JPH0550759U - リッジ導波路型半導体レーザ素子 - Google Patents
リッジ導波路型半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JPH0550759U JPH0550759U JP10984391U JP10984391U JPH0550759U JP H0550759 U JPH0550759 U JP H0550759U JP 10984391 U JP10984391 U JP 10984391U JP 10984391 U JP10984391 U JP 10984391U JP H0550759 U JPH0550759 U JP H0550759U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser device
- type semiconductor
- waveguide type
- ridge
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 出力特性を向上させたリッジ導波路型半導体
レーザ素子を提供する。 【構成】 活性層上にリッジストライプ１２を有する半
導体層を積層し、前記リッジストライプ１２の上端部を
電流注入部とするリッジ導波路型半導体レーザ素子にお
いて、リッジストライプ１２の上端部に長手方向にＶ溝
１３を設ける。
レーザ素子を提供する。 【構成】 活性層上にリッジストライプ１２を有する半
導体層を積層し、前記リッジストライプ１２の上端部を
電流注入部とするリッジ導波路型半導体レーザ素子にお
いて、リッジストライプ１２の上端部に長手方向にＶ溝
１３を設ける。
Description
【０００１】
本考案は、リッジ導波路型半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
リッジ導波路半導体レーザ素子は、例えば図２に示すように、基板１上にバッ ファ層２、下クラッド層３、下光閉じ込め層４、活性層５、上光閉じ込め層６、 上クラッド層７、キャップ層８を順次積層したものである。活性層５の幅方向の 光閉じ込めは、実効屈折率差により行われる。このリッジ導波路型半導体レーザ 素子のリッジストライプ９は、例えば図３（ａ）〜（ｃ）に示すような工程で製 作されている。即ち、 １）キャップ層８上に、レジスト１０を塗布し、フォトリソグラフィ技術を用い て所望のリッジストライプパターンを形成する（図２（ａ））。 ２）次いで、上記レジスト１０をマスクとしてキャップ層８、上クラッド層７を 各々選択エッチングし、リッジストライプ９を形成する（図２（ｂ））。 ３）次いで、全面に誘電体膜１１を成膜し、その後、リッジストライプ上面の誘 電体膜１１のみフッ化水素酸を用いて目抜き、電流注入部１２を形成する（図２ （ｃ））。 リッジ導波路型半導体レーザ素子においては、デバイス特性上（ＦＦＰ特性を よくするため）リッジストライプ幅を狭くすることが望ましく、かつ、電極の接 触抵抗を小さくして、高出力を得るために、リッジストライプ上の電流注入部面 積をできるだけ広くすることが望ましい。
【０００３】
しかしながら、従来の構造では、リッジストライプ幅を狭くし、かつ、リッジ ストライプ上の電流注入部面積を広くすることが困難である。特に、リッジスト ライプ幅はレーザのＦＦＰ特性に大きな影響を与えるため、幅を広げることが出 来ず、従って、電流注入面積も小さくせざるをえなかった。
【０００４】
本考案は上記問題点を解決したリッジ導波路型半導体レーザ素子を提供するも ので、活性層上にリッジストライプを有する半導体層を積層し、前記リッジスト ライプの上端部を電流注入部とするリッジ導波路型半導体レーザ素子において、 リッジストライプの上端部は長手方向にＶ溝を有することを特徴とするものであ る。
【０００５】
上述のように、リッジストライプの上端部に長手方向のＶ溝を設けると、従来 の平坦な上端部に比較して表面積が大きくなる。従って、電流注入部の接触抵抗 は従来に比較して低減し、素子の直列抵抗も低減し、出力特性が向上する。
【０００６】
以下、図面に示した実施例に基づいて本考案を詳細に説明する。 図１は本考案にかかるリッジ導波路型半導体レーザ素子の一実施例の部分斜視 図である。図中、７は上クラッド層、８はキャップ層、１１は誘電体膜である。 １２は上クラッド層７とキャップ層８からなるリッジストライプである。リッジ ストライプ１２の上端部にはＶ溝１３が形成されている。本実施例の素子は以下 のようにして製作した。即ち、リッジストライプ１２上に誘電体膜１１を形成す るところまでは従来技術で説明した通りである。次いで、誘電体膜１１を約１． ５μｍ幅に目抜き、露出したキャップ層８をエッチングし、Ｖ溝１３を形成した 。Ｖ溝１３の角度をリッジストライプ１２のメサ角と同じ５５°とすると、従来 の平坦な構造に比較して、電流注入面積を約３倍にすることができる。 なお、リッジストライプの上端部の形状は、上記実施例のようなＶ溝とは限ら ず、表面積が大きくなるような溝形状であればよい。
【０００７】
以上説明したように本考案によれば、活性層上にリッジストライプを有する半 導体層を積層し、前記リッジストライプの上端部を電流注入部とするリッジ導波 路型半導体レーザ素子において、リッジストライプの上端部は長手方向にＶ溝を 有するため、電流注入部の表面積が増加し、従って接触抵抗が低減し、出力特性 が向上するという優れた効果がある。
【図１】本考案に係るリッジ導波路型半導体レーザ素子
の一実施例の部分斜視図である。
の一実施例の部分斜視図である。
【図２】従来のリッジ導波路型半導体レーザ素子の断面
図である。
図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は従来のリッジ導波路型半導体
レーザ素子の製作説明図である。
レーザ素子の製作説明図である。
１ 基板 ２ バッファ層 ３ 下クラッド層 ４ 下光閉じ込め層 ５ 活性層 ６ 上光閉じ込め層 ７ 上クラッド層 ８ キャップ層 ９、１２ リッジストライプ １０ レジスト １１ 誘電体膜 １３ 溝
Claims (1)
- 【請求項１】 活性層上にリッジストライプを有する半
導体層を積層し、前記リッジストライプの上端部を電流
注入部とするリッジ導波路型半導体レーザ素子におい
て、リッジストライプの上端部は長手方向にＶ溝を有す
ることを特徴とするリッジ導波路型半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10984391U JPH0550759U (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | リッジ導波路型半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10984391U JPH0550759U (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | リッジ導波路型半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0550759U true JPH0550759U (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=14520609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10984391U Pending JPH0550759U (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | リッジ導波路型半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0550759U (ja) |
-
1991
- 1991-12-11 JP JP10984391U patent/JPH0550759U/ja active Pending
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