KR930020787A - 레이저다이오드의 제조방법 - Google Patents
레이저다이오드의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
이 발명은 레이저다이오드의 제조방법에 관한 것으로 SAS-LD의 개구를 재현성있게 형성하고 전류차단 특성을 향상시켜 소자특성을 향상시키기 위하여 제2클래드층과 전류차단층 사이에 격자상수가 유사하고 식각용액이 다른 물질로 식각저지층을 형성시켜 상기 전류차단층과 식각저지층을 2단계의 습식 식각에 의해 개구를 형성하며, 상기 개구가 형성되지 않은 부분이 이중이종접합을 이루도록 한다.
따라서 개구 형성시 2단계의 습식식각에 의해 원하는 층들만을 식각하므로 공정조건에 민감하지 않고 재현성을 향상시킬 수 있으며, 또한, 개구이외의 영역이 이중으로 이종접합을 이루어 전류차단효과를 향상시키므로 소자특성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(a)~(c)도는 종래 SAS 레이저다이오드의 제조공정도.
제2(a)~(c)도는 이 발명에 따른 SAS 레이저다이오드의 제조공정도이다.
Claims (9)
- 레이저다이오드의 제조방법에 있어서; 제1도전형의 반도체기판상에 제1도전형의 제1클래드층, 제1또는 제2도전형의 활성층, 제2도전형의 제2클래드층, 제1도전형의 식각저지층 및 제1도전형의 전류차단층을 순차적으로 형성하는 1차 에피택시공정과; 상기 전류차단층 및 식각저지층을 각기 다른 식각용액으로 2단계 식각하여 개구를 형성하는 공정과; 상기 전류차단층상에 제2클래드층과 접촉하는 제2도전형의 캡층을 형성하는 2차 에피택시공정과; 상기 캡층상에 상기 개구와 수직으로 대응하는 부분을 제외하고 절연막을 형성하는 공정과; 상기 제1및 제2도전형 전극을 형성하는 공정을 구비한 레이저다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 1차 에피택시를 LPE 또는 MOCVD중 어느 하나를 실시하는 레이저다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각저지층을 상기 제2클래드층 및 전류차단층과 격자상수가 일치하고 다른 식각용액에 식각되는 물질로 형성하는 레이저다이오드의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제2클래드층 및 전류차단층이 GaAs계 물질일때 상기 식각저지층을 Inz Ga1-zP로 형성하는 레이저다이오드의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 식각저지층을 Z=0.5의 조건이 만족되도록 형성하는 레이저다이오드의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제2클래드층 및 전류차단층이 GaAs계 물질일때 상기 식각저지층을 Inz Ga1-z AlwP1-w로 형성하는 레이저다이오드의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 식각저지층을 0≤W≤0.05의 조건이 만족되도록 형성하는 레이저다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전류차단층을 H2SO4: H2O2: H2O 이 3 : 1 : 1의 비율로 혼합된 식각용액으로 식각하는 레이저다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각저지층을 HCL : H2PO4가 1 : 1의 비율로 혼합된 식각용액으로 식각하는 레이저다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920004834A KR930020787A (ko) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 레이저다이오드의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920004834A KR930020787A (ko) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 레이저다이오드의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR930020787A true KR930020787A (ko) | 1993-10-20 |
Family
ID=67257338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920004834A KR930020787A (ko) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 레이저다이오드의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930020787A (ko) |
-
1992
- 1992-03-25 KR KR1019920004834A patent/KR930020787A/ko not_active Application Discontinuation
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