JP3133555B2 - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JP3133555B2 JP3133555B2 JP05132816A JP13281693A JP3133555B2 JP 3133555 B2 JP3133555 B2 JP 3133555B2 JP 05132816 A JP05132816 A JP 05132816A JP 13281693 A JP13281693 A JP 13281693A JP 3133555 B2 JP3133555 B2 JP 3133555B2
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- Japan
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- semiconductor laser
- laser device
- polyimide
- ridge
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ素子に関
する。
する。
【０００２】
【従来技術】従来のポリイミド埋め込みのリッジ導波路
型半導体レーザ素子は、例えば図２に示すような構造を
している。この素子は、以下のような工程で製作され
る。即ち、 １）先ず、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＤ法にて、
ｎ−ＩｎＧａＰクラッド層２、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ
歪量子井戸ＳＣＨ−ＳＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＧａＰク
ラッド層４、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層５を順次積
層する。 ２）次いで、ＳｉＯ2 をマスクとして、ｐ−ＩｎＧａＡ
ｓコンタクト層５、ｐ−ＩｎＧａＰクラッド層４の一部
分を硫酸系および塩酸系のエッチャントでエッチング
し、幅３〜４μｍのストライプ状のリッジ１１を形成す
る。 ３）次いで、ポリイミド６を全面に塗布し、ＲＩＢＥ法
でポリイミド６をエッチングし、ストライプ状のｐ−Ｉ
ｎＧａＡｓコンタクト層５を露出させる。 ４）次いで、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面を１００μｍ程
度の厚さに研磨し両面に電極を形成した後、チップ化す
る。 ５）最後に、素子分離を行いチップ化する。 このようにして製作されたポリイミド埋め込みのリッジ
導波路型半導体レーザ素子は、製造工程が簡単なため、
高歩留り、低コストで製作できる。
型半導体レーザ素子は、例えば図２に示すような構造を
している。この素子は、以下のような工程で製作され
る。即ち、 １）先ず、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＤ法にて、
ｎ−ＩｎＧａＰクラッド層２、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ
歪量子井戸ＳＣＨ−ＳＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＧａＰク
ラッド層４、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層５を順次積
層する。 ２）次いで、ＳｉＯ2 をマスクとして、ｐ−ＩｎＧａＡ
ｓコンタクト層５、ｐ−ＩｎＧａＰクラッド層４の一部
分を硫酸系および塩酸系のエッチャントでエッチング
し、幅３〜４μｍのストライプ状のリッジ１１を形成す
る。 ３）次いで、ポリイミド６を全面に塗布し、ＲＩＢＥ法
でポリイミド６をエッチングし、ストライプ状のｐ−Ｉ
ｎＧａＡｓコンタクト層５を露出させる。 ４）次いで、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面を１００μｍ程
度の厚さに研磨し両面に電極を形成した後、チップ化す
る。 ５）最後に、素子分離を行いチップ化する。 このようにして製作されたポリイミド埋め込みのリッジ
導波路型半導体レーザ素子は、製造工程が簡単なため、
高歩留り、低コストで製作できる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、通常は、素
子分離は半導体結晶のへき開性を利用し、特定の結晶面
を出すことにより原子レベルの平坦な面とし、これを共
振ミラーとする。しかしながら、上述の半導体レーザ素
子には次のような問題があった。即ち、ポリイミドはへ
き開性がないので、半導体のへき開に伴って、ちぎれて
いく感じで素子分離が行われる。従って、ポリイミドが
厚い場合には、切れにくくなり、へき開自体が困難にな
るとともに、へき開面形成の歩留りが低下する。このこ
とは、共振器面において特に問題になる。
子分離は半導体結晶のへき開性を利用し、特定の結晶面
を出すことにより原子レベルの平坦な面とし、これを共
振ミラーとする。しかしながら、上述の半導体レーザ素
子には次のような問題があった。即ち、ポリイミドはへ
き開性がないので、半導体のへき開に伴って、ちぎれて
いく感じで素子分離が行われる。従って、ポリイミドが
厚い場合には、切れにくくなり、へき開自体が困難にな
るとともに、へき開面形成の歩留りが低下する。このこ
とは、共振器面において特に問題になる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決した半導体レーザ素子を提供するもので、ストライプ
状リッジの両側を樹脂で埋め込んだリッジ導波路型半導
体レーザ素子において、樹脂は発振方向の端面部近傍を
除いて埋め込まれていることを特徴とするものである。
決した半導体レーザ素子を提供するもので、ストライプ
状リッジの両側を樹脂で埋め込んだリッジ導波路型半導
体レーザ素子において、樹脂は発振方向の端面部近傍を
除いて埋め込まれていることを特徴とするものである。
【０００５】
【作用】上述のように、発振方向の端面部近傍を除い
て、ストライプ状リッジの両側を樹脂で埋め込むと、前
記端面部分は半導体のみからなるため、素子分離の工程
で半導体結晶をへき開したときに、原子レベルの平坦な
面が容易に得られる。
て、ストライプ状リッジの両側を樹脂で埋め込むと、前
記端面部分は半導体のみからなるため、素子分離の工程
で半導体結晶をへき開したときに、原子レベルの平坦な
面が容易に得られる。
【０００６】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて本発明
を詳細に説明する。図１は、本発明にかかる半導体レー
ザ素子の一実施例の部分断面斜視図である。本実施例は
以下の工程で製作した。即ち、 １）先ず、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＤ法にて、
ｎ−ＩｎＧａＰクラッド層２、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ
歪量子井戸ＳＣＨ−ＳＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＧａＰク
ラッド層４、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層５を順次積
層する。 ２）次いで、ＳｉＯ2 をマスクとして、ｐ−ＩｎＧａＡ
ｓコンタクト層５、ｐ−ＩｎＧａＰクラッド層４の一部
分を硫酸系および塩酸系のエッチャントでエッチング
し、チャンネル１２を形成する。チャンネル１２は、幅
３〜４μｍのストライプ状リッジ１１を残してリッジ１
１両側に形成され、長さは共振器長よりも２０μｍ程度
短く（各共振器端面から１０μｍ程度離す）、幅は素子
幅よりも２０μｍ程度短くする（各素子端面から１０μ
ｍ程度離す）。 ３）次いで、チャンネル１２を含む全面にポリイミド６
を塗布し、ＲＩＢＥ法でポリイミド６をエッチングし、
チャンネル１２領域以外のポリイミド６を除去する。 ４）次いで、再度ＳｉＯ2 をマスクとして、リッジ１１
上部以外のｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層５を除去す
る。 ５）次いで、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面を１００μｍ程
度の厚さに研磨し両面に電極を形成した後、結晶のへき
開により素子分離を行う。この際、へき開部分にはポリ
イミド６が塗布されていないので、きれいなへき開面が
容易に得られる。 なお、樹脂を端面部近傍を除いて埋め込むには、従来の
ように全面に樹脂を塗布後、除去すべき部分をＲＩＢＥ
法により除去してもよい。なお、本実施例はＧａＡｓ系
について述べたが、本発明はＧａＡｓ系に限定されるも
のではないことはいうまでもない。
を詳細に説明する。図１は、本発明にかかる半導体レー
ザ素子の一実施例の部分断面斜視図である。本実施例は
以下の工程で製作した。即ち、 １）先ず、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＤ法にて、
ｎ−ＩｎＧａＰクラッド層２、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ
歪量子井戸ＳＣＨ−ＳＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＧａＰク
ラッド層４、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層５を順次積
層する。 ２）次いで、ＳｉＯ2 をマスクとして、ｐ−ＩｎＧａＡ
ｓコンタクト層５、ｐ−ＩｎＧａＰクラッド層４の一部
分を硫酸系および塩酸系のエッチャントでエッチング
し、チャンネル１２を形成する。チャンネル１２は、幅
３〜４μｍのストライプ状リッジ１１を残してリッジ１
１両側に形成され、長さは共振器長よりも２０μｍ程度
短く（各共振器端面から１０μｍ程度離す）、幅は素子
幅よりも２０μｍ程度短くする（各素子端面から１０μ
ｍ程度離す）。 ３）次いで、チャンネル１２を含む全面にポリイミド６
を塗布し、ＲＩＢＥ法でポリイミド６をエッチングし、
チャンネル１２領域以外のポリイミド６を除去する。 ４）次いで、再度ＳｉＯ2 をマスクとして、リッジ１１
上部以外のｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層５を除去す
る。 ５）次いで、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面を１００μｍ程
度の厚さに研磨し両面に電極を形成した後、結晶のへき
開により素子分離を行う。この際、へき開部分にはポリ
イミド６が塗布されていないので、きれいなへき開面が
容易に得られる。 なお、樹脂を端面部近傍を除いて埋め込むには、従来の
ように全面に樹脂を塗布後、除去すべき部分をＲＩＢＥ
法により除去してもよい。なお、本実施例はＧａＡｓ系
について述べたが、本発明はＧａＡｓ系に限定されるも
のではないことはいうまでもない。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
トライプ状リッジの両側を樹脂で埋め込んだリッジ導波
路型半導体レーザ素子において、樹脂は発振方向の端面
部近傍を除いて埋め込まれているため、素子分離の工程
で半導体結晶をへき開したときに、原子レベルの平坦な
面が容易に得られるという優れた効果がある。
トライプ状リッジの両側を樹脂で埋め込んだリッジ導波
路型半導体レーザ素子において、樹脂は発振方向の端面
部近傍を除いて埋め込まれているため、素子分離の工程
で半導体結晶をへき開したときに、原子レベルの平坦な
面が容易に得られるという優れた効果がある。
【図１】本発明に係る半導体レーザ素子の一実施例の部
分断面斜視図である。
分断面斜視図である。
【図２】従来の半導体レーザ素子の部分断面斜視図であ
る。
る。
１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ｎ−ＩｎＧａＰクラッド層 ３ 活性層 ４ ｐ−ＩｎＧａＰクラッド層 ５ ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層 ６ ポリイミド １１ リッジ １２ チャンネル
Claims (1)
- 【請求項１】 ストライプ状リッジの両側を樹脂で埋め
込んだリッジ導波路型半導体レーザ素子において、樹脂
は発振方向の端面部近傍を除いて埋め込まれていること
を特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05132816A JP3133555B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05132816A JP3133555B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 半導体レーザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326401A JPH06326401A (ja) | 1994-11-25 |
| JP3133555B2 true JP3133555B2 (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=15090245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05132816A Expired - Fee Related JP3133555B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3133555B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5724284B2 (ja) * | 2010-10-19 | 2015-05-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子を作製する方法 |
-
1993
- 1993-05-10 JP JP05132816A patent/JP3133555B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06326401A (ja) | 1994-11-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |