JPH0537082A - 化合物半導体の加工方法 - Google Patents
化合物半導体の加工方法Info
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- JPH0537082A JPH0537082A JP18758491A JP18758491A JPH0537082A JP H0537082 A JPH0537082 A JP H0537082A JP 18758491 A JP18758491 A JP 18758491A JP 18758491 A JP18758491 A JP 18758491A JP H0537082 A JPH0537082 A JP H0537082A
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- Japan
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- etching
- algaas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 超小形・高性能のセンサに必須な機械強度・
形状に優れた例えば微小振動子マイクロブリッジ、微小
マルチ梁等の立体加工や微小振動子と半導体レーザとの
モノシリックな集積化を実現する。 【構成】 GaAs半導体基板１１上にAlGaAs層１２をエピ
タキシャル成長させ、フォトリソグラフィー技術により
所定パターニングした後、エピタキシャル成長層に対し
て直交（垂直）方向のエッチングした後、H2O2＋NH4 系
選択エッチング液を用いてGaAs層（水平）方向のみの選
択エッチングを用い、中空に浮いたAlGaAsからなる微小
片持ばり１３を作製する。
形状に優れた例えば微小振動子マイクロブリッジ、微小
マルチ梁等の立体加工や微小振動子と半導体レーザとの
モノシリックな集積化を実現する。 【構成】 GaAs半導体基板１１上にAlGaAs層１２をエピ
タキシャル成長させ、フォトリソグラフィー技術により
所定パターニングした後、エピタキシャル成長層に対し
て直交（垂直）方向のエッチングした後、H2O2＋NH4 系
選択エッチング液を用いてGaAs層（水平）方向のみの選
択エッチングを用い、中空に浮いたAlGaAsからなる微小
片持ばり１３を作製する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロセンサ、マイク
ロアクチュエータ等のマイクロマシンの作製方法に用い
て好適な化合物半導体の加工方法に関する。
ロアクチュエータ等のマイクロマシンの作製方法に用い
て好適な化合物半導体の加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の例えばSiやSiO2，Si3N4 によるマ
イクロマシニング技術においては、例えばＣＶＤ法によ
りこれらのアモルファス膜を形成しており、Siを選択エ
ッチングする場合は、例えばＫＯＨエッチング液を用
い、SiO2やSi3N4の梁を作製していた(K.E.Petersen,“S
ilicon as a mechanical materials ”,Proc.of IEEE,v
ol.70,420(1982)）。
イクロマシニング技術においては、例えばＣＶＤ法によ
りこれらのアモルファス膜を形成しており、Siを選択エ
ッチングする場合は、例えばＫＯＨエッチング液を用
い、SiO2やSi3N4の梁を作製していた(K.E.Petersen,“S
ilicon as a mechanical materials ”,Proc.of IEEE,v
ol.70,420(1982)）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
前述した技術では振動子等の機械素子と半導体レーザ等
のアクティブ素子とのモノリシックな集積化を図る場
合、プロセス工程が複雑になり、また適当な選択エッチ
ング液がない等、非常に困難であった。また振動子材料
としてＣＶＤによる薄膜を用いているので内部応力によ
り、梁が変形する等の問題があった。
前述した技術では振動子等の機械素子と半導体レーザ等
のアクティブ素子とのモノリシックな集積化を図る場
合、プロセス工程が複雑になり、また適当な選択エッチ
ング液がない等、非常に困難であった。また振動子材料
としてＣＶＤによる薄膜を用いているので内部応力によ
り、梁が変形する等の問題があった。
【０００４】本発明は以上述べた事情に鑑み、超小形・
高性能のセンサに必須な機械的強度・形状に優れた微小
振動子と半導体レーザとをモノリシックに集積化できる
半導体レーザープロセスと整合性の良い化合物半導体の
加工方法を提供することを目的とする。
高性能のセンサに必須な機械的強度・形状に優れた微小
振動子と半導体レーザとをモノリシックに集積化できる
半導体レーザープロセスと整合性の良い化合物半導体の
加工方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明に係る化合物半導体の加工方法は、組成の異なる化合
物半導体を層状にエピタキシャル成長させる工程に引き
続き、フォトリソグラフィによりパターンを形成した
後、前記エピタキシャル成長層に直交する方向にエッチ
ングする工程を施した後、エッチング液の配合組成によ
りエッチングレートが異なり且つエッチングレート比が
大きな選択エッチング液を用いて、所望のエピタキシャ
ル成長層のみを層方向にエッチングする工程を含むこと
を特徴とする。
明に係る化合物半導体の加工方法は、組成の異なる化合
物半導体を層状にエピタキシャル成長させる工程に引き
続き、フォトリソグラフィによりパターンを形成した
後、前記エピタキシャル成長層に直交する方向にエッチ
ングする工程を施した後、エッチング液の配合組成によ
りエッチングレートが異なり且つエッチングレート比が
大きな選択エッチング液を用いて、所望のエピタキシャ
ル成長層のみを層方向にエッチングする工程を含むこと
を特徴とする。
【０００６】
【作用】組成の異なるエピタキシャル成長層を形成後、
フォトレジスト技術によりマスクを形成し、次いで前記
エピタキシャル成長層に直交する方向に垂直エッチング
を行う。次いで、選択エッチング剤を用いて所望のエピ
タキシャル層のみを層方向にエッチングすることによ
り、例えば微小片持ばり型振動子、マイクロブリッジ、
微小マルチ梁等の立体加工や振動子等の微小機械要素と
半導体レーザ等のアクティブ素子とのモノシリックな集
積化を行うことができる。
フォトレジスト技術によりマスクを形成し、次いで前記
エピタキシャル成長層に直交する方向に垂直エッチング
を行う。次いで、選択エッチング剤を用いて所望のエピ
タキシャル層のみを層方向にエッチングすることによ
り、例えば微小片持ばり型振動子、マイクロブリッジ、
微小マルチ梁等の立体加工や振動子等の微小機械要素と
半導体レーザ等のアクティブ素子とのモノシリックな集
積化を行うことができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明方法の効果を示す好適な実施例
を図面を参照して説明する。
を図面を参照して説明する。
【０００８】（実施例１）本実施例においては、幅２μ
ｍ、厚さ５μｍの微小片持ばり型振動子の作製方法の一
実施例を示すもので、図１，図２を用いて説明する。
図１に示すように、GaAs半導体基板１１上にＬＰＥ法
またはＭＯＶＰＥ法またはＭＢＥ法等の結晶成長技術に
より、AlGaAs層１２を所望の厚さ５μｍまで結晶成長さ
せる。 次に図２(A) に示すように振動子平面形状
（幅２μｍ）のパターニングを行い、フォトレジスト技
術によりマスク１３を形成し、塩素ガスを用いた反応性
イオンビームエッチングにより、エピタキシャル成長層
に対して直交する方向（垂直方向）のエッチングを先の
AlGaAs層１２の厚さ５μｍより深い例えば６μｍの深さ
まで行う。 次に図２(B) に示すようにH2O2＋NH4OH
系選択エッチング液を用いてGaAsのみの選択エッチング
を行い、GaAs半導体基板１１から浮いた梁形状の微小片
持ばり１４が形成される。
ｍ、厚さ５μｍの微小片持ばり型振動子の作製方法の一
実施例を示すもので、図１，図２を用いて説明する。
図１に示すように、GaAs半導体基板１１上にＬＰＥ法
またはＭＯＶＰＥ法またはＭＢＥ法等の結晶成長技術に
より、AlGaAs層１２を所望の厚さ５μｍまで結晶成長さ
せる。 次に図２(A) に示すように振動子平面形状
（幅２μｍ）のパターニングを行い、フォトレジスト技
術によりマスク１３を形成し、塩素ガスを用いた反応性
イオンビームエッチングにより、エピタキシャル成長層
に対して直交する方向（垂直方向）のエッチングを先の
AlGaAs層１２の厚さ５μｍより深い例えば６μｍの深さ
まで行う。 次に図２(B) に示すようにH2O2＋NH4OH
系選択エッチング液を用いてGaAsのみの選択エッチング
を行い、GaAs半導体基板１１から浮いた梁形状の微小片
持ばり１４が形成される。
【０００９】ここでH2O2＋NH4OH 系選択エッチング液は
例えばその混合比が３０：１の時、GaAsのエッチングレ
ートが約２μｍ／分であるので、幅２μｍのビーム形成
にはそのエッチング時間は約１分となる。またこの時、
例えばAlGaAs層のAl組成比が0.６の場合、GaAs層とのエ
ッチングレート比は１００以上となりAlGaAs層はほとん
どエッチングされず、中空に浮いたAlGaAs層から成る微
小片持ばり１４が作製される。
例えばその混合比が３０：１の時、GaAsのエッチングレ
ートが約２μｍ／分であるので、幅２μｍのビーム形成
にはそのエッチング時間は約１分となる。またこの時、
例えばAlGaAs層のAl組成比が0.６の場合、GaAs層とのエ
ッチングレート比は１００以上となりAlGaAs層はほとん
どエッチングされず、中空に浮いたAlGaAs層から成る微
小片持ばり１４が作製される。
【００１０】このように選択エッチング液としてエッチ
ング液の配合組成によりエッチングレートが異なり、且
つエッチングレート比が１００以上と大きい選択比が得
られるものを用いることにより、所望の層（本実施例で
はGaAs層）のみを層方向に選択的にエッチングすること
が可能となる。
ング液の配合組成によりエッチングレートが異なり、且
つエッチングレート比が１００以上と大きい選択比が得
られるものを用いることにより、所望の層（本実施例で
はGaAs層）のみを層方向に選択的にエッチングすること
が可能となる。
【００１１】尚、本実施例ではAlGaAsのAl組成比が0.６
の場合、GaAsとのエッチングレート比が１００以上とな
るH2O2＋NH4OH 系選択エッチング液を用いて行ったが、
本発明はこれに限定されるものではない。例えば、AlGa
AsのAl組成比が0.3 の場合では、GaAsとのエッチングレ
ート比は５０〜６０となるが、GaAs層を選択的にエッチ
ングして、微小片持梁１３を形成することができた。
の場合、GaAsとのエッチングレート比が１００以上とな
るH2O2＋NH4OH 系選択エッチング液を用いて行ったが、
本発明はこれに限定されるものではない。例えば、AlGa
AsのAl組成比が0.3 の場合では、GaAsとのエッチングレ
ート比は５０〜６０となるが、GaAs層を選択的にエッチ
ングして、微小片持梁１３を形成することができた。
【００１２】（実施例２）本実施例においてはマイクロ
ブリッジ作製方法の一実施例を示すもので、図３，図４
を用いて説明する。 GaAs半導体基板１１上にＬＰＥ
法またはＭＯＶＰＥ法またはＭＢＥ法等の結晶成長技術
により、AlGaAs層１２を所望の厚さ５μｍまで結晶成長
させる。 次に図３(A) に示すように、ブリッジ平面
形状（幅２μｍ）のパターニングを行い、フォトレジス
ト技術によりマスク１３を形成後、塩素ガスを用いた反
応性イオンビームエッチングにより、エピタキシャル成
長層に対して直交する方向（垂直方向）のエッチングを
先のAlGaAs層の厚さ５μｍより深い例えば６μｍの深さ
まで行う。 次に図３（Ｂ）に示すように上述したH2
O2＋NH4OH 系選択エッチング液を用いてGaAsのみのエッ
チングを行い、GaAs半導体基板１１から浮いたマイクロ
ブリッジ１５が形成される。
ブリッジ作製方法の一実施例を示すもので、図３，図４
を用いて説明する。 GaAs半導体基板１１上にＬＰＥ
法またはＭＯＶＰＥ法またはＭＢＥ法等の結晶成長技術
により、AlGaAs層１２を所望の厚さ５μｍまで結晶成長
させる。 次に図３(A) に示すように、ブリッジ平面
形状（幅２μｍ）のパターニングを行い、フォトレジス
ト技術によりマスク１３を形成後、塩素ガスを用いた反
応性イオンビームエッチングにより、エピタキシャル成
長層に対して直交する方向（垂直方向）のエッチングを
先のAlGaAs層の厚さ５μｍより深い例えば６μｍの深さ
まで行う。 次に図３（Ｂ）に示すように上述したH2
O2＋NH4OH 系選択エッチング液を用いてGaAsのみのエッ
チングを行い、GaAs半導体基板１１から浮いたマイクロ
ブリッジ１５が形成される。
【００１３】（実施例３）本実施例においては微小マル
チ梁作製方法の一実施例を示すもので図５，図６を用い
て説明する。 図５に示すように、GaAs半導体基板１
１上にＬＰＥ法またはＭＯＶＰＥ法またはＭＢＥ法等の
結晶成長技術により、AlGaAs層１２とGaAs層１０を交互
の結晶成長させ、多層結晶成長膜１６を形成する。
次に図６（Ａ）に示すように、振動子平面図の形状のパ
ターニングを行い、フォトレジスト技術によりマスク１
３を形成した後、塩素ガスを用いた反応性イオンビーム
エッチングにより、エピタキシャル成長層に対して直交
する方向（垂直方向）のエッチングを多層膜最下層のAl
GaAsより深い位置まで行う。 次に図６（Ｂ）に示す
ように上述したH2O2＋NH4OH 系選択エッチング液を用い
てGaAsのみのエッチングを行い、GaAs半導体基板１１か
ら浮いた多数本の梁形状１７が形成される。
チ梁作製方法の一実施例を示すもので図５，図６を用い
て説明する。 図５に示すように、GaAs半導体基板１
１上にＬＰＥ法またはＭＯＶＰＥ法またはＭＢＥ法等の
結晶成長技術により、AlGaAs層１２とGaAs層１０を交互
の結晶成長させ、多層結晶成長膜１６を形成する。
次に図６（Ａ）に示すように、振動子平面図の形状のパ
ターニングを行い、フォトレジスト技術によりマスク１
３を形成した後、塩素ガスを用いた反応性イオンビーム
エッチングにより、エピタキシャル成長層に対して直交
する方向（垂直方向）のエッチングを多層膜最下層のAl
GaAsより深い位置まで行う。 次に図６（Ｂ）に示す
ように上述したH2O2＋NH4OH 系選択エッチング液を用い
てGaAsのみのエッチングを行い、GaAs半導体基板１１か
ら浮いた多数本の梁形状１７が形成される。
【００１４】（実施例４）本実施例においては、微小振
動子と半導体レーザとを集積化する作製方法の一実施例
を示すもので、図７〜図１２を用いて説明する。 図
７に示すように、ｎタイプGaAs基板２１上にＭＯＶＰＥ
法により、まずAlGaAsエッチングストップ層兼下部クラ
ッド層２２を2.５μｍエピタキシャル成長する。引き続
き、AlGaAs活性層２３を約0.１μｍ、上部AlGaAsクラッ
ド層24を２μｍ、GaAsキャップ層２５を0.５μｍの順に
エピタキシャル成長する。以上の結晶成長はダブルヘテ
ロ半導体レーザー層の代表例であって、例えばＭＱＷ等
の他のレーザー構造でも良い。 次に図８に示すよう
に、振動子形成予定部分２６は常にレジストでカバー
し、未加工の状態となるようにした後、半導体レーザの
素子化プロセスを行う。具体的には、例えば真空蒸着装
置によりＡｕＺｎＮｉを蒸着し、ストライプＰ電極２７
を形成する。次にSiO2をスパッタ蒸着し、絶縁膜２８を
形成後、反応性イオンエッチングにより絶縁膜窓開けを
行った後、電子ビーム蒸着によりＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉボン
ディングパッド電極２９を形成する。 次に図９に示
すように振動子３０のパターニングを行い、マスク３１
を作製した後、前述したのと同様に塩素ガスを用いた反
応性イオンエッチングにより、GaAs基板２１に達する深
さ約６μｍの垂直エッチングを行い、振動子垂直面とエ
ッチドミラー３２を同時に形成する。 次に図１０に
示すように、レーザー部、エッチドミラー部及び振動子
となる部分をレジストでカバー、マスキングする。そし
て振動子となる部分のレーザーと反対側面にウェットエ
ッチング液が入るような窓３３が開けられたレジストマ
スク３４をパターニングをして、前述したH2O2＋NH4OH
系選択エッチング液により、振動子３０下部のGaAs層３
５のみを選択エッチングする。 その後、図１１に示
すように基板裏面を劈開可能な厚さ約８０μｍまで研磨
した後、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕを真空蒸着し、Ｎ電極３６
を形成後、水素雰囲気中で約４００℃、２０秒のシンタ
ーにより電極のオーミックコンタクトを形成する。
最後に劈開をして個々の素子を分離する。以上の工程に
より、図１２に示す半導体レーザーとモノリシックに集
積された微小振動子が形成される。
動子と半導体レーザとを集積化する作製方法の一実施例
を示すもので、図７〜図１２を用いて説明する。 図
７に示すように、ｎタイプGaAs基板２１上にＭＯＶＰＥ
法により、まずAlGaAsエッチングストップ層兼下部クラ
ッド層２２を2.５μｍエピタキシャル成長する。引き続
き、AlGaAs活性層２３を約0.１μｍ、上部AlGaAsクラッ
ド層24を２μｍ、GaAsキャップ層２５を0.５μｍの順に
エピタキシャル成長する。以上の結晶成長はダブルヘテ
ロ半導体レーザー層の代表例であって、例えばＭＱＷ等
の他のレーザー構造でも良い。 次に図８に示すよう
に、振動子形成予定部分２６は常にレジストでカバー
し、未加工の状態となるようにした後、半導体レーザの
素子化プロセスを行う。具体的には、例えば真空蒸着装
置によりＡｕＺｎＮｉを蒸着し、ストライプＰ電極２７
を形成する。次にSiO2をスパッタ蒸着し、絶縁膜２８を
形成後、反応性イオンエッチングにより絶縁膜窓開けを
行った後、電子ビーム蒸着によりＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉボン
ディングパッド電極２９を形成する。 次に図９に示
すように振動子３０のパターニングを行い、マスク３１
を作製した後、前述したのと同様に塩素ガスを用いた反
応性イオンエッチングにより、GaAs基板２１に達する深
さ約６μｍの垂直エッチングを行い、振動子垂直面とエ
ッチドミラー３２を同時に形成する。 次に図１０に
示すように、レーザー部、エッチドミラー部及び振動子
となる部分をレジストでカバー、マスキングする。そし
て振動子となる部分のレーザーと反対側面にウェットエ
ッチング液が入るような窓３３が開けられたレジストマ
スク３４をパターニングをして、前述したH2O2＋NH4OH
系選択エッチング液により、振動子３０下部のGaAs層３
５のみを選択エッチングする。 その後、図１１に示
すように基板裏面を劈開可能な厚さ約８０μｍまで研磨
した後、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕを真空蒸着し、Ｎ電極３６
を形成後、水素雰囲気中で約４００℃、２０秒のシンタ
ーにより電極のオーミックコンタクトを形成する。
最後に劈開をして個々の素子を分離する。以上の工程に
より、図１２に示す半導体レーザーとモノリシックに集
積された微小振動子が形成される。
【００１５】以上の実施例１〜４においては0.８μｍ帯
半導体レーザーと集積可能なAlGaAs／GaAs材料について
の実施例を示したが、例えば、1.３μｍ帯半導体レーザ
ーと集積化する場合、InGaAsP/InP 材料に対し、選択エ
ッチング液にHCl ＋CH3COOH系を用い、また可視光半導
体レーザーと集積化する場合はInGaAsP/GaAs材料に対
し、選択エッチング液にH2SO4 ＋H2O2系を用いるなど、
当然、適当な選択エッチング液により、基板としてInP
等の他の基板を用いた場合や、他の材料系の半導体レー
ザーとのモノリシック集積化の場合にも本発明方法が使
えることはいうまでもない。
半導体レーザーと集積可能なAlGaAs／GaAs材料について
の実施例を示したが、例えば、1.３μｍ帯半導体レーザ
ーと集積化する場合、InGaAsP/InP 材料に対し、選択エ
ッチング液にHCl ＋CH3COOH系を用い、また可視光半導
体レーザーと集積化する場合はInGaAsP/GaAs材料に対
し、選択エッチング液にH2SO4 ＋H2O2系を用いるなど、
当然、適当な選択エッチング液により、基板としてInP
等の他の基板を用いた場合や、他の材料系の半導体レー
ザーとのモノリシック集積化の場合にも本発明方法が使
えることはいうまでもない。
【００１６】また、本実施例においてはH2O2＋NH4OH 系
選択エッチング液を用いてGaAsを選択的にエッチングす
る方法を開示したが、本発明はこれに限定されず例え
ば、逆にAlGaAs層を例えばフッ素系選択エッチング剤を
用いて選択的にエッチングするようにしてもよい。
選択エッチング液を用いてGaAsを選択的にエッチングす
る方法を開示したが、本発明はこれに限定されず例え
ば、逆にAlGaAs層を例えばフッ素系選択エッチング剤を
用いて選択的にエッチングするようにしてもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上実施例と共に詳しく説明したよう
に、本発明によれば、従来、個別部品によりハイブリッ
ド構成されていた振動子等の微小機械要素と半導体レー
ザ等のアクティブ素子とのモノリシックな集積化が可能
となる効果がある。従って、従来のガスレーザー光源を
用いた場合との比較は言うまでもないが半導体レーザー
とのハイブリッドな構成と比較しても、光源も含めたセ
ンサの大幅な小形化・軽量化が実現でき、微小領域での
使用や他のセンサープローバに付与する等の高機能化や
適用領域の拡大等の効果もある。さらに同一ウェハ上に
同時に大量のセンサが作製されるので量産による経済化
が図れる効果もある。
に、本発明によれば、従来、個別部品によりハイブリッ
ド構成されていた振動子等の微小機械要素と半導体レー
ザ等のアクティブ素子とのモノリシックな集積化が可能
となる効果がある。従って、従来のガスレーザー光源を
用いた場合との比較は言うまでもないが半導体レーザー
とのハイブリッドな構成と比較しても、光源も含めたセ
ンサの大幅な小形化・軽量化が実現でき、微小領域での
使用や他のセンサープローバに付与する等の高機能化や
適用領域の拡大等の効果もある。さらに同一ウェハ上に
同時に大量のセンサが作製されるので量産による経済化
が図れる効果もある。
【図１】実施例１に係る結晶成長の概説図である。
【図２】実施例１に係る微小片持ちばり作製工程図であ
る。
る。
【図３】実施例２に係る結晶成長の概説図である。
【図４】実施例２に係るμブリッジ作製工程図である。
【図５】実施例３に係る結晶成長の概説図である。
【図６】実施例３に係る微小マルチばり作製工程図であ
る。
る。
【図７】実施例４に係る結晶成長の概説図である。
【図８】実施例４に係るＬＤ素子化工程図である。
【図９】実施例４に係る反応性イオンビームエッチング
工程図である。
工程図である。
【図１０】実施例４に係るウェット選択エッチング工程
図である。
図である。
【図１１】実施例４に係る基板研磨及びＮ電極形成状態
を示す図である。
を示す図である。
【図１２】実施例４に係る微小振動子と半導体レーザと
の集積化図である。
の集積化図である。
１０ GaAs層
１１ GaAs半導体基板
１２ AlGaAs層
１３ マスク
１４ 微小片持ばり
１５ マイクロブリッジ
１６ 多層結晶成長膜
１７ 梁形状
２０ GaAs層
２１ GaAs基板
２２ AlGaAsエッチングストップ層兼下部クラッド層
２３ AlGaAs活性層
２４ AlGaAsクラッド層
２５ GaAsキャップ層
２６ 振動子形成予定部分
２７ ストライプＰ電極
２８ 絶縁膜
２９ Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉボンディングパッド電極
３０ 振動子
３１ マスク
３２ エッチドミラー
３３ 窓
３４ レジストマスク
３５ GaAs層
３６ Ｎ電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 浮田 宏生
東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日
本電信電話株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 組成の異なる化合物半導体を層状にエピ
タキシャル成長させる工程に引き続き、フォトリソグラ
フィによりパターンを形成した後、前記エピタキシャル
成長層に直交する方向にエッチングする工程を施した
後、エッチング液の配合組成によりエッチングレートが
異なり且つエッチングレート比が大きな選択エッチング
液を用いて、所望のエピタキシャル成長層のみを層方向
にエッチングする工程を含むことを特徴とする化合物半
導体の加工方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の化合物半導体の加工方法
において、エピタキシャル成長層にダブルヘテロ半導体
レーザ層を含むことを特徴とする化合物半導体の加工方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18758491A JPH0537082A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 化合物半導体の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18758491A JPH0537082A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 化合物半導体の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0537082A true JPH0537082A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16208667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18758491A Withdrawn JPH0537082A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 化合物半導体の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0537082A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007144611A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-06-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
| JP2008288426A (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 記憶素子 |
| US8624336B2 (en) | 2005-10-26 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP18758491A patent/JPH0537082A/ja not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007144611A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-06-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
| US8624336B2 (en) | 2005-10-26 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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