JPS6211286A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPS6211286A JPS6211286A JP15107485A JP15107485A JPS6211286A JP S6211286 A JPS6211286 A JP S6211286A JP 15107485 A JP15107485 A JP 15107485A JP 15107485 A JP15107485 A JP 15107485A JP S6211286 A JPS6211286 A JP S6211286A
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- laser
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- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、各種の情報伝送や情報処理にさかｌυに使用
される半導体レーザ装置とその製造方法に関するしので
ある。
される半導体レーザ装置とその製造方法に関するしので
ある。
従来の技術
従来、半導体レーザとそれを駆動する電子回路とをモノ
リシックに集積した０ＥＩＣにおいて、半導体レーザは
、レーザ光を外部に取り出すため−に、必ず基板の端に
近接した場所に位置している〔例えば、エフ。バーーチ
ェイム 他゛Ｇａ Ａｓインテグレイテド オプトエレ
クトロニクス゛アイ イー イー イー トランス イ
ー デー−２９１３７２（１９８２）。（Ｎ、１３ａｒ
−Ｃｈａｉｍ ｅｔａｌ“Ｇａ Ａ Ｓ Ｉ ｎｔ
ｅｇｒａｔａｄ Ｑ ｐｔｏｅｌｃｃｔｒｏｎｉｃｓ
”ＩＥＥＥ ｔｒａｎｓ ＥＤ −２９１３７２
（１９８２） ） ）。
リシックに集積した０ＥＩＣにおいて、半導体レーザは
、レーザ光を外部に取り出すため−に、必ず基板の端に
近接した場所に位置している〔例えば、エフ。バーーチ
ェイム 他゛Ｇａ Ａｓインテグレイテド オプトエレ
クトロニクス゛アイ イー イー イー トランス イ
ー デー−２９１３７２（１９８２）。（Ｎ、１３ａｒ
−Ｃｈａｉｍ ｅｔａｌ“Ｇａ Ａ Ｓ Ｉ ｎｔ
ｅｇｒａｔａｄ Ｑ ｐｔｏｅｌｃｃｔｒｏｎｉｃｓ
”ＩＥＥＥ ｔｒａｎｓ ＥＤ −２９１３７２
（１９８２） ） ）。
このような従来の半導体レーザ６置について第３図を用
いて説明する。第３図（’Ａ）（Ｂ）は各々従来の０Ｅ
ＩＧに１ｉ梢されている半導体レーザの斜視図で、１は
ＧａＡＳの基板、２はＧａ Ａｓ ／Ａｊ２ＧａＡｓの
半導体レーザ、３は半導体レーザ２を駆動する電子回路
、４は出射されたレーザ光である。
いて説明する。第３図（’Ａ）（Ｂ）は各々従来の０Ｅ
ＩＧに１ｉ梢されている半導体レーザの斜視図で、１は
ＧａＡＳの基板、２はＧａ Ａｓ ／Ａｊ２ＧａＡｓの
半導体レーザ、３は半導体レーザ２を駆動する電子回路
、４は出射されたレーザ光である。
第３図（Ａ＞に示づ０ＥＩＧでは、半導体レーザ２の共
振器は、へき開によって形成されている。
振器は、へき開によって形成されている。
第３図（Ｂ）に示す半導体レーザの共振器は、一端面は
エツチングにより、また他端面はへき開により形成され
ている。このような０ＥＩＣにおいて、レーザ光４は、
基板１の端から水平方向に取り出される。
エツチングにより、また他端面はへき開により形成され
ている。このような０ＥＩＣにおいて、レーザ光４は、
基板１の端から水平方向に取り出される。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記従来の構成では、レーザ光４が水平
方向に出射するため、レーザ光４を外部に取り出すため
に、半導体レーザ２の少なくとも一端面が基板１の端に
位置するようにＯＥ［Ｃを設計しな【）ればならず、設
計の自由度が大ぎく制限されていた。
方向に出射するため、レーザ光４を外部に取り出すため
に、半導体レーザ２の少なくとも一端面が基板１の端に
位置するようにＯＥ［Ｃを設計しな【）ればならず、設
計の自由度が大ぎく制限されていた。
本発明は上記従来の問題点を解消覆るもので、ｏＥ１ｃ
阜板上の中央部などの任意の位置に位置されるこのでき
る半導体レーザ４Ａ置およびその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
阜板上の中央部などの任意の位置に位置されるこのでき
る半導体レーザ４Ａ置およびその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため、本発明の半導体レーザ装置
は、半導体レーザと、この半導体レーザの一端面に近接
配置されたプリズムとを備えた構成としたちのである。
は、半導体レーザと、この半導体レーザの一端面に近接
配置されたプリズムとを備えた構成としたちのである。
また、本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、半導体
基板の表面に半導体レーザ素子を形成する工程と、前記
半導体レーデ索子の一端面に近接した部分を除いて前記
半導体レーザ素子の上から前記半導体基板の表面に５Ｉ
０２膜を被着する工程と、前記半導体基板の表面の前記
ＳｉＯ２膜を被るしなかった部分にＡＱＧａＡＳ層を選
択成長させる工程と、前記ＳｉＯ２膜を除去した後、前
記ＡａＱａ ＡＳ層の前記半導体レーザ素子一端面と対
向する面を半導体レーザ素子一端面と平行になるように
エツチングする工程と、前記ＡρＱａＡＳＩＩの前記エ
ツチングされた面と反対側の面を前記半導体基板に対し
て４５°傾斜するようにエツチングする工程゛とを含む
ものである。
基板の表面に半導体レーザ素子を形成する工程と、前記
半導体レーデ索子の一端面に近接した部分を除いて前記
半導体レーザ素子の上から前記半導体基板の表面に５Ｉ
０２膜を被着する工程と、前記半導体基板の表面の前記
ＳｉＯ２膜を被るしなかった部分にＡＱＧａＡＳ層を選
択成長させる工程と、前記ＳｉＯ２膜を除去した後、前
記ＡａＱａ ＡＳ層の前記半導体レーザ素子一端面と対
向する面を半導体レーザ素子一端面と平行になるように
エツチングする工程と、前記ＡρＱａＡＳＩＩの前記エ
ツチングされた面と反対側の面を前記半導体基板に対し
て４５°傾斜するようにエツチングする工程゛とを含む
ものである。
作用
上記半導体装置によれば、半導体レーザから出射したレ
ーザ光は、プリズムにより所定の方向に光路を変更され
ることとなる。そのため、半導体レー１！を、例えば基
板の中央部など、任意の位置に形成することができる。
ーザ光は、プリズムにより所定の方向に光路を変更され
ることとなる。そのため、半導体レー１！を、例えば基
板の中央部など、任意の位置に形成することができる。
また、上記製造方法によれば、上記半導体装Ｕを容易に
製造できる。
製造できる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図〜第２図に雄づいて説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例に１３ける半導体レーザ装置
の断面図で、１１はｎ−ＧａＡｓ基板、１２はｎ Ａ
ｆｌ ｙ Ｑａ １ − ｙ Ａｓ ｉＪ、１３はＡ
Ｉ！ｘＧａｔ−ｘＡｓ活性層、１４は０−Ａｎｙ Ｑａ
１−ｙ Ａｓ層、１５はｐ−Ｇａ Ａｓ ｍ、１６．
１７はオーミック電極、１８はＡｎｚ Ｑａ １−ｚ
Ａｓプリズム（ｘ＜ｚ）１９はレーザ光である。
の断面図で、１１はｎ−ＧａＡｓ基板、１２はｎ Ａ
ｆｌ ｙ Ｑａ １ − ｙ Ａｓ ｉＪ、１３はＡ
Ｉ！ｘＧａｔ−ｘＡｓ活性層、１４は０−Ａｎｙ Ｑａ
１−ｙ Ａｓ層、１５はｐ−Ｇａ Ａｓ ｍ、１６．
１７はオーミック電極、１８はＡｎｚ Ｑａ １−ｚ
Ａｓプリズム（ｘ＜ｚ）１９はレーザ光である。
次に動作を説明する。ダブルへテロ＠造ＡρＧａ ＡＳ
半導体レーザから出射したレーザ光１９は、その前面に
設けられたＡｎｚ Ｑａ １−ｚ ＡＳプリズム１８に
入射する。ここで、レーザ光１９は９Ｇ’″偏向され、
ｎ−Ｑａ Ａｓ ｍ板１１に対して垂直方向に出射する
。
半導体レーザから出射したレーザ光１９は、その前面に
設けられたＡｎｚ Ｑａ １−ｚ ＡＳプリズム１８に
入射する。ここで、レーザ光１９は９Ｇ’″偏向され、
ｎ−Ｑａ Ａｓ ｍ板１１に対して垂直方向に出射する
。
このように本実施例によれば、ＡρＧａ Ａｓ半導体レ
ーザの一端面に近接して、Ａ Ｑ ｚ Ｇａ １−ｚＡ
ＳＡｓプリズム１８けることにより、半導体レーザから
山開したレーザ光１９が、ｎ−Ｇａ Ａｓ ％板１１の
上方に偏向されるので、この半導体レーザｉ＠は、０Ｅ
ＩＣの中央部に集積することができる。
ーザの一端面に近接して、Ａ Ｑ ｚ Ｇａ １−ｚＡ
ＳＡｓプリズム１８けることにより、半導体レーザから
山開したレーザ光１９が、ｎ−Ｇａ Ａｓ ％板１１の
上方に偏向されるので、この半導体レーザｉ＠は、０Ｅ
ＩＣの中央部に集積することができる。
第２図は上記半導体レーザ装置を得るための本発明の一
実施例における製造工程を示す断面図で、まず、ｎ−Ｇ
ａ Ａｓ ｕ板１１上に、ｎＡｕｙＧａｌ−ｙＡｓ層１
２とＡＱｘ Ｇａ １ −ｘ Ａｓ層１３とｐＡｊ！
ｙ Ｑａ １ − ｙ Ａｓ １ｆｌ１４とｐ−Ｇａ
ＡＳ層１５とをこの順に成長させ、エツチングにより共
振器を形成した後、第２図（ａ）のように、ＳｉＯ２膜
２０を形成する。次に第２図（ｂ）のように、ＭＯＣＶ
Ｄ法により、ＡＵｚ Ｑａ ｔ −ｚ Ａｓ層２１を選
択成長させる。Ｓｉ ０２８Ｇ！２０を取り除いた後、
第２図（Ｃ）のように、フォト・レジスト２２を塗り、
Ａ！２ｚ Ｑａ １−ｚ Ａｓ ［１２１の一方の端面
を、半導体レーザの端面と平行になるようにエツチング
する。フォト・レジスト２２を取り除いた侵、第２図（
ｄ）のように、再びフォト・レジスト２３を塗り、Ａｕ
ｚ Ｑａ １−ｚ Ａｓ ｗＪ２１の他端面を、ｎ−Ｇ
ａ Ａｓ Ｉ板１１に対して４５°の角度をもつように
エツチングして、Ａｊ２ｚ Ｑａ １−ｚ Ａｓプリズ
ム１８を形成する。最後に、フォト・レジスト２３を取
り去り、半導体レーザにオーミック１欅１６．１７をつ
ける。
実施例における製造工程を示す断面図で、まず、ｎ−Ｇ
ａ Ａｓ ｕ板１１上に、ｎＡｕｙＧａｌ−ｙＡｓ層１
２とＡＱｘ Ｇａ １ −ｘ Ａｓ層１３とｐＡｊ！
ｙ Ｑａ １ − ｙ Ａｓ １ｆｌ１４とｐ−Ｇａ
ＡＳ層１５とをこの順に成長させ、エツチングにより共
振器を形成した後、第２図（ａ）のように、ＳｉＯ２膜
２０を形成する。次に第２図（ｂ）のように、ＭＯＣＶ
Ｄ法により、ＡＵｚ Ｑａ ｔ −ｚ Ａｓ層２１を選
択成長させる。Ｓｉ ０２８Ｇ！２０を取り除いた後、
第２図（Ｃ）のように、フォト・レジスト２２を塗り、
Ａ！２ｚ Ｑａ １−ｚ Ａｓ ［１２１の一方の端面
を、半導体レーザの端面と平行になるようにエツチング
する。フォト・レジスト２２を取り除いた侵、第２図（
ｄ）のように、再びフォト・レジスト２３を塗り、Ａｕ
ｚ Ｑａ １−ｚ Ａｓ ｗＪ２１の他端面を、ｎ−Ｇ
ａ Ａｓ Ｉ板１１に対して４５°の角度をもつように
エツチングして、Ａｊ２ｚ Ｑａ １−ｚ Ａｓプリズ
ム１８を形成する。最後に、フォト・レジスト２３を取
り去り、半導体レーザにオーミック１欅１６．１７をつ
ける。
なお、上記実施例では、Ｑａ Ａｓ ／ＡＱＧａＡＳ系
の材料を用いたが、ｌｎＰ／ＩｎＧａＡｓ１）系など、
他の化合物半導体材料を用いることもできる。
の材料を用いたが、ｌｎＰ／ＩｎＧａＡｓ１）系など、
他の化合物半導体材料を用いることもできる。
また、基板としてｎ−Ｑａ Ａｓ Ｉ！板１１を用いた
が、ｐ−Ｑａ Ａｓ基板や、半絶縁性基板などを用いる
こともできる。
が、ｐ−Ｑａ Ａｓ基板や、半絶縁性基板などを用いる
こともできる。
また、選択成長のマスクとしてＳｉＯ２膜２０膜用０た
が、マスクは５ｉ０２１１２Ｇに限定されるものではな
く、選択成長のマスクという機能を有するものであれば
何でもよい。
が、マスクは５ｉ０２１１２Ｇに限定されるものではな
く、選択成長のマスクという機能を有するものであれば
何でもよい。
発明の効果
以上述べたごとく本発明の半導体レーザ装置によれば、
半導体レーザからのレーデ光をプリズムにより所定の方
向に光路変更できるので、半導体レーザを、基板上の例
えば中央部など、任意の位置に形成することができ、設
計の自山麿を大幅に向上できる。また本発明の製造方法
によれば、上記半導体レーザ装置を容易に得ることがで
きる。
半導体レーザからのレーデ光をプリズムにより所定の方
向に光路変更できるので、半導体レーザを、基板上の例
えば中央部など、任意の位置に形成することができ、設
計の自山麿を大幅に向上できる。また本発明の製造方法
によれば、上記半導体レーザ装置を容易に得ることがで
きる。
第１図は本発明の一実施例における２１°導体レーザ装
置の断面図、第２図は本発明の一実施例における半導体
レーザ装置のｗＪ造方法の製造工程を示す断面図、第３
図は従来の半導体レーザ装置を０Ｅｔｃ集積した状態の
概略斜視図である。 １１ ・ ｎ−Ｇａ Ａｓ ｊ！ 板 、 １
２−−−ｎ−ＡＱｖ （３ａ １−ソ△ｓｌｉ、１
３”’Ａｌ２ｘ Ｇａ １−ｘ ＡＳ活性層、１４−・
ｐ −Ａ Ｑ Ｙ Ｇａ ｔ −ｙ
Ａｓ 層 、 １５ ・ ｐ −Ｑ ａＡｓ
層、１６．１７・・・オーミック電極、１８・・・Ａρ
２Ｇａ１−ｚＡＳプリズム、２Ｏ−８ｉｆ２膜、２２゜
２３・・・フォト・レジスト 代理人 森 本 義 弘 第１図
置の断面図、第２図は本発明の一実施例における半導体
レーザ装置のｗＪ造方法の製造工程を示す断面図、第３
図は従来の半導体レーザ装置を０Ｅｔｃ集積した状態の
概略斜視図である。 １１ ・ ｎ−Ｇａ Ａｓ ｊ！ 板 、 １
２−−−ｎ−ＡＱｖ （３ａ １−ソ△ｓｌｉ、１
３”’Ａｌ２ｘ Ｇａ １−ｘ ＡＳ活性層、１４−・
ｐ −Ａ Ｑ Ｙ Ｇａ ｔ −ｙ
Ａｓ 層 、 １５ ・ ｐ −Ｑ ａＡｓ
層、１６．１７・・・オーミック電極、１８・・・Ａρ
２Ｇａ１−ｚＡＳプリズム、２Ｏ−８ｉｆ２膜、２２゜
２３・・・フォト・レジスト 代理人 森 本 義 弘 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体レーザと、この半導体レーザの一端面に近接
配置されたプリズムとを備えた半導体レーザ装置。 ２、半導体基板の表面に半導体レーザ素子を形成する工
程と、前記半導体レーザ素子の一端面に近接した部分を
除いて前記半導体レーザ素子の上から前記半導体基板の
表面にＳｉ Ｏ＿２膜を被着する工程と、前記半導体基板の表面の前
記ＳｉＯ＿２膜を被着しなかった部分にＡｌＧａＡｓ層
を選択成長させる工程と、前記ＳｉＯ＿２膜を除去した
後、前記ＡｌＧａＡｓ層の前記半導体レーザ素子一端面
と対向する面を半導体レーザ素子一端面と平行になるよ
うにエッチングする工程と、前記Ａｌ ＧａＡｓ層の前記エッチングされた面と反対側の面を前
記半導体基板に対して４５°傾斜するようにエッチング
する工程とを含む半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60151074A JPH0710017B2 (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60151074A JPH0710017B2 (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211286A true JPS6211286A (ja) | 1987-01-20 |
| JPH0710017B2 JPH0710017B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=15510738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60151074A Expired - Lifetime JPH0710017B2 (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0710017B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5875205A (en) * | 1993-12-22 | 1999-02-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelectronic component and method for the manufacture thereof |
| JP2011160420A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Primesense Ltd | 投影照明の画像センサの回転シャッタとの同期 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5474688A (en) * | 1977-11-26 | 1979-06-14 | Sharp Corp | Manufacture for photo semiconducdtor device with monitor |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP60151074A patent/JPH0710017B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5474688A (en) * | 1977-11-26 | 1979-06-14 | Sharp Corp | Manufacture for photo semiconducdtor device with monitor |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5875205A (en) * | 1993-12-22 | 1999-02-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelectronic component and method for the manufacture thereof |
| JP2011160420A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Primesense Ltd | 投影照明の画像センサの回転シャッタとの同期 |
| US9736459B2 (en) | 2010-02-02 | 2017-08-15 | Apple Inc. | Generation of patterned radiation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0710017B2 (ja) | 1995-02-01 |
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