JPH0710017B2 - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH0710017B2 JPH0710017B2 JP60151074A JP15107485A JPH0710017B2 JP H0710017 B2 JPH0710017 B2 JP H0710017B2 JP 60151074 A JP60151074 A JP 60151074A JP 15107485 A JP15107485 A JP 15107485A JP H0710017 B2 JPH0710017 B2 JP H0710017B2
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- laser device
- substrate
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、各種の情報伝送や情報処理にさかんに使用さ
れる半導体レーザ装置の製造方法に関するものである。
れる半導体レーザ装置の製造方法に関するものである。
従来の技術 従来、半導体レーザとそれを駆動する電子回路とをモノ
リシックに集積したOEICにおいて、半導体レーザは、レ
ーザ光を外部に取り出すために、必ず基板の端に近接し
た場所に配置されている〔例えば、エヌ．バー−チェイ
ム他“GaAsインテグレイテド オプトエレクトロニク
ス”アイ イー イー イー トランス イー デー−
29 1372（1982）。｛N.Bar−Chaim et al.“GaAs Integ
rated Optoelectronics"IEEE trans ED−29 1372（198
2）｝〕。このような従来の半導体レーザ装置について
第３図を用いて説明する。第３図（Ａ），（Ｂ）は、各
々、従来のOEICに集積されている半導体レーザの斜視図
で、１はGaAsの基板、２はGaAs/AlGaAsの半導体レー
ザ、３は半導体レーザ２を駆動する電子回路、４は出射
されたレーザ光である。
リシックに集積したOEICにおいて、半導体レーザは、レ
ーザ光を外部に取り出すために、必ず基板の端に近接し
た場所に配置されている〔例えば、エヌ．バー−チェイ
ム他“GaAsインテグレイテド オプトエレクトロニク
ス”アイ イー イー イー トランス イー デー−
29 1372（1982）。｛N.Bar−Chaim et al.“GaAs Integ
rated Optoelectronics"IEEE trans ED−29 1372（198
2）｝〕。このような従来の半導体レーザ装置について
第３図を用いて説明する。第３図（Ａ），（Ｂ）は、各
々、従来のOEICに集積されている半導体レーザの斜視図
で、１はGaAsの基板、２はGaAs/AlGaAsの半導体レー
ザ、３は半導体レーザ２を駆動する電子回路、４は出射
されたレーザ光である。
第３図（Ａ）に示すOEICでは、半導体レーザ２の共振器
がへき開によって形成されている。第３図（Ｂ）に示す
半導体レーザの共振器は、一端面はエッチングにより、
また他端面はへき開により形成されている。このような
OEICにおいて、レーザ光４は、基板１の端から水平方向
に取り出される。
がへき開によって形成されている。第３図（Ｂ）に示す
半導体レーザの共振器は、一端面はエッチングにより、
また他端面はへき開により形成されている。このような
OEICにおいて、レーザ光４は、基板１の端から水平方向
に取り出される。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記従来の構成では、レーザ光４が水平
方向に出射するため、レーザ光４を外部に取り出すため
に、半導体レーザ２の少なくとも一端面が基板１の端
に、互いの端面を揃えて位置するようにOEICを設計しな
ければならず、設計の自由度が大きく制限されていた。
方向に出射するため、レーザ光４を外部に取り出すため
に、半導体レーザ２の少なくとも一端面が基板１の端
に、互いの端面を揃えて位置するようにOEICを設計しな
ければならず、設計の自由度が大きく制限されていた。
本発明は上記従来の問題点を解消するもので、OEIC基板
上の中央部などの任意の位置に配置されることのできる
半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
上の中央部などの任意の位置に配置されることのできる
半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するため、本発明の半導体レーザ装置
の製造方法は、半導体基板の表面に半導体レーザ素子を
形成する工程と、前記半導体レーザ素子の主出射面に近
接した部分を除いて表面にSiO2膜を被着する工程と、前
記半導体基板の表面の前記SiO2膜を被着しなかった部分
にAlGaAs層を選択成長させる工程と、前記SiO2膜を除去
した後、前記AlGaAs層の前記半導体レーザ素子の主出射
面と対向する面を前記半導体レーザ素子の主出射面と平
行になるようにエッチングする工程と、前記AlGaAs層の
前記エッチングされた面と反対側の面を前記半導体基板
に対して略45゜傾斜するように逆テーパ形状にエッチン
グする工程とを含むものである。
の製造方法は、半導体基板の表面に半導体レーザ素子を
形成する工程と、前記半導体レーザ素子の主出射面に近
接した部分を除いて表面にSiO2膜を被着する工程と、前
記半導体基板の表面の前記SiO2膜を被着しなかった部分
にAlGaAs層を選択成長させる工程と、前記SiO2膜を除去
した後、前記AlGaAs層の前記半導体レーザ素子の主出射
面と対向する面を前記半導体レーザ素子の主出射面と平
行になるようにエッチングする工程と、前記AlGaAs層の
前記エッチングされた面と反対側の面を前記半導体基板
に対して略45゜傾斜するように逆テーパ形状にエッチン
グする工程とを含むものである。
作用 上記半導体レーザ装置の製造方法によれば、出射したレ
ーザ光が、プリズムにより所定の方向に光路変更される
半導体レーザを、例えば基板の中央部など、任意の位置
に形成することができる。
ーザ光が、プリズムにより所定の方向に光路変更される
半導体レーザを、例えば基板の中央部など、任意の位置
に形成することができる。
また、上記構造方法によれば、上記半導体レーザ装置を
容易に製造できる。
容易に製造できる。
実施例 以下、本発明の一実施例を第１図〜第２図に基づいて説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例によって形成された典型的な
半導体レーザ装置の断面図で、11はｎ−GaAs基板、12は
ｎ−AlyGa1-yAs層、13はAlxGa1-xAs活性層、14はｐ−Al
yGa1-yAs層、15はｐ−GaAs層、1,17はオーミック電極、
18はAlzGa1-zAsプリズム（ｘ＜ｚ）、19はレーザ光であ
る。
半導体レーザ装置の断面図で、11はｎ−GaAs基板、12は
ｎ−AlyGa1-yAs層、13はAlxGa1-xAs活性層、14はｐ−Al
yGa1-yAs層、15はｐ−GaAs層、1,17はオーミック電極、
18はAlzGa1-zAsプリズム（ｘ＜ｚ）、19はレーザ光であ
る。
次に、この半導体レーザ装置の動作を説明する。ダブル
ヘテロ構造AlGaAs半導体レーザから出射したレーザ光19
は、その前面に設けられたAlzGa1-zAsプリズム18の直交
面に入射する。ここで、レーザ光19はこのプリズム18の
逆テーパ形状の面で90゜偏向され、ｎ−GaAs基板11に対
して垂直方向に出射する。
ヘテロ構造AlGaAs半導体レーザから出射したレーザ光19
は、その前面に設けられたAlzGa1-zAsプリズム18の直交
面に入射する。ここで、レーザ光19はこのプリズム18の
逆テーパ形状の面で90゜偏向され、ｎ−GaAs基板11に対
して垂直方向に出射する。
このように本実施例によれば、AlGaAs半導体レーザの主
出射面に近接して、前記半導体レーザからのレーザ光の
入射面とは反対側に略45゜の逆テーパ形状をもつAlzGa
1-zAsプリズム18を設けることにより、半導体レーザか
ら出射したレーザ光19が、ｎ−GaAs基板11の上方に偏向
される。これにより、半導体レーザ装置は、OEICの基板
面の中央部に集積することができるなど、設計上の自由
度が向上する。
出射面に近接して、前記半導体レーザからのレーザ光の
入射面とは反対側に略45゜の逆テーパ形状をもつAlzGa
1-zAsプリズム18を設けることにより、半導体レーザか
ら出射したレーザ光19が、ｎ−GaAs基板11の上方に偏向
される。これにより、半導体レーザ装置は、OEICの基板
面の中央部に集積することができるなど、設計上の自由
度が向上する。
第２図は本発明の一実施例における上記半導体レーザ装
置を得るための製造工程を示す断面図で、まず、ｎ−Ga
As基板11上に、ｎ−AlyGa1-yAs層12とAlxGa1-xAs層13と
ｐ−AlyGa1-yAs層14とｐ−GaAs層15とをこの順に成長さ
せ、エッチングによりレーザ発振を可能にする共振器構
造を形成した後、第２図（ａ）のように、この半導体レ
ーザの全面を被ってSiO2膜20を形成する。次に第２図
（ｂ）のように、MOCVD法により、AlzGa1-zAs層21を選
択成長させる。SiO2膜20を取り除いた後、第２図（ｃ）
のように、フォト・レジスト22を塗り、AlzGa1-zAs層21
の、前記半導体レーザに対向する端面を、半導体レーザ
の端面、すなわち、レーザ光出射面と平行になるように
エッチングする。フォト・レジスト22を取り除いた後、
第２図（ｄ）のように、再びフォト・レジスト23を塗
り、AlzGa1-zAs層21の他端面を、ｎ−GaAs基板11に対し
て45゜の逆テーパ形状の角度をもつようにエッチングし
て、AlzGa1-zAsプリズム18を形成する。最後に、フォト
・レジスト23を取り去り、半導体レーザにオーミック電
極16,17をつけて、第１図に示した半導体レーザ装置を
完成する。
置を得るための製造工程を示す断面図で、まず、ｎ−Ga
As基板11上に、ｎ−AlyGa1-yAs層12とAlxGa1-xAs層13と
ｐ−AlyGa1-yAs層14とｐ−GaAs層15とをこの順に成長さ
せ、エッチングによりレーザ発振を可能にする共振器構
造を形成した後、第２図（ａ）のように、この半導体レ
ーザの全面を被ってSiO2膜20を形成する。次に第２図
（ｂ）のように、MOCVD法により、AlzGa1-zAs層21を選
択成長させる。SiO2膜20を取り除いた後、第２図（ｃ）
のように、フォト・レジスト22を塗り、AlzGa1-zAs層21
の、前記半導体レーザに対向する端面を、半導体レーザ
の端面、すなわち、レーザ光出射面と平行になるように
エッチングする。フォト・レジスト22を取り除いた後、
第２図（ｄ）のように、再びフォト・レジスト23を塗
り、AlzGa1-zAs層21の他端面を、ｎ−GaAs基板11に対し
て45゜の逆テーパ形状の角度をもつようにエッチングし
て、AlzGa1-zAsプリズム18を形成する。最後に、フォト
・レジスト23を取り去り、半導体レーザにオーミック電
極16,17をつけて、第１図に示した半導体レーザ装置を
完成する。
なお、上記実施例では、GaAs/AlGaAs系の材料を用いた
が、InP/InGaAsP系など、他の化合物半導体材料を用い
ることもできる。
が、InP/InGaAsP系など、他の化合物半導体材料を用い
ることもできる。
また、基板としてｎ−GaAs基板11を用いたが、ｐ−GaAs
基板や、半絶縁性基板などを用いることもできる。
基板や、半絶縁性基板などを用いることもできる。
また、選択成長のマスクとしてSiO2膜20を用いたが、マ
スクはSiO2膜20に限定されるものではなく、選択成長の
マスクという機能を有するものであれば何でもよい。
スクはSiO2膜20に限定されるものではなく、選択成長の
マスクという機能を有するものであれば何でもよい。
またプリズムとして透明材料で作製した別体プリズムを
半導体レーザチップ前方に配置することにより同様の効
果が得られる。
半導体レーザチップ前方に配置することにより同様の効
果が得られる。
また、基板11としてシリコン等の半導体基板を用い、そ
の上に半導体レーザチップ及びプリズムを配置すること
により、同様の効果が得られる。
の上に半導体レーザチップ及びプリズムを配置すること
により、同様の効果が得られる。
発明の効果 以上述べたように、本発明の半導体レーザ装置の製造方
法によれば、レーザ光をプリズムにより所定の方向に光
路変更できる半導体レーザを、基板上の任意な位置、例
えば中央部など、任意の位置に形成することができ、設
計の自由度を大幅に向上できる。また本発明の製造方法
によれば、上記半導体レーザ装置を容易に得ることがで
きる。
法によれば、レーザ光をプリズムにより所定の方向に光
路変更できる半導体レーザを、基板上の任意な位置、例
えば中央部など、任意の位置に形成することができ、設
計の自由度を大幅に向上できる。また本発明の製造方法
によれば、上記半導体レーザ装置を容易に得ることがで
きる。
第１図は本発明の一実施例により形成した半導体レーザ
装置の断面図、第２図は本発明の半導体レーザ装置の製
造方法の一実施例製造工程を示す断面図、第３図
（Ａ），（Ｂ）は従来の半導体レーザ装置の各例をOEIC
集積した状態で示した概略斜視図である。 11……ｎ−GaAs基板、12……ｎ−AlyGa1-yAs層、13……
AlxGa1-xAs活性層、14……ｐ−AlyGa1-yAs層、15……ｐ
−GaAs層、16,17……オーミック電極、18……AlzGa1-zA
sプリズム、20……SiO2膜、22,23……フォト・レジス
ト。
装置の断面図、第２図は本発明の半導体レーザ装置の製
造方法の一実施例製造工程を示す断面図、第３図
（Ａ），（Ｂ）は従来の半導体レーザ装置の各例をOEIC
集積した状態で示した概略斜視図である。 11……ｎ−GaAs基板、12……ｎ−AlyGa1-yAs層、13……
AlxGa1-xAs活性層、14……ｐ−AlyGa1-yAs層、15……ｐ
−GaAs層、16,17……オーミック電極、18……AlzGa1-zA
sプリズム、20……SiO2膜、22,23……フォト・レジス
ト。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板の表面に半導体レーザ素子を形
成する工程と、前記半導体レーザ素子の主出射面に近接
した部分を除いて表面にSiO2膜を被着する工程と、前記
半導体基板の表面の前記SiO2膜を被着しなかった部分に
AlGaAs層を選択成長させる工程と、前記SiO2膜を除去し
た後、前記AlGaAs層の前記半導体レーザ素子の主出射面
と対向する面を前記半導体レーザ素子の主出射面と平行
になるようにエッチングする工程と、前記AlGaAs層の前
記エッチングされた面と反対側の面を前記半導体基板に
対して略45゜傾斜するように逆テーパ形状にエッチング
する工程とを含む半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60151074A JPH0710017B2 (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60151074A JPH0710017B2 (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211286A JPS6211286A (ja) | 1987-01-20 |
| JPH0710017B2 true JPH0710017B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=15510738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60151074A Expired - Lifetime JPH0710017B2 (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0710017B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0660467B1 (de) * | 1993-12-22 | 1997-03-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US20110187878A1 (en) | 2010-02-02 | 2011-08-04 | Primesense Ltd. | Synchronization of projected illumination with rolling shutter of image sensor |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5474688A (en) * | 1977-11-26 | 1979-06-14 | Sharp Corp | Manufacture for photo semiconducdtor device with monitor |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP60151074A patent/JPH0710017B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6211286A (ja) | 1987-01-20 |
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