CN117638638A - 一种双梯形有源mmi半导体激光器及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例涉及半导体激光器技术领域，特别涉及一种双梯形有源MMI半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器包括：衬底以及下波导层、有源层和上波导层；上波导层远离衬底的一侧设有双梯形有源MMI结构，双梯形有源MMI结构通过对位于上波导层顶部的上波导盖层进行刻蚀形成；双梯形有源MMI结构包括沿光传播的方向依次排布的单模输入波导、多模干涉区波导、单模输出波导；单模输入波导和单模输出波导均为直波导；多模干涉区波导为双梯形多模干涉区波导，包括第一梯形波导和第二梯形波导；衬底的底部与上波导盖层的顶部均设置有电极。本申请在保持相同有源面积时降低了有源MMI半导体激光器输出功率对结构参数的敏感性，降低工艺难度，提高成品率。
Description
技术领域
本申请实施例涉及半导体激光器技术领域，特别涉及一种双梯形有源MMI半导体激光器及其制备方法。
背景技术
基横模半导体激光器通常通过制作较窄宽度的脊波导以满足输出激光的横模特性，但较窄的脊宽会导致器件输出功率的降低。随着通信技术的发展，对基横模激光器输出功率和热稳定性提出了越来越高的要求。
目前实现高亮度、高输出功率，半导体激光器目前主流方案有三种：第一种是锥形激光器，相对于窄脊半导体激光器，现有技术中锥形激光器可以在保持基横模式提升输出功率，但锥形激光器的光束不稳定，光电转换效率不高，工艺也复杂繁琐。第二种是平板耦合光波导激光器，该激光器有着近似圆形的远场光斑，具有较大功率和高亮度，但光电转换效率较低。第三种是带有倾斜光栅的半导体激光器，倾斜光栅可以有效的抑制侧向模式，可以实现较高的边模抑制比，使其远近场光斑呈高斯分布，但是倾斜光栅DFB结构很难制造，使其工艺难度大大增加。目前也有相关技术将多模干涉耦合结构(MultimodeInterference，MMI)结构应用在激光器中，在保证基横模的情况下实现了较高的输出功率，以及更好的耐温性，但传统矩形MMI的特性使得其制备时需于规定参数严格匹配，工艺难度较大。
综上所述，在保证单横模的前提下，尽可能的提高半导体激光器的输出功率、光电转换效率的同时降低工艺难度，提高成品率是目前需要解决的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种双梯形有源MMI半导体激光器，在保持相同有源面积时降低了有源MMI半导体激光器输出功率对结构参数的敏感性，降低工艺难度，提高成品率。
为了解决上述技术问题，第一方面，本申请实施例提供一种双梯形有源MMI半导体激光器，包括：衬底以及依次叠设在衬底上的下波导层、有源层和上波导层；上波导层远离衬底的一侧设有双梯形有源MMI结构，双梯形有源MMI结构通过对位于上波导层顶部的上波导盖层进行刻蚀形成；双梯形有源MMI结构包括沿光传播的方向依次排布的单模输入波导、多模干涉区波导、单模输出波导；单模输入波导和单模输出波导均为直波导；多模干涉区波导为双梯形多模干涉区波导，包括第一梯形波导和第二梯形波导；第一梯形波导靠近单模输入波导设置，第二梯形波导靠近单模输出波导设置；第一梯形波导和第二梯形波导关于多模干涉区波导的宽度方向的中轴线对称，且第一梯形波导和第二梯形波导关于多模干涉区波导的长度方向的中轴线对称；衬底的底部与上波导盖层的顶部均设置有电极。
在一些示例性实施例中，第一梯形波导和第二梯形波导均包括相对的第一边和第二边，第一梯形波导和第二梯形波导共用第二边，且单模输入波导位于第一梯形波导的第一边，单模输出波导位于第二梯形波导的第一边。
在一些示例性实施例中，多模干涉区波导的宽度采用正比例线性渐变换，沿光传播的方向，多模干涉区波导的宽度由第一边的宽度Wb变换到第二边的宽度W，再由第二边的宽度W变换到第一边的宽度Wb。
在一些示例性实施例中，单模输入波导、单模输出波导的宽度均小于多模干涉区波导的宽度。
在一些示例性实施例中，单模输入波导的宽度小于等于6μm；或者，单模输出波导的宽度小于等于6μm。
在一些示例性实施例中，上述双梯形有源MMI半导体激光器，还包括：下波导限制层和上波导限制层；下波导限制层设置在衬底和下波导层之间，上波导限制层设置在上波导层和上波导盖层之间；上波导盖层为P型掺杂，下波导层为N型掺杂；上波导限制层、有源层和下波导限制层共同构成P-i-N结构。
在一些示例性实施例中，有源层包括一个或多个量子阱，以及包括至少一个下分别限制层和上分别限制层。
在一些示例性实施例中，有源层采用量子点或者体材料作为有源介质，并包括至少一个下分别限制层和上分别限制层。
在一些示例性实施例中，第一梯形波导和第二梯形波导均为等腰梯形波导。
第二方面，本申请实施例提供了一种双梯形有源MMI半导体激光器的制备方法，包括以下步骤：首先，提供衬底；接下来，在衬底上依次形成下波导层、有源层、上波导层和上波导盖层；然后，对上波导盖层进行图案化处理，在上波导层上形成双梯形有源MMI结构；其中，双梯形有源MMI结构包括沿光传播的方向依次排布的单模输入波导、多模干涉区波导、单模输出波导；单模输入波导和单模输出波导均为直波导；多模干涉区波导为双梯形多模干涉区波导，包括第一梯形波导和第二梯形波导；第一梯形波导靠近单模输入波导设置，第二梯形波导靠近单模输出波导设置；第一梯形波导和第二梯形波导关于多模干涉区波导的宽度方向的中轴线对称，且第一梯形波导和第二梯形波导关于多模干涉区波导的长度方向的中轴线对称；最后，在衬底的底部与上波导盖层的顶部均形成电极。
本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
本申请实施例提供一种双梯形有源MMI半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器包括：衬底以及依次叠设在衬底上的下波导层、有源层和上波导层；上波导层远离衬底的一侧设有双梯形有源MMI结构，双梯形有源MMI结构通过对位于上波导层顶部的上波导盖层进行刻蚀形成；双梯形有源MMI结构包括沿光传播的方向依次排布的单模输入波导、多模干涉区波导、单模输出波导；单模输入波导和单模输出波导均为直波导；多模干涉区波导为双梯形多模干涉区波导，包括第一梯形波导和第二梯形波导；第一梯形波导靠近单模输入波导设置，第二梯形波导靠近单模输出波导设置；第一梯形波导和第二梯形波导关于多模干涉区波导的宽度方向的中轴线对称，且第一梯形波导和第二梯形波导关于多模干涉区波导的长度方向的中轴线对称；衬底的底部与上波导盖层的顶部均设置有电极。
本申请实施例通过提供一种双梯形有源MMI半导体激光器及其制备方法，通过改变MMI多模波导的形状，在保持相等的有源面积下，降低了有源MMI半导体激光器输出功率对结构参数的敏感性，在保持基横模、高功率的同时降低工艺难度，提高成品率。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1为本申请一实施例提供的双梯形有源MMI半导体激光器的结构示意图；
图2为本申请一实施例提供的双梯形有源MMI半导体激光器的俯视图；
图3是本申请一实施例提供的参数改变的插入损耗图；
图4是本申请一实施例提供的单模波导光场图；
图5是本申请一实施例提供的不同脊波导刻蚀深度光场分布图；
图6是本申请一实施例提供的双梯形有源MMI半导体激光器的制备方法的流程示意图；
其中，1为电极；2为衬底；3为下波导限制层；4为下波导层；5为有源层；6为上波导层；7为上波导限制层；8为氧化硅层；9为上波导盖层；10为单模波导；11为多模波导。
具体实施方式
由背景技术可知，现有的半导体激光器存在着光电转换效率低、工艺难度大的问题。
为了解决上述技术问题，本申请实施例提供一种双梯形有源MMI半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器包括：衬底以及依次叠设在衬底上的下波导层、有源层和上波导层；上波导层远离衬底的一侧设有双梯形有源MMI结构，双梯形有源MMI结构通过对位于上波导层顶部的上波导盖层进行刻蚀形成；双梯形有源MMI结构包括沿光传播的方向依次排布的单模输入波导、多模干涉区波导、单模输出波导；单模输入波导和单模输出波导均为直波导；多模干涉区波导为双梯形多模干涉区波导，包括第一梯形波导和第二梯形波导；第一梯形波导靠近单模输入波导设置，第二梯形波导靠近单模输出波导设置；第一梯形波导和第二梯形波导关于多模干涉区波导的宽度方向的中轴线对称，且第一梯形波导和第二梯形波导关于多模干涉区波导的长度方向的中轴线对称；衬底的底部与上波导盖层的顶部均设置有电极。本申请实施例提供一种双梯形有源MMI半导体激光器，在保持相同有源面积时降低了有源MMI半导体激光器输出功率对结构参数的敏感性，降低工艺难度，提高成品率。
下面将结合附图对本申请的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本申请各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
参看图1，本申请实施例提供一种双梯形有源MMI半导体激光器，包括：衬底2以及依次叠设在衬底2上的下波导层4、有源层5和上波导层6；上波导层6远离衬底2的一侧设有双梯形有源MMI结构，双梯形有源MMI结构通过对位于上波导层6顶部的上波导盖层9进行刻蚀形成；双梯形有源MMI结构包括沿光传播的方向依次排布的单模波导10和多模波导11，单模波导10包括单模输入波导101和单模输出波导102，多模波导11包括多模干涉区波导；如图2所示，单模输入波导101和单模输出波导102均为直波导；多模干涉区波导为双梯形多模干涉区波导，包括第一梯形波导111和第二梯形波导112；第一梯形波导111靠近单模输入波导101设置，第二梯形波导112靠近单模输出波导102设置；第一梯形波导111和第二梯形波导112关于多模干涉区波导的宽度方向的中轴线对称，且第一梯形波导111和第二梯形波导112关于多模干涉区波导的长度方向的中轴线对称；衬底2的底部与上波导盖层9的顶部均设置有电极1。
目前，1×1型MMI结构作为光电子器件中常见的结构之一，因其多模波导面积大、损耗小、结构紧凑等优点，应用在有源器件上以实现光电转化效率、输出功率等性能的提升。已有研究报道表明，采用1×1型MMI结构的超发光二极管、半导体光放大器和半导体激光器等有源器件在提升输出功率方面效果显著。因此，本申请通过将MMI结构与半导体激光器结合，得到双梯形有源MMI半导体激光器，利用本申请的半导体激光器可以增大有源区面积，在一定程度上提升半导体激光器功率，且降低器件对参数变化的敏感性，减小器件工艺难度，提高成品率。
需要说明的是，上波导盖层9包括未刻蚀层以及设置在未刻蚀层上的脊波导的脊区，本申请通过将脊波导替换成双梯形有源MMI结构，增大有源区面积，在一定程度上提升半导体激光器功率。
在一些实施例中，第一梯形波导111和第二梯形波导112均包括相对的第一边和第二边，第一梯形波导111和第二梯形波导112共用第二边，且单模输入波导101位于第一梯形波导111的第一边，单模输出波导102位于第二梯形波导112的第一边。
在一些实施例中，多模干涉区波导的宽度采用正比例线性渐变换，沿光传播的方向，多模干涉区波导的宽度由第一边的宽度Wb变换到第二边的宽度W，再由第二边的宽度W变换到第一边的宽度Wb。
在一些实施例中，单模输入波导101、单模输出波导102的宽度均小于多模干涉区波导的宽度。
在一些实施例中，单模输入波导101的宽度小于等于6μm；或者，单模输出波导102的宽度小于等于6μm。
具体的，本实施例中，双梯形有源MMI半导体激光器的单模波导不大于6μm，MMI多模波导部分采用对称分布的双梯形结构。本申请通过改变多模波导的形状，改变多模波导内部的对称性光模干涉密度，降低了输出功率对结构参数变化的敏感性，降低了工艺难度。
在一些实施例中，第一梯形波导111和第二梯形波导112均为等腰梯形波导。
如图2所示，第一梯形波导111的第一边为多模干涉区波导中位于下方的梯形结构的底边，第一边的宽度为该梯形结构的底宽Wd；第一梯形波导111的第二边为该梯形结构的腰，第二边的宽度为该梯形结构的腰宽W。第一梯形波导111和第二梯形波导112共用第二边，即第一梯形波导111和第二梯形波导112的腰宽相等；第二梯形波导112的第一边为多模干涉区波导中位于上方的梯形结构的顶边，第一边的宽度为该梯形结构的顶宽，该顶宽与多模干涉区波导中位于下方的梯形结构的底宽Wd相等。
在一些实施例中，单模输入波导101位于第一梯形波导111的第一边的中心位置。
在一些实施例中，单模输出波导102位于第二梯形波导112的第一边的中心位置。
具体的，单模输入波导101和单模输出波导102沿着多模干涉区波导的输入和输出端的中心位置。本申请设计的双梯形有源MMI结构的多模干涉区波导为衬底2的长度方向和宽度方向两个方向对称梯形组合形状，该结构优点是可以使器件在保持传统矩形MMI结构的紧凑、低损耗、大带宽等特点的同时，减低了MMI输出特性对结构参数变化的敏感性，减小了工艺难度，提高良品率，可作为光放大器、光开关、半导体激光器等应用于芯片上光网络。
在一些实施例中，单模输入波导101的长度、宽度和厚度分别为200μm、4μm、2.5μm。
在一些实施例中，单模输出波导102的长度、宽度和厚度分别为200μm、4μm、2.5μm。
本申请通过对1×1双梯形有源MMI结构参数进行设计，其中1×1双梯形有源MMI结构的输入、输出波导宽度均为w，多模波导长度为Lmmi，底宽为Wd，腰宽为W。
在一些实施例中，多模干涉区波导的长度的计算公式为：
其中，Lmmi为多模干涉区波导的长度，N为输入端的像自映像到输出端像的重数，因此，1×1双梯形有源MMI结构中，N＝1。
其中Lπ定义为最低2阶模式的拍长，其近似为：
其中，nr为波导芯层的折射率，λ0为输入光的波长，We可以等效的看成截面的有效宽度，当N＝1时其式可表示为：
对于1×1型双梯形有源MMI结构，其多模波导由两个对称的梯形部分组成，两个部分分别在线性下锥形和线性上锥形部分中进行变换。通过这种转换，自成像特性保持不变，因此公式(3)可以表示为：
其中，W和Wb分别表示输入端和中心的多模波导截面的有效宽度。
使用Rsoft仿真软件，对1×1双梯形有源MMI结构进行仿真，同时引入插入损耗来表征双梯形多模干涉耦合器结构输出光强对参数的敏感性，插入损耗的计算公式为：
本申请采用的双梯形有源MMI结构为1×1型MMI耦合器结构，因此该式中N＝1。
如图1所示，在一些实施例中，上述双梯形有源MMI半导体激光器，还包括：下波导限制层3和上波导限制层7；下波导限制层3设置在衬底2和下波导层4之间，上波导限制层7设置在上波导层6和上波导盖层9之间；上波导盖层9为P型掺杂，设置有高掺杂的P欧姆接触层，掺杂浓度范围为1019～1020cm-3，来提供足够的载流子；下波导层4为N型掺杂，设置有高掺杂的N欧姆接触层；上波导限制层7、有源层5和下波导限制层3共同构成P-i-N结构(PN结)。
需要说明的是，本申请的双梯形有源MMI结构是通过对上波导盖层9和部分上波导限制层7进行刻蚀形成。在一个具体的实施例中，电极1的制作材料为Ti/Pt/Au，厚度为95nm；衬底2和上波导盖层9的生长材料分别为厚度为0.5μm和0.15μm的N型和P型掺杂GaAs；下波导限制层3和上波导限制层7的生长材料分别为厚度为3μm和1.3μm的N型和P型掺杂的Al0.37GaAs和Al0.31GaAs；下波导层4和上波导层6的生长材料分别为厚度为0.23μm和0.43μm的N型和P型掺杂的Al0.26GaAs。
在一些实施例中，上述双梯形有源MMI半导体激光器，还包括：氧化硅层8，氧化硅层8位于上波导限制层7和上波导盖层9之间；氧化硅层8的材料为SiO2。
在一些实施例中，有源层5不掺杂，包括一个或多个量子阱，以及包括至少一个下分别限制层和上分别限制层。
在一些实施例中，有源层5采用量子点或者体材料作为有源介质，并包括至少一个下分别限制层和上分别限制层。
在一个具体的实施例中，有源层5(也可称有源增益层)的生长材料为厚度为0.0075μm/0.033μm的In0.285GaAs/GaAsP单量子阱。
在一些实施例中，该半导体激光器两端为自然解理面，或两端分别镀上增透膜或高反膜，增透膜的反射率小于1％，来提高输出功率，高反膜的反射率大于99％，来提供足够的光反馈。
本申请提供了一种双梯形有源MMI半导体激光器，与常规矩形有源MMI半导体激光器相比，在保持相同有源面积时降低了有源MMI半导体激光器输出功率对结构参数的敏感性，降低工艺难度，提高成品率。
图3为本发明的参数改变的插入损耗图，可以看出，在多个参数范围性变化时，双梯形MMI的插入损耗变化低于常规矩形MMI，因此双梯形MMI半导体激光器的输出功率对多模波导结构参数变化的敏感性低于常规矩形有源MMI半导体激光器。
图4为本发明的单模波导光场图，可以看出，在单模波导宽度在5μm时，输出广场为单模高斯分布。
图5为本发明的不同脊波导刻蚀深度光场分布图，刻蚀深度在800nm左右时可以保持较好的光场分布。
参看图6，本申请实施例提供了一种双梯形有源MMI半导体激光器的制备方法，包括以下步骤：
步骤S101、提供衬底。
步骤S102、在衬底上依次形成下波导层、有源层、上波导层和上波导盖层。
步骤S103、对上波导盖层进行图案化处理，在上波导层上形成双梯形有源MMI结构。其中，双梯形有源MMI结构包括沿光传播的方向依次排布的单模输入波导、多模干涉区波导、单模输出波导；单模输入波导和单模输出波导均为直波导；多模干涉区波导为双梯形多模干涉区波导，包括第一梯形波导和第二梯形波导；第一梯形波导靠近单模输入波导设置，第二梯形波导靠近单模输出波导设置；第一梯形波导和第二梯形波导关于多模干涉区波导的宽度方向的中轴线对称，且第一梯形波导和第二梯形波导关于多模干涉区波导的长度方向的中轴线对称。
步骤S104、在衬底的底部与上波导盖层的顶部均形成电极。
在一些实施例中，在步骤S102中，还包括在衬底上形成下波导限制层的步骤，以及在上波导层上依次形成上波导限制层、氧化硅层的步骤；其中，上波导盖层为P型掺杂，设置有高掺杂的P欧姆接触层，掺杂浓度范围为1019～1020cm-3，来提供足够的载流子；下波导层为N型掺杂，设置有高掺杂的N欧姆接触层；上波导限制层、有源层和下波导限制层共同构成PN结。
需要说明的是，步骤S103中的图案化处理包括曝光、显影、刻蚀等操作。在步骤S103中，通过对上波导盖层和部分上波导限制层进行刻蚀处理，以形成双梯形有源MMI结构。
由以上技术方案，本申请实施例提供一种双梯形有源MMI半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器包括：衬底以及依次叠设在衬底上的下波导层、有源层和上波导层；上波导层远离衬底的一侧设有双梯形有源MMI结构，双梯形有源MMI结构通过对位于上波导层顶部的上波导盖层进行刻蚀形成；双梯形有源MMI结构包括沿光传播的方向依次排布的单模输入波导、多模干涉区波导、单模输出波导；单模输入波导和单模输出波导均为直波导；多模干涉区波导为双梯形多模干涉区波导，包括第一梯形波导和第二梯形波导；第一梯形波导靠近单模输入波导设置，第二梯形波导靠近单模输出波导设置；第一梯形波导和第二梯形波导关于多模干涉区波导的宽度方向的中轴线对称，且第一梯形波导和第二梯形波导关于多模干涉区波导的长度方向的中轴线对称；衬底的底部与上波导盖层的顶部均设置有电极。
本申请实施例通过提供一种双梯形有源MMI半导体激光器及其制备方法，通过改变MMI多模波导的形状，在保持相等的有源面积下，降低了有源MMI半导体激光器输出功率对结构参数的敏感性，在保持基横模、高功率的同时降低工艺难度，提高成品率。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本申请的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本申请的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本申请的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。
Claims (10)
1.一种双梯形有源MMI半导体激光器，其特征在于，包括：
衬底以及依次叠设在所述衬底上的下波导层、有源层和上波导层；
所述上波导层远离所述衬底的一侧设有双梯形有源MMI结构，所述双梯形有源MMI结构通过对位于所述上波导层顶部的上波导盖层进行刻蚀形成；
所述双梯形有源MMI结构包括沿光传播的方向依次排布的单模输入波导、多模干涉区波导、单模输出波导；所述单模输入波导和单模输出波导均为直波导；所述多模干涉区波导为双梯形多模干涉区波导，包括第一梯形波导和第二梯形波导；所述第一梯形波导靠近所述单模输入波导设置，所述第二梯形波导靠近所述单模输出波导设置；所述第一梯形波导和所述第二梯形波导关于所述多模干涉区波导的宽度方向的中轴线对称，且所述第一梯形波导和所述第二梯形波导关于所述多模干涉区波导的长度方向的中轴线对称；
所述衬底的底部与所述上波导盖层的顶部均设置有电极。
2.根据权利要求1所述的双梯形有源MMI半导体激光器，其特征在于，所述第一梯形波导和所述第二梯形波导均包括相对的第一边和第二边，所述第一梯形波导和所述第二梯形波导共用第二边，且所述单模输入波导位于所述第一梯形波导的第一边，所述单模输出波导位于所述第二梯形波导的第一边。
3.根据权利要求2所述的双梯形有源MMI半导体激光器，其特征在于，所述多模干涉区波导的宽度采用正比例线性渐变换，沿光传播的方向，所述多模干涉区波导的宽度由第一边的宽度Wb变换到第二边的宽度W，再由第二边的宽度W变换到第一边的宽度Wb。
4.根据权利要求1所述的双梯形有源MMI半导体激光器，其特征在于，所述单模输入波导、所述单模输出波导的宽度均小于所述多模干涉区波导的宽度。
5.根据权利要求1所述的双梯形有源MMI半导体激光器，其特征在于，所述单模输入波导的宽度小于等于6μm；或者，所述单模输出波导的宽度小于等于6μm。
6.根据权利要求1所述的双梯形有源MMI半导体激光器，其特征在于，还包括：下波导限制层和上波导限制层；所述下波导限制层设置在所述衬底和所述下波导层之间，所述上波导限制层设置在所述上波导层和所述上波导盖层之间；
所述上波导盖层为P型掺杂，所述下波导层为N型掺杂；所述上波导限制层、所述有源层和所述下波导限制层共同构成P-i-N结构。
7.根据权利要求1所述的双梯形有源MMI半导体激光器，其特征在于，所述有源层包括一个或多个量子阱，以及包括至少一个下分别限制层和上分别限制层。
8.根据权利要求1所述的双梯形有源MMI半导体激光器，其特征在于，所述有源层采用量子点或者体材料作为有源介质，并包括至少一个下分别限制层和上分别限制层。
9.根据权利要求1所述的双梯形有源MMI半导体激光器，其特征在于，所述第一梯形波导和所述第二梯形波导均为等腰梯形波导。
10.一种双梯形有源MMI半导体激光器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底；
在所述衬底上依次形成下波导层、有源层、上波导层和上波导盖层；
对所述上波导盖层进行图案化处理，在上波导层上形成双梯形有源MMI结构；其中，所述双梯形有源MMI结构包括沿光传播的方向依次排布的单模输入波导、多模干涉区波导、单模输出波导；所述单模输入波导和单模输出波导均为直波导；所述多模干涉区波导为双梯形多模干涉区波导，包括第一梯形波导和第二梯形波导；所述第一梯形波导靠近所述单模输入波导设置，所述第二梯形波导靠近所述单模输出波导设置；所述第一梯形波导和所述第二梯形波导关于所述多模干涉区波导的宽度方向的中轴线对称，且所述第一梯形波导和所述第二梯形波导关于所述多模干涉区波导的长度方向的中轴线对称；
在所述衬底的底部与所述上波导盖层的顶部均形成电极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311657164.7A CN117638638A (zh) | 2023-12-05 | 2023-12-05 | 一种双梯形有源mmi半导体激光器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311657164.7A CN117638638A (zh) | 2023-12-05 | 2023-12-05 | 一种双梯形有源mmi半导体激光器及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117638638A true CN117638638A (zh) | 2024-03-01 |
Family
ID=90028585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311657164.7A Pending CN117638638A (zh) | 2023-12-05 | 2023-12-05 | 一种双梯形有源mmi半导体激光器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117638638A (zh) |
-
2023
- 2023-12-05 CN CN202311657164.7A patent/CN117638638A/zh active Pending
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