JPS6212181A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPS6212181A JPS6212181A JP15172885A JP15172885A JPS6212181A JP S6212181 A JPS6212181 A JP S6212181A JP 15172885 A JP15172885 A JP 15172885A JP 15172885 A JP15172885 A JP 15172885A JP S6212181 A JPS6212181 A JP S6212181A
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- semiconductor laser
- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、各種の情報伝送や情報処理にさかんに使用さ
れる半導体レーザ装置とその製造方法に関するものであ
る。
れる半導体レーザ装置とその製造方法に関するものであ
る。
従来の技術
従来、半導体レーザとそれを駆動する電子回路とをモノ
リシックに集積した０ＥＩＧにおいて、半導体レーザは
、レーザ光を外部に取り出すために、必ず基板の端に近
接した場所に位置している（例えば、エヌ、バーーチＩ
イム 他“ＱａＡｓインテグレイテド オプトエレクト
ロニクス″アイ イー イー イー トランス イー
ディー−２９１３７２（１９８２）。（Ｎ、 Ｂａｒ−
Ｃｈａｆｅ ｅｔａｌ“Ｑ ａ Ａ Ｓ Ｉ ｎｔ
ｅｇｒａｔｅｄ Ｏｐｔｏａ＋ｅｃｔｒｏｎｔｃｓ″
ＩＥＥＥ ｔｒａｎｓ ＥＤ−２９１３７２（１９
８２）））。
リシックに集積した０ＥＩＧにおいて、半導体レーザは
、レーザ光を外部に取り出すために、必ず基板の端に近
接した場所に位置している（例えば、エヌ、バーーチＩ
イム 他“ＱａＡｓインテグレイテド オプトエレクト
ロニクス″アイ イー イー イー トランス イー
ディー−２９１３７２（１９８２）。（Ｎ、 Ｂａｒ−
Ｃｈａｆｅ ｅｔａｌ“Ｑ ａ Ａ Ｓ Ｉ ｎｔ
ｅｇｒａｔｅｄ Ｏｐｔｏａ＋ｅｃｔｒｏｎｔｃｓ″
ＩＥＥＥ ｔｒａｎｓ ＥＤ−２９１３７２（１９
８２）））。
このような従来の半導体レーザ装置について第３図を用
いて説明する。第３図＜Ａ）（Ｂ）は各々従来の０ＥＩ
Ｃに集積されている半導体レーザの斜視図で、１はＱａ
Ａｓの基板、２はＱａＡｓ／／Ｍ！ＧａＡｓの半導体
レーザ、３は半導体レーザ２を駆動する電子回路、４は
出射されたレーザ光である。
いて説明する。第３図＜Ａ）（Ｂ）は各々従来の０ＥＩ
Ｃに集積されている半導体レーザの斜視図で、１はＱａ
Ａｓの基板、２はＱａＡｓ／／Ｍ！ＧａＡｓの半導体
レーザ、３は半導体レーザ２を駆動する電子回路、４は
出射されたレーザ光である。
第３図（Ａ）に示す０ＥＩＣでは、半導体レーザ２の共
振器は、へき開によって形成されている。
振器は、へき開によって形成されている。
第３図（Ｂ）に示す半導体レーザの共振器は、一端面は
エツチングにより、また他端面はへき開にＪ：り形成さ
れている。このような０ＥＩＧにおいて、レーザ光４は
、基板１の端から水平方向に取り出される。
エツチングにより、また他端面はへき開にＪ：り形成さ
れている。このような０ＥＩＧにおいて、レーザ光４は
、基板１の端から水平方向に取り出される。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記従来の構成では、レーザ光４が水平
方向に出射するため、レーザ光４を外部に取り出すため
に、半導体レーザ２の少なくとも一端面が基板１の端に
位置するように０ＥＩＣを設計しなければならず、設計
の自由度が大きく制限されていた。
方向に出射するため、レーザ光４を外部に取り出すため
に、半導体レーザ２の少なくとも一端面が基板１の端に
位置するように０ＥＩＣを設計しなければならず、設計
の自由度が大きく制限されていた。
本発明は上記従来の問題点を解消するもので、０ＥＩＣ
ＪＪ板上の中央部などの任意の位置に位置させることの
できる半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する
ことを目的とづる・問題点を解決するための手段 上＆！同題点を解決するため、本発明の半導体レーザ装
置は、主面に段差が形成された半導体基板と、この半導
体基板の主面の低い方の面上に相対向して形成された半
導体レーザおよび光検出器と、前記半導体レーザの前記
光検出器との対向面とは反対側の面に対向する前記段差
の傾斜面に施された全反射コーティング層とを備えた構
成としたものである。
ＪＪ板上の中央部などの任意の位置に位置させることの
できる半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する
ことを目的とづる・問題点を解決するための手段 上＆！同題点を解決するため、本発明の半導体レーザ装
置は、主面に段差が形成された半導体基板と、この半導
体基板の主面の低い方の面上に相対向して形成された半
導体レーザおよび光検出器と、前記半導体レーザの前記
光検出器との対向面とは反対側の面に対向する前記段差
の傾斜面に施された全反射コーティング層とを備えた構
成としたものである。
また、本発明の半導体装置の５１造方法は、半導体基板
の主面に傾斜面を有する段差を形成する工程と、前記半
導体基板の主面の低い方の面にダブルヘテロ構造の多層
半導体層を成長させる工程と、前記多層半導体層を選択
エツチングして、前記段差側に半導体レーザ素子が位置
するように、半導体レーザ素子と光検出器とを形成する
工程と、前記段差の傾斜面に全反射コーティングを施す
工程とを含むものである。
の主面に傾斜面を有する段差を形成する工程と、前記半
導体基板の主面の低い方の面にダブルヘテロ構造の多層
半導体層を成長させる工程と、前記多層半導体層を選択
エツチングして、前記段差側に半導体レーザ素子が位置
するように、半導体レーザ素子と光検出器とを形成する
工程と、前記段差の傾斜面に全反射コーティングを施す
工程とを含むものである。
作用
上記半導体レーザ装置によれば、半導体レーザの一端面
から出射したレーザ光は、光検出器に入射し、他端面か
ら出射したレーザ光は、全反射コーティングが施された
半導体基板の傾斜面で、半導体基板に対して垂直上方に
反射される。また上記製造方法によれば、上記半導体レ
ー、ザ装置を容“ 易に得ることができる。
から出射したレーザ光は、光検出器に入射し、他端面か
ら出射したレーザ光は、全反射コーティングが施された
半導体基板の傾斜面で、半導体基板に対して垂直上方に
反射される。また上記製造方法によれば、上記半導体レ
ー、ザ装置を容“ 易に得ることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図〜第２図に塁づいて説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例における半導体レーザ装置の
断面図で、１１はｎ−Ｑａ Ａ８基板、１２はｎ−Ａｎ
ｙ Ｑａ １ −ｖ Ａｓ Ｉｌｌ 、 １３
はＡｊ２ｘＧａｔ−×、Ａ、ｓ層（ｙ＞ｘ）、１４はＩ
）−ＡＱｙ Ｑａ １ −ｙＡＳ層、１５はｐ−Ｇａ
ＡＳ ｍ、１６〜１８はＡ−ミンク電極、１９はＡｌｌ
コーティング層、２０．２１はレーザ光、２２は半導体
レーザ、２３は光検出器である。
断面図で、１１はｎ−Ｑａ Ａ８基板、１２はｎ−Ａｎ
ｙ Ｑａ １ −ｖ Ａｓ Ｉｌｌ 、 １３
はＡｊ２ｘＧａｔ−×、Ａ、ｓ層（ｙ＞ｘ）、１４はＩ
）−ＡＱｙ Ｑａ １ −ｙＡＳ層、１５はｐ−Ｇａ
ＡＳ ｍ、１６〜１８はＡ−ミンク電極、１９はＡｌｌ
コーティング層、２０．２１はレーザ光、２２は半導体
レーザ、２３は光検出器である。
次に動作を説明する。オーミック電極１６．１８間を順
方向にバイアスし、半導体レーＶ′２２を発振に至らし
める。また、オーミック電極１７．１８間を逆方向にバ
イアスすることにより、半導体レーザ２２の一端面から
出射するレーザ光２００強１良を光検出器２３によりモ
ニタする。半導体レーザ２２の他端面、すなわちｎ−Ｇ
ａ Ａｓ基板１１の傾斜面に面した端面から出射したレ
ーザ光２１は、ＡＬＩコーティング層１９により偏向さ
れ、ｎ−ＱａＡａ基板１１に対して垂直方向に出射する
。
方向にバイアスし、半導体レーＶ′２２を発振に至らし
める。また、オーミック電極１７．１８間を逆方向にバ
イアスすることにより、半導体レーザ２２の一端面から
出射するレーザ光２００強１良を光検出器２３によりモ
ニタする。半導体レーザ２２の他端面、すなわちｎ−Ｇ
ａ Ａｓ基板１１の傾斜面に面した端面から出射したレ
ーザ光２１は、ＡＬＩコーティング層１９により偏向さ
れ、ｎ−ＱａＡａ基板１１に対して垂直方向に出射する
。
このように本実施例によれば、段差をつけたｎ−Ｇａ
Ａｓ 基板１１の底部分に、半導体レーザ２２と光検出
器２３とを設け、ｎ−Ｇａ Ａｓ基板１１の傾斜面にＡ
ｕコーティング１ｉｉＩｌ１９を施すことにより、半導
体レーザ２２の他端面から出射したレーザ光２１は基板
上方に偏向され、一端面から出射し・たレーザ光２０は
出力モニタに用いられる。したがって、この半導体レー
ザ装置は、０ＥＩＧの中央部に集積することができる。
Ａｓ 基板１１の底部分に、半導体レーザ２２と光検出
器２３とを設け、ｎ−Ｇａ Ａｓ基板１１の傾斜面にＡ
ｕコーティング１ｉｉＩｌ１９を施すことにより、半導
体レーザ２２の他端面から出射したレーザ光２１は基板
上方に偏向され、一端面から出射し・たレーザ光２０は
出力モニタに用いられる。したがって、この半導体レー
ザ装置は、０ＥＩＧの中央部に集積することができる。
第２図は本発明の一実施例における半導体レーザ装置の
製造方法の工程を示す断面図で、まず、段差をつけたｎ
−ＱａＡｓ基板１１上に、第２図（ａ）のように、底部
分を除いて５１０２膜２４を形成し、第２図（ｂ）のよ
うに、ＭＯＣＶＤ法ににす、ｎ−ＡρｙＧａ＋−ｙＡｓ
層１２とＡｕＸ Ｇａ１−ｘＡｓＡ３層上３１−ＡＮＹ
Ｇａｔ −ｖ Ａｓ 層１４とｐ −Ｇａ Ａ
ｓ層１５とを選択成長させる。次に、ＳｉＯ２膜２４全
２４し、第２図（Ｃ）のように、フォト・レジスト２５
を塗り、エツチングにより、半導体レザ２２と光検出？
Ａ２３とを形成する。さらにフォト・レジスト２５を除
去した後、第２図（ｄ）のように、Ａｕコーティング８
１１９をｎ−ＧａＡｓ基板１１の傾斜面に施す。そして
、オーミック電極１６〜１Ｂを形成する。
製造方法の工程を示す断面図で、まず、段差をつけたｎ
−ＱａＡｓ基板１１上に、第２図（ａ）のように、底部
分を除いて５１０２膜２４を形成し、第２図（ｂ）のよ
うに、ＭＯＣＶＤ法ににす、ｎ−ＡρｙＧａ＋−ｙＡｓ
層１２とＡｕＸ Ｇａ１−ｘＡｓＡ３層上３１−ＡＮＹ
Ｇａｔ −ｖ Ａｓ 層１４とｐ −Ｇａ Ａ
ｓ層１５とを選択成長させる。次に、ＳｉＯ２膜２４全
２４し、第２図（Ｃ）のように、フォト・レジスト２５
を塗り、エツチングにより、半導体レザ２２と光検出？
Ａ２３とを形成する。さらにフォト・レジスト２５を除
去した後、第２図（ｄ）のように、Ａｕコーティング８
１１９をｎ−ＧａＡｓ基板１１の傾斜面に施す。そして
、オーミック電極１６〜１Ｂを形成する。
なお、上記実施例においては、Ｇａ Ａｓ ／ＡｎＱａ
Ａｓ系の材料を用いたが、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系
など、他の化合物半導体材料を用いることもでき、基板
も、ｎ型のものを用いたが、ｐ型あるいは半絶縁性のも
のを用いることもできる。
Ａｓ系の材料を用いたが、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系
など、他の化合物半導体材料を用いることもでき、基板
も、ｎ型のものを用いたが、ｐ型あるいは半絶縁性のも
のを用いることもできる。
また、上記実施例では、選択成長のマスクとして５ｉＯ
ｚ膜２を用いたが、このマスクは３ｉｏ２に限定される
ものではなく、選択成長のマスクという機能を有するも
のであれば何でもよい。
ｚ膜２を用いたが、このマスクは３ｉｏ２に限定される
ものではなく、選択成長のマスクという機能を有するも
のであれば何でもよい。
また、基板傾斜面のコーティングは、Ａｌｌに限定され
るものではなく、反射率の高い材料なら何でもよく、さ
らに、電極を形成する際に、電極と同時に、同材料を傾
斜部に蒸着して、反射面を形成してもよい。
るものではなく、反射率の高い材料なら何でもよく、さ
らに、電極を形成する際に、電極と同時に、同材料を傾
斜部に蒸着して、反射面を形成してもよい。
発明の効果
以上述べたごとく本発明の半導体レーザ装置によれば、
全反射コーティング層によりレーザ光を反射させて光路
を変更させることができるので、半導体レーザ０ＥＩＣ
チツプの例えば中央部などの任意の位置に集積すること
ができ、設計の自由度が大幅に向上すると同時に、光検
出器によりレーザ光の強度をモニターできる。
全反射コーティング層によりレーザ光を反射させて光路
を変更させることができるので、半導体レーザ０ＥＩＣ
チツプの例えば中央部などの任意の位置に集積すること
ができ、設計の自由度が大幅に向上すると同時に、光検
出器によりレーザ光の強度をモニターできる。
第１図は本発明の一実施例における半導体レーザＶ装置
の断面図、第２図は本発明の一実施例における半導体レ
ーザ装置の製造方法の！ｌｌ造工程を示す断面図、第３
図は従来の半導体レーザ装置を０ＥＩＣＩＣ！Ｊ！積し
た概略断面図である。 １１・ｎ−Ｇａ Ａｓ ！！板、１９・Ａｕ ：］−テ
ィング層、２２・・・半導体レーザ、２３・・・光検出
器代理人 森 本 義 弘 第１図 ／１−−−ｎ−θａ７４ｓＫ＆ ｔｑ−Ａｕフーティ〉ブ層 ｚｚ−’１らマノＡ（Ｌ−゛ジ″パ ２３−一一尤ｔｔ出藤 第２図 第３図
の断面図、第２図は本発明の一実施例における半導体レ
ーザ装置の製造方法の！ｌｌ造工程を示す断面図、第３
図は従来の半導体レーザ装置を０ＥＩＣＩＣ！Ｊ！積し
た概略断面図である。 １１・ｎ−Ｇａ Ａｓ ！！板、１９・Ａｕ ：］−テ
ィング層、２２・・・半導体レーザ、２３・・・光検出
器代理人 森 本 義 弘 第１図 ／１−−−ｎ−θａ７４ｓＫ＆ ｔｑ−Ａｕフーティ〉ブ層 ｚｚ−’１らマノＡ（Ｌ−゛ジ″パ ２３−一一尤ｔｔ出藤 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、主面に段差が形成された半導体基板と、この半導体
基板の主面の低い方の面上に相対向して形成された半導
体レーザおよび光検出器と、前記半導体レーザの前記光
検出器との対向面とは反対側の面に対向する前記段差の
傾斜面に施された全反射コーティング層とを備えた半導
体レーザ装置。 ２、半導体基板の主面に傾斜面を有する段差を形成する
工程と、前記半導体基板の主面の低い方の面にダブルヘ
テロ構造の多層半導体層を成長させる工程と、前記多層
半導体層を選択エッチングして、前記段差側に半導体レ
ーザ素子が位置するように、半導体レーザ素子と光検出
器とを形成する工程と、前記段差の傾斜面に全反射コー
ティングを施す工程とを含む半導体レーザ装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60151728A JPH0685456B2 (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60151728A JPH0685456B2 (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212181A true JPS6212181A (ja) | 1987-01-21 |
| JPH0685456B2 JPH0685456B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=15524989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60151728A Expired - Fee Related JPH0685456B2 (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685456B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4881237A (en) * | 1988-08-26 | 1989-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Hybrid two-dimensional surface-emitting laser arrays |
| US5875205A (en) * | 1993-12-22 | 1999-02-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelectronic component and method for the manufacture thereof |
| US6347107B1 (en) * | 1998-07-15 | 2002-02-12 | Eastman Kodak Company | System and method of improving intensity control of laser diodes using back facet photodiode |
| KR100532989B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2006-02-08 | 엘지전자 주식회사 | 레이저다이오드의반사체제조방법 |
| DE102015112382A1 (de) | 2015-07-29 | 2017-02-02 | J-Fiber Gmbh | Verfahren zum definierten Abscheiden einer Glasschicht an einer Innenwand einer Vorform sowie Vorform und Kommunikationssystem |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51139789A (en) * | 1975-05-29 | 1976-12-02 | Fujitsu Ltd | Photo-electric conversion semiconductor device |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP60151728A patent/JPH0685456B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51139789A (en) * | 1975-05-29 | 1976-12-02 | Fujitsu Ltd | Photo-electric conversion semiconductor device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4881237A (en) * | 1988-08-26 | 1989-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Hybrid two-dimensional surface-emitting laser arrays |
| US5875205A (en) * | 1993-12-22 | 1999-02-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelectronic component and method for the manufacture thereof |
| US6347107B1 (en) * | 1998-07-15 | 2002-02-12 | Eastman Kodak Company | System and method of improving intensity control of laser diodes using back facet photodiode |
| KR100532989B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2006-02-08 | 엘지전자 주식회사 | 레이저다이오드의반사체제조방법 |
| DE102015112382A1 (de) | 2015-07-29 | 2017-02-02 | J-Fiber Gmbh | Verfahren zum definierten Abscheiden einer Glasschicht an einer Innenwand einer Vorform sowie Vorform und Kommunikationssystem |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0685456B2 (ja) | 1994-10-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |