Ｉ ど ／／”／ 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１の半導体層をこの第１の半導体層に比して禁制
帯幅が広ぐ且屈折率が小なる第２および第３の半導体層
で挾み込み、前記第１の半導体層に電流全注入し励起す
る半導体レーザ装置において、前記第２及び第３の半導
体層のうち小なくとも一方に厚さの段差を設け、お前記
厚さの段差を設けた半導体層の厚さの薄い部分にはレー
ザ発振：ｙｔｋ吸収する吸収材料層を設け、さらに前記
厚きに段差を設けた半導体層の厚さの薄い部分の厚さを
前記レーザ発振光が前記吸収材料層にしみ出し得る厚さ
として前記第１の半導体層内に実質的な光導波路を構成
した半導体レーーザ装置であって、且前記光導波路にレ
ーザ光の進行方向に対し不均一性を有せしめたことを特
徴とする半導体レーザ装置。 ２、前記第２及び第３の半導体層のうちのいずれか一考
の厚さの厚い領域がレーザ光の進行方向に幅が変化し、
前記光導波路に不均一性を与えたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。 ３、前記第２及び第３の半導体層のうちのいずれか一考
の厚さの薄い領域がレーザ光の進行方向にその厚さが変
化し１．前記光導波路の不拘−性金与えたことを特徴と
する特、ｖ−１請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11976882A JPS5911690A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11976882A JPS5911690A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5911690A true JPS5911690A (ja) | 1984-01-21 |
Family
ID=14769708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11976882A Pending JPS5911690A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911690A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60188047A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-25 | Osaka Kanetetsu Shokuhin Kk | 可食フイルムに充填した繊維状かまぼこおよびその製造方法 |
| JPS60201687A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Sony Corp | 半導体レ−ザ− |
| US4663221A (en) * | 1985-02-18 | 1987-05-05 | Kuraray Co., Ltd. | Fabric comprising composite sheath-core fibers, fabric comprising bicomponent fiber bundles and process for its preparation |
| US5436196A (en) * | 1993-10-05 | 1995-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing semiconductor laser |
-
1982
- 1982-07-12 JP JP11976882A patent/JPS5911690A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60188047A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-25 | Osaka Kanetetsu Shokuhin Kk | 可食フイルムに充填した繊維状かまぼこおよびその製造方法 |
| JPS60201687A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Sony Corp | 半導体レ−ザ− |
| JPH0587997B2 (ja) * | 1984-03-27 | 1993-12-20 | Sony Corp | |
| US4663221A (en) * | 1985-02-18 | 1987-05-05 | Kuraray Co., Ltd. | Fabric comprising composite sheath-core fibers, fabric comprising bicomponent fiber bundles and process for its preparation |
| US5436196A (en) * | 1993-10-05 | 1995-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing semiconductor laser |
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