NL194568C - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlaser. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlaser. Download PDF

Info

Publication number
NL194568C
NL194568C NL9401649A NL9401649A NL194568C NL 194568 C NL194568 C NL 194568C NL 9401649 A NL9401649 A NL 9401649A NL 9401649 A NL9401649 A NL 9401649A NL 194568 C NL194568 C NL 194568C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
layer
type
evaporation
etching
conductivity type
Prior art date
Application number
NL9401649A
Other languages
English (en)
Other versions
NL194568B (nl
NL9401649A (nl
Inventor
Tae Kyung Yoo
Jong Seok Kim
Original Assignee
Gold Star Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gold Star Co filed Critical Gold Star Co
Publication of NL9401649A publication Critical patent/NL9401649A/nl
Publication of NL194568B publication Critical patent/NL194568B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL194568C publication Critical patent/NL194568C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/3202—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures grown on specifically orientated substrates, or using orientation dependent growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/321—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures having intermediate bandgap layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
    • H01S2301/173—The laser chip comprising special buffer layers, e.g. dislocation prevention or reduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
    • H01S2304/04—MOCVD or MOVPE
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
    • H01S5/2218—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special optical properties
    • H01S5/2219—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special optical properties absorbing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

1 194568
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlaser
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlaser, omvattende de volgende stappen: 5 het vormen van een butferlaag met een eerste geleidingstype op een halfgeleidersubstraat met het eerste geleidingstype; het op de bufferlaag vormen van een bekledingslaag met het eerste geleidingstype; het op de bekledingslaag met het eerste geleidingstype vormen van een actieve laag; het op de actieve laag vormen van een samengestelde bekledingslaag met een tweede geleidingstype door 10 het achtereenvolgens doen aangroeien van een eerste bekledingslaag met het tweede geleidingstype, een etsstoplaag, een tweede bekledingslaag met het tweede geleidingstype, en een stroominjectielaag met het tweede geleidingstype; het etsen van de samengestelde bekledingslaag teneinde daardoor een mesa-vormig richelgedeelte te vormen; 15 het vormen van een stroomafschermingslaag op een na het etsen blootliggend gedeelte van de samengestelde bekledingslaag; het etsen van een gedeelte van de op het mesa-vormige richelgedeelte aangebrachte stroomafschermingslaag, teneinde daardoor een stroominjectiegebied te vormen; het op het gehele blootliggende oppervlak van de resulterende structuur vormen van een afdeklaag met het 20 tweede geleidingstype.
Een dergelijke werkwijze is bekend uit een artikel in Electronics Letters, deel 25, nr. 14, 6 juli 1989, blz. 905 tot en met 907.
Halfgeleiderlasers worden gebruikt als lichtbronnen voor communicatie via optische vezels en verwerking van optische informatie. In vergelijking met andere soorten lasers bezitten de halfgeleiderlasers een hoog 25 rendement en de mogelijkheid van een passende en snelle modulatie. In het bijzonder hebben de halfgeleiderlasers een miniatuurstructuur, die voorziet in gebruiksgemak.
Afhankelijk van de toegepaste materialen en samenstellingen, kunnen talrijke halfgeleiderlasers worden gebruikt in een breed golflengtegebied van geëmitteerd licht vanaf de golflengte van zichtbare straling tot de golflengte van ver-infraroodstraling. Aangezien de halfgeleiderlasers zeker nog gedurende verscheidene 30 tientallen jaren zullen worden gebruikt, breidt hun toepassing op technische gebieden zich uit.
Dergelijke halfgeleiderlasers worden geclassificeerd in een GaAIAs-gebaseerde laser, die oscilleert bij een korte golflengte van 0,7 tot 0,9 pm, en een InGaAsP-gebaseerde laser, die oscilleert bij een lange golflengte van 1,1 tot 1,6 pm. In termen van structuur, is een dubbele hetero (DH) structuur, bevattende n-type en p-type afdeklagen en een tussen de afdeklagen aangebrachte actieve laag, bekend voor 35 halfgeleiderlasers.
Halfgeleiderlasers, die de DH-structuur hebben, worden eveneens geclassificeerd in één van de versterkende-golfgeleidertypen en één van de brekende-golfgeleidertypen. De halfgeleiderlasers van het versterkende-golfgeleidertype met een strookvormige DH-structuur zijn lasers, die geschikt zijn om dragers en optische golven binnen een smalle actieve laag in een richting loodrecht op de aangroeirichting van de 40 lagen te begrenzen en daardoor licht naar een versterkingsgebied van hoge dragerdichtheid te geleiden.
De halfgeleiderlasers van het brekende-golfgeleidertype zijn geschikt om optische golven in een actieve laag in een richting evenwijdig aan de aangroeirichting van de lagen te begrenzen en daardoor licht te geleiden. Voor deze halfgeleiderlasers wordt hoofdzakelijk een begraven DH-structuur gebruikt.
De begraven DH-structuur bevat een paar van n-type afdeklagen en een tussen de n-type afdeklagen 45 aangebrachte actieve laag en heeft een zodanige vorm, dat de actieve laag wordt omringd door de n-type afdeklagen. Aangezien deze lasers worden geconstrueerd om een golfgeleiding te verkrijgen in een toestand waarbij de actieve laag in verticale en dwarsrichting door de afdeklagen van lage brekingsindex wordt omringd, worden zij brekende-golfgeleider lasers genoemd.
Bij de fabricage van halfgeleiderlasers met de DH-structuur, is het belangrijk om een dunne film met de 50 door een actieve laag en n-type en p-type afdeklagen gevormde DH-structuur op een substraat te doen aangroeien. Deze aangroei wordt epitaxie genoemd.
Voor een dergelijke epitaxie kunnen verschillende methoden worden gebruikt, die een vloeibare-fase epitaxie (LPE), een metaalorganische chemische opdamping (MOCVD) en een moleculaire-bundel epitaxie (MBE) omvatten.
55 Op InGaAlP gebaseerde halfgeleiderlasers worden gefabriceerd onder gebruikmaking van het MOCVD-proces vanwege de materiaalkarakteristiek daarvan.
Wanneer een halfgeleiderlaser wordt vervaardigd onder gebruikmaking van het MOCVD-proces, dan 194568 2 worden een dunne film van een een actieve laag en n-type en p-type afdeklagen bevattende DH-structuur, en een stroomafschermingslaag achtereenvolgens aangegroeid op een substraat onder gebruikmaking van een primair MOCVD-proces. Na het etsen van de stroomafschermingslaag, wordt een afdeklaag aangegroeid op de bovenste afdeklaag onder gebruikmaking van een secundair MOCVD-proces.
5 Voor het vervaardigen van een halfgeleiderlaser met de DH-structuur wordt aangroei van een dunne film verkregen door ten minste tweemaal het MOCVD-proces te gebruiken.
Figuur 1 is een doorsnede aanzicht, dat een halfgeleiderlaser van het versterkende-golfgeleidertype, met een inwendige strookstructuur, vervaardigd onder gebruikmaking van een MOCVD-proces, toont.
Zoals is weergegeven in figuur 1 bevat de halfgeleiderlaser een n-type GaAs substraat 11, een op het 10 substraat 1 gevormde n-type GaAs bufferlaag 12 en een op de bufferlaag 12 gevormde dunne film en heeft een door een n-type InGaAlP afdeklaag 13, een InGaP actieve laag 14 en een p-type InGaAlP afdeklaag 15 gevormde DH-structuur. Een n-type GaAs stroomafschermingslaag 16 is aangebracht op de p-type afdeklaag 15 behoudens ter plaatse van een stroominjectiegebied A. Voor het bedekken van het stroom-injectiegebied A wordt een p-type GaAs afdeklaag 17 aangebracht op de blootliggende oppervlakken van de 15 p-type afdeklaag en de n-type stroomafschermingslaag 16.
De de DH-structuur vormende bufferlaag 12, n-type afdeklaag 13, actieve laag 14 en de p-type afdeklaag 15, en de stroomafschermingslaag 16 worden continu aangegroeid op het n-type substraat 11 overeenkomstig een primair MOCVD-proces. De p-type afdeklaag 17 wordt aangegroeid overeenkomstig een secundair MOCVD-proces.
20 Halfgeleiderlasers van het brekende-golfgeleidertype zijn eveneens bekend. Deze halfgeleiderlasers hebben een superieure dwarsmodekarakteristiek ten opzichte van de halfgeleiderlasers van het versterkende-golfgeleidertype. Als een dergelijke halfgeleiderlaser van het brekende-golfgeleidertype zijn een halfgeleiderlaser met een selectief begraven richel (SBR) structuur, zoals beschreven in Toshiba Review, 45(11), 907, 1990 en een halfgeleiderlaser met een hetero barrièreblokkering (HBB) structuur, 25 bekend.
Figuren 2a tot 2e zijn doorsnede-aanzichten, die een werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderlaser van het brekende-golfgeleidertype tonen. Deze werkwijze zal nu worden beschreven in samenhang met figuren 2a tot 2e.
Overeenkomstig deze werkwijze, worden allereerst een n-type GaAs bufferlaag 22, een n-type InGaAlP 30 afdeklaag 23, een InGaP actieve laag 24 en een p-type InGaAlP afdeklaag 25, waarbij de laatste drie lagen een DH-structuur vormen, continu aangegroeid op een n-type GaAs substraat 21 overeenkomstig een primair MOCVD-proces, zoals wordt weergegeven in figuur 2a.
In dit geval worden de n-type afdeklaag 23 en de actieve laag 24 en de p-type afdeklaag 25 gevormd tot een dikte van respectievelijk ongeveer 1 pm, ongeveer 1,0 pm en ongeveer 0,9 pm.
35 Op de p-type afdeklaag 25 wordt een van SiOz of Si3N4 gevormde isolerende film 28 aangebracht, zoals is weergegeven in figuur 2b. De isolerende film 28 wordt vervolgens foto-geëtst, zodat de film achter kan blijven op een gedeelte van de p-type afdeklaag 25, overeenkomend met een te vormen stroominjectiegebied. De isolerende film 28 heeft een strookvorm. Door de foto-etsing wordt de p-type afdeklaag 25 gedeeltelijk blootgelegd.
40 Onder gebruikmaking van de isolerende film 28 als een masker, wordt het blootliggende gedeelte van de p-type afdeklaag 25 weggeëtst tot een vooraf bepaalde diepte, zoals wordt weergegeven in figuur 2c. Hierbij wordt het etsen van de p-type afdeklaag 25 op een selectieve wijze uitgevoerd, teneinde een strook-richel mesagedeelte 25', overeenkomend met het stroominjectiegebied A, te vormen. De resterende dikte van de p-type afdeklaag 25 in het blootliggende gedeelte daarvan bedraagt ongeveer 0,25 pm.
45 Vervolgens wordt een n-type GaAs stroomafschermingslaag 26 selectief aangegroeid op de resulterende structuur overeenkomstig een tweede MOCVD-proces, zoals wordt weergegeven in figuur 2d, De aangroei van de n-type GaAs stroomafschermlaag 26 wordt nauwelijks bewerkstelligd in het stroominjectiegebied als gevolg van de isolerende film 28. Als gevolg daarvan wordt de n-type GaAs stroomafschermlaag 26 alleen gevormd op de blootliggende p-type afdeklaag 25.
50 De isolerende film 28 wordt vervolgens verwijderd, teneinde daardoor het stroominjectiegebied A te vormen. Na verwijdering van de isolerende film 28 wordt een p-type GaAs afdeklaag 27 aangegroeid op de resulterende structuur overeenkomstig een derde MOCVD-proces. Aldus wordt een halfgeleiderlaser met de SBR- structuur verkregen.
Aangezien de isolerende laag 28 wordt gebruikt als een masker voor de selectieve epitaxie van de 55 stroomafschermingslaag 26 overeenkomstig de werkwijze van figuren 2a tot 2e, brengt de halfgeleiderlaser het probleem van in het stroominjectiegebied A aanwezige, als gevolg van de isolerende film 28 gevormde defecten met zich mee. Als gevolg daarvan gaat de betrouwbaarheid van de halfgeleiderlaser achteruit.
3 194568
Wanneer de laser wordt geactiveerd, bereikt het door de isolerende film veroorzaakte defect de overgang tussen de afdeklaag en de onder de afdeklaag aangebrachte actieve laag.
Overeenkomstig de hierboven beschreven werkwijze wordt het InGaAlP van de p-type afdeklaag blootgelegd na het uitvoeren van de epitaxie voor het vormen van de stroomafschermingslaag 26 onder 5 gebruikmaking van het secundaire MOCVD-proces en de epitaxie voor het vormen van de p-type afdeklaag 27 onder gebruikmaking van het derde MOCVD-proces. Als gevolg van een dergelijke blootlegging, dient oxidatie van het Al en de aangroei omstandigheden van GaAs voor het verkrijgen van een goede overgang tussen de InGaAIP-laag en de GaAs-laag als de afdeklaag, in beschouwing te worden genomen.
Figuur 3 is een doorsnede aanzicht, dat een conventionele halfgeleiderlaser met een HBB-structuur 10 toont.
Zoals wordt weergegeven in figuur 3, bevat de halfgeleiderlaser een op het substraat 31 gevormde n-type GaAs bufferlaag 32, een op de n-type bufferlaag 32 gevormde n-type InGaAlP afdeklaag 33, een op de n-type afdeklaag 33 gevormde InGaP actieve laag 34 en een op de actieve laag 34 gevormde p-type InGaAlP afdeklaag 35. De n-type afdeklaag 33, de actieve laag 34 en de p-type afdeklaag 35 vormen 15 tezamen een DH-structuur. De p-type afdeklaag 35 heeft een strook-richel mesagedeelte 35' in een stroominjectiegebied A.
Een p-type InGaP stroominjectielaag 36 wordt alleen aangebracht op het strook-richel mesagedeelte 35' van de p-type afdeklaag 35. Een p-type GaAs afdeklaag 37 wordt aangebracht op de blootliggende bovenoppervlakken van de p-type afdeklaag 35 en de p-type stroominjectielaag 36, teneinde de p-type 20 stroominjectielaag 36 te bedekken.
In de halfgeleiderlaser met de HBB-structuur, wordt de energiebandafstand van de in het stroominjectiegebied A gevormde en door de afdeklaag 37, de p-type stroominjectielaag 36 en de p-type afdeklaag 35 gevormde GaAs/InGaP/InGaAlP structuur stapsgewijs verkregen, in vergelijking met de in een gebied anders dan het stroominjectiegebied A en door de afdeklaag 37 en de p-type afdeklaag 35 gevormde 25 GaAs/InGaAlP structuur. Als gevolg daarvan wordt de energiebandafstand in het stroominjectiegebied A gelijkmatig gevarieerd, zodat de meeste ladingsstromen begrensd kunnen worden in het stroominjectiegebied A.
De vervaardiging van de hierboven genoemde halfgeleiderlaser met de HBB-structuur wordt uitgevoerd op een soortgelijke wijze als die van de halfgeleiderlaser met de SBR-structuur.
30 Voor de vervaardiging van de halfgeleiderlaser met de HBB-structuur, worden allereerst de n-type GaAs bufferlaag 32, de n-type InGaP afdeklaag 35 en de p-type InGaP laag 36, waarbij de laatste twee lagen de DH-structuur vormen, achtereenvolgens aangegroeid op het n-type GaAs substraat 31 overeenkomstig een primair MOCVD-proces. Op de p-type InGaP laag 36 wordt een isolerende film (niet weergegeven) aangebracht. Vervolgens wordt het gedeelte van de isolerende film verwijderd, dat niet overeenkomt met het 35 stroominjectiegebied A, teneinde daardoor de p-type InGaP laag 36 als de p-type stroominjectielaag gedeeltelijk bloot te leggen.
Onder gebruikmaking van de isolerende film als een masker, wordt het blootliggende gedeelte van de p-type stroominjectielaag 36 geëtst, teneinde daardoor de p-type afdeklaag 35 gedeeltelijk bloot te leggen. Vervolgens wordt het blootliggende gedeelte van de p-type afdeklaag 35 weggeëtst tot een voorafbepaalde 40 diepte teneinde het strook-richel mesagedeelte 35' te vormen. Het gedeelte van de aan de etsing onderworpen p-type afdeklaag 35 heeft een dikte van 0,25 pm.
Vervolgens wordt de vorming van de p-type GaAs afdeklaag 37 op het blootliggende gedeelte van de p-type afdeklaag 35 uitgevoerd onder gebruikmaking van een secundair MOCVD-proces Als resultaat daarvan is de p-type stroominjectielaag 36 bedekt met de p-type GaAs afdeklaag 37. Aldus wordt de 45 halfgeleiderlaser met de HBB-structuur verkregen.
Na etsing van de p-type afdeklaag 35 kan een fotolakfilm worden gebruikt als het masker in plaats van de isolerende film.
Aangezien het InGaAlP van de p-type afdeklaag 35 blootligt bij het uitvoeren van de epitaxie voor het vormen van de p-type GaAs afdeklaag 37 onder gebruikmaking van het secundaire MOCVD-proces, zoals 50 in de versterkende golfgeleider halfgeleiderlaser van figuur 2, dient oxidatie van Al en de aangroei-omstandigheden van GaAs voor het verkrijgen van een goede overgang tussen de InGaAlP laag en de GaAs laag in beschouwing te worden genomen.
De uitvinding beoogt nu een werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderlaser te verschaffen, die in staat is de opwekking van defecten aan de overgang tussen de met elkaar in contact staande 55 aangroeilagen als gevolg van een aanbrenging van een isolerende film tot een minimum te reduceren.
De uitvinding verschaft een werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlaser, van een in de aanhef genoemde soort, met het kenmerk, dat: 194568 4 de stap van het vormen van de samengestelde bekledingslaag met het tweede geleidingstype de stap omvat van het doen aangroeien van een eerste verdamping-voorkomende laag met het tweede geleidingstype en een tweede verdamping-voorkomende laag met het tweede geleidingstype, de stap van het etsen van een gedeelte van de stroomafschermingslaag de stap omvat van het blootleggen 5 van een gedeelte van de in het stroominjectiegebied aangebrachte tweede verdamping-voorkomende laag, en een stap van het etsen van het blootliggende gedeelte van de tweede verdamping-voorkomende laag, teneinde daardoor een gedeelte van de onder het blootliggende gedeelte van de tweede verdampings-voorkomende laag aangebrachte eerste verdamping-voorkomende laag bloot te leggen, wordt uitgevoerd 10 voorafgaande aan de stap van het vormen van een afdeklaag met het tweede geleidingstype op het gehele blootliggende oppervlak van de resulterende structuur.
Andere doelen en aspecten van de uitvinding zullen duidelijk worden uit de volgende beschrijving van uitvoeringsvormen onder verwijzing naar de bijbehorende tekeningen.
15 Figuur 1 is een doorsnede-aanzicht, dat een halfgeleiderlaser van het versterkende-golfgeleidertype met een inwendige strookstructuur, vervaardigd onder gebruikmaking van een MOCVD-proces, toont; figuren 2a tot 2e zijn doorsnede-aanzichten, die een werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderlaser van het brekende-golfgeleidertype tonen; figuur 3 is een doorsnede-aanzicht, dat een conventionele halfgeleiderlaser met een HBB-structuur toont; 20 figuur 4 is een doorsnede-aanzicht, dat een halfgeleiderlaser van het brekende-golfgeleidertype vervaardigd volgens de onderhavige werkwijze toont; en figuren 5a tot 5g zijn doorsnede-aanzichten, die een werkwijze voor het vervaardigen van de in figuur 4 weergegeven halfgeleiderlaser overeenkomstig de uitvinding tonen.
25 Figuur 4 is een doorsnedeaanzicht, waarin een halfgeleiderlaser van het brekende-golfgeleidertype vervaardigd volgens de onderhavige werkwijze is weergegeven. In figuur 4 wordt de halfgeleiderlaser aangeduid met het verwijzingscijfer 40.
De halfgeleiderlaser 40 vervaardigd volgens de onderhavige werkwijze bevat een n-type halfgeleider-substraat 41, een op het substraat 11 aangebrachte n-type bufferlaag 42, een op de bufferlaag 42 30 aangebrachte eerste afdeklaag 43, een op de eerste afdeklaag 43 aangebrachte actieve laag 44 en een op de actieve laag 44 aangebrachte tweede afdeklaag 56. De eerste afdeklaag 43, de actieve laag 44 en de tweede afdeklaag 56 vormen tezamen een DH-structuur.
De n-type bufferlaag 42 is vervaardigd van een n-type GaAs gedoteerd met een n-type dotering in een concentratie van 5 tot 20 x 1017 cm3 en heeft een dikte van 0,5 pm.
35 De de DH-structuur vormende eerste afdeklaag 43 is vervaardigd van een n-type ln0,5(Ga1-xAlx)0,5P (0,4 < x < 1) gedoteerd met een n-type dotering in een concentratie van 1 tot 10 x 1017/cm3 en heeft een dikte van ongeveer 1,0 pm.
De actieve laag 44 is vervaardigd van een ongedoteerd of p-gedoteerd In0,5 (Ga1-xAlx)0,5P (0 < x < 0,5) en heeft een dikte van ongeveer 0,05 tot ongeveer 0,2 pm.
40 De tweede afdeklaag 56 doet dienst als een golfgeleiderkanaal en heeft een mesa-vormig richelgedeelte 55 met een bovenoppervlakbreedte van 4 tot 7 pm. De tweede afdeklaag 56 bevat een op de actieve laag 44 gevormde eerste p-type afdeklaag 45 en een op de eerste p-type afdeklaag 45 gevormde etsstoplaag 46. De tweede afdeklaag 56 bevat verder een het mesa-vormige richelgedeelte 55 vormende tweede p-type afdeklaag 47, een op de tweede p-type afdeklaag 47 gevormde stroominjectielaag 48, een op de stroom-45 injectielaag 48 en met een stroominjectiegebied A gedefinieerde eerste verdamping-voorkomende laag 49, en een op de eerste verdamping-voorkomende laag 49, behoudens ter plaatse van het stroominjectiegebied A, gevormde tweede verdamping-voorkomende laag 50.
De eerste p-type afdeklaag 45 is vervaardigd van een p-type In0,5 (Ga1-xAlx)0,5P (0,4 < x < 1) gedoteerd met een p-type dotering in een concentratie van 1 tot 1017/cm3 en heeft een dikte van ongeveer 50 0,6 pm.
De stroominjectielaag 48 dient voor het reduceren van de tussen de tweede afdeklaag 56 en een hierna te beschrijven afdeklaag gegenereerde energiebandafstand. De stroominjectielaag 48 is vervaardigd van een p-type lnO,5GaO,5P en heeft een dikte van ongeveer 0,05 tot 1 pm.
De eerste en tweede verdamping-voorkomende lagen 49 en 50 zijn lagen om het gehele oppervlak na 55 aangroeiing onder gebruikmaking van secundaire en derde MOCVD-processen blootgesteld te houden aan een enkel Groep V element. De eerste verdamping-voorkomende laag 49 is vervaardigd van een p-type GaAs gedoteerd met een p-type dotering en een concentratie van 1 tot 10 x 1018/cm3 en heeft een dikte 5 194568 van ongeveer 0,1 pm. De tweede verdamping-voorkomende laag 50 is vervaardigd van een p-type lnO,5GaO,5P gedoteerd met een p-type dotering en een concentratie van 1 tot 10 x 1018/cm3 en heeft een dikte van ongeveer 0,05 pm.
Het stroominjectiegebied A is een gebied, waaraan het grootste deel van de stroom wordt toegevoerd in 5 een oscillatiemode van de halfgeleiderlaser 40.
De halfgeleiderlaser 40 bevat verder een op de tweede afdeklaag 56, behoudens ter plaatse van het stroominjectiegebied A, aangebrachte n-type stroomafschermingslaag 51, en een op de n-type stroom-afschermlaag 51 aangebrachte p-type GaAs afdeklaag 52 om het stroominjectiegebied A te bedekken.
De stroomafschermingslaag 51 is vervaardigd van een n-type GaAs gedoteerd met een n-type dotering 10 in een concentratie van 1 tot 10 x 1018/cm3 en heeft een dikte van ongeveer 0,8 tot 1,0 pm.
Figuren 5a tot 5g zijn doorsnede-aanzichten, die een werkwijze volgens de uitvinding tonen voor het vervaardigen van de in figuur 4 weergegeven halfgeleiderlaser.
Volgens deze werkwijze, wordt allereerst de bufferlaag 42 van n-type GaAs gevormd tot een dikte van ongeveer 0,5 pm op het n-type halfgeleidersubstraat 41, zoals wordt weergegeven in figuur 5a. op de 15 bufferlaag 42 wordt vervolgens de eerste afdeklaag 43 van p-type In0,5 (Ga1-xAlx) 0,5P (0,4 < x < 1) gevormd tot een dikte van ongeveer 1,0 pm. Daarna wordt de ongedoteerde of p-gedoteerde actieve laag 44 aangegroeid op de eerste afdeklaag 43 tot een dikte van ongeveer 0,05 tot 0,2 pm. Vervolgens wordt op de actieve laag 44 de tweede afdeklaag 56 aangegroeid, op deze wijze wordt een DH-junctie verkregen.
De vorming van de tweede afdeklaag 56 wordt bewerkstelligd door het doen aangroeien van de eerste 20 p-type afdeklaag 45 van de p-type In0,5 (Ga1-xAlx)0,5P (0,4 < x < 1) tot een dikte van ongeveer 0,6 pm op de actieve laag 44, het doen aangroeien van de etsstoplaag 46 van p-type ln0,5Ga0,5P tot een dikte van 2.0 tot 10,0 nm op de eerste p-type afdeklaag 45, het doen aangroeien van de tweede p-type afdeklaag 47 van p-type ln0,5(Ga1-xAII)0,5P (0,4 < x < 1) tot een dikte van ongeveer 0,6 pm op de etsstoplaag 46, het doen aangroeien van de stroominjectielaag 48 van p-type lnO,5GaO,5P tot een dikte van ongeveer 0,05 tot 25 1 pm op de tweede p-type afdeklaag 47, het doen aangroeien van de eerste verdamping-voorkomende laag 49 van p-type GaAs tot een dikte van 0,1 pm op de stroominjectielaag 48, en het doen aangroeien van de tweede verdamping-voorkomende laag 50 van p-type ln0,5Ga0,5P tot een dikte van ongeveer 0,05 pm op de eerste verdamping-voorkomende laag 49.
De aangroei van de n-type bufferlaag 42 en de de DH-structuur vormende lagen, d.w.z. de eerste 30 afdeklaag 43, de n-type actieve laag 44 en de tweede afdeklaag 46, wordt uitgevoerd op een continue wijze overeenkomstig het primaire MOCVD-proces.
Wanneer de tweede afdeklaag 56 vervolgens wordt onderworpen aan een etsing voor het vormen van het mesavormige richelgedeelte daarvan, zorgt de etsstoplaag 46 ervoor dat de onder de tweede afdeklaag 56 aangebrachte p-type afdeklaag 45 wordt beschermd.
35 De stroominjectielaag 48 dient om een tussen de tweede afdeklaag 56 en de vervolgens te vormen afdeklaag gegenereerde grote energieband te reduceren, zodat het grootste deel van de stroom in de stroominjectielaag kan vloeien.
Figuren 5b en 5c tonen de vorming van het mesa-vormige richelgedeelte van de tweede afdeklaag 56.
Voor de vorming van het mesa-vormige richelgedeelte van de tweede afdeklaag 56 wordt allereerst een 40 fotolakfilm aangebracht op de tweede afdeklaag 56. De fotolakfilm wordt vervolgens onderworpen aan een foto-etsing, teneinde een fotolakfilmpatroon 53 met een breedte van 4 tot 7 pm alleen in een gebied, waarin het mesa-vormige richelgedeelte dient te worden gevormd, te vormen.
Daarna worden de tweede verdamping-voorkomende laag 50, de eerste verdamping-voorkomende laag 49, de stroominjectielaag 48 en de tweede p-type afdeklaag 47 achtereenvolgens weggeëtst onder 45 gebruikmaking van een etsmiddel voor het wegetsen van lnGaP/GaAs/lnGaAIP van de aangegroeide lagen op een niet-selectieve wijze onder de omstandigheid, dat het fotolakfilmpatroon 53 wordt gebruikt als een masker.
Zoals is weergegeven in figuur 5b, is de tweede p-type afdeklaag 47 gedeeltelijk weggeëtst tot een vooraf bepaalde diepte, zodat de laag een blootliggend gedeelte heeft.
50 Onder gebruikmaking van een etsmiddel voor het etsen van InGaAlP van de tweede p-type afdeklaag 47, dat selectief is voor InGaP van de etsstoplaag 46, wordt het blootliggende gedeelte van de tweede p-type afdeklaag 47 volledig weggeëtst totdat de etsstoplaag 46 blootligt, zoals is weergegeven in figuur 5c. Aldus wordt het mesavormige richelgedeelte 55 met de breedte van 4 tot 7 pm gevormd op de etsstoplaag 46.
Zoals is weergegeven in figuur 5d wordt vervolgens het fotolakfilmpatroon 53 verwijderd. Op het gehele 55 blootliggende oppervlak van de resulterende structuur wordt de n-type stroomafschermingslaag 51 van n-type GaAs aangegroeid onder gebruikmaking van het secundaire MOCVD-proces tot een dikte van 0,8 tot 1.0 pm.

Claims (20)

194568 6 Het gehele oppervlak van de blootliggende structuur na de aangroei onder gebruikmaking van het secundaire MOCVD-proces, wordt onderhouden met P, het groep V element. Met andere woorden, het gehele blootliggende oppervlak na de aangroei onder gebruikmaking van het secundaire MOCVD-proces bevat het blootliggende oppervlak van de de tweede afdeklaag 56 vormende en 5 van p-type lnO,5GaO,5P vervaardigde etsstoplaag 46, en het blootliggende oppervlak van de op het mesa-vormige richelgedeelte 55 van de tweede afdeklaag 56 en van InGaP vervaardigde tweede verdamping-voorkomende laag 50. Het gehele blootliggende oppervlak wordt onderhouden met P, het groep V element. Als resultaat daarvan dient de tweede verdamping, voorkomende laag 50 ervoor om te voorkomen, dat 10 As van de eerste verdamping-voorkomende laag 49 van GaAs en aangebracht onder de tweede verdamping-voorkomende laag 50, verdampt in een PH3 atmosfeer na aangroei onder gebruikmaking van het secundaire MOCVD-proces. Vervolgens wordt een fotolakfilm 54 aangebracht op de onder gebruikmaking van het secundaire MOCVD-proces aangegroeide n-type stroomafschermingslaag 51, zoals wordt weergegeven in figuur 5e. De 15 fotolakfilm 54 wordt vervolgens onderworpen aan een foto-etsing om zijn op het mesa-vormige richelgedeelte 55 van de tweede afdeklaag 56 aangebrachte gedeelte te verwijderen. Als gevolg daarvan komt de stroomafschermingslaag 51 gedeeltelijk bloot te liggen. Onder gebruikmaking van het resterende deel van de fotolakfilm 54 als een masker, wordt het blootliggende gedeelte van de stroomafschermingslaag 51 weggeëtst, teneinde daardoor het stroominjectie-20 gebied A met een breedte van 3 tot 5 pm op het mesa-vormige richelgedeelte 55 van de tweede afdeklaag 56 te vormen. Bij deze etsing wordt een etsmiddel gebruikt, dat geschikt is om p-type GaAs van de stroomafschermingslaag 51 te etsen, en dat selectief is voor p-type InGaP van de tweede verdamping-voorkomende laag 50. Zoals is weergegeven in figuur 51, wordt de resterende fotolakfilm 54 vervolgens geheel verwijderd, 25 teneinde daardoor de tweede verdamping-voorkomende laag 50 van InGaP en het stroomafschermgebied 51 van GaAs bloot te leggen. Als gevolg daarvan wordt het gehele blootliggende oppervlak van de resulterende structuur niet onderhouden met een enkel Groep V element. Wanneer het etsmiddel voor het etsen van p-type GaAs van de stroomafschermingslaag 51 selectief voor p-type InGaP van de tweede verdamping-voorkomende laag 50 wordt gebruikt, dan wordt het gedeelte van 30 de in het stroominjectiegebied A na het etsen van de stroomafschermlaag 51 blootliggende gedeelte van de tweede verdamping-voorkomende laag 50 selectief weggeëtst. Als resultaat daarvan wordt de eerste verdamping-voorkomende laag 49 van p-type GaAs blootgelegd in het stroominjectiegebied A, teneinde daardoor het gehele blootliggende oppervlak van de resulterende structuur te doen onderhouden met het enkele Groep V element. 35 De resulterende structuur wordt vervolgens geladen in een reactor om de p-type GaAs afdeklaag 52 te vormen door gebruik te maken van het derde MOCVD-proces, zoals is weergegeven in figuur 5g. Tenslotte worden een p-type elektrode (niet weergegeven) en een n-type elektrode (niet weergegeven) aangebracht op respectievelijk de afdeklaag 52 en het substraat 41. Op deze wijze wordt de in figuur 4 weergegeven halfgeleiderlaser verkregen. 40 Wanneer de dikte van de eerste p-type afdeklaag 45 beneden het stroomafschermingsgebied 51 te klein is ingesteld, is het volgens de uitvinding mogelijk om een effectief brekingsindexverschil te verkrijgen en daardoor een laserdiode van het brekende-golfgeleidertype te realiseren, Aangezien de etsstoplaag 46 een geringe dikte van niet meer dan 10 nm heeft, is zijn invloed op de opwekking van licht ter plaatse van de actieve laag 44 verwaarloosbaar. 45 In het bij zonder kan de vervaardiging van halfgeleiderlasers, die een superieure betrouwbaarheid vertonen, worden bereikt, aangezien de blootliggende oppervlakken na een continue MOCVD aangroei worden onderhouden met een enkelvoudig Groep V element overeenkomstig de uitvinding, waardoor de opwekking van een defect aan de overgang tussen met elkaar in contact staande lagen wordt voorkomen. De gereduceerde opwekking van defecten resulteert in een verlengde levensduur en verbeteringen in 50 betrouwbaarheid en karakteristieken. Daardoor kan de toepassing van laserdiodes worden uitgebreid.
1. Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlaser omvattende de volgende stappen: het vormen van een bufferlaag met een eerste geleidingstype op een halfgeleidersubstraat met het eerste geleidingstype; 7 194568 het op de bufferlaag vormen van een bekledingslaag met het eerste geleidingstype; het op de bekledingslaag met het eerste geleidingstype vormen van een actieve laag; het op de actieve laag vormen van een samengestelde bekledingslaag met een tweede geleidingstype door het achtereenvolgens doen aangroeien van een eerste bekledingslaag met het tweede geleidings-5 type, een etsstoplaag, een tweede bekledingslaag met het tweede geleidingstype, en een stroominjectie-laag met het tweede geleidingstype; het etsen van de samengestelde bekledingslaag teneinde daardoor een mesa-vormig richelgedeelte te vormen; het vormen van een stroomafschermingslaag op een na het etsen blootliggend gedeelte van de 10 samengestelde bekledingslaag; het etsen van een gedeelte van de op het mesa-vormige richelgedeelte aangebrachte stroomafschermingslaag, teneinde daardoor een stroominjectiegebied te vormen; het op het gehele blootliggende oppervlak van de resulterende structuur vormen van een afdeklaag met het tweede geleidingstype, 15 met het kenmerk, dat: de stap van het vormen van de samengestelde bekledingslaag met het tweede geleidingstype de stap omvat van het doen aangroeien van een eerste verdamping-voorkomende laag met het tweede geleidingstype en een tweede verdamping-voorkomende laag met het tweede geleidingstype, de stap van het etsen van een gedeelte van de stroomafschermingslaag de stap omvat van het blootleggen van 20 een gedeelte van de in het stroominjectiegebied aangebrachte tweede verdamping-voorkomende laag, en een stap van het etsen van het blootliggende gedeelte van de tweede verdamping-voorkomende laag, teneinde daardoor een gedeelte van de onder het blootliggende gedeelte van de tweede verdampings-voorkomende laag aangebrachte eerste verdamping-voorkomende laag bloot te leggen, wordt uitgevoerd 25 voorafgaande aan de stap van het vormen van een afdeklaag met het tweede geleidingstype op het gehele blootliggende oppervlak van de resulterende structuur.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de stap van het vormen van het mesa-vormige richelgedeelte, de volgende stappen bevat: het vormen van een uit een fotolak bestaand patroon op de tweede verdamping-voorkomende laag; 30 het etsen van de tweede verdamping-voorkomende laag, de eerste verdamping-voorkomende laag en de stroominjectielaag onder gebruikmaking van het fotolakpatroon als een masker, en het primair etsen van de tweede bekledingslaag met het tweede geleidingstype tot een vooraf bepaalde diepte, teneinde daardoor de tweede bekledingslaag met het tweede geleidingstype gedeeltelijk bloot te leggen; het secundair etsen van het blootliggende gedeelte van de tweede bekledingslaag met het tweede 35 geleidingstype totdat de etsstoplaag blootligt, teneinde daardoor het mesavormige richelgedeelte te vormen; en het verwijderen van het resterende fotolakpatroon.
3. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat de stap van het primair etsen van de tweede bekledingslaag met het tweede geleidingstype wordt uitgevoerd door gebruik te maken van een etsmiddel 40 voor het etsen van de tweede bekledingslaag met het tweede geleidingstype, dat niet-selectief is voor de eerste en tweede verdamping-voorkomende lagen en de stroominjectielaag.
4. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat de stap van het secundair etsen van het blootliggende gedeelte van de tweede bekledingslaag met het tweede geleidingstype wordt uitgevoerd onder gebruikmaking van een etsmiddel voor het etsen van de tweede bekledingslaag met het tweede geleidings- 45 type, dat selectief is voor de eerste en tweede verdamping-voorkomende lagen en de stroominjectielaag.
5. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de etsstoplaag dient om te voorkomen dat de onder de tweede bekledingslaag met het tweede geleidingstype aangebrachte eerste bekledingslaag met het tweede geleidingstype wordt geëtst na het wegetsen van de tweede bekledingslaag met het tweede geleidingstype om daardoor de dikte van de eerste bekledingslaag met het tweede geleidingstype constant 50 te houden.
6. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat de etsstoplaag wordt gevormd door het doen aangroeien van een p-type lnO,5GaO,5P onder gebruikmaking van een primair metaalorganisch chemisch opdampproces.
7. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de bufferlaag met het eerste geleidingstype wordt 55 gevormd door het doen aangroeien van een n-type GaAs gedoteerd met een n-type dotering en een concentratie van 5 tot 20 x 1017/cm3 onder gebruikmaking van een primair metaal organisch chemisch opdampproces. 194568 8
8. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de bekledingslaag met het eerste geleidingstype wordt gevormd door het doen aangroeien van een n-type ln0,5(Ga1-xAlx)0,5P (0,4 < x < 1,0) gedoteerd met een n-type dotering in een concentratie van 1 tot 10 x 1017/cm3 tot een dikte van 1,0 pm onder gebruikmaking van een primair metaalorganisch chemisch opdampproces.
9. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de actieve laag wordt gevormd door het doen aangroeien van een ongedoteerd ln0,5(Ga1-xAlx)0,5P (0 < x < 0,5) of een p-type In0,5 (Ga1-xAlx)0,5P (0 < x < 0,5) gedoteerd met een p-type dotering tot een dikte van 0,05 tot 0,2 pm onder gebruikmaking van een primair metaalorganisch chemisch opdampproces.
10. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de eerste bekledingslaag met het tweede 10 geleidingstype wordt gevormd door het doen aangroeien van een p-type lnO,5(Ga1-xAlx)0,5P (0,4 < x < 1,0) gedoteerd met een p-type dotering in een concentratie van 1 tot 10 x 1017/cm3 tot een dikte van 0,2 tot 0,3 pm onder gebruikmaking van een primair metaalorganisch chemisch opdampproces.
11. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de tweede bekledingslaag met het tweede geleidingstype wordt gevormd door het doen aangroeien van een p-type ln0.5(Ga1-xAlx)0,5P (0,4 < x < 1,0) 15 gedoteerd met een p-type dotering in een concentratie van 1 tot 10 x I017/cm3 tot een dikte van 0,3 tot 0,6 pm onder gebruikmaking van een primair metaalorganisch chemisch opdampproces.
12. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de stroominjectielaag dient voor het doen afnemen van een tussen de laag en de tweede bekledingslaag gegenereerde energiebandafstand.
13. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de stroominjectielaag wordt gevormd door het 20 doen aangroeien van een p-type lnO,5GaO,5P tot een dikte van 0,05 tot 0,1 pm onder gebruikmaking van een primair metaalorganisch chemisch opdampproces.
14. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de tweede verdamping-voorkomende laag is vervaardigd van een materiaal, dat een element bevat identiek aan dat van de tweede bekledingslaag, die blootligt bij aangroei van de stroomafschermingslaag.
15. Werkwijze volgens conclusie 14, met het kenmerk, dat de tweede verdamping-voorkomende laag wordt gevormd door het doen aangroeien van een p-type ln0,5Ga0,5P gedoteerd met een p-type dotering en concentratie van 1 tot 10 x 1018/cm3 onder gebruikmaking van een primair metaalorganisch chemisch opdampproces.
16. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de eerste verdamping-voorkomende laag is 30 vervaardigd van een materiaal, dat een element bevat identiek aan dat van de stroomafschermingslaag, die blootligt bij de vorming van de afdeklaag.
17. Werkwijze volgens conclusie 16, met het kenmerk, dat de eerste verdamping-voorkomende laag wordt gevormd door het doen aangroeien van een p-type GaAs gedoteerd met een p-type dotering in een concentratie van 1 tot 10 x 1018/cm3 onder gebruikmaking van een primair metaalorganisch chemisch 35 opdampproces.
18. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de stroomafschermingslaag wordt gevormd door het doen aangroeien van een n-type GaAs gedoteerd met een n-type dotering in een concentratie van 1 tot 5 x 1018/cm3 tot een dikte van 0,8 tot 1,0 pm onder gebruikmaking van een secundair metaalorganisch chemisch opdampproces.
19. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de afdeklaag wordt gevormd door het doen aangroeien van een p-type GaAs onder gebruikmaking van een derde metaalorganisch chemisch opdampproces.
20, Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de stap van het etsen van het blootliggende gedeelte van de tweede verdamping-voorkomende laag wordt uitgevoerd onder gebruikmaking van een 45 etsmiddel voor het etsen van de tweede verdamping-voorkomende laag, welk etsmiddei selectief is voor de stroomafschermingslaag. Hierbij 8 bladen tekening
NL9401649A 1993-10-06 1994-10-06 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlaser. NL194568C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR930020627 1993-10-06
KR1019930020627A KR970011146B1 (ko) 1993-10-06 1993-10-06 반도체 레이저 다이오드 제조방법

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL9401649A NL9401649A (nl) 1995-05-01
NL194568B NL194568B (nl) 2002-03-01
NL194568C true NL194568C (nl) 2002-07-02

Family

ID=19365322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL9401649A NL194568C (nl) 1993-10-06 1994-10-06 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlaser.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5518954A (nl)
JP (1) JP2911751B2 (nl)
KR (1) KR970011146B1 (nl)
NL (1) NL194568C (nl)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5663976A (en) * 1995-10-16 1997-09-02 Northwestern University Buried-ridge laser device
KR970054972A (ko) * 1995-12-29 1997-07-31 김주용 레이저 다이오드 제조방법
JP3787195B2 (ja) * 1996-09-06 2006-06-21 シャープ株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
JP3423203B2 (ja) * 1997-03-11 2003-07-07 シャープ株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JPH11354880A (ja) * 1998-06-03 1999-12-24 Rohm Co Ltd 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP4040192B2 (ja) * 1998-11-26 2008-01-30 ソニー株式会社 半導体発光素子の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01286479A (ja) * 1988-05-13 1989-11-17 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
JPH0394490A (ja) * 1989-01-10 1991-04-19 Hitachi Ltd 半導体レーザ素子
JPH0353578A (ja) * 1989-07-21 1991-03-07 Nec Corp 半導体レーザ
JPH04116993A (ja) * 1990-09-07 1992-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ及びその製造方法
JP2997573B2 (ja) * 1991-02-19 2000-01-11 株式会社東芝 半導体レーザ装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07162094A (ja) 1995-06-23
NL194568B (nl) 2002-03-01
KR970011146B1 (ko) 1997-07-07
JP2911751B2 (ja) 1999-06-23
NL9401649A (nl) 1995-05-01
KR950012833A (ko) 1995-05-17
US5518954A (en) 1996-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4901327A (en) Transverse injection surface emitting laser
US4943970A (en) Surface emitting laser
US5045500A (en) Method of making a semiconductor laser
JPH0381317B2 (nl)
JP2002246686A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
EP0963017A2 (en) Semiconductor emission element and method of manufacturing same
US5577063A (en) Semiconductor laser with improved window structure
US5126804A (en) Light interactive heterojunction semiconductor device
EP0558856B1 (en) A method for producing a semiconductor laser device
US6928096B2 (en) Nitride-based semiconductor laser device and method of fabricating the same
NL194568C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlaser.
US20020034204A1 (en) Semiconductor laser device and method of manufacturing the same
US5173913A (en) Semiconductor laser
US5095489A (en) Semiconductor laser device
US5770471A (en) Method of making semiconductor laser with aluminum-free etch stopping layer
US6709884B2 (en) Light emitting device, semiconductor device, and method of manufacturing the devices
JPH06252448A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
JP2001094206A (ja) 半導体レーザ及びその製造方法
KR100330591B1 (ko) 반도체레이저다이오드의제조방법
KR0175441B1 (ko) 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
KR100261243B1 (ko) 레이저 다이오드 및 그의 제조방법
KR100278632B1 (ko) 레이저 다이오드 및 그 제조방법
EP0955709A2 (en) Blue edge emitting laser
KR100287206B1 (ko) 반도체레이저소자및그제조방법
KR100571842B1 (ko) 레이저 다이오드 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A1A A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20080501

V4 Lapsed because of reaching the maximum lifetime of a patent

Effective date: 20141006