JPS5864085A - 半導体レ−ザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS5864085A JPS5864085A JP16301981A JP16301981A JPS5864085A JP S5864085 A JPS5864085 A JP S5864085A JP 16301981 A JP16301981 A JP 16301981A JP 16301981 A JP16301981 A JP 16301981A JP S5864085 A JPS5864085 A JP S5864085A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- type inp
- mesa
- inp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
- H01S5/2235—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface with a protrusion
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明性製造が容易で高性能なＩｎＰを基板とするＩａ
ＧａＡｓＰ 半導体レーザの構造およ、びその製造方法
に関する。
ＧａＡｓＰ 半導体レーザの構造およ、びその製造方法
に関する。
ＩｎＰを基板とするＩｎＧａＡｓＰ 半導体レーザは、
その発光波長がシリカガラス系光ファイバの低損失伝送
波長領域に適合するため、重要な光フアイバ通信用光源
であるｏ ＩｎＧａＡｓＰ 半導体レーザの構造には比
較的製造が容易なプレーナストライプ形や、低発振閾値
が得られる埋め込み形等が報告されている・しかしなが
ら前者では、発振闇値は１００〜２０ ＱｒｎＡと大き
く、又、発振横モードの制御が不十分なため、高次モー
ドが出易く、注入電流−光出力の特性にキンクが見られ
ることが多い。
その発光波長がシリカガラス系光ファイバの低損失伝送
波長領域に適合するため、重要な光フアイバ通信用光源
であるｏ ＩｎＧａＡｓＰ 半導体レーザの構造には比
較的製造が容易なプレーナストライプ形や、低発振閾値
が得られる埋め込み形等が報告されている・しかしなが
ら前者では、発振闇値は１００〜２０ ＱｒｎＡと大き
く、又、発振横モードの制御が不十分なため、高次モー
ドが出易く、注入電流−光出力の特性にキンクが見られ
ることが多い。
後者では、１０〜２０ｍＡ程度の低い発振閾値が得られ
るものの、活性層と、周囲の半導体層との屈折率差が大
きいため、基本横モード発振を得るための活性層幅は２
〜３μｍと狭く一般に製造が難しい。また完全に滑らか
な側面を有する活性層光導波路を形成することは難しく
一般Ｋｌ１面のうね）による光の散乱、反射などｋよシ
放射パターンに干渉パターンが重畳したり、発振軸モー
ドが多軸モード化したりする仁とが多い。
るものの、活性層と、周囲の半導体層との屈折率差が大
きいため、基本横モード発振を得るための活性層幅は２
〜３μｍと狭く一般に製造が難しい。また完全に滑らか
な側面を有する活性層光導波路を形成することは難しく
一般Ｋｌ１面のうね）による光の散乱、反射などｋよシ
放射パターンに干渉パターンが重畳したり、発振軸モー
ドが多軸モード化したりする仁とが多い。
本発明の目的は、前述の埋め込み形程の低い発振閾値の
冥現はむつかしいが十分に制御された電流注入幅、及び
それに対応する光尋波領域を有し、プレーナストライプ
形よりも低い発振閾値を示し、注入ｖＩｔｓ−光出力の
特性の直ｌ＆ｉｌが良く、放射パターンが滑らかで、単
一軸モード発ｉが得られ易く、またプレーナストライプ
形と同程度に製造が容易な構造のＩｎＧａＡｓＰ 半
導体レーザ及びそのに遣方法を提供することにある。
冥現はむつかしいが十分に制御された電流注入幅、及び
それに対応する光尋波領域を有し、プレーナストライプ
形よりも低い発振閾値を示し、注入ｖＩｔｓ−光出力の
特性の直ｌ＆ｉｌが良く、放射パターンが滑らかで、単
一軸モード発ｉが得られ易く、またプレーナストライプ
形と同程度に製造が容易な構造のＩｎＧａＡｓＰ 半
導体レーザ及びそのに遣方法を提供することにある。
本発明によれば、メサストライプが形成されたｐ形Ｉｏ
Ｐ基板メサストライプの上面部を除き、メサストライプ
側面から平ｍ部の方向にノ学さが減少する形状で形成さ
れたｎ形ニー電泥ブロック層と、メサストライプの上面
部及びｎ形１ｎＰ電流ブロック層の上面をｔｌは均一な
厚さで覆うｐ形ＩｎＰクラッド鳩と、ｐ形ＩｎＰクラッ
ド層の上面に形成されるＩｆｌＧａＡｍＰ 活性層と、
１ｎＧａＡｉＰ 活性層の上面に形成されるｎ形Ｉ
ｎＰクラッド層とを含むことをＩＰ＃徴とする構造の半
導体レーザおよびその製造方法等が得られる。
Ｐ基板メサストライプの上面部を除き、メサストライプ
側面から平ｍ部の方向にノ学さが減少する形状で形成さ
れたｎ形ニー電泥ブロック層と、メサストライプの上面
部及びｎ形１ｎＰ電流ブロック層の上面をｔｌは均一な
厚さで覆うｐ形ＩｎＰクラッド鳩と、ｐ形ＩｎＰクラッ
ド層の上面に形成されるＩｆｌＧａＡｍＰ 活性層と、
１ｎＧａＡｉＰ 活性層の上面に形成されるｎ形Ｉ
ｎＰクラッド層とを含むことをＩＰ＃徴とする構造の半
導体レーザおよびその製造方法等が得られる。
次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明のＩｎＧａＡｓＰ 半導体レーザの一実
施例を示す断面図である０幅約３μＩｌｌ高さ約３μｍ
のメサストライプ３０を有するｐ形ＩｎＰ基板１上に、
メサストライプ上面部を除き、メサ肩口から平坦部に向
い厚さがなだらかに減少して形成され’７’ｃｎ形Ｉｎ
Ｐ這流ブロック層２（平坦部の厚さ約１μｍ）、及びそ
の上に約０，５μｍのｔＡは均一な厚さで形成されるｐ
形ＩｎＰクラッド層３、ｐ形ニ一層クラッドノー３の形
状をなぞるために、メサ部で湾曲する形状の厚さ約０．
２μｍの発光波長１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰ活性層４
、平坦部での厚さが約３μｍの、ｎ形１ｎＰクシッド層
５が形成さ九ている。ｎ形工叶りラッドｔ４５ ｆＪ４
、及びｐ形１ｎＰ基板１の表面側には各々オーミック性
のｎ１Ｉｌｌ＃ｔｋ４電也１０、ｐ側金属′ｌｉｃ極１
１が形成されて−る０この構造の半導体レーザでは、メ
サ部のみがｐｎ接合でｓｂ、他の平坦部はＰｎＬ’ｏ接
合になっている。従ってｐ側電極を正、ｎ側電極を負と
するバイアス電圧を印加すると、平坦部では、電流はは
とんど流れず、メサ部のみに集中して流れる。またｐ形
ＩｎＰクラッド層３の膜厚が０．５虜と薄いため、膜面
内のシート抵抗が大きく、メサストライプ３０の上面部
からＩｎＧａＡｓＰ 活性層４に向って流れる電流は
、ｐ形ＩｏＰクラッド層３の膜面内であまり拡がらない
＠従って注入電流は、はとんどメサストライプ３０の上
部の、湾曲したＩｎＧａＡｓＰ活性層領域４１に集中さ
れて発光再結合する・また、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４の
湾曲した領域４１は等測的屈折率が周辺部よシ大きいた
め発光した光はメサストライプ上部の湾曲した領域４１
で導波される０発振閾値は５０ｍＡ程度であるが、メサ
ストライプ３０の上部の、光導波路である湾曲したＩｎ
ＧａＡｓＰ活性層領域４１の中央に電流が注入されるた
め注入電流−光出力の変換効率が良く、微分量子効率と
して６０チという値を得た。注入電流−光出力特性に、
キンクは見られず、片側光出力にして２０ｍＷｇ度まで
直線的に増加した。発根閾値Ｉｔｈ Ｆｔ一般に金の特
性温度Ｔｏｉ；ｔ、７０にとプレーナストライプ形と同
等な値を得た。また、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４は連続し
ているため、埋め込み形などのように導波路側面での光
の散乱−反射等による、放射パターンの乱れはなく、非
常に滑らかでめった。また発振軸モードも単一になシ奥
＜、光出力にして□ｍＷ禅度まで単一軸モード発−振す
る素子が数多く得られた。
施例を示す断面図である０幅約３μＩｌｌ高さ約３μｍ
のメサストライプ３０を有するｐ形ＩｎＰ基板１上に、
メサストライプ上面部を除き、メサ肩口から平坦部に向
い厚さがなだらかに減少して形成され’７’ｃｎ形Ｉｎ
Ｐ這流ブロック層２（平坦部の厚さ約１μｍ）、及びそ
の上に約０，５μｍのｔＡは均一な厚さで形成されるｐ
形ＩｎＰクラッド層３、ｐ形ニ一層クラッドノー３の形
状をなぞるために、メサ部で湾曲する形状の厚さ約０．
２μｍの発光波長１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰ活性層４
、平坦部での厚さが約３μｍの、ｎ形１ｎＰクシッド層
５が形成さ九ている。ｎ形工叶りラッドｔ４５ ｆＪ４
、及びｐ形１ｎＰ基板１の表面側には各々オーミック性
のｎ１Ｉｌｌ＃ｔｋ４電也１０、ｐ側金属′ｌｉｃ極１
１が形成されて−る０この構造の半導体レーザでは、メ
サ部のみがｐｎ接合でｓｂ、他の平坦部はＰｎＬ’ｏ接
合になっている。従ってｐ側電極を正、ｎ側電極を負と
するバイアス電圧を印加すると、平坦部では、電流はは
とんど流れず、メサ部のみに集中して流れる。またｐ形
ＩｎＰクラッド層３の膜厚が０．５虜と薄いため、膜面
内のシート抵抗が大きく、メサストライプ３０の上面部
からＩｎＧａＡｓＰ 活性層４に向って流れる電流は
、ｐ形ＩｏＰクラッド層３の膜面内であまり拡がらない
＠従って注入電流は、はとんどメサストライプ３０の上
部の、湾曲したＩｎＧａＡｓＰ活性層領域４１に集中さ
れて発光再結合する・また、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４の
湾曲した領域４１は等測的屈折率が周辺部よシ大きいた
め発光した光はメサストライプ上部の湾曲した領域４１
で導波される０発振閾値は５０ｍＡ程度であるが、メサ
ストライプ３０の上部の、光導波路である湾曲したＩｎ
ＧａＡｓＰ活性層領域４１の中央に電流が注入されるた
め注入電流−光出力の変換効率が良く、微分量子効率と
して６０チという値を得た。注入電流−光出力特性に、
キンクは見られず、片側光出力にして２０ｍＷｇ度まで
直線的に増加した。発根閾値Ｉｔｈ Ｆｔ一般に金の特
性温度Ｔｏｉ；ｔ、７０にとプレーナストライプ形と同
等な値を得た。また、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４は連続し
ているため、埋め込み形などのように導波路側面での光
の散乱−反射等による、放射パターンの乱れはなく、非
常に滑らかでめった。また発振軸モードも単一になシ奥
＜、光出力にして□ｍＷ禅度まで単一軸モード発−振す
る素子が数多く得られた。
以上の様に、第１図に示す構造の半導体レーザは、発振
閾値は、埋め込み形の半導体レーザ程低くはないが通常
のプレーナ形より４小さな値を示し、また高い微分量子
効率を有している＠第２図は第、１図に示す半導体レニ
ザの製造方法を説明するための断面図をめられす。第２
図（ａ）は、（００１）面ｏｐ形ＬｏＰ基板ｌ上に、（
１１Ｇ）方向に平行な幅２μｍの７オトレジストのスト
ライプ２０を通常の７オトリングラフイの手法によシ形
成した状態を示している。次に、この基板を（Ｂｒ ０
２ｍ１＋メタノ一ル５９ｍ１）の混合溶液を用いて、約
お面の採さまでエツチングし、（１１０）方便に平行な
メサストライプ３０を形成する。この状態を示すのが第
２図（ｂ）であシ、最後にフォトレジストのストライプ
３０を剥離して、ｔ４２図（Ｃ）に示す成長用のメサ基
板１００を準備する。次にこのメサ基板に、液相エピタ
キシャル成長によシ、第２図（ｄ）に示す多層膜を積層
する。成長塩層は６３０℃、メサ基板の熱ダメー゛ジを
防ぐためル案囲気中にＰＨ，を導入している。最初にｎ
形ＩｎＰ電流ブロック層２を、４ｇのＩｎに１００ｍｇ
０ＩｎＰポリクソスタルを仕込み、ＩｎＰポリクリスタ
ルの全体がＩｎに解は切らない状態の溶液、即ち２相溶
液から成長する。
閾値は、埋め込み形の半導体レーザ程低くはないが通常
のプレーナ形より４小さな値を示し、また高い微分量子
効率を有している＠第２図は第、１図に示す半導体レニ
ザの製造方法を説明するための断面図をめられす。第２
図（ａ）は、（００１）面ｏｐ形ＬｏＰ基板ｌ上に、（
１１Ｇ）方向に平行な幅２μｍの７オトレジストのスト
ライプ２０を通常の７オトリングラフイの手法によシ形
成した状態を示している。次に、この基板を（Ｂｒ ０
２ｍ１＋メタノ一ル５９ｍ１）の混合溶液を用いて、約
お面の採さまでエツチングし、（１１０）方便に平行な
メサストライプ３０を形成する。この状態を示すのが第
２図（ｂ）であシ、最後にフォトレジストのストライプ
３０を剥離して、ｔ４２図（Ｃ）に示す成長用のメサ基
板１００を準備する。次にこのメサ基板に、液相エピタ
キシャル成長によシ、第２図（ｄ）に示す多層膜を積層
する。成長塩層は６３０℃、メサ基板の熱ダメー゛ジを
防ぐためル案囲気中にＰＨ，を導入している。最初にｎ
形ＩｎＰ電流ブロック層２を、４ｇのＩｎに１００ｍｇ
０ＩｎＰポリクソスタルを仕込み、ＩｎＰポリクリスタ
ルの全体がＩｎに解は切らない状態の溶液、即ち２相溶
液から成長する。
２相溶液から成長するｎ形１叶層電流ブロック層２は、
溶液の一過飽和度が小さいため、平坦部の成長膜厚が約
１μｍの場合メサ上部には成長しない。
溶液の一過飽和度が小さいため、平坦部の成長膜厚が約
１μｍの場合メサ上部には成長しない。
次に、約１０℃と十分な過飽和Ｒを有する溶液からＺｎ
ドープのｐ形ＩｎＰクラッド層３を約０，５μｍの均一
な膜厚で積層する。次に約３℃の過飽和度を有する溶液
を有する溶液から厚さ約α２μｍのＩｎＧａＡｓＰ活性
層４、及び約１０℃の過飽和波を有する溶液から８ｎド
ープの口形ＩｎＰクラッド＃５を順次ＭＶする。最後の
ｎ形ＩｎＰクラッド箸５の厚さは平坦部で約３μｍであ
り、この程度の厚さまで積層すると表面Ｆｉｒｓぼ平坦
−になる０以上で液相成長１相を終え最後に、全体の膜
厚を約８０Ｊｍに研磨し、ｎ側には、Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ
を用いたｎ例会［ｔｔｍｌＯ１ｐＨｉｌにはＡｕ−Ｚｎ
を用いたｐ＠金緘電ｆｆ１ｌｌを合金化させて形成する
。合金化反応は鳩雰囲気中で、４００℃で３分間行った
。オ・−ミック特性は良好で素子の抵抗は２Ωでめった
。
ドープのｐ形ＩｎＰクラッド層３を約０，５μｍの均一
な膜厚で積層する。次に約３℃の過飽和度を有する溶液
を有する溶液から厚さ約α２μｍのＩｎＧａＡｓＰ活性
層４、及び約１０℃の過飽和波を有する溶液から８ｎド
ープの口形ＩｎＰクラッド＃５を順次ＭＶする。最後の
ｎ形ＩｎＰクラッド箸５の厚さは平坦部で約３μｍであ
り、この程度の厚さまで積層すると表面Ｆｉｒｓぼ平坦
−になる０以上で液相成長１相を終え最後に、全体の膜
厚を約８０Ｊｍに研磨し、ｎ側には、Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ
を用いたｎ例会［ｔｔｍｌＯ１ｐＨｉｌにはＡｕ−Ｚｎ
を用いたｐ＠金緘電ｆｆ１ｌｌを合金化させて形成する
。合金化反応は鳩雰囲気中で、４００℃で３分間行った
。オ・−ミック特性は良好で素子の抵抗は２Ωでめった
。
以上の様に本発明による製造法では、最初にメサエッチ
ングの工程う！入る本のの、液相成長における積ｌ一致
はたかだか４４と従来のプレーナストライプ形の場合と
同等であり、父、電極を全面に形成しているために、選
択拡形等の工程を必要としない笠、プロセスプレーナス
トライプ形と同程度に容易になっている０ 以上の本発明の構造、及び製造法の実施−Ｊではｐ形Ｉ
ｎＰ基板を用いてｒるが、ｎ形ＩｎＰを用い、全体のｐ
＊ ＄Ｗ形を反転させても本発明の更施例を構成できる
０また、メサ基板１００上にａＳ電流ブロック層２を積
層しているが、その前に、全体に亘りて均一に積層する
バッファ層を積層させても良い。
ングの工程う！入る本のの、液相成長における積ｌ一致
はたかだか４４と従来のプレーナストライプ形の場合と
同等であり、父、電極を全面に形成しているために、選
択拡形等の工程を必要としない笠、プロセスプレーナス
トライプ形と同程度に容易になっている０ 以上の本発明の構造、及び製造法の実施−Ｊではｐ形Ｉ
ｎＰ基板を用いてｒるが、ｎ形ＩｎＰを用い、全体のｐ
＊ ＄Ｗ形を反転させても本発明の更施例を構成できる
０また、メサ基板１００上にａＳ電流ブロック層２を積
層しているが、その前に、全体に亘りて均一に積層する
バッファ層を積層させても良い。
最後に本発明の特長をまとめると、発振横モードが制御
され、注入電流−光出力の直線性が良く、また微分量子
効率が高く、放射）（ターンが滑らかで単一軸モード発
振が得られやすい半導体レーザであること、またその製
造方法はプレーナストライプ形と同等に比較的容易であ
ることなどである。
され、注入電流−光出力の直線性が良く、また微分量子
効率が高く、放射）（ターンが滑らかで単一軸モード発
振が得られやすい半導体レーザであること、またその製
造方法はプレーナストライプ形と同等に比較的容易であ
ることなどである。
第１図は本発明の半導体レーザの一実施例を示す断面図
、第２図は第１図の半導体レーザの製造方法を示す工程
断面図である。図中、 １−−−−−９形ＩｎＰ基板、２−＝−ｎ形ＩｎＰ電流
ブロック層、５−＝ｐ口形ｎＰクラッド層、４・・・−
エトＧａＡｓＰ活性層、５−・−ｎ形ニークラッド層、
１０・−−ｎ側金属電極、１１・・・・−・ｐ例会属電
極、３Ｏ−−−−ｐ形ＩｎＰ基板１上に形成された＜１
１０＞ ７ｉ％］に平行なメサストライプ、４１・・
・・−・ＩｎＧａＡｓＰ活性層の湾曲した領域、２０・
・・・−・フォトレジストのスドライブ、１００−・・
・・・ＩｎＰメサ基板である。 ＄ ／ ＩＩ ｆ ０ ＄２図
、第２図は第１図の半導体レーザの製造方法を示す工程
断面図である。図中、 １−−−−−９形ＩｎＰ基板、２−＝−ｎ形ＩｎＰ電流
ブロック層、５−＝ｐ口形ｎＰクラッド層、４・・・−
エトＧａＡｓＰ活性層、５−・−ｎ形ニークラッド層、
１０・−−ｎ側金属電極、１１・・・・−・ｐ例会属電
極、３Ｏ−−−−ｐ形ＩｎＰ基板１上に形成された＜１
１０＞ ７ｉ％］に平行なメサストライプ、４１・・
・・−・ＩｎＧａＡｓＰ活性層の湾曲した領域、２０・
・・・−・フォトレジストのスドライブ、１００−・・
・・・ＩｎＰメサ基板である。 ＄ ／ ＩＩ ｆ ０ ＄２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）メサストライプが形成されたｐ形ＩｎＰ Ｍ板の
前記メサストライプの上面部を除き、前記メサストライ
プ側面から平坦部の方向に厚さが減少する形状で形成さ
れたｎ形ＩｎＰ電流ブシツク層と、前記メサストライプ
の上面部および前記動形ＩａＰ電流ブーツク層の上面を
ほぼ均一な厚さで覆うｐ形ＩｎＰクラッド層と、前記ｐ
形ＩｎＰクラッド層の上面に形成されるＩｎ（ｈＡｓＰ
活性層と、前記ＩａαｍｓＰ活性層の上面に形成される
鶴１ＩｎＰり２ラド層とを含むことを特徴とする構造の
半導体レーザ。 ０） 前記半導体基板、電流ブロック層、およびクラッ
ド層を構成するｐ形■−をｎ形ＩＥＩＰに、ｎ形１ｎＰ
ｔＰ形ＩｎＰに変換し、ｐｍ構造ａＳ性を反転させた
ζ七を特徴とする構造の特許請求の範囲第１項記載の半
導体レーザ０ （３） （ＯＯＸ ）面の〈ｕＯ＞方向に平行なメサ
ストライプを形成したｐ形ＩｎＰ基板上に、前記メサス
トライプの上面部をＩｋき、メサ儒面部から平坦部の方
向に次第に膜厚が減少する形状でａ 彎ＩｎＰ電流ブロ
ック層を形成し、しかる後に、はは均一な厚さのｐ形Ｉ
ｎＰクラッド層と、ＩｎＧａＡｓＰ活性層、およびｎ形
ＩｎＰクラッド層とを連続して積層する仁とを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザの製造方法
。 偵） 前記半導体基板、電流ブロック層、およびクラッ
ド層を構成するｐ形■−をｎ形ＩｎＰに、ｎ形ＩｆｉＰ
ｔＰ形ＩｎＰ Ｋ変換し、ｐｍ構造の極性を反転させた
ことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の半導体レ
ーザの製造方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16301981A JPS5864085A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16301981A JPS5864085A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5864085A true JPS5864085A (ja) | 1983-04-16 |
Family
ID=15765642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16301981A Pending JPS5864085A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5864085A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0136097A2 (en) * | 1983-08-30 | 1985-04-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for the production of semiconductor lasers |
| US5202285A (en) * | 1990-04-26 | 1993-04-13 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser having double heterostructure and method of producing same |
| US5255281A (en) * | 1990-04-26 | 1993-10-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser having double heterostructure |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51114887A (en) * | 1975-04-01 | 1976-10-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor device |
| JPS52100885A (en) * | 1976-02-19 | 1977-08-24 | Sony Corp | Production of semiconductor device by liquid epitaxial growth |
| JPS53117991A (en) * | 1977-03-24 | 1978-10-14 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser |
| JPS53138689A (en) * | 1977-05-06 | 1978-12-04 | Western Electric Co | Method of producing light emitting diode |
-
1981
- 1981-10-13 JP JP16301981A patent/JPS5864085A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51114887A (en) * | 1975-04-01 | 1976-10-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor device |
| JPS52100885A (en) * | 1976-02-19 | 1977-08-24 | Sony Corp | Production of semiconductor device by liquid epitaxial growth |
| JPS53117991A (en) * | 1977-03-24 | 1978-10-14 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser |
| JPS53138689A (en) * | 1977-05-06 | 1978-12-04 | Western Electric Co | Method of producing light emitting diode |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0136097A2 (en) * | 1983-08-30 | 1985-04-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for the production of semiconductor lasers |
| US5202285A (en) * | 1990-04-26 | 1993-04-13 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser having double heterostructure and method of producing same |
| US5255281A (en) * | 1990-04-26 | 1993-10-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser having double heterostructure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61179588A (ja) | リツジ導波路半導体素子 | |
| JPH02205092A (ja) | 半導体ダイオードレーザおよびその製造方法 | |
| JPS6343908B2 (ja) | ||
| JPS61284987A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS5864085A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| JPH02156588A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPS63144589A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS61242091A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH02180085A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPS60217689A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JPS63287079A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS5834988A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS5858783A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6020589A (ja) | 端面放射型発光ダイオ−ド | |
| JPS63307792A (ja) | 半導体レ−ザアレイ素子及びその製造方法 | |
| JPH0260184A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH01309393A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPS5857771A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS62144379A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS59222984A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS61101092A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JPS6354234B2 (ja) | ||
| JPS5913386A (ja) | 二次元発光半導体レ−ザ | |
| JPH02191388A (ja) | 半導体レーザーの製造方法 | |
| JPS63287080A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 |