JPH0685456B2 - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH0685456B2 JPH0685456B2 JP60151728A JP15172885A JPH0685456B2 JP H0685456 B2 JPH0685456 B2 JP H0685456B2 JP 60151728 A JP60151728 A JP 60151728A JP 15172885 A JP15172885 A JP 15172885A JP H0685456 B2 JPH0685456 B2 JP H0685456B2
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- semiconductor
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、各種の情報伝送や情報処理にさかんに使用さ
れる半導体レーザ装置とその製造方法に関するものであ
る。
れる半導体レーザ装置とその製造方法に関するものであ
る。
従来の技術 従来、半導体レーザとそれを駆動する電子回路とをモノ
リシックに集積したOEICにおいて、半導体レーザは、レ
ーザ光を外部に取り出すために、必ず基板の端に近接し
た場所に位置している〔例えば、エヌ・バー‐チェイム
他“GaAsインテグレイテド オプトエレクトロニク
ス”アイ イー イー イー トランス イー ディー
‐29 1372 （1982）。｛N.Bar-Chaim et al“GaAs Int
egrated Optoelectronics"IEEE trans ED-29 1372（198
2）｝〕。
リシックに集積したOEICにおいて、半導体レーザは、レ
ーザ光を外部に取り出すために、必ず基板の端に近接し
た場所に位置している〔例えば、エヌ・バー‐チェイム
他“GaAsインテグレイテド オプトエレクトロニク
ス”アイ イー イー イー トランス イー ディー
‐29 1372 （1982）。｛N.Bar-Chaim et al“GaAs Int
egrated Optoelectronics"IEEE trans ED-29 1372（198
2）｝〕。
このような従来の半導体レーザ装置について第３図を用
いて説明する。第３図（Ａ）（Ｂ）は各々従来のOEICに
集積されている半導体レーザの斜視図で、１はGaAsの基
板、２はGaAs/AlGaAsの半導体レーザ、３は半導体レー
ザ２を駆動する電子回路、４は出射されたレーザ光であ
る。
いて説明する。第３図（Ａ）（Ｂ）は各々従来のOEICに
集積されている半導体レーザの斜視図で、１はGaAsの基
板、２はGaAs/AlGaAsの半導体レーザ、３は半導体レー
ザ２を駆動する電子回路、４は出射されたレーザ光であ
る。
第３図（Ａ）に示すOEICでは、半導体レーザ２の共振器
は、へき開によって形成されている。第３図（Ｂ）に示
す半導体レーザの共振器は、一端面はエッチングによ
り、また他端面はへき開により形成されている。このよ
うなOEICにおいて、レーザ光４は、基板１の端から水平
方向に取り出される。
は、へき開によって形成されている。第３図（Ｂ）に示
す半導体レーザの共振器は、一端面はエッチングによ
り、また他端面はへき開により形成されている。このよ
うなOEICにおいて、レーザ光４は、基板１の端から水平
方向に取り出される。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記従来の構成では、レーザ光４が水平
方向に出射するため、レーザ光４を外部に取り出すため
に、半導体レーザ２の少なくとも一端面が基板１の端に
位置するようにOEICを設計しなければならず、設計の自
由度が大きく制限されていた。
方向に出射するため、レーザ光４を外部に取り出すため
に、半導体レーザ２の少なくとも一端面が基板１の端に
位置するようにOEICを設計しなければならず、設計の自
由度が大きく制限されていた。
本発明は上記従来の問題点を解消するもので、OEIC基板
上の中央部などの任意の位置に位置させることのできる
半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
上の中央部などの任意の位置に位置させることのできる
半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するため、本発明の半導体レーザ装置
は、半導体基板の主面に傾斜面を有する段差を形成する
工程と、前記段差の低い領域を除いた前記半導体基板の
表面に、半導体層の成長を阻止するマスクとなる膜を形
成する工程と、同膜のない前記段差の低い領域にダブル
ヘテロ構造の多層半導体層を選択的に成長せせる工程
と、前記多層半導体層を選択エッチングして、前記段差
側に半導体レーザ素子が位置するように、前記半導体レ
ーザ素子と光検出器とを形成する工程と、前記段差の傾
斜面に反射コーティングを施す工程とを含むものであ
る。
は、半導体基板の主面に傾斜面を有する段差を形成する
工程と、前記段差の低い領域を除いた前記半導体基板の
表面に、半導体層の成長を阻止するマスクとなる膜を形
成する工程と、同膜のない前記段差の低い領域にダブル
ヘテロ構造の多層半導体層を選択的に成長せせる工程
と、前記多層半導体層を選択エッチングして、前記段差
側に半導体レーザ素子が位置するように、前記半導体レ
ーザ素子と光検出器とを形成する工程と、前記段差の傾
斜面に反射コーティングを施す工程とを含むものであ
る。
作用 上記半導体レーザ装置によれば、半導体レーザの一端面
から出射したレーザ光は、光検出器に入射し、他端面か
ら出射したレーザ光は、反射コーティングが施された半
導体基板の傾斜面で、半導体基板に対して垂直上方に反
射される。また上記製造方法によれば、上記半導体レー
ザ装置を容易に得ることができる。
から出射したレーザ光は、光検出器に入射し、他端面か
ら出射したレーザ光は、反射コーティングが施された半
導体基板の傾斜面で、半導体基板に対して垂直上方に反
射される。また上記製造方法によれば、上記半導体レー
ザ装置を容易に得ることができる。
実施例 以下、本発明の一実施例を第１図〜第２図に基づいて説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例における半導体レーザ装置の
断面図で、11はn-GaAs基板、12はn-AlyGa1-yAs層、13は
AlxGa1-xAs層（ｙ＞ｘ）、14はp-AlyGa1-yAs層、15はp-
GaAs層、16〜18はオーミック電極、19はAuコーティング
層、20,21はレーザ光、22は半導体レーザ、23は光検出
器である。
断面図で、11はn-GaAs基板、12はn-AlyGa1-yAs層、13は
AlxGa1-xAs層（ｙ＞ｘ）、14はp-AlyGa1-yAs層、15はp-
GaAs層、16〜18はオーミック電極、19はAuコーティング
層、20,21はレーザ光、22は半導体レーザ、23は光検出
器である。
次に作動を説明する。オーミック電極16,18間を順方向
にバイアスし、半導体レーザ22を発振に至らしめる。ま
た、オーミック電極17,18間を逆方向にバイアスするこ
とにより、半導体レーザ22の一端面から出射するレーザ
光20の強度を光検出器23によりモニタする。半導体レー
ザ22の他端面、すなわちn-GaAs基板11の傾斜面に面した
端面から出射したレーザ光21は、Auコーティング層19に
より偏向させ、n-GaAs基板11に対して垂直方向に出射す
る。
にバイアスし、半導体レーザ22を発振に至らしめる。ま
た、オーミック電極17,18間を逆方向にバイアスするこ
とにより、半導体レーザ22の一端面から出射するレーザ
光20の強度を光検出器23によりモニタする。半導体レー
ザ22の他端面、すなわちn-GaAs基板11の傾斜面に面した
端面から出射したレーザ光21は、Auコーティング層19に
より偏向させ、n-GaAs基板11に対して垂直方向に出射す
る。
このように本実施例によれば、段差をつけたn-GaAs基板
11の底部分に、半導体レーザ22と光検出器23とを設け、
n-GaAs基板11の傾斜面にAuコーティング層19を施すこと
により、半導体レーザ22の他端面から出射したレーザ光
21は基板上方に偏向され、一端面から出射したレーザ光
20は出力モニタに用いられる。したがって、この半導体
レーザ装置は、OEICの中央部に集積することができる。
11の底部分に、半導体レーザ22と光検出器23とを設け、
n-GaAs基板11の傾斜面にAuコーティング層19を施すこと
により、半導体レーザ22の他端面から出射したレーザ光
21は基板上方に偏向され、一端面から出射したレーザ光
20は出力モニタに用いられる。したがって、この半導体
レーザ装置は、OEICの中央部に集積することができる。
第２図は本発明の一実施例における半導体レーザ装置の
製造方法の工程を示す断面図で、まず、段差をつけたn-
GaAs基板11上に、第２図（ａ）のように、底部分を除い
てSiO2膜24を形成し、第２図（ｂ）のように、SiO2膜24
が除去された領域にMOCVD法により、n-AlyGa1-yAs層12
とAlxGa1-xAs層13とp-AlyGa1-yAs層14とp-GaAs層15とを
選択成長させる。次にSiO2膜24を除去し、第２図（ｃ）
のように、フォト・レジスト25を選択的に塗り、開口部
よりエッチングして、半導体レーザ22と光検出器23とを
形成する。さらにフォト・レジスト25を除去した後、第
２図（ｄ）のように、Auコーティング層19をn-GaAs基板
11の傾斜面に施す。そして、オーミック電極16〜18を形
成する。
製造方法の工程を示す断面図で、まず、段差をつけたn-
GaAs基板11上に、第２図（ａ）のように、底部分を除い
てSiO2膜24を形成し、第２図（ｂ）のように、SiO2膜24
が除去された領域にMOCVD法により、n-AlyGa1-yAs層12
とAlxGa1-xAs層13とp-AlyGa1-yAs層14とp-GaAs層15とを
選択成長させる。次にSiO2膜24を除去し、第２図（ｃ）
のように、フォト・レジスト25を選択的に塗り、開口部
よりエッチングして、半導体レーザ22と光検出器23とを
形成する。さらにフォト・レジスト25を除去した後、第
２図（ｄ）のように、Auコーティング層19をn-GaAs基板
11の傾斜面に施す。そして、オーミック電極16〜18を形
成する。
なお、上記実施例においては、GaAs/AlGaAs系の材料を
用いたが、InP/InGaAsP系など、他の化合物半導体材料
を用いることもでき、基板も、ｎ型のものを用いたが、
ｐ型あるいは半絶縁性のものを用いることもできる。
用いたが、InP/InGaAsP系など、他の化合物半導体材料
を用いることもでき、基板も、ｎ型のものを用いたが、
ｐ型あるいは半絶縁性のものを用いることもできる。
また、上記実施例では、選択成長のマスクとしてSiO2膜
２を用いたが、このマスクはSiO2に限定されるものでは
なく、選択成長のマスクという機能を有するものであれ
ば何でもよい。また、基板傾斜面のコーティングは、Au
に限定されるものではなく、反射率の高い材料なら何で
もよく、さらに、電極を形成する際に、電極と同時に、
同材料を傾斜部に蒸着して、反射面を形成してもよい。
２を用いたが、このマスクはSiO2に限定されるものでは
なく、選択成長のマスクという機能を有するものであれ
ば何でもよい。また、基板傾斜面のコーティングは、Au
に限定されるものではなく、反射率の高い材料なら何で
もよく、さらに、電極を形成する際に、電極と同時に、
同材料を傾斜部に蒸着して、反射面を形成してもよい。
発明の効果 以上述べたごとく本発明の半導体レーザ装置によれば、
反射コーティング層によりレーザ光を反射させて光路を
変更させることができるので、半導体レーザOEICチップ
の例えば中央部などの任意の位置に集積することがで
き、設計の自由度が大幅に向上すると同時に、光検出器
によりレーザ光の強度をモニターできる。
反射コーティング層によりレーザ光を反射させて光路を
変更させることができるので、半導体レーザOEICチップ
の例えば中央部などの任意の位置に集積することがで
き、設計の自由度が大幅に向上すると同時に、光検出器
によりレーザ光の強度をモニターできる。
第１図は本発明の一実施例における半導体レーザ装置の
断面図、第２図は本発明の一実施例における半導体レー
ザ装置の製造方法の製造工程を示す断面図、第３図は従
来の半導体レーザ装置をOEICに集積した概略断面図であ
る。 11……n-GaAs基板、19……Auコーティング層、22……半
導体レーザ、23……光検出器
断面図、第２図は本発明の一実施例における半導体レー
ザ装置の製造方法の製造工程を示す断面図、第３図は従
来の半導体レーザ装置をOEICに集積した概略断面図であ
る。 11……n-GaAs基板、19……Auコーティング層、22……半
導体レーザ、23……光検出器
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板の主面に傾斜面を有する段差を
形成する工程と、前記段差の低い領域を除いた前記半導
体基板の表面に、半導体層の成長を阻止するマスクとな
る膜を形成する工程と、同膜のない前記段差の低い領域
にダブルヘテロ構造の多層半導体層を選択的に成長させ
る工程と、前記多層半導体層を選択エッチングして、前
記段差側に半導体レーザ素子が位置するように、前記半
導体レーザ素子と光検出器とを形成する工程と、前記段
差の傾斜面に反射コーティングを施す工程とを含むこと
を特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60151728A JPH0685456B2 (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60151728A JPH0685456B2 (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212181A JPS6212181A (ja) | 1987-01-21 |
| JPH0685456B2 true JPH0685456B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=15524989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60151728A Expired - Fee Related JPH0685456B2 (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685456B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4881237A (en) * | 1988-08-26 | 1989-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Hybrid two-dimensional surface-emitting laser arrays |
| EP0660467B1 (de) * | 1993-12-22 | 1997-03-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US6347107B1 (en) * | 1998-07-15 | 2002-02-12 | Eastman Kodak Company | System and method of improving intensity control of laser diodes using back facet photodiode |
| KR100532989B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2006-02-08 | 엘지전자 주식회사 | 레이저다이오드의반사체제조방법 |
| DE102015112382A1 (de) | 2015-07-29 | 2017-02-02 | J-Fiber Gmbh | Verfahren zum definierten Abscheiden einer Glasschicht an einer Innenwand einer Vorform sowie Vorform und Kommunikationssystem |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51139789A (en) * | 1975-05-29 | 1976-12-02 | Fujitsu Ltd | Photo-electric conversion semiconductor device |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP60151728A patent/JPH0685456B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6212181A (ja) | 1987-01-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |