JPS5858783A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS5858783A JPS5858783A JP15732581A JP15732581A JPS5858783A JP S5858783 A JPS5858783 A JP S5858783A JP 15732581 A JP15732581 A JP 15732581A JP 15732581 A JP15732581 A JP 15732581A JP S5858783 A JPS5858783 A JP S5858783A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- groove
- substrate
- striped convex
- inp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
- H01S5/2235—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface with a protrusion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザに関するものである。
ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ等の長波長半導体レーザは光フ
ァイバの伝送損失の低い光源として注目され、その実用
化が進められている。実用化に際しては広い動作電流に
わたって安定した単−横モード発振をし、更に緩和振動
の抑圧されたすぐれた動特性を示す半導体レーザが必要
となる。これらの要求を満たすために各種のストライプ
構造が提案され試作されている。
ァイバの伝送損失の低い光源として注目され、その実用
化が進められている。実用化に際しては広い動作電流に
わたって安定した単−横モード発振をし、更に緩和振動
の抑圧されたすぐれた動特性を示す半導体レーザが必要
となる。これらの要求を満たすために各種のストライプ
構造が提案され試作されている。
中でも本発明者等が提案したＰＣＷレーザ（％願昭５４
−４９６１）は比較的安定な発振をし、かつ再現性の点
でも比類なくすぐｎている。ＰＣＷ構造は、活性層の片
側に隣接して活性層よりも屈折率が低くクラッド層より
も屈折率の高い屈折率を有しかつ層厚の変化をもったガ
イド層を設けた層構造を更にクラッド層ではさんだもの
である。
−４９６１）は比較的安定な発振をし、かつ再現性の点
でも比類なくすぐｎている。ＰＣＷ構造は、活性層の片
側に隣接して活性層よりも屈折率が低くクラッド層より
も屈折率の高い屈折率を有しかつ層厚の変化をもったガ
イド層を設けた層構造を更にクラッド層ではさんだもの
である。
このＰＣＷ構造では層厚の異なるガイド層への光のしみ
出しの大小に対応して活性層に沿って実効的な屈折率差
が生じ光のガイド機構を有するものである。
出しの大小に対応して活性層に沿って実効的な屈折率差
が生じ光のガイド機構を有するものである。
しかしＰＣＷＪ造の活性層は千↑旦で一様な層厚をもち
通常の電流集中型半導体レーザと同じ構造である為、活
性層に注入されたキャリアは活性層水平横方向に拡散し
ていきゲイン分布を形成する。
通常の電流集中型半導体レーザと同じ構造である為、活
性層に注入されたキャリアは活性層水平横方向に拡散し
ていきゲイン分布を形成する。
この為レーザ発振に寄与しない無効電流がふえ閾値［流
が高くなる欠点があった。しかもレーザ発振後注入電流
量を増加させると基本横モード発振による光の放出にと
もなってキャリア分布に空間的なホールバーニングが生
じ容易に一次横モード発振が生じる欠点があった。これ
らの欠点をおぎなうため電流狭＼す方法が試みられてい
るがこれは単に活性Ｉ′ｖＩｆこ注入する以前の電流領
域を規制するには力）７．１″らず上記欠点をなくす事
は不可能であった０ 本発明の目的は上記欠点を除去し閾値電流がきわめて低
く力）つ安定な基本横モード発振を広範な注入電流領域
で維持できるとともに等心円的な光源となり元ファイバ
等へのカップリング効率が高い半導体レーザを提供する
事にある。
が高くなる欠点があった。しかもレーザ発振後注入電流
量を増加させると基本横モード発振による光の放出にと
もなってキャリア分布に空間的なホールバーニングが生
じ容易に一次横モード発振が生じる欠点があった。これ
らの欠点をおぎなうため電流狭＼す方法が試みられてい
るがこれは単に活性Ｉ′ｖＩｆこ注入する以前の電流領
域を規制するには力）７．１″らず上記欠点をなくす事
は不可能であった０ 本発明の目的は上記欠点を除去し閾値電流がきわめて低
く力）つ安定な基本横モード発振を広範な注入電流領域
で維持できるとともに等心円的な光源となり元ファイバ
等へのカップリング効率が高い半導体レーザを提供する
事にある。
本発明の半導体レーザは基板上に基板と反対の導電型の
ブロック層を有し力１つその一部ζこ台形を断面とする
ストライプ状凸部を有し、この凸部中心部分に先端が基
板に達する溝を有する構造とし、ブロック層と反対の導
電型のガイド層をストライプ面上が平坦になるようｌこ
溝を埋めつくしてストライプ状凸部に成長し更に隣接し
て活性層、ブロック層と同一の導電型のクラッドＩｉＩ
を連続成長した状態においてストライプ状凸部面上と斜
面とのなすエツジ近傍でガイド層と活性層とがとぎｎて
いる事を特徴とする構造である。
ブロック層を有し力１つその一部ζこ台形を断面とする
ストライプ状凸部を有し、この凸部中心部分に先端が基
板に達する溝を有する構造とし、ブロック層と反対の導
電型のガイド層をストライプ面上が平坦になるようｌこ
溝を埋めつくしてストライプ状凸部に成長し更に隣接し
て活性層、ブロック層と同一の導電型のクラッドＩｉＩ
を連続成長した状態においてストライプ状凸部面上と斜
面とのなすエツジ近傍でガイド層と活性層とがとぎｎて
いる事を特徴とする構造である。
本発明の原理は面方位ｌこよる成長速度の相違を応用し
て作ることができる。（１００）面■−■族基板上に基
板と反対の導電型を有するブロック層を成長した後、（
０１１）而に垂直にストライ面及び（１１１）面を両斜
面とするストライプ凸部が形成される。このときエツチ
ングした平坦部ｉ にはブロック層が残るようにエツチング深さを制御する
。更にストライプ凸部中央部分た窓をあけて他をマスク
でおおい、例えばＩ ｎＰ／ Ｉ ｎＧａＡｓＰ系の場
合にはＩｎＰブロック層を塩酸とリン酸との混合溶液で
エツチングすれば深い７字型の縛が形成さｎｌその先端
を容易に基板まで達する事ができ゛る。この場合エツチ
ング用窓の部分でのエツチングによる横方向の広がりは
比較的少ない上ｌこ、一旦、Ｖ字型の溝が形成さｎ６と
それ以上エツチングされない為安定した構造ができる。
て作ることができる。（１００）面■−■族基板上に基
板と反対の導電型を有するブロック層を成長した後、（
０１１）而に垂直にストライ面及び（１１１）面を両斜
面とするストライプ凸部が形成される。このときエツチ
ングした平坦部ｉ にはブロック層が残るようにエツチング深さを制御する
。更にストライプ凸部中央部分た窓をあけて他をマスク
でおおい、例えばＩ ｎＰ／ Ｉ ｎＧａＡｓＰ系の場
合にはＩｎＰブロック層を塩酸とリン酸との混合溶液で
エツチングすれば深い７字型の縛が形成さｎｌその先端
を容易に基板まで達する事ができ゛る。この場合エツチ
ング用窓の部分でのエツチングによる横方向の広がりは
比較的少ない上ｌこ、一旦、Ｖ字型の溝が形成さｎ６と
それ以上エツチングされない為安定した構造ができる。
このときＶ字型の溝両端リストライプ状凸部領域の幅は
狭い事がモード制御の点で望ましい。又この＠は必ずし
もＶ字型でなくてもよい。
狭い事がモード制御の点で望ましい。又この＠は必ずし
もＶ字型でなくてもよい。
上記の如き構造を用いてブロック層さ反対の導′心型の
ガイド層をストライプ状凸部領域では＃ＩＩを埋めて７
１）つ凸部上面が平ｉｉ：１７，１″面になるように成
長させるとストライプ外部領域ではブロック層上ｌこガ
イド層が成長する。同時（こストライプ状凸部両端の８
（１１１・）面上にもガイド層は成長するが凸部上面と
斜面Ｂ（１１１）面とは角度５４度４４分のシャープな
エツジを形成しておりとがったエツジ部分での成長速度
（まきわめておそいのでエツジ部分ではとぎｎ６ように
成長させる事ができる。
ガイド層をストライプ状凸部領域では＃ＩＩを埋めて７
１）つ凸部上面が平ｉｉ：１７，１″面になるように成
長させるとストライプ外部領域ではブロック層上ｌこガ
イド層が成長する。同時（こストライプ状凸部両端の８
（１１１・）面上にもガイド層は成長するが凸部上面と
斜面Ｂ（１１１）面とは角度５４度４４分のシャープな
エツジを形成しておりとがったエツジ部分での成長速度
（まきわめておそいのでエツジ部分ではとぎｎ６ように
成長させる事ができる。
斜面Ｂ（１１１）面の場合にはシャープなエツジが再現
性よく形成され有効であるが特に斜面がＢ（１１１）面
でなくても凸部両端がエツジになっていればよい。
性よく形成され有効であるが特に斜面がＢ（１１１）面
でなくても凸部両端がエツジになっていればよい。
更に連続して活性層をうすく成長させるとストライプ状
凸部面上ではガイド層（こ隣接して平旦で一様な活性層
が成長しストライプ外部領域で（ま平′ｙｉ部及びＢ（
１１１）面に沿って成長するが特に活性層かうすい事も
あいまってエツジ部分ではガイド層と同様にときｎ成長
しない。従ってストライプ状凸部面上ｆこ成長した活性
層は凸部両端部でとぎれる。
凸部面上ではガイド層（こ隣接して平旦で一様な活性層
が成長しストライプ外部領域で（ま平′ｙｉ部及びＢ（
１１１）面に沿って成長するが特に活性層かうすい事も
あいまってエツジ部分ではガイド層と同様にときｎ成長
しない。従ってストライプ状凸部面上ｆこ成長した活性
層は凸部両端部でとぎれる。
全捧をブロック層と同じ４嵐型のクラツド層で埋込むと
本発明の構造の半導体レーザが得られるが、このときス
トライプ状凸部上に成長した活性層は活性領域となり両
端はクラッド層ではさまイＬうめこみ構造とする事がで
きる。
本発明の構造の半導体レーザが得られるが、このときス
トライプ状凸部上に成長した活性層は活性領域となり両
端はクラッド層ではさまイＬうめこみ構造とする事がで
きる。
上記した如く本発明の構造では活性領域とｆぶる活性層
は両端でとぎｎているため一従来のＰＣＷレーザの場合
のようにキャリアが横方向に拡散して広 −がる事は
なく活性領域内に閉じ込められる。しかも活性シロ域に
隣接して溝をうめたガイド層が形成さｎており、溝の両
端及びストライプ状凸部外部の全領域にわたってブロッ
ク層が形成さｎているので、キャリアは隣内のみを辿り
活性領域内に有効に注入され更に活性領域内ｌと閉じ込
めらｎ６事になり低閾値で発振ＯＴ北になる。
は両端でとぎｎているため一従来のＰＣＷレーザの場合
のようにキャリアが横方向に拡散して広 −がる事は
なく活性領域内に閉じ込められる。しかも活性シロ域に
隣接して溝をうめたガイド層が形成さｎており、溝の両
端及びストライプ状凸部外部の全領域にわたってブロッ
ク層が形成さｎているので、キャリアは隣内のみを辿り
活性領域内に有効に注入され更に活性領域内ｌと閉じ込
めらｎ６事になり低閾値で発振ＯＴ北になる。
又、不構造で（ば同じ導電型を有するクラッド層とブロ
ック層とはストライプ状凸部両端のエツジ部分でつｆ、
ｆがっているがその領域はきわめて狭いので抵抗が楯く
なりエツジをとおる漏れ電流は無視できる程度に少ない
。待をここのときクラフト層とブロック層とはｎ形より
も比例抗を高くできるｐ形結晶を用いるとより−１−効
果がある。
ック層とはストライプ状凸部両端のエツジ部分でつｆ、
ｆがっているがその領域はきわめて狭いので抵抗が楯く
なりエツジをとおる漏れ電流は無視できる程度に少ない
。待をここのときクラフト層とブロック層とはｎ形より
も比例抗を高くできるｐ形結晶を用いるとより−１−効
果がある。
更に本構造ではストライプ状凸部領域の外部ｆこ成長し
たガイド層及び活性層は電気的ｆこ（まついた状態にな
っているためクラッド層の１ら注入されたキャリアに対
してはブロック層として作出す６０以上の小力Δら不構
造では従来型のＰＣＷレーザリ半分以下の閾値電流で元
振ＱＪ能となる。
たガイド層及び活性層は電気的ｆこ（まついた状態にな
っているためクラッド層の１ら注入されたキャリアに対
してはブロック層として作出す６０以上の小力Δら不構
造では従来型のＰＣＷレーザリ半分以下の閾値電流で元
振ＱＪ能となる。
本構造では活性層に隣接してガイド層が形成されている
ため光はガイド層にしみ出す。従って活性領域の幅を３
〜４μｍ程度に広くしても基本横モード発振を維持する
事ができる。しかも注入されたキャリアは活性領域全竣
にわたって有効に発振に寄与するため、従来のｐｃｗｇ
造のようｔこレーザ発振中にキャリア分布に空間的なホ
ールバーニングが生じ基本横モードのセルフファーカシ
ングが生じ一次横モードゲインが上昇する事はなく広範
な注入電流領域で基本横モード発振を維持する事ができ
る。しかも光はガイド層へしみ出すと共に横方向へ広が
るため活性領域垂直方向と水平横方向との光の放射角を
等しくする事ができ等心円的な光源となる。よって光フ
ァイバ等へのカップリング効率も充分高める事ができる
。
ため光はガイド層にしみ出す。従って活性領域の幅を３
〜４μｍ程度に広くしても基本横モード発振を維持する
事ができる。しかも注入されたキャリアは活性領域全竣
にわたって有効に発振に寄与するため、従来のｐｃｗｇ
造のようｔこレーザ発振中にキャリア分布に空間的なホ
ールバーニングが生じ基本横モードのセルフファーカシ
ングが生じ一次横モードゲインが上昇する事はなく広範
な注入電流領域で基本横モード発振を維持する事ができ
る。しかも光はガイド層へしみ出すと共に横方向へ広が
るため活性領域垂直方向と水平横方向との光の放射角を
等しくする事ができ等心円的な光源となる。よって光フ
ァイバ等へのカップリング効率も充分高める事ができる
。
以上説明した如く本発明は次の如き効果を有する０
・）
■ 活性領域は水平横方向でとぎれており又電流狭窄構
造も有しているため注入キャリアは有効（こ発振番こ寄
与しきわめて低閾値で発振可能となる。
造も有しているため注入キャリアは有効（こ発振番こ寄
与しきわめて低閾値で発振可能となる。
■ 活性領域は一部ガイド層に隣接すると共に残りの部
分はクラッド層でかこまれているため安定な屈折率ガイ
ディング機構を有し、ガイド層への光の広がりを利用し
て基本横モード発振を広汎な注入電流領域で維持する事
ができる。
分はクラッド層でかこまれているため安定な屈折率ガイ
ディング機構を有し、ガイド層への光の広がりを利用し
て基本横モード発振を広汎な注入電流領域で維持する事
ができる。
■ 活性領域垂直方向及び水平横方向の光の放射角を同
じにする事ができ等心円的な光源となり光ファイバとの
結合効率を高める事ができる。
じにする事ができ等心円的な光源となり光ファイバとの
結合効率を高める事ができる。
Ｊ美下図面を用いて本発明の一実施例について説明する
。（１００）而ｎ −ＩｎＰ基榎１０上に液相成長でｐ
−ＩｎＰブロック層１１を１．５μｍ成長させる。その
後５１０２膜１２をつけ（０１１）面ζこ垂直にフォト
レジスト法及びＳ ｉｏｚ膜のエツチングにより幅４μ
ｍのストライプ状の窓をあけＨＢｒとＨ３Ｐ０４との混
合溶液で１．０μｍの深さエツチングする。このとき（
１１１）而及び（１１１）ｆｆｉを両端の斜面とするス
トライプ状凸部領域１３が形成され６（第１図）。次に
５ｉＯｚ膜を除去後全体にふたたびＳｉＯ２膜１４膜厚
４つけ上記ストライプ状凸部領域の両斜面がＳｉｏ２
涙でおおわれるようにする。次に７オトレジスト法及び
５ｉＯｚ膜のエツチングによりストライプ状凸部領域１
３の中央に幅２．５μｍのストライプを抜きＨＣｌとＨ
３ＰＯ４との混合溶液でエツチングすればＡ（１１１）
面を両斜面とするＶ溝１５が形成される。■溝は中心線
に対し左右対称となり■溝の片面と中ＩＬ？線とのなす
角は常に３５度１６分である。従ってＶ（みの深さは１
８μｍとなり叶ＩｎＰ基板１０内（こＶ溝の先端が０．
３μｍの深さに形成される（第２図）。■溝は一旦形成
されるとそれ以上エツチングは進まない為制御よく形成
する事ができる。
。（１００）而ｎ −ＩｎＰ基榎１０上に液相成長でｐ
−ＩｎＰブロック層１１を１．５μｍ成長させる。その
後５１０２膜１２をつけ（０１１）面ζこ垂直にフォト
レジスト法及びＳ ｉｏｚ膜のエツチングにより幅４μ
ｍのストライプ状の窓をあけＨＢｒとＨ３Ｐ０４との混
合溶液で１．０μｍの深さエツチングする。このとき（
１１１）而及び（１１１）ｆｆｉを両端の斜面とするス
トライプ状凸部領域１３が形成され６（第１図）。次に
５ｉＯｚ膜を除去後全体にふたたびＳｉＯ２膜１４膜厚
４つけ上記ストライプ状凸部領域の両斜面がＳｉｏ２
涙でおおわれるようにする。次に７オトレジスト法及び
５ｉＯｚ膜のエツチングによりストライプ状凸部領域１
３の中央に幅２．５μｍのストライプを抜きＨＣｌとＨ
３ＰＯ４との混合溶液でエツチングすればＡ（１１１）
面を両斜面とするＶ溝１５が形成される。■溝は中心線
に対し左右対称となり■溝の片面と中ＩＬ？線とのなす
角は常に３５度１６分である。従ってＶ（みの深さは１
８μｍとなり叶ＩｎＰ基板１０内（こＶ溝の先端が０．
３μｍの深さに形成される（第２図）。■溝は一旦形成
されるとそれ以上エツチングは進まない為制御よく形成
する事ができる。
次に５ｉＯｚ膜を除去し■溝全捧がうまり７：ｌ）つス
トライプ状凸部領域千却部の厚さが０．５μｍｌこなる
ようにｎ−ＩｎＧａＡｓＰ （λ＝１．１μｍ）カイト
層１６を成長し玩いてアンドープＩｎＧａＡｓＰ （λ
＝１．３μｍ）活性／ｌ１１７を０．２μｍ成長させ６
つこの時ストライプ状凸部領域のエツジ部分でカイト層
及び活性層がとぎれるように成長を制（財）する。続い
てｐ−４ｎＰ形成する。次にＳｉＯ２膜を成長層表面に
つけフォトレジスト法及び５ｉＯｚｌ［ｉのエツチング
によりストライプ状凸部領域の上に位置する様に幅４μ
ｍのストライプ状の窓をあけＣｄを拡散し、拡散先端が
ｐ−ＩｎＰ層内にくるように制御する（Ｃｄ拡散領域２
０ト。次１こＳｉＯ２１ｇＪを除去しｐ形オーミックコ
ンタクト２１を成長層側に、ｎ形オーミックコンタクト
２２を基板側につけ本発明の構造の半導体レーザが得ら
れる（第３図）。
トライプ状凸部領域千却部の厚さが０．５μｍｌこなる
ようにｎ−ＩｎＧａＡｓＰ （λ＝１．１μｍ）カイト
層１６を成長し玩いてアンドープＩｎＧａＡｓＰ （λ
＝１．３μｍ）活性／ｌ１１７を０．２μｍ成長させ６
つこの時ストライプ状凸部領域のエツジ部分でカイト層
及び活性層がとぎれるように成長を制（財）する。続い
てｐ−４ｎＰ形成する。次にＳｉＯ２膜を成長層表面に
つけフォトレジスト法及び５ｉＯｚｌ［ｉのエツチング
によりストライプ状凸部領域の上に位置する様に幅４μ
ｍのストライプ状の窓をあけＣｄを拡散し、拡散先端が
ｐ−ＩｎＰ層内にくるように制御する（Ｃｄ拡散領域２
０ト。次１こＳｉＯ２１ｇＪを除去しｐ形オーミックコ
ンタクト２１を成長層側に、ｎ形オーミックコンタクト
２２を基板側につけ本発明の構造の半導体レーザが得ら
れる（第３図）。
上記実施例においてストライプ状凸部領域に形成する溝
は■溝でなくてもよい。
は■溝でなくてもよい。
父、上記実施例はＩ ｎ Ｐ−Ｉ ｎ ＧａＡｓ Ｐダ
ブル・＼テロ接合結晶材料について説明したが他の材料
ＵａＡｓ −ＡＩＧａＡｓ 、 ＧａＡｓ５ｂ−ＡＩＧ
ａＡｓＳｂ等数多くの結晶材料に適用する事ができる。
ブル・＼テロ接合結晶材料について説明したが他の材料
ＵａＡｓ −ＡＩＧａＡｓ 、 ＧａＡｓ５ｂ−ＡＩＧ
ａＡｓＳｂ等数多くの結晶材料に適用する事ができる。
図面の簡ＭＦ！、な説明
ドライブ状凸部領域を形成した状態。
Ｗ、２図・・・・・・第１図の構造にＶ婢を形成した後
の断面図。
の断面図。
第３図−・−・本発明の一実施例の半導体レーザの断面
図。
図。
図において
１０−一・・・ｎ−ＩｎＰ基板、 １１・・・・・・ｐ
−ＩｎＰブロック層、１２・・・・・・５ｊＱｚ膜、１
３・・・・−・ストライプ状凸部領域、１４・・・−・
・ＳｉＯ２膜、１５・・・・・・Ｖ字型溝、１６−−・
・−ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ（λ＝１．ｉμｍ） ガイ
ド層、１７−−− ・−アンドープＩｎＧａＡｓＰ （
λ＝１．３μｍ）活性層、１８・・・−・・肘ＩｎＰク
ラッド層、１９−−・−＝ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ （λ
−ｔ、ｉμｍ）キー２２１層、２０−・−Ｃｄ拡散領域
、２１−・・・・・ｐ形オーミ、クコンタクト、２２・
・・・−・ｎｉミオ−ミックコンタクトをそれぞれ示す
。
−ＩｎＰブロック層、１２・・・・・・５ｊＱｚ膜、１
３・・・・−・ストライプ状凸部領域、１４・・・−・
・ＳｉＯ２膜、１５・・・・・・Ｖ字型溝、１６−−・
・−ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ（λ＝１．ｉμｍ） ガイ
ド層、１７−−− ・−アンドープＩｎＧａＡｓＰ （
λ＝１．３μｍ）活性層、１８・・・−・・肘ＩｎＰク
ラッド層、１９−−・−＝ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ （λ
−ｔ、ｉμｍ）キー２２１層、２０−・−Ｃｄ拡散領域
、２１−・・・・・ｐ形オーミ、クコンタクト、２２・
・・・−・ｎｉミオ−ミックコンタクトをそれぞれ示す
。
Claims (1)
- 基板上に基板と反対の導電型のブロック層を有しかつそ
の一部に台形を断面とするストライプ状凸部を有し、該
ストライプ状凸部中心部分に先端が基板ｌこ達するｌ！
ｉｌｉ！Ｊを有する構造とし、前記ブロック層と反対の
導電型のガイド層を該ストライプ状凸部面上が平坦にな
るように溝を埋込んで成長し、更にこのガイド層上に隣
接して活性層、前記ブロック層と同一の導電型のクラッ
ド層を連続成長した状態に順次形成した構造とし、さら
にストライプ状凸部面上と両斜面とのなすエツジ近傍で
前記ガイド層と前記活性層とがとぎれている事を特徴と
する半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15732581A JPS5858783A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15732581A JPS5858783A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5858783A true JPS5858783A (ja) | 1983-04-07 |
Family
ID=15647222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15732581A Pending JPS5858783A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5858783A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0209372A2 (en) * | 1985-07-17 | 1987-01-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device |
| EP0264225A2 (en) * | 1986-10-07 | 1988-04-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device and a method for the production of the same |
-
1981
- 1981-10-02 JP JP15732581A patent/JPS5858783A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0209372A2 (en) * | 1985-07-17 | 1987-01-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device |
| EP0264225A2 (en) * | 1986-10-07 | 1988-04-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device and a method for the production of the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5319661A (en) | Semiconductor double heterostructure laser device with InP current blocking layer | |
| JPS58216486A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| JPS58114476A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS5858783A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS61102086A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6260838B2 (ja) | ||
| JPS6249758B2 (ja) | ||
| JPS6342871B2 (ja) | ||
| JPS6342869B2 (ja) | ||
| JPS61242091A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPS6318874B2 (ja) | ||
| JPS63169093A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS5834988A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS6136720B2 (ja) | ||
| JPS5864085A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| JPH065969A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6354234B2 (ja) | ||
| JPH01309393A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPS6241437B2 (ja) | ||
| JPH02237190A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS6292385A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS5818990A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS595688A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS63311786A (ja) | 光集積素子 | |
| JPH0553316B2 (ja) |