JPS60217689A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法Info
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- JPS60217689A JPS60217689A JP59072952A JP7295284A JPS60217689A JP S60217689 A JPS60217689 A JP S60217689A JP 59072952 A JP59072952 A JP 59072952A JP 7295284 A JP7295284 A JP 7295284A JP S60217689 A JPS60217689 A JP S60217689A
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は半導体発光素子の製造方法、特に有機金属エピ
タキシャル成長法を結晶成長を行う半導体発光素子の製
造方法に関する。
タキシャル成長法を結晶成長を行う半導体発光素子の製
造方法に関する。
（背景技術の説明）
先ず、この発明の説明に入る前に、従来例としてＶ溝型
半導体レーザの製造方法につき第３図を参照して簡単に
説明する。この図はレーザの共振器を形成する骨間面ま
たは骨間面と平行な断面を表わしているが、図が複雑と
なるのを回避するため、断面を表わすハツチングは省略
して示しである。尚、典型例として、Ｇａ１ｎＡａＰ
／ ＩｎＰ半導体レーザにつき説明する。
半導体レーザの製造方法につき第３図を参照して簡単に
説明する。この図はレーザの共振器を形成する骨間面ま
たは骨間面と平行な断面を表わしているが、図が複雑と
なるのを回避するため、断面を表わすハツチングは省略
して示しである。尚、典型例として、Ｇａ１ｎＡａＰ
／ ＩｎＰ半導体レーザにつき説明する。
第３図に示すように、（１００）面方位のｎ−ＩｎＰ基
板基板用意し、この基板ｌを成長炉に入れ、基板の上側
表面ｌａ上にＰ −１ｎＰ電流狭窄層（プロ・ンク層と
もいう）２を液相エピタキシャル成長させ、然る後、成
長炉から基板を取り出し、所望のエツチングマスクを用
いて通常のフォトリングラフィ手法によりこの電流狭窄
層２から基板ｌ中に達するＶ溝３を（０１１）方向に形
成する。次に、溝３が形成された基板ｌを再び成長炉に
入れ、第３図に示すように、ｎ −１ｎＰ第一クラ・ン
ド層４、ＧａＩｎＡｓＰ活性層５及びｐ −１ｎＰ第二
クランド層６を夫々連続的に成長させている。その後、
このクラッド層６上及び基板ｌの下側面１ｂに夫々電極
７及び８を被着形成する。
板基板用意し、この基板ｌを成長炉に入れ、基板の上側
表面ｌａ上にＰ −１ｎＰ電流狭窄層（プロ・ンク層と
もいう）２を液相エピタキシャル成長させ、然る後、成
長炉から基板を取り出し、所望のエツチングマスクを用
いて通常のフォトリングラフィ手法によりこの電流狭窄
層２から基板ｌ中に達するＶ溝３を（０１１）方向に形
成する。次に、溝３が形成された基板ｌを再び成長炉に
入れ、第３図に示すように、ｎ −１ｎＰ第一クラ・ン
ド層４、ＧａＩｎＡｓＰ活性層５及びｐ −１ｎＰ第二
クランド層６を夫々連続的に成長させている。その後、
このクラッド層６上及び基板ｌの下側面１ｂに夫々電極
７及び８を被着形成する。
このようにして形成されたレーザ素子は、上側電極７か
も注入された電流が活性層５Ｆ再結合発光し誘導放出を
引き起し、レーザ発振する。この場合、電流狭窄層２は
逆バイアスとなるため低電流動作時には電流狭窄層２の
無い部分、すなわち、Ｖ溝３の中のみを電流が流れ、■
溝３内の活性層のみが発振に寄与する。
も注入された電流が活性層５Ｆ再結合発光し誘導放出を
引き起し、レーザ発振する。この場合、電流狭窄層２は
逆バイアスとなるため低電流動作時には電流狭窄層２の
無い部分、すなわち、Ｖ溝３の中のみを電流が流れ、■
溝３内の活性層のみが発振に寄与する。
（解決すべき問題点）
しかしながら、この従来の製造方法によると、第３図に
示すように、第一クランド層４は溝３の外部の電流狭窄
層２の上側及び溝３内の底の部分に４ａ及び４ｂで夫々
示すように成長し、活性層５はこれら層部分４ａ、４ｂ
上に５８及び５ｂで夫々示すように成長する。従って、
溝の外と内での第一クラッド層部分４ａと４ｂとの間及
び活性層部分５ａと５ｂとの間で夫々不連続が生じ、特
に、活性層部分５ｂが電流狭窄層２の表面２ａよりも下
側の溝内に形成されてしまうため、その上側の第二クラ
ッド層６がこれと同一の導電型のブロック層３や反対導
電型の基板１と直接接触してしまい、これがため、図中
矢印！で示すように、第二クラツド層６→電流狭窄層２
→基板ｌの電流漏洩経路が形成されてしまう。このため
、低注入時には問題はないが、高注入時にはこの電流漏
洩経路を経て注入電流がリークして発振効率が悪化する
欠点があった。或いは又、高注入時には、電流阻止とし
て供すべき層が破壊されて第二ラッド層６→活性層５→
第−クラッド層４→電流狭窄層２→基板１の電流漏洩経
路の漏れ電流が増大し、出力飽和が起るという欠点があ
った。
示すように、第一クランド層４は溝３の外部の電流狭窄
層２の上側及び溝３内の底の部分に４ａ及び４ｂで夫々
示すように成長し、活性層５はこれら層部分４ａ、４ｂ
上に５８及び５ｂで夫々示すように成長する。従って、
溝の外と内での第一クラッド層部分４ａと４ｂとの間及
び活性層部分５ａと５ｂとの間で夫々不連続が生じ、特
に、活性層部分５ｂが電流狭窄層２の表面２ａよりも下
側の溝内に形成されてしまうため、その上側の第二クラ
ッド層６がこれと同一の導電型のブロック層３や反対導
電型の基板１と直接接触してしまい、これがため、図中
矢印！で示すように、第二クラツド層６→電流狭窄層２
→基板ｌの電流漏洩経路が形成されてしまう。このため
、低注入時には問題はないが、高注入時にはこの電流漏
洩経路を経て注入電流がリークして発振効率が悪化する
欠点があった。或いは又、高注入時には、電流阻止とし
て供すべき層が破壊されて第二ラッド層６→活性層５→
第−クラッド層４→電流狭窄層２→基板１の電流漏洩経
路の漏れ電流が増大し、出力飽和が起るという欠点があ
った。
（発明の目的）
従って、本発明の目的は高電流注入時に電流漏洩経路が
形成されず、高出力で動作する構造の半導体発光素子の
製造方法を提供するにある。
形成されず、高出力で動作する構造の半導体発光素子の
製造方法を提供するにある。
（問題点を解決するための手段）
この目的の達成を図るため、本発明によ半導体発光素子
の製造方法によれば、 半導体基板上に電流狭窄層を形成した後、第一クラッド
層、活性層及び第二クラッド層を順次に被着して内部電
流狭窄型の半導体発光素子を製造するに当り、 この基板上に有機金属気相エピタキシャル成長法で高抵
抗層を成長させる工程と、 この高抵抗層を電流狭窄層として作用させるためこの高
抵抗層に前述の基板に達する深さの溝をエツチングする
工程と、 然る後、前述の第一クラッド層、活性層及び第二クラッ
ド層を有機金属気相エピタキシャル成長法で順次に成長
させる工程とを有する ことを特徴とする。
の製造方法によれば、 半導体基板上に電流狭窄層を形成した後、第一クラッド
層、活性層及び第二クラッド層を順次に被着して内部電
流狭窄型の半導体発光素子を製造するに当り、 この基板上に有機金属気相エピタキシャル成長法で高抵
抗層を成長させる工程と、 この高抵抗層を電流狭窄層として作用させるためこの高
抵抗層に前述の基板に達する深さの溝をエツチングする
工程と、 然る後、前述の第一クラッド層、活性層及び第二クラッ
ド層を有機金属気相エピタキシャル成長法で順次に成長
させる工程とを有する ことを特徴とする。
（実施例の説明）
以下、第１図及び第２図（Ａ）〜（Ｄ）を参照して本発
明による半導体発光素子の製造方法を一例としてＧａ
１ｎＡｓＰ半導体レーザ素子につき説明する。
明による半導体発光素子の製造方法を一例としてＧａ
１ｎＡｓＰ半導体レーザ素子につき説明する。
第１図はこの発明により製造されたＧａ１ｎＡｓＰ半導
体レーザ素子及び第２図（Ａ）〜（Ｄ’）は本発明の製
造方法を説明するための製造工程図であって、夫々各製
造段階におけるレーザ素子部分をその男開面またはこの
剪開面と平行な断面としてそれぞれ拡大して示す路線図
である。また、これら図が複雑化するのを回避するため
、断面を表わすハツチングを図中省略して示しである。
体レーザ素子及び第２図（Ａ）〜（Ｄ’）は本発明の製
造方法を説明するための製造工程図であって、夫々各製
造段階におけるレーザ素子部分をその男開面またはこの
剪開面と平行な断面としてそれぞれ拡大して示す路線図
である。また、これら図が複雑化するのを回避するため
、断面を表わすハツチングを図中省略して示しである。
また、レーザ素子の各構成成分の形状、配置、寸法等は
正確に表わしておらず、本発明を理解出来る程度におい
て概略的に示しであるにすぎない。
正確に表わしておらず、本発明を理解出来る程度におい
て概略的に示しであるにすぎない。
第１図において、１１は（１００）面方位を有するＰ−
Ｉｎｐ基板、１２は有機金属気相エピタキシャル成長法
で被着され電流狭窄層である高抵抗層としてのドーピン
グされていない半絶縁性ＮＪｘ Ｇａｔ−ｚ Ａｓ層、
１３はこの半絶縁性ＡＱｘＧａｘＡＳ層！２に形成した
溝、１４ｐ −１ｎｐ第一クラッド層、１５はＧａ１ｎ
ＡｓＰ活性層、１８はｎ−１ｎｐ第二クラッド層、１７
はｎ側電極及び１８はｐ側電極であり、これら層１４．
１５゜１６も有機金属気相エピタキシャル成長法で被着
された層である。
Ｉｎｐ基板、１２は有機金属気相エピタキシャル成長法
で被着され電流狭窄層である高抵抗層としてのドーピン
グされていない半絶縁性ＮＪｘ Ｇａｔ−ｚ Ａｓ層、
１３はこの半絶縁性ＡＱｘＧａｘＡＳ層！２に形成した
溝、１４ｐ −１ｎｐ第一クラッド層、１５はＧａ１ｎ
ＡｓＰ活性層、１８はｎ−１ｎｐ第二クラッド層、１７
はｎ側電極及び１８はｐ側電極であり、これら層１４．
１５゜１６も有機金属気相エピタキシャル成長法で被着
された層である。
次に、この発明の製造方法につき説明する。
先ず、第２図（ａ）に示すように、ｐ −１ｎＰ基板１
１を用意する。次いで、この基板１１を有機金属気相エ
ピタキシャル成長炉に入れ、この基板１１の上側表面１
１ａの全面上に高抵抗層としての半絶縁性ＡＱｘＧａ
！Ａｓ層１２を有機金属気相エピタキシャル成長法（Ｎ
Ｏ−ＣＶＤ法）で厚み約ｌｐ、ｔｎに成長させる。この
場合、この半絶縁性層ｘ Ｇａ１−ｘＡｓ Ｎ１２の組
成比Ｘを、この層１２のエネルギーギャップがＩｎＰ基
板１１及び後の工程でこの層１２の上側に直接成長させ
るＩｎρ第一クラッド層のエネルギーギャップよりも大
きくなり、がっ、その屈折率が後の工程で形成されるＧ
ａ１ｎＡｓＰ活性層の屈折率よりも小さくなるように、
選定する。そして、この有機金属気相エピタキシャル成
長法に結晶成長させると、この半絶縁性ＡＱｘ Ｇａ１
−ｘＡｓ Ｎ１２を高純度で、しかも、下側の基板ＩＩ
と格子不整合状態で結晶成長させることが出来る。この
場合、この有機金属気相エピタキシャル成長の条件は所
要に応じて好適な条件を設定することが出来る。
１を用意する。次いで、この基板１１を有機金属気相エ
ピタキシャル成長炉に入れ、この基板１１の上側表面１
１ａの全面上に高抵抗層としての半絶縁性ＡＱｘＧａ
！Ａｓ層１２を有機金属気相エピタキシャル成長法（Ｎ
Ｏ−ＣＶＤ法）で厚み約ｌｐ、ｔｎに成長させる。この
場合、この半絶縁性層ｘ Ｇａ１−ｘＡｓ Ｎ１２の組
成比Ｘを、この層１２のエネルギーギャップがＩｎＰ基
板１１及び後の工程でこの層１２の上側に直接成長させ
るＩｎρ第一クラッド層のエネルギーギャップよりも大
きくなり、がっ、その屈折率が後の工程で形成されるＧ
ａ１ｎＡｓＰ活性層の屈折率よりも小さくなるように、
選定する。そして、この有機金属気相エピタキシャル成
長法に結晶成長させると、この半絶縁性ＡＱｘ Ｇａ１
−ｘＡｓ Ｎ１２を高純度で、しかも、下側の基板ＩＩ
と格子不整合状態で結晶成長させることが出来る。この
場合、この有機金属気相エピタキシャル成長の条件は所
要に応じて好適な条件を設定することが出来る。
次に、第２図（Ｂ）に示すように、マスクを用いてこの
半絶縁性Ｍｘ Ｇｔｓｔ−ｚＡｓＡｓ層ノ、レーザ発振
に関連した位置にエツチングを行い、（０１１）又は（
ＯＴＩ）方向でかっ＃ＡＷ ＝’３ ｐ−ｍ以下で、し
がも、深さが基板１１に達する溝１３を形成する。この
溝１３を、その断面形状をＶ字状とが逆台形状とが矩形
状とかとしてストライプ状に設ける。この溝１３の形成
によって、基板１１の露出面１１ｃが現われ、この溝の
両側に半絶縁性ＡＱＩ Ｇａｚ−ｘＡｓ ｆｉ１２が残
存してこれ６残存した半絶縁性ＡＱｘ Ｇａｚ−ｘＡｓ
Ｎ１２が電流狭窄層として供することとなる。
半絶縁性Ｍｘ Ｇｔｓｔ−ｚＡｓＡｓ層ノ、レーザ発振
に関連した位置にエツチングを行い、（０１１）又は（
ＯＴＩ）方向でかっ＃ＡＷ ＝’３ ｐ−ｍ以下で、し
がも、深さが基板１１に達する溝１３を形成する。この
溝１３を、その断面形状をＶ字状とが逆台形状とが矩形
状とかとしてストライプ状に設ける。この溝１３の形成
によって、基板１１の露出面１１ｃが現われ、この溝の
両側に半絶縁性ＡＱＩ Ｇａｚ−ｘＡｓ ｆｉ１２が残
存してこれ６残存した半絶縁性ＡＱｘ Ｇａｚ−ｘＡｓ
Ｎ１２が電流狭窄層として供することとなる。
次に、このような溝付半絶縁性ＡＱＩ Ｇａｚ−ｘＡｓ
Ａｓ層を有する基板１１を有機金属気相エピタキシャル
成長炉に入れて二回目の結晶成長を行って、第２図（Ｃ
）に示すように、ｐ−ｆｎＰ第一クラりド層１４、Ｇａ
ＩｎＡｓＰ活性層１５及びｎ −１ｎＰ第二クラッド
層１Ｂを夫々順次に連続して結晶成長させる。この場合
、この有機金属気相エピタキシャル成長の条件は所要に
応じて好適な条件を設定することが出来る。この二回目
の結晶成長も有機金属気相エピタキシャル成長法である
ので、これら各層１４、！５．１６の溝１３の部分の領
域１４ａ、１５ａ、ｌｅａはこの溝１３の形状と相似形
で成長する。この場合、各層１４．１５及び１６の厚さ
を例えば０．５ ｐｍ、０．ｉ ｐ、ｍ及び３＃ＬＬ１
として、第二クラッド層１６を他の二層よりも充分厚く
成長させることによって、この第二クラッド層１８の表
面を平担面１８ｂとして形成する。
Ａｓ層を有する基板１１を有機金属気相エピタキシャル
成長炉に入れて二回目の結晶成長を行って、第２図（Ｃ
）に示すように、ｐ−ｆｎＰ第一クラりド層１４、Ｇａ
ＩｎＡｓＰ活性層１５及びｎ −１ｎＰ第二クラッド
層１Ｂを夫々順次に連続して結晶成長させる。この場合
、この有機金属気相エピタキシャル成長の条件は所要に
応じて好適な条件を設定することが出来る。この二回目
の結晶成長も有機金属気相エピタキシャル成長法である
ので、これら各層１４、！５．１６の溝１３の部分の領
域１４ａ、１５ａ、ｌｅａはこの溝１３の形状と相似形
で成長する。この場合、各層１４．１５及び１６の厚さ
を例えば０．５ ｐｍ、０．ｉ ｐ、ｍ及び３＃ＬＬ１
として、第二クラッド層１６を他の二層よりも充分厚く
成長させることによって、この第二クラッド層１８の表
面を平担面１８ｂとして形成する。
続いて、第２図（ロ）に示すように、この第二クラッド
層１６の平担面ＩＥｌａ上にｎ側電極１７を及び基板１
１の下側面１１ｂ上にｐ側電極１８をそれぞれ通常の方
法で被着形成し、この製造工程を完了する。
層１６の平担面ＩＥｌａ上にｎ側電極１７を及び基板１
１の下側面１１ｂ上にｐ側電極１８をそれぞれ通常の方
法で被着形成し、この製造工程を完了する。
このように有機金属気相成長法を用いて各層１２．１４
．１５．１６を結晶成長させると、電流狭窄層として供
する半絶縁性Ｍｘ Ｇａｚ−ｘＡｓ ｊｉｊ１２と基板
１１及び上側の第一クラ・ンド層１４とのそれぞれの界
面は格子不整合となって、電流狭窄層１２が著しく高抵
抗となるので、注入電流を溝１３に対応する各層の領域
１４ａ 、 １５ａ 、 Ｉｆ！ａのみを経て流すこと
が出来。
．１５．１６を結晶成長させると、電流狭窄層として供
する半絶縁性Ｍｘ Ｇａｚ−ｘＡｓ ｊｉｊ１２と基板
１１及び上側の第一クラ・ンド層１４とのそれぞれの界
面は格子不整合となって、電流狭窄層１２が著しく高抵
抗となるので、注入電流を溝１３に対応する各層の領域
１４ａ 、 １５ａ 、 Ｉｆ！ａのみを経て流すこと
が出来。
さらに、溝１３の部分に対応する第一クラッド層１４、
活性層１５及び第二クラッド層１６の部分が溝１３の形
状に相似して基板側に屈曲した凹んだ形状で成長させる
ことが出来るので、レーザ発振を活性層１５のこの屈曲
して基板１１に接近した領域１５ａ（図中斜線を付して
示す）でのみ行わせることが出来る。また、この場合、
活性層１５を溝１３に合せて凹んだ形として形成出来る
ので、発光の際、光を斜線を施した領域１５ａ内に良好
に閉じ込めることが出来、しかも、溝幅を３１Ｌ１１以
下とし得るので、横基本モードで発振させることが出来
る。
活性層１５及び第二クラッド層１６の部分が溝１３の形
状に相似して基板側に屈曲した凹んだ形状で成長させる
ことが出来るので、レーザ発振を活性層１５のこの屈曲
して基板１１に接近した領域１５ａ（図中斜線を付して
示す）でのみ行わせることが出来る。また、この場合、
活性層１５を溝１３に合せて凹んだ形として形成出来る
ので、発光の際、光を斜線を施した領域１５ａ内に良好
に閉じ込めることが出来、しかも、溝幅を３１Ｌ１１以
下とし得るので、横基本モードで発振させることが出来
る。
又、この電流狭窄層１２はこの層１２を挟む基板１１及
び第一クラッド層目と比較してエネルギーキャップが大
きいので、高電流注入時においても、電流阻止層を導通
させることはなく、これがため、電流漏洩経路の漏れ電
流の増大を防ぎ、出力飽和が起ることがない。
び第一クラッド層目と比較してエネルギーキャップが大
きいので、高電流注入時においても、電流阻止層を導通
させることはなく、これがため、電流漏洩経路の漏れ電
流の増大を防ぎ、出力飽和が起ることがない。
又、この電流狭窄層１２の屈折率を活性層！５の屈折率
よりも小さく選定しであるので、活性層１５から漏れ出
た光を良好に屈折率導波させることが出来る。
よりも小さく選定しであるので、活性層１５から漏れ出
た光を良好に屈折率導波させることが出来る。
さらに、この発明の方法で半導体発光素子を製造すると
、従来の様な電流漏洩経路は形成されないので、注入電
流のリークの恐れがなく、従って、発振効率を高く維持
出来る。
、従来の様な電流漏洩経路は形成されないので、注入電
流のリークの恐れがなく、従って、発振効率を高く維持
出来る。
尚、この発明は上述した実施例のみに限定されるもので
はないこと明らかである。例えば、活性層１５の厚さを
厚くすれば、半導体発光素子を発光タイオードとして形
成することが出来る。
はないこと明らかである。例えば、活性層１５の厚さを
厚くすれば、半導体発光素子を発光タイオードとして形
成することが出来る。
又、上述した溝の形状をストライブ状としないで、基板
表面側を平面的に見た時、円形状の丸穴形状に溝をエツ
チングし、然る後、所要の層を結晶成長させることによ
り、面発光形のレーザとか発光タイオードを形成するこ
とが出来る。
表面側を平面的に見た時、円形状の丸穴形状に溝をエツ
チングし、然る後、所要の層を結晶成長させることによ
り、面発光形のレーザとか発光タイオードを形成するこ
とが出来る。
上述した実施例では基板をｎ−１ｎＰとしたが。
これをｐ −１ｎＰとすることも出来る。この場合、当
然のこと−から、これに対応して各エピタキシャル層の
導電型を反転させる。
然のこと−から、これに対応して各エピタキシャル層の
導電型を反転させる。
また、本発明によれば、他の半導体材料を使用すること
も出来る。
も出来る。
（発明の効果）
上述したところから明らかのように１本発明の半導体発
光素子の製造方法によれば、有機金属気相エピタキシャ
ル成長法を用いて電流狭窄層之して供する高抵抗層及び
ダブルへテロ接合構造を形成する層を成長させると共に
、高抵抗層のエネルギーギャップをこれと下側で接触す
る基板及び上側で接触する第一クラッド層のエネルギー
ギヤツブよ−りも大きく選定しであるので、この従来の
製造方法で得られた構造の半導体発光素子とは異なり漏
洩電流の発生が極めて少なく、出力飽和も無く、高出力
で作動する発光素子を得ることが出来る。
光素子の製造方法によれば、有機金属気相エピタキシャ
ル成長法を用いて電流狭窄層之して供する高抵抗層及び
ダブルへテロ接合構造を形成する層を成長させると共に
、高抵抗層のエネルギーギャップをこれと下側で接触す
る基板及び上側で接触する第一クラッド層のエネルギー
ギヤツブよ−りも大きく選定しであるので、この従来の
製造方法で得られた構造の半導体発光素子とは異なり漏
洩電流の発生が極めて少なく、出力飽和も無く、高出力
で作動する発光素子を得ることが出来る。
第１図はこの発明の半導体発光素子の製造方法の説明に
供する略図的断面図、 第２図（Ａ）〜（Ｄ）はこの発明の半導体発光素子の製
造方法の一実施例を説明するだめの各製造段階での形成
状態を夫々拡大して略図的に示す製造工程図、 第３図は従来の半導体発光素子を示す断面図である。 ｌ、！ｌ・・・基板、ｌａ、ｌｌａ・・・（基板の）上
側表面１ｂ、ｌｌｂ・・・（基板の）下側面 ２・・・電流狭窄層、 ２ａ・・・（電流狭窄層の）表
面３・・・Ｖ溝、 ４．１４・・・第一クラッド層４ａ
・・・（構外の）第一クラッド層部分４ｂ・・・（溝内
の）第一クラッド層部分、５．１５・・・活性層、 ５ａ・・・（構外の）活性層部分、 ５ｂ・・・（溝内の）活性層部分。 ６．１６・・・第二クラッド層、 ７．８．１？、 １８・・・電極、 ＋１ｃ・・・（基板の）露出面、 １４ａ・・・（溝部分の）第一クラッド層の領域、１５
ａ・・・（溝部分の）活性層の領域、１６ａ・・・（溝
部分の）第二クラッド層の領域。 Ｉ６ｂ・・・（第二クラッド層の）平担面。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 第２図 第２図
供する略図的断面図、 第２図（Ａ）〜（Ｄ）はこの発明の半導体発光素子の製
造方法の一実施例を説明するだめの各製造段階での形成
状態を夫々拡大して略図的に示す製造工程図、 第３図は従来の半導体発光素子を示す断面図である。 ｌ、！ｌ・・・基板、ｌａ、ｌｌａ・・・（基板の）上
側表面１ｂ、ｌｌｂ・・・（基板の）下側面 ２・・・電流狭窄層、 ２ａ・・・（電流狭窄層の）表
面３・・・Ｖ溝、 ４．１４・・・第一クラッド層４ａ
・・・（構外の）第一クラッド層部分４ｂ・・・（溝内
の）第一クラッド層部分、５．１５・・・活性層、 ５ａ・・・（構外の）活性層部分、 ５ｂ・・・（溝内の）活性層部分。 ６．１６・・・第二クラッド層、 ７．８．１？、 １８・・・電極、 ＋１ｃ・・・（基板の）露出面、 １４ａ・・・（溝部分の）第一クラッド層の領域、１５
ａ・・・（溝部分の）活性層の領域、１６ａ・・・（溝
部分の）第二クラッド層の領域。 Ｉ６ｂ・・・（第二クラッド層の）平担面。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 第２図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に電流狭窄層を形成した後。 第一クラッド層、活性層及び第二クラッド層を順次に被
着して内部電流狭窄型の半導体発光素子を製造するに当
り、 前記基板上に有機金属気相エピタキシャル成長法で高抵
抗層を成長させる工程と、 該高抵抗層を電流狭窄層として作用させるため該高抵抗
層に前記基板に達する深さの溝をエツチングする工程と
、 然る後、前記第一クラッド層、活性層及び第二クラッド
層を有機金属気相エピタキシャル成長法で順次に成長さ
せる工程とを有する ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の半導体発光素子の製造
方法において、前記基板をＩｎＰ基板とし、前記高抵抗
層を半絶縁性ＡＱｘＧａｌ−ｘＡＳ層とし、その組成比
Ｘを該ＮＪｘＧａｔ−ｘＡｓ層のエネルギーキャップが
該ＡＱ ｘＧａｚ−ｘＡｓ層と下側において接触する前
記基板のエネルギーギャップ及び前記Ｍ窯Ｇａ１−ＫＡ
ｓ層と上側において接触する前記第一゛クラッド層のエ
ネルギーキャブよりも大きくかつ前記Ｎ菫（ＰＩ−ｘＡ
ｓ層の屈折率が前記活性層の屈折率よりも小さくなるよ
うに、選定したことを特徴とする半導体発光素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072952A JPS60217689A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072952A JPS60217689A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60217689A true JPS60217689A (ja) | 1985-10-31 |
Family
ID=13504225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59072952A Pending JPS60217689A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60217689A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6388886A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| EP0270361A2 (en) * | 1986-12-02 | 1988-06-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | A method of producing a semiconductor laser |
| NL8802011A (nl) * | 1987-08-19 | 1989-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | Een halfgeleiderlaserinrichting. |
| JPH0276285A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 量子井戸型半導体レーザ |
-
1984
- 1984-04-13 JP JP59072952A patent/JPS60217689A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6388886A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| EP0270361A2 (en) * | 1986-12-02 | 1988-06-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | A method of producing a semiconductor laser |
| US4829023A (en) * | 1986-12-02 | 1989-05-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing a semiconductor laser |
| NL8802011A (nl) * | 1987-08-19 | 1989-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | Een halfgeleiderlaserinrichting. |
| JPH0276285A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 量子井戸型半導体レーザ |
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