JPH0722704A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH0722704A JPH0722704A JP5220396A JP22039693A JPH0722704A JP H0722704 A JPH0722704 A JP H0722704A JP 5220396 A JP5220396 A JP 5220396A JP 22039693 A JP22039693 A JP 22039693A JP H0722704 A JPH0722704 A JP H0722704A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- electrode
- laser
- laser oscillation
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
ジ型の半導体レーザにあって、そのレーザ発振部上の電
極から段差がなくリード接続用のパッドを引き出すこと
ができるようにする。 [構成] 半導体基板上に、レーザ発振部およびリード
接続用パッド成形部を互いにつながりをもって隆起状に
形成し、そのパッド成形部の上に絶縁膜を設けたうえ
で、その絶縁膜上にパッドをレーザ発振部上に設けられ
る電極とともに一体的に形成する。
Description
れたレーザ発振要素からなる積層部分をエッチングする
ことによってレーザ発振部が隆起状に形成されたリッジ
型の半導体レーザに関する。
は、図1に示すように、裏面電極1が設けられた半導体
基板2上に、クラッド層3,活性層4,クラッド層5お
よびコンタクト層6からなるレーザ発振部7が隆起(リ
ッジ)状に形成され、さらにそのレーザ発振部7上に電
極8が設けられることによって構成されている。
電極8と裏面電極1との間に電圧を印加して電流注入を
行い、キャリアの反転層をつくり、誘導放出を行わせる
ことにより、レーザ発振部7のエッチングにより形成さ
れたミラー面9における活性層4の部分から図中矢印で
示す方向にレーザ光LBが発射される。
ーザにあっては、それがIC製造技術によるマイクロマ
シニング加工により形成されるものであるので、レーザ
発振部7の上に設けられた電極8と給電用のリードとの
電気的な接続をとる際、その電極8の幅が数10μm程
度以上でそれにリードを直接ボンディングできればよい
が、電極幅がそれより狭くて、それにリードを直接ボン
ディングさせることができない場合には、その電極8か
らリード接続用のパッドを引き出して設けるようにする
必要がある。
ザ発振部7および電極8の部分,半導体基板2の表面の
露出部分を絶縁膜10によって覆うとともに、絶縁膜1
0の電極8に対応した一部分に窓11を開け、その窓1
1の部分からリード接続用のパッド12を引き出して設
けるようにすることが考えられる。
数μmの高さに隆起する垂直面に沿ってパッド12を引
き出さねばならず、実際にはそのような引出し部分をも
ってパッド12を形成することが技術的に困難となって
いる。
レーザ発振部7および電極8からなるリッジ部分の側面
を斜めに形成したうえで、絶縁膜10を介してパッド1
2を引き出すようにしている(特開昭60−55686
号公報参照)。
によってリッジ部分を形成する際に、発振用ミラー面を
垂直に形成し、リッジの側面を斜めにすることは製造上
不可能であるとともに、その斜めになった側面のエッジ
部分でパッド12が断線しやすいものになっている。
点は、半導体基板上にレーザ発振部7および電極8が隆
起するリッジ型の半導体レーザにあっては、その電極8
からリード接続用のパッドを引き出して設けるようにす
る場合、段差があるためにそのパッドの引き出しが技術
的に困難であるとともに、パッドの引出し部分が断線し
やすいなど製品の信頼性に欠けるものとなっていること
である。
ザは、リッジ型のものにあって、段差がなくリッジ部分
の電極からリード接続用のパッドを引き出すことができ
るように、半導体基板上に、レーザ発振部およびリード
接続用パッド成形部が互いにつながりをもって隆起状に
形成され、そのパッド成形部の上に絶縁膜が設けられ
て、その絶縁膜上にパッドがレーザ発振部上に設けられ
る電極とともに一体的に形成された構造をとるようにし
ている。
を示すもので、裏面電極1が設けられた半導体基板2上
に設けられたレーザ発振要素からなる積層部分をエッチ
ングすることによって、互いにつながりをもって隆起状
にパターン形成されたレーザ発振部7およびリード接続
用パッド成形部13と、そのパッド成形部13の上に設
けられた絶縁膜14と、その絶縁膜14上およびレーザ
発振部7上に一体的に形成されたパッド15および電極
8とによって構成されている。
積層されたウエハ16の一構成例を示すもので、n
(+)GaAsからなる半導体基板2上に、レーザ発振
要素の積層部17として、n−Al(0.3)Ga
(0.7)Asからなるクラッド層71,GaAsから
なる活性層72,p−Al(0.3)Ga(0.7)A
sからなるクラッド層73およびp(+)GaAsから
なるコンタクト層74が順次エピタキシャル成長によっ
て形成されている。
導体レーザは、以下のようにして形成される。
16の下面に、AuGe/Ni/Anを蒸着して熱処理
を行い、AuGe/n(+)GaAsを合金化させて下
面電極1を形成したうえで、そのウエハ16の表面にS
iO2膜を形成し、その上にフォトレジストパターン1
8を設けたうえでエッチングして、SiO2による絶縁
膜14を形成する(図7参照)。そして、そのフォトレ
ジストパターン18を除去する。
ド15および電極8に対応する所定のパターン部分以外
をフォトレジスト19によって覆ったうえで、その上か
らTiを50nm,さらにAuを100nm積層し、そ
のフォトレジスト19を除去(リフトオフ)することに
よって、図6の(c)に示すように、絶縁膜14上にパ
ッド15を、またレーザ発振部の電極8を所定のパター
ンをもって一体的に形成する(図8参照)。
O2によるエッチングマスク21をCVD等により付着
し、図6の(e)に示すように、フォトレジストパター
ン22を形成したうえで、エッチングにより余分なエッ
チングマスク21を除去し、そしてフォトレジストパタ
ーン22を除去することにより、図6の(f)に示すよ
うに、レーザ発振部7およびリード接続用パッド成形部
13に応じた所定のパターンによるエッチングマスク2
1を得る(図9参照)。
性の高いエッチング方法であるRIE法によって、エッ
チングガスとしてSiCl4を用いた1Pa以下の低い
ガス圧力下で、レーザ発振要素の積層部17の部分をエ
ッチングして、半導体基板2上にレーザ発振部7および
リード接続用パッド成形部13を一体的に隆起状に形成
する。
によるフォトエッチングを行わせているために、エッチ
ングマスク21にしたがってエッチングされる面が荒れ
ることなく、またオーバエッチングが生ずることなく垂
直なエッチング面が得られ、それにより良好なミラー面
9(図1参照)が得られる。
うに、パッド15上のエッチングマスク21を除去して
窓23をあけ、パッド15部分にリードをボンディング
できるようにするべく(図10参照)、所定のフォトレ
ジストパターンをかけたうえで、そのマスク21のエッ
チングを行い、そのフォトレジストを除去する。
は、簡単なプロセスによって容易に製造することがで
き、量産に適している。
る半導体レーザでは、リード接続用パッド成形部13が
レーザ発振部7と同じレーザ発振要素の積層構造となっ
てしまうが、パッド15を通して電極8と裏面電極1と
の間に電圧を印加したときに、主たる電流通路はレーザ
発振部7となって、パッド成形部13に流れる電流は微
々たるもので、レーザ発振効率およびしきい値電流など
にほとんど影響を与えることがなく、レーザ発振部7に
おいて良好なレーザ発振を行わせることができるように
なる。
レーザ発振に与える影響を調べるべく、同一条件下で、
パッド成形部13を設けない場合と比較しながら、パッ
ド15と電極8との接続部分の幅を変化させながら実験
した結果、レーザ発振部7に流れる電流は、パッド成形
部13を設けない場合とほとんど変わらず、また、パッ
ド15の接続部分の幅の如何にかかわらずほとんど変わ
らないことが確認されている。
5mA程度のオーダの場合、パッド成形部13を設ける
ことにより、そしてパッド15の接続部分の幅を変える
ことによって、レーザ発振部7に流れる電流に1〜2m
A程度の変化がみられたが、その程度の変化ではレーザ
発振特性に与える影響はほとんどない。
ッジ型のものにあって、段差がなくリッジ部分の電極か
らリード接続用のパッドを引き出すことができるため
に、パッドの形成を容易に行わせことができる。また、
段差がなくパッドの引出しを行わせることができるため
に、従来のように段差部分でパッドの引出し部分が断線
しやすいなどの欠陥がなくなり、製品の信頼性が向上す
るという利点がある。
斜視図である。
ドを段差をもって設けた状態を示す斜視図である。
部分の側面を斜めに形成してリード接続用のパッド設け
た状態を示す正断面図である。
ザを示す斜視図である。
エハの構成例を示す正面図である。
す図である。
面図である。
およびレーザ発振部の電極を示す部分的な平面図であ
る。
チングマスクがかけられた状態を示す部分的な平面図で
ある。
けられたエッチングマスクに窓があけられた状態を示す
部分的な平面図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 裏面電極が設けられた半導体基板の表面
にレーザ発振部が隆起して設けられたリッジ型の半導体
レーザにおいて、その半導体基板上に、リード接続用パ
ッド成形部がレーザ発振部とつながりをもって隆起状に
形成され、そのパッド成形部の上に絶縁膜が設けられ
て、その絶縁膜上にパッドがレーザ発振部上に設けられ
る電極とともに一体的に形成されたことを特徴とする半
導体レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5220396A JPH0722704A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5220396A JPH0722704A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 半導体レーザ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0722704A true JPH0722704A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=16750465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5220396A Pending JPH0722704A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0722704A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005072562A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP2008300802A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-07-06 JP JP5220396A patent/JPH0722704A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005072562A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
US7257140B2 (en) | 2003-08-04 | 2007-08-14 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device |
JP2008300802A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001251016A (ja) | 面発光半導体レーザ及びその製造方法 | |
JP4164685B2 (ja) | 光素子及びその製造方法 | |
JPH0722704A (ja) | 半導体レーザ | |
JP2004104073A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法、並びに半導体レーザ装置 | |
JPH088486A (ja) | 選択的成長を用いてパターンド・ミラーvcselを製造する方法 | |
JP4056717B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
JPS609185A (ja) | 半導体レ−ザ集積回路装置 | |
JPS6077486A (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
JPH03250684A (ja) | メサ埋め込み型光半導体装置の製造方法 | |
JPS6265346A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2000294877A (ja) | 高出力半導体レーザ及びその製造方法 | |
JPS59186385A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
JP2000068591A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
JP3903515B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
JPS60231379A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
JPH0537082A (ja) | 化合物半導体の加工方法 | |
JP2001024279A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
JPH04305991A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2006147906A5 (ja) | ||
JPH06350188A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2006147906A (ja) | リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法 | |
JPH06318760A (ja) | 面発光レーザ及びその製造方法 | |
JPH06326401A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2000068606A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
JPH02100387A (ja) | 埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080519 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100519 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100519 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110519 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120519 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130519 Year of fee payment: 13 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |