JPH0812945B2 - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0812945B2 JPH0812945B2 JP4921487A JP4921487A JPH0812945B2 JP H0812945 B2 JPH0812945 B2 JP H0812945B2 JP 4921487 A JP4921487 A JP 4921487A JP 4921487 A JP4921487 A JP 4921487A JP H0812945 B2 JPH0812945 B2 JP H0812945B2
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- JP
- Japan
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- groove
- semiconductor laser
- etching
- laser
- laser device
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、各種電子機器，光学機器の光源として用い
られている半導体レーザ装置の製造方法に関するもので
ある。
られている半導体レーザ装置の製造方法に関するもので
ある。
従来の技術 従来、半導体レーザの製造においてレーザの反射面
は、結晶のへき開により形成されている。この製造によ
ればレーザ素子の検査がウエハー内の素子を個々に切り
離して後でしかできず、量産化への大きな課題であっ
た。また同一ウエハー上での他の素子との集積が困難で
あるという問題があった。
は、結晶のへき開により形成されている。この製造によ
ればレーザ素子の検査がウエハー内の素子を個々に切り
離して後でしかできず、量産化への大きな課題であっ
た。また同一ウエハー上での他の素子との集積が困難で
あるという問題があった。
近年、これらの問題を解決する方法として、ウェット
エッチング又はドライエッチングにより半導体レーザの
反射面を形成する方法が考案され、エッチドキャビティ
（以下ECと称す）レーザと呼ばれている。この従来のEC
レーザを第３図に示す。半導体基板に活性層５を含む各
層を形成したのち、エッチングによりエッチング溝１を
形成してレーザ反射面２を形成するものである。これは
ウエハー上で半導体レーザとしての機能を備えており、
そのためウエハー上での検査が可能で、また他の素子と
の集積が可能である。
エッチング又はドライエッチングにより半導体レーザの
反射面を形成する方法が考案され、エッチドキャビティ
（以下ECと称す）レーザと呼ばれている。この従来のEC
レーザを第３図に示す。半導体基板に活性層５を含む各
層を形成したのち、エッチングによりエッチング溝１を
形成してレーザ反射面２を形成するものである。これは
ウエハー上で半導体レーザとしての機能を備えており、
そのためウエハー上での検査が可能で、また他の素子と
の集積が可能である。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、レーザ反射面２をエッチングにより形
成するばあい、エッチングされたエッチング溝１の底面
は平坦になり、このウエハーをへき開して各素子に切り
離すためには、エッチング溝１の底面の中心に傷をつけ
る必要がある。また、一般にこの平坦部の幅は数十ミク
ロンであり、レーザ動作時にレーザ出射光の一部が底面
で反射し出射光と干渉してノイズとなるという問題があ
る。
成するばあい、エッチングされたエッチング溝１の底面
は平坦になり、このウエハーをへき開して各素子に切り
離すためには、エッチング溝１の底面の中心に傷をつけ
る必要がある。また、一般にこの平坦部の幅は数十ミク
ロンであり、レーザ動作時にレーザ出射光の一部が底面
で反射し出射光と干渉してノイズとなるという問題があ
る。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明の半導体レーザ
装置の製造方法は、半導体基板上に半導体レーザの活性
層を含む多層膜を形成する工程と、前記多層膜を選択的
にエッチングすることにより反射面となる垂直な側壁を
有しかつ前記半導体基板の内部に達する第１の溝を形成
する工程と、前記第１の溝の底部にＶ字状の第２の溝を
エッチングにより形成する工程と、前記第２の溝の部分
でへき開する工程とから構成されている。
装置の製造方法は、半導体基板上に半導体レーザの活性
層を含む多層膜を形成する工程と、前記多層膜を選択的
にエッチングすることにより反射面となる垂直な側壁を
有しかつ前記半導体基板の内部に達する第１の溝を形成
する工程と、前記第１の溝の底部にＶ字状の第２の溝を
エッチングにより形成する工程と、前記第２の溝の部分
でへき開する工程とから構成されている。
作 用 この構成により、EC半導体レーザの製造工程でへき開
のための傷を付ける必要がなく、またエッチングによっ
て形成された溝の底面からのレーザ光の反射によるノイ
ズを低減させることが可能となる。
のための傷を付ける必要がなく、またエッチングによっ
て形成された溝の底面からのレーザ光の反射によるノイ
ズを低減させることが可能となる。
実施例 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例における半導体レーザ装置
の製造方法によって形成された半導体レーザウエハーの
断面の略図である。第１図において、基板上にクラッド
層（図中では省略）、活性層５及びコンタクト層を成長
後、レジストがエッチングにより溝を形成する領域以外
に残るようにレジストのパターンを形成し、H2SO4/H2O2
/H2O＝1/8/1のエッチング液で３分エッチングを行な
い、第１図のように垂直なレーザ反射面２を有し、かつ
半導体基板の内部に達する溝を形成する。レジスト除去
後、再度レジストを塗布し、H2SO4/H2O2/H2O＝1/8/8の
エッチング液で40秒エッチングを行ないＶ溝３を形成し
た、この後、レジストを除去し、パッシベーション膜及
び電極を形成後、へき開によりチップ分離面４でチップ
を分離し、半導体レーザとして組み立てた。
の製造方法によって形成された半導体レーザウエハーの
断面の略図である。第１図において、基板上にクラッド
層（図中では省略）、活性層５及びコンタクト層を成長
後、レジストがエッチングにより溝を形成する領域以外
に残るようにレジストのパターンを形成し、H2SO4/H2O2
/H2O＝1/8/1のエッチング液で３分エッチングを行な
い、第１図のように垂直なレーザ反射面２を有し、かつ
半導体基板の内部に達する溝を形成する。レジスト除去
後、再度レジストを塗布し、H2SO4/H2O2/H2O＝1/8/8の
エッチング液で40秒エッチングを行ないＶ溝３を形成し
た、この後、レジストを除去し、パッシベーション膜及
び電極を形成後、へき開によりチップ分離面４でチップ
を分離し、半導体レーザとして組み立てた。
上記チップ分離時のへき開の際は、ウエハーに傷を付
けなくてもスムーズにへき開することが可能であった。
また、第２図に本発明の実施例ａとＶ溝のないばあいｂ
でのレーザ光の光出力（FFP）を示すが、本発明によ
り、活性層から溝の底面までの距離が長く、かつ底面に
Ｖ字状の溝が形成されているため、底面からの反射によ
るノイズが著しく低減されている。
けなくてもスムーズにへき開することが可能であった。
また、第２図に本発明の実施例ａとＶ溝のないばあいｂ
でのレーザ光の光出力（FFP）を示すが、本発明によ
り、活性層から溝の底面までの距離が長く、かつ底面に
Ｖ字状の溝が形成されているため、底面からの反射によ
るノイズが著しく低減されている。
発明の効果 以上のように本発明はEC半導体レーザの製造におい
て、エッチング部分の底部にさらにＶ溝を形成すること
により、ウエハーへき開のための傷をあらかじめ付ける
必要がなく、さらにエッチングされた面からのレーザ光
の反射によるノイズを低減させることができる。
て、エッチング部分の底部にさらにＶ溝を形成すること
により、ウエハーへき開のための傷をあらかじめ付ける
必要がなく、さらにエッチングされた面からのレーザ光
の反射によるノイズを低減させることができる。
第１図は本発明の実施例における半導体レーザ装置の断
面図、第２図a,bはそれぞれ本発明の実施例における半
導体レーザのFFP及び従来のEC半導体レーザのFFPを示す
図、第３図は従来のEC半導体レーザ断面図である。 １……エッチング溝、２……レーザ反射面、３……Ｖ
溝、４……チップ分離面、５……活性層。
面図、第２図a,bはそれぞれ本発明の実施例における半
導体レーザのFFP及び従来のEC半導体レーザのFFPを示す
図、第３図は従来のEC半導体レーザ断面図である。 １……エッチング溝、２……レーザ反射面、３……Ｖ
溝、４……チップ分離面、５……活性層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 敦也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 ▲吉▼川 昭男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−182292（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上に半導体レーザの活性層を含
む多層膜を形成する工程と、前記多層膜を選択的にエッ
チングすることにより反射面となる垂直な側壁を有しか
つ前記半導体基板の内部に達する第１の溝を形成する工
程と、前記第１の溝の底部にＶ字状の第２の溝をエッチ
ングにより形成する工程と、前記第２の溝の部分でへき
開する工程を有することを特徴とする半導体レーザ装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4921487A JPH0812945B2 (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4921487A JPH0812945B2 (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63215089A JPS63215089A (ja) | 1988-09-07 |
| JPH0812945B2 true JPH0812945B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=12824715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4921487A Expired - Lifetime JPH0812945B2 (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812945B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5593815A (en) * | 1989-07-31 | 1997-01-14 | Goldstar Co., Ltd. | Cleaving process in manufacturing a semiconductor laser |
| JP3537977B2 (ja) * | 1996-12-27 | 2004-06-14 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0638536B2 (ja) * | 1985-02-08 | 1994-05-18 | 株式会社東芝 | 半導体レ−ザ−の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-04 JP JP4921487A patent/JPH0812945B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63215089A (ja) | 1988-09-07 |
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