JPH0353576A - Ｄｆｂレーザダイオードチップおよびその製造方法 - Google Patents
Ｄｆｂレーザダイオードチップおよびその製造方法Info
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- JPH0353576A JPH0353576A JP1189128A JP18912889A JPH0353576A JP H0353576 A JPH0353576 A JP H0353576A JP 1189128 A JP1189128 A JP 1189128A JP 18912889 A JP18912889 A JP 18912889A JP H0353576 A JPH0353576 A JP H0353576A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
庄』Ｌレ込利ＪＬ４辷比
この発明は、ＤＦＢ （分布帰還型）レーザダイオード
のチップ形状およびその製造方法，特にウェーハからチ
ップへの分割方法に関する。
のチップ形状およびその製造方法，特にウェーハからチ
ップへの分割方法に関する。
従来立皮直
ＤＦＢレーザダイオードは、従来の７ァブリ●べ口型ダ
イオードの欠・点であった複数縦モード発振抑制のため
開発された単一縦モードレーザであり、高速長距、離通
信を可能にしている。
イオードの欠・点であった複数縦モード発振抑制のため
開発された単一縦モードレーザであり、高速長距、離通
信を可能にしている。
ＤＦＢレーザダイオードのファブリ●ベロ型レーザダイ
オードに対するチップ製造上の特徴として、レーザ発光
をする活性層近傍に回折格子の形状がされていることお
よびレーザ発光面に無反射膜が形成されていることが挙
げられる。
オードに対するチップ製造上の特徴として、レーザ発光
をする活性層近傍に回折格子の形状がされていることお
よびレーザ発光面に無反射膜が形成されていることが挙
げられる。
ファブリ●ペロ型レーザダイオードにおけるウェーハか
らチップに分割する方法は、スクライブと手作業や機械
的な衝撃による劈開によって短冊状レーザバーを得た後
、レーザバーを再び劈開と同様の手順によりレーザチッ
プとするものである。
らチップに分割する方法は、スクライブと手作業や機械
的な衝撃による劈開によって短冊状レーザバーを得た後
、レーザバーを再び劈開と同様の手順によりレーザチッ
プとするものである。
ＤＦＢレーザダイオードについても従来はファブリ●ペ
ロ型レーザダイオードと同様の方法でチップを得ている
。
ロ型レーザダイオードと同様の方法でチップを得ている
。
Ｂ ’！
ＤＦＢレーザダイオードにおいては、チップの発光面に
無反射膜と呼ばれる窒化線素や酸化硅素をスパッタリン
グ法、ＣＶＤ法で形成する必要がある。チップの大きさ
は通常０．５ｍｍ角以下で、チップに分割後無反射膜を
形成するのは膨大な工数を必要とすることやチップがも
ろいことから実施されていない。
無反射膜と呼ばれる窒化線素や酸化硅素をスパッタリン
グ法、ＣＶＤ法で形成する必要がある。チップの大きさ
は通常０．５ｍｍ角以下で、チップに分割後無反射膜を
形成するのは膨大な工数を必要とすることやチップがも
ろいことから実施されていない。
従って、劈開後の短冊状レーザパーに無反射膜を形成し
、チップに分割される。
、チップに分割される。
ところで、上記の従来のチップ分割方法では、無反射膜
形成時に短冊状レーザバーのハンドリング工程が追加さ
れるため、ファブリ●ペロ型レーザダイオードと異なり
、レーザバーを整然と並べることが困難で、１本のレー
ザバー毎実施することになり、非常に工数を必要とする
欠点があった。
形成時に短冊状レーザバーのハンドリング工程が追加さ
れるため、ファブリ●ペロ型レーザダイオードと異なり
、レーザバーを整然と並べることが困難で、１本のレー
ザバー毎実施することになり、非常に工数を必要とする
欠点があった。
５の
この発明のレーザダイオードチップは、発光面と垂直方
向のチップ側面が凹面面状の面取部を持つ。
向のチップ側面が凹面面状の面取部を持つ。
また、この発明のレーザダイオードチップの製造方法は
、ウェーハ製造工程で発光面と垂直方向に等方性エッチ
ングによる円弧状やＵ字形の溝を形成した後、溝と直交
する方向に劈開を行ない短冊状レーザバーを得、次に発
光面に無反射膜を形成後、溝に沿ってブレーキングをす
ることによってチップに分割するものである。
、ウェーハ製造工程で発光面と垂直方向に等方性エッチ
ングによる円弧状やＵ字形の溝を形成した後、溝と直交
する方向に劈開を行ない短冊状レーザバーを得、次に発
光面に無反射膜を形成後、溝に沿ってブレーキングをす
ることによってチップに分割するものである。
伍且
チップに面取部を設けたことにより、チップハンドリン
グ時に表面にチッピングが発生しない。
グ時に表面にチッピングが発生しない。
また、等方性エッチングによりウェーハ表面に溝を形成
することにより、チップ分割が短時間でかつ容易にでき
る。
することにより、チップ分割が短時間でかつ容易にでき
る。
災胤凱
以下、この発明について図面を参照して説明する。
基板上に回折格子形成後、エビタキシャル成長を行ない
、その後電極形成および溝形成を行なったＤＦＢレーザ
ダイオードウェーハＡの斜視図が第１図である。第１図
で、１が本発明による等方性エッチングにより形成され
た溝、２が表面電極、３が発光面、４が裏面電極である
。
、その後電極形成および溝形成を行なったＤＦＢレーザ
ダイオードウェーハＡの斜視図が第１図である。第１図
で、１が本発明による等方性エッチングにより形成され
た溝、２が表面電極、３が発光面、４が裏面電極である
。
溝形成はインジウムリン系基板の場合、硫酸一過酸化水
素系の結晶方位に選択性の少ないエッチャントを用いて
、チップ間に相当する部分に半円形やＵ字形の溝形状を
得る。結晶選択性のあるエッチャントを用いると、逆メ
サ形状が表われ、チップ分割時にカケが発生する。
素系の結晶方位に選択性の少ないエッチャントを用いて
、チップ間に相当する部分に半円形やＵ字形の溝形状を
得る。結晶選択性のあるエッチャントを用いると、逆メ
サ形状が表われ、チップ分割時にカケが発生する。
溝形成工程は、ウェーハ割れ防止のためウェーハ最終工
程であることが望ましい。
程であることが望ましい。
第２図に上記の方法で作成されたウェーハを共振器長に
劈開した短冊状レーザパ−Ｂを示す。第２図で、５が共
振器長、３が無反射膜を成長した発光面である。劈開は
公知の方法で行なうが、溝１の深さが深ければ劈開途中
でバーが折れ、正常な短冊状レーザバーが得られない。
劈開した短冊状レーザパ−Ｂを示す。第２図で、５が共
振器長、３が無反射膜を成長した発光面である。劈開は
公知の方法で行なうが、溝１の深さが深ければ劈開途中
でバーが折れ、正常な短冊状レーザバーが得られない。
従って溝１の深さは、ウェーハ厚の１０〜２０％である
ことが望ましい。
ことが望ましい。
劈開して得られた短冊状レーザバーＢの発光面に無反射
膜を形成した後、チップ化された時の飛散防止および傷
防止のため、第３図の模式図に示すように、バーＢの両
面に粘着テープ６ａ，６ｂを貼付けローラ７によりブレ
ーキングを行ないチップ８に分割する。
膜を形成した後、チップ化された時の飛散防止および傷
防止のため、第３図の模式図に示すように、バーＢの両
面に粘着テープ６ａ，６ｂを貼付けローラ７によりブレ
ーキングを行ないチップ８に分割する。
以上の手順により、発光面３に垂直な方向に凹面面状の
面取部９溝が形成されたＤＦＢレーザダイオードチップ
８が得られる。
面取部９溝が形成されたＤＦＢレーザダイオードチップ
８が得られる。
第４図にチップ８の斜視図を示す。
発販旦羞果
本発明は、発光面と垂直方向に半円形やＵ字形の溝を形
成したことにより、チップ化の工数低減およびチップ分
割後のハンドリングによるチッピングが低減し、歩留向
上が実現するという効果がある。
成したことにより、チップ化の工数低減およびチップ分
割後のハンドリングによるチッピングが低減し、歩留向
上が実現するという効果がある。
第１図はこの発明のＤＦＢレーザダイオードウェーハの
外観斜視図である。 第２図は短冊状レーザパーの外観斜視図である。 第３図はブレーキングの模式図である。 第４図は完成したＤＦＢレーザダイオードチップの外観
斜視図である。 １・・・溝、 ２・・・表面電極、 ３・・・発光面、 ４・・・裏面電極、 ５・・・共振器長、 ６ａｓ ｅｂ・・・粘着テープ、 ７・・・ブレーキング用ローラ、 ８・・・チップ、 ９・・・面取部。 堝Ｃ Ｅ ｒ０ 区 寸
外観斜視図である。 第２図は短冊状レーザパーの外観斜視図である。 第３図はブレーキングの模式図である。 第４図は完成したＤＦＢレーザダイオードチップの外観
斜視図である。 １・・・溝、 ２・・・表面電極、 ３・・・発光面、 ４・・・裏面電極、 ５・・・共振器長、 ６ａｓ ｅｂ・・・粘着テープ、 ７・・・ブレーキング用ローラ、 ８・・・チップ、 ９・・・面取部。 堝Ｃ Ｅ ｒ０ 区 寸
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、発光面に垂直な方向のチップ側面に凹面面状の面取
部が形成された構造をもつＤＦＢレーザダイオードチッ
プ。 ２、請求項１記載のＤＦＢレーザダイオードチップを得
るため、ウェーハ主面の発光面に垂直な方向に等方性エ
ッチングによる円弧状やＵ字形の溝を形成する工程と、
このウェーハを所定の共振器長に劈開してレーザバーを
得る工程と、発光面に無反射膜を形成した後、ブレーキ
ングによりチップに分割する工程とを有するＤＦＢレー
ザダイオードチップの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189128A JPH0353576A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | Ｄｆｂレーザダイオードチップおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189128A JPH0353576A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | Ｄｆｂレーザダイオードチップおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353576A true JPH0353576A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16235867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1189128A Pending JPH0353576A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | Ｄｆｂレーザダイオードチップおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0353576A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3015871U (ja) * | 1995-03-16 | 1995-09-12 | 株式会社安西総合研究所 | 選別装置 |
| WO2003056613A1 (en) * | 2001-12-25 | 2003-07-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
-
1989
- 1989-07-21 JP JP1189128A patent/JPH0353576A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3015871U (ja) * | 1995-03-16 | 1995-09-12 | 株式会社安西総合研究所 | 選別装置 |
| WO2003056613A1 (en) * | 2001-12-25 | 2003-07-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
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